JPS6334780B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6334780B2 JPS6334780B2 JP58118795A JP11879583A JPS6334780B2 JP S6334780 B2 JPS6334780 B2 JP S6334780B2 JP 58118795 A JP58118795 A JP 58118795A JP 11879583 A JP11879583 A JP 11879583A JP S6334780 B2 JPS6334780 B2 JP S6334780B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- deuterium lamp
- lamp
- reaction
- necessary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
- B08B7/0057—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は所定の気体を光化学反応により活性化
し薄膜の作成、食刻、清浄化あるいは表面の改質
などの固体表面処理を行なう光化学的表面処理装
置の改良に関するものである。
し薄膜の作成、食刻、清浄化あるいは表面の改質
などの固体表面処理を行なう光化学的表面処理装
置の改良に関するものである。
気体を光化学的反応により活性化し、固体に前
記したような種々の表面処理をする方法は、処理
過程が低温で可能であること、荷電粒子の衝撃に
よる損傷がないこと、光化学的選択性により従来
に無い処理が可能となること、反応過程の選択お
よび制御が容易であることなどから近年急速な進
展をみせている。
記したような種々の表面処理をする方法は、処理
過程が低温で可能であること、荷電粒子の衝撃に
よる損傷がないこと、光化学的選択性により従来
に無い処理が可能となること、反応過程の選択お
よび制御が容易であることなどから近年急速な進
展をみせている。
しかしこれを光源について見た場合、今日にお
いても当初から用いられて来た低圧水銀ランプを
用いる装置および方法が依然主流となつている
が、従来のこの種の光源では紫外光としてほとん
ど253.7nmおよび／又は184.9nmの波長しか放射
されていない。そのため新規に使われはじめた反
応気体および／又は増感剤の吸収帯を低圧水銀ラ
ンプの発光波長とが一致せず、所望の反応効率が
充分得られなかつたり、あるいは全く反応が進ま
ない事態を生じている。
いても当初から用いられて来た低圧水銀ランプを
用いる装置および方法が依然主流となつている
が、従来のこの種の光源では紫外光としてほとん
ど253.7nmおよび／又は184.9nmの波長しか放射
されていない。そのため新規に使われはじめた反
応気体および／又は増感剤の吸収帯を低圧水銀ラ
ンプの発光波長とが一致せず、所望の反応効率が
充分得られなかつたり、あるいは全く反応が進ま
ない事態を生じている。
また低圧水銀ランプの発光波長を効率良く吸収
する増感剤として水銀が盛んに用いられている
が、この水銀を用いる方法では水銀の人体への悪
影響ならびに水銀の被処理物への混入が問題とな
つている。
する増感剤として水銀が盛んに用いられている
が、この水銀を用いる方法では水銀の人体への悪
影響ならびに水銀の被処理物への混入が問題とな
つている。
本発明は160〜400nmの連続した発光領域を持
つ重水素ランプ（例えば、西ドイツオリジナル・
ハナウ社製のものがある。）を光源として用いる
ことにより、広範囲に亘る所望の反応気体およ
び／又は増感剤の吸収帯と一致する波長を含む光
を照射し、反応効率を向上することを目的とす
る。また、その傍ら危険性の高い水銀を使用する
ことなく、前記した種々の新規の表面処理を可能
ならしめるもである。
つ重水素ランプ（例えば、西ドイツオリジナル・
