JPH02275659A - 樹脂モールド型半導体装置 - Google Patents
樹脂モールド型半導体装置Info
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- JPH02275659A JPH02275659A JP1097978A JP9797889A JPH02275659A JP H02275659 A JPH02275659 A JP H02275659A JP 1097978 A JP1097978 A JP 1097978A JP 9797889 A JP9797889 A JP 9797889A JP H02275659 A JPH02275659 A JP H02275659A
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- semiconductor device
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂モールド型半導体装置に関し、特に表面が
Ｃｕを主体とする素材からなるリードフレームを使用し
た樹脂モールド型半導体装置に関する。
Ｃｕを主体とする素材からなるリードフレームを使用し
た樹脂モールド型半導体装置に関する。
従来、この種の樹脂モールド型半導体装置は、Ｃｕ又は
Ｃｕ合金からなるリードフレームを使用し、半導体素子
をへｇペースト等を用いてリードフレームにマウントし
た後、へｇペーストをキュア（一般に１５０℃、２時間
）し、半導体素子をリードフレームに固着する。
Ｃｕ合金からなるリードフレームを使用し、半導体素子
をへｇペースト等を用いてリードフレームにマウントし
た後、へｇペーストをキュア（一般に１５０℃、２時間
）し、半導体素子をリードフレームに固着する。
その後、半導体素子の電極とリードフレームの内部リー
ドとを、Ａｕワイヤ等によりボンディング接続（一般に
１５０〜３５０℃）する、更に、この半導体素子を保護
し、且つ外部導出リードを固定するために、樹脂モール
ド（一般に１５０〜１７５℃）を行う。
ドとを、Ａｕワイヤ等によりボンディング接続（一般に
１５０〜３５０℃）する、更に、この半導体素子を保護
し、且つ外部導出リードを固定するために、樹脂モール
ド（一般に１５０〜１７５℃）を行う。
こうして組立てられた半導体装置は、組立工程（Ａｇペ
ーストキュア工程、ワイヤボンディング工程、樹脂モー
ルド工程）中の加熱により、外部導出リードは酸化され
ている。そのため、一般に外部に導出したリード部には
、電解半田めっき法又はデイツプ法によって半田めっき
を施し、半導体装置が取り付けられる外部装置との電気
的接続の際に用いられる半田等の濡れ性を改善した構造
を有している。
ーストキュア工程、ワイヤボンディング工程、樹脂モー
ルド工程）中の加熱により、外部導出リードは酸化され
ている。そのため、一般に外部に導出したリード部には
、電解半田めっき法又はデイツプ法によって半田めっき
を施し、半導体装置が取り付けられる外部装置との電気
的接続の際に用いられる半田等の濡れ性を改善した構造
を有している。
そして、半田めっきを施した後、不要リードフレーム部
を切断加工し、外部導出リードを成形加工して半導体装
置は完成する。又、リードフレームはワイヤボンディン
グ性を良くするために、内部リードのワイヤ接続部に部
分Ａｇめっきを施したものが一般に使用されている。
を切断加工し、外部導出リードを成形加工して半導体装
置は完成する。又、リードフレームはワイヤボンディン
グ性を良くするために、内部リードのワイヤ接続部に部
分Ａｇめっきを施したものが一般に使用されている。
〔発明が解決し７ようとする課題〕
上述した従来の樹脂モールド型半導体装置は、樹脂モー
ルド後、外装めっきを施すために組立工程が複雑となり
、コスト高となっていた。
ルド後、外装めっきを施すために組立工程が複雑となり
、コスト高となっていた。
更に、電解半田めっき法では、通常、半田めっき液及び
その前処理工程での処理液に強酸溶液が使用され、半導
体装置はその強酸溶液中に長時間浸漬（１５〜３０分）
される。
その前処理工程での処理液に強酸溶液が使用され、半導
体装置はその強酸溶液中に長時間浸漬（１５〜３０分）
される。
そのため、リードフレームとモールド樹脂との微小隙間
に強酸溶液が侵入し、樹脂モールド境界のリードフレー
ムに内部腐食が生じ易くなり、更に、侵入イオンの除去
が困難となって残留イオンによる半導体装置の使用条件
下における電解腐食が生じ易くなり、電気的オーブン不
良が発生するという欠点を有していた。
に強酸溶液が侵入し、樹脂モールド境界のリードフレー
ムに内部腐食が生じ易くなり、更に、侵入イオンの除去
が困難となって残留イオンによる半導体装置の使用条件
下における電解腐食が生じ易くなり、電気的オーブン不
良が発生するという欠点を有していた。
又、デイツプ法による半田めっきでは、半田めっき時の
温度が高い（２５０〜２８０°Ｃ）ために、半田デイツ
プ時の熱ストレスにより、リードフレームとモールド樹
脂との界面の隙間が大きくなり、プレッシャークツカー
テストなどの結果、耐湿性が原因で電気的絶縁性の劣化
が生じ易いといった欠点を有していた。
温度が高い（２５０〜２８０°Ｃ）ために、半田デイツ
プ時の熱ストレスにより、リードフレームとモールド樹
脂との界面の隙間が大きくなり、プレッシャークツカー
テストなどの結果、耐湿性が原因で電気的絶縁性の劣化
が生じ易いといった欠点を有していた。