ハナウ社製のものがある。）を光源として用いる
ことにより、広範囲に亘る所望の反応気体およ
び／又は増感剤の吸収帯と一致する波長を含む光
を照射し、反応効率を向上することを目的とす
る。また、その傍ら危険性の高い水銀を使用する
ことなく、前記した種々の新規の表面処理を可能
ならしめるもである。
第１図には従来より用いられている低圧水銀ラ
ンプの各波長における発光強度Ａと本発明で使用
する重水素ランプの各波長における発光強度Ｂを
示した。重水素ランプを用いると低圧水銀ランプ
の線スペクトルと異つて、160〜400nmの連続ス
ペクトル光源が得られる。第２図は重水素ランプ
を用いた本発明の光化学的表面処理装置の実施例
で、１は重水素ランプで１０はその本体、１１は
図示しない電源に通ずるリード線。２はランプの
水冷手段でランプの保護筒を兼ねており、２１，
２２はその冷却水の出入り口で、図示しない冷却
水源に連通している。必要に応じて３に示したフ
イルター、モノクロメータ等の波長および／又は
波長帯の選定手段を光路３０内に用いる。４はラ
ンプ支持枠、５は石英あるいは合成石英等の光学
材でできている光学窓、６は反応室である。反応
室６は外部から気密に保たれていて、気体導入系
９及び反応室排気系１０が接続されている。反応
室６内には支持台７上に被処理物８が設置され、
必要な場合には支持台７に加熱あるいは冷却等の
目的に応じて温度調節機能が付与される。反応気
体および放射線の波長を自由に選択して被処理物
８の表面に薄膜の形成、食刻、清浄化あるいは表
面改質など所望の表面処理を行なうことできる。
ンプの各波長における発光強度Ａと本発明で使用
する重水素ランプの各波長における発光強度Ｂを
示した。重水素ランプを用いると低圧水銀ランプ
の線スペクトルと異つて、160〜400nmの連続ス
ペクトル光源が得られる。第２図は重水素ランプ
を用いた本発明の光化学的表面処理装置の実施例
で、１は重水素ランプで１０はその本体、１１は
図示しない電源に通ずるリード線。２はランプの
水冷手段でランプの保護筒を兼ねており、２１，
２２はその冷却水の出入り口で、図示しない冷却
水源に連通している。必要に応じて３に示したフ
イルター、モノクロメータ等の波長および／又は
波長帯の選定手段を光路３０内に用いる。４はラ
ンプ支持枠、５は石英あるいは合成石英等の光学
材でできている光学窓、６は反応室である。反応
室６は外部から気密に保たれていて、気体導入系
９及び反応室排気系１０が接続されている。反応
室６内には支持台７上に被処理物８が設置され、
必要な場合には支持台７に加熱あるいは冷却等の
目的に応じて温度調節機能が付与される。反応気
体および放射線の波長を自由に選択して被処理物
８の表面に薄膜の形成、食刻、清浄化あるいは表
面改質など所望の表面処理を行なうことできる。
さて、以上説明したように本発明による装置に
よれば160〜40nmの任意の波長および／又は波長
帯の紫外線を利用できる利点があり、この装置を
用いると従来の低圧水銀ランプ光では有効に利用
できなかつた広範囲の種類の反応気体および／又
は増感剤の利用が可能となる。
よれば160〜40nmの任意の波長および／又は波長
帯の紫外線を利用できる利点があり、この装置を
用いると従来の低圧水銀ランプ光では有効に利用
できなかつた広範囲の種類の反応気体および／又
は増感剤の利用が可能となる。
たとえば、アセトン、アセトフエノン等のカル
ボニル基を持つた化合物に、その化合物に特有の
波長を持つた紫外線を照射すると、そのカルボニ
ル基の電子にｎ→π*励起を生じ求電子的性質を
生ずることが知られている。
ボニル基を持つた化合物に、その化合物に特有の
波長を持つた紫外線を照射すると、そのカルボニ
ル基の電子にｎ→π*励起を生じ求電子的性質を
生ずることが知られている。
この求電子的性質を利用すると、カルボニル基
がモノシランから水素を引き抜きモノシランを分
解することができる。すなわち、次の化学式で記
述される光酸化還元反応が生じる。