本発明は、少なくとも表面がＣｕを主体とする素材から
なるリードフレームを使用した樹脂モールド型半導体装
置において、樹脂モールド後に切断成形された外部導出
リードの表面にリードフレーム素材のＣｕ面がそのまま
露出している樹脂モールド型半導体装置である。
なるリードフレームを使用した樹脂モールド型半導体装
置において、樹脂モールド後に切断成形された外部導出
リードの表面にリードフレーム素材のＣｕ面がそのまま
露出している樹脂モールド型半導体装置である。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す縦断面図である。
Ｃｕ又はＣｕを主成分とする素材からなるリードフレー
ム１は、ワイヤボンディング性を改善するための部分＾
ｇめっき２を内部リードに有している。このリードフレ
ーム１上に＾ｇペースト３を用いて半導体素子４をマウ
ントし、その後Ａｇペースト３をキュア硬化させ、半導
体素子４を固着している。
ム１は、ワイヤボンディング性を改善するための部分＾
ｇめっき２を内部リードに有している。このリードフレ
ーム１上に＾ｇペースト３を用いて半導体素子４をマウ
ントし、その後Ａｇペースト３をキュア硬化させ、半導
体素子４を固着している。
又、半導体素子４の電極部（図示せず）とリードフレー
ム１の内部リード上の部分＾ｇめつき２とを、Ａｕワイ
ヤ５でボンディングしている。更に、半導体素子４等を
保護するために、エポキシ樹脂等のモールド樹脂６で封
止している。外部導出リード１ａは、樹脂モールド後必
要形状に切断、成形されている。なお、外部導出リード
ｌａは、半田めっき等の被膜を施しておらず、リードフ
レームの素材を露出させている。
ム１の内部リード上の部分＾ｇめつき２とを、Ａｕワイ
ヤ５でボンディングしている。更に、半導体素子４等を
保護するために、エポキシ樹脂等のモールド樹脂６で封
止している。外部導出リード１ａは、樹脂モールド後必
要形状に切断、成形されている。なお、外部導出リード
ｌａは、半田めっき等の被膜を施しておらず、リードフ
レームの素材を露出させている。
次に、本発明の樹脂モールド型半導体装置の製造方法に
ついて説明する。まず、半導体素子をＣｕ又はＣｕ合金
からなるリードフレーム上にマウント固着した後、ワイ
ヤボンディングによって半導体素子の電極と内部リード
とを接続し、樹脂モールドを行う。
ついて説明する。まず、半導体素子をＣｕ又はＣｕ合金
からなるリードフレーム上にマウント固着した後、ワイ
ヤボンディングによって半導体素子の電極と内部リード
とを接続し、樹脂モールドを行う。
しかる後に、一つの方法として５〜Ｉ ５ｗｔ％の塩酸
又は硫酸溶液中に３０〜６０秒浸漬し、樹脂モールドさ
れていない部分のリードフレーム表面の酸化物を除去し
た後純水洗浄し、その後８０〜１００℃のエアー中で３
〜ＩＯ分間乾燥する。
又は硫酸溶液中に３０〜６０秒浸漬し、樹脂モールドさ
れていない部分のリードフレーム表面の酸化物を除去し
た後純水洗浄し、その後８０〜１００℃のエアー中で３
〜ＩＯ分間乾燥する。
又、別の方法としては、組立工程中で高温となる工程、
すなわち半導体素子マウント固着、ワイヤボンディング
、樹脂モールドの各工程で還元性雰囲気（例えばＮ２を
５〜１０ｖｏ１％含むＮ２カス）を用いることにより、
リードフレーム表面の酸化を防止する方法でもよい。
すなわち半導体素子マウント固着、ワイヤボンディング
、樹脂モールドの各工程で還元性雰囲気（例えばＮ２を
５〜１０ｖｏ１％含むＮ２カス）を用いることにより、
リードフレーム表面の酸化を防止する方法でもよい。
こうして得られた半導体装置のリードフレームの不要部
分を最後に切断し、所定の必要形状に外部導出リードを
成形して半導体装置を完成する。
分を最後に切断し、所定の必要形状に外部導出リードを
成形して半導体装置を完成する。
第２図は本発明の第２の実施例を示す縦断面図である。
リードフレーム７は、Ｆｅ又はＦｅ−Ｎｉ合金などのＦ
ｅ系合金９からなり、Ｃｕめつきが施されている。又、
ワイヤボンディング性を改善するために、内部リードに
部分Ａｇめっき２が設けである。
ｅ系合金９からなり、Ｃｕめつきが施されている。又、
ワイヤボンディング性を改善するために、内部リードに
部分Ａｇめっき２が設けである。
このリードフレーム７上に、Ａｇペースト３にて半導体
素子４を固着し、半導体素子４と内部リードの部分Ａｇ
めっき２とをＡｕワイヤ５にてボンディング接続し、更
にモールド樹脂６を用いて封止している。
素子４を固着し、半導体素子４と内部リードの部分Ａｇ
めっき２とをＡｕワイヤ５にてボンディング接続し、更
にモールド樹脂６を用いて封止している。
外部導出リード７ａは、第１の実施例と同様必要形状に
切断成形され、半田めっき等の被膜は施さず、リードフ
レーム素材のＣｕめつき部を露出させている。
切断成形され、半田めっき等の被膜は施さず、リードフ
レーム素材のＣｕめつき部を露出させている。
なお、組立工程中で前述の還元性雰囲気を使わない場合
、Ｃｕめつき８の厚さは０．４μｍ以上が好ましい。０
．４μｍ未満では、下地のＦｅ又はＦｅ系合金９が酸化
し、外部装置との接続に使用する半田の濡れ性を悪くす
ることがある。
、Ｃｕめつき８の厚さは０．４μｍ以上が好ましい。０
．４μｍ未満では、下地のＦｅ又はＦｅ系合金９が酸化
し、外部装置との接続に使用する半田の濡れ性を悪くす
ることがある。
次に、第１表（次頁）に、従来の半導体装置と本発明に
よる半導体装置との、半田付は性及びプレッシャークツ
カーテスト（ＰＣＴ）による電気特性劣化の割合を、同
一形状、同一条件下で比敦した結果を示す。
よる半導体装置との、半田付は性及びプレッシャークツ
カーテスト（ＰＣＴ）による電気特性劣化の割合を、同
一形状、同一条件下で比敦した結果を示す。
第１表
半田付は性及びＰＣＴ後電気特性劣化比較結果第１表に
よれば、本発明の半導体装置は半田付は性では差はなく
、耐湿性では改善されていることがわかる。
よれば、本発明の半導体装置は半田付は性では差はなく
、耐湿性では改善されていることがわかる。
以上説明したように本発明は、外部導出リードに半田め
っき等の被膜を形成せず、リードフレームの素材である
Ｃｕ又はＣｕ系合金のままか、あるいはＦｅ又はＦｅ−
Ｎｉ合金に施したＣｕめっきをそのまま露出させている
。従って、加工工数が低減でき、低コストの半導体装置
を提供できる。
っき等の被膜を形成せず、リードフレームの素材である
Ｃｕ又はＣｕ系合金のままか、あるいはＦｅ又はＦｅ−
Ｎｉ合金に施したＣｕめっきをそのまま露出させている
。従って、加工工数が低減でき、低コストの半導体装置
を提供できる。
又、電解半田めっき処理のような長時間の酸浸漬や、半
田デイツプ処理のような高温処理が樹脂モールド後不要
となり、耐湿性に優れた半導体装置を提供できる。
田デイツプ処理のような高温処理が樹脂モールド後不要
となり、耐湿性に優れた半導体装置を提供できる。
第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図、第２図は本
発明の第２の実施例の縦断面図である。 １・・・リードフレーム、１ａ・・・外部導出リード、
３・・Ａｇペースト、４・・・半導体素子、５・・・Ａ
ｕワイヤ、６・・・モールド樹脂、７・・・リードフレ
ーム、７ａ・・・外部導出リード、８・・・Ｃｕめつき
、９・・・Ｆｅ又はＦｅ系合金。 率 １ 訂
発明の第２の実施例の縦断面図である。 １・・・リードフレーム、１ａ・・・外部導出リード、
３・・Ａｇペースト、４・・・半導体素子、５・・・Ａ
ｕワイヤ、６・・・モールド樹脂、７・・・リードフレ
ーム、７ａ・・・外部導出リード、８・・・Ｃｕめつき
、９・・・Ｆｅ又はＦｅ系合金。 率 １ 訂
Claims (1)
- 少なくとも表面がＣｕを主体とする素材からなるリード
フレームを使用した樹脂モールド型半導体装置において
、樹脂モールド後に切断成形された外部導出リードの表
面にリードフレーム素材のＣｕ面がそのまま露出してい
ることを特徴とする樹脂モールド型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1097978A JP2871716B2 (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 樹脂モールド型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1097978A JP2871716B2 (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 樹脂モールド型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02275659A true JPH02275659A (ja) | 1990-11-09 |
| JP2871716B2 JP2871716B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=14206751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1097978A Expired - Fee Related JP2871716B2 (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 樹脂モールド型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2871716B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0846107A (ja) * | 1994-08-04 | 1996-02-16 | Naramoto Rika Kogyo Kk | 半導体用リードフレームの乾燥方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS633444A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-04-17 JP JP1097978A patent/JP2871716B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS633444A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0846107A (ja) * | 1994-08-04 | 1996-02-16 | Naramoto Rika Kogyo Kk | 半導体用リードフレームの乾燥方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2871716B2 (ja) | 1999-03-17 |
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