がモノシランから水素を引き抜きモノシランを分
解することができる。すなわち、次の化学式で記
述される光酸化還元反応が生じる。
従来一般的に行なわれて来た光化学的モノシラ
ン分解法は、技術的に非常に困難な波長領域の光
で直接分解するか、又は水銀を用いた光増感法に
よつていた。今回の重水素ランプによるｎ→π*
励起カルボニル基とモノシランとの光酸化還元反
応は、モノシランの分解に新しい道を開くもので
ある。
ン分解法は、技術的に非常に困難な波長領域の光
で直接分解するか、又は水銀を用いた光増感法に
よつていた。今回の重水素ランプによるｎ→π*
励起カルボニル基とモノシランとの光酸化還元反
応は、モノシランの分解に新しい道を開くもので
ある。
さてこの光酸化還元反応を利用するためにはカ
ルボニル基をｎ→π*励起せしめる必要がある。
このｎ→π*励起が最も生じ安い波長はアセトン
では279nm、アセトフエノンでは319nmである。
この場合は第１図に示したように、以前より用い
られて来た低圧水銀ランプでは波長帯が合わない
ため効率良い利用ができない。しかし、本発明の
重水素ランプを用いることにより、効率良いｎ→
π*励起が可能となるものである。
ルボニル基をｎ→π*励起せしめる必要がある。
このｎ→π*励起が最も生じ安い波長はアセトン
では279nm、アセトフエノンでは319nmである。
この場合は第１図に示したように、以前より用い
られて来た低圧水銀ランプでは波長帯が合わない
ため効率良い利用ができない。しかし、本発明の
重水素ランプを用いることにより、効率良いｎ→
π*励起が可能となるものである。
ここでアセトフエノンは240nmおよび278nm付
近にベンゼン環のπ→π*に起因するところの吸
収帯があり、ｎ→π*励起を化学反応に用いる場
合は、この化学反応に有害なπ→π*励起を避け
るため、光源の240nmおよび278nm付近の波長を
取り除く必要が生じる。この場合は重水素ランプ
の光にフイルターをかければよい。（たとえば
こゝでは290nm以下の波長を取り除く東芝製ガラ
スフイルターUV―29を使用すれば良い。）この
様に重水素ランプからの光にフイルター、モノク
ロメータ等の波長および／又は波長帯を選定する
手段を併用することによつて広い領域にわたつて
連続スペクトルを出すこの重水素ランプ光の有用
性を一層高いものにすることができる。
近にベンゼン環のπ→π*に起因するところの吸
収帯があり、ｎ→π*励起を化学反応に用いる場
合は、この化学反応に有害なπ→π*励起を避け
るため、光源の240nmおよび278nm付近の波長を
取り除く必要が生じる。この場合は重水素ランプ
の光にフイルターをかければよい。（たとえば
こゝでは290nm以下の波長を取り除く東芝製ガラ
スフイルターUV―29を使用すれば良い。）この
様に重水素ランプからの光にフイルター、モノク
ロメータ等の波長および／又は波長帯を選定する
手段を併用することによつて広い領域にわたつて
連続スペクトルを出すこの重水素ランプ光の有用
性を一層高いものにすることができる。
重水素ランプを用いる本発明の光化学的表面処
理装置は、以上の通りであつて、表面処理技術に
新生面を開くものである。その工業的価値は高く
極めて有益な発明ということができる。
理装置は、以上の通りであつて、表面処理技術に
新生面を開くものである。その工業的価値は高く
極めて有益な発明ということができる。
第１図は低圧水銀ランプおよび重水素ランプの
各波長における発光強度を示した図である。Ａ…
低圧水銀ランプ、Ｂ…重水素ランプ。 第２図は本発明による装置の一実施例を示す模
式図である。１…重水素ランプ、２…ランプの水
冷手段、３…波長および／又は波長帯の選定手
段、４…ランプ支技枠、５…光学窓、６…反応
室、７…支持台、８…被処理物、９…気体導入
系、１０…反応室排気系。
各波長における発光強度を示した図である。Ａ…
低圧水銀ランプ、Ｂ…重水素ランプ。 第２図は本発明による装置の一実施例を示す模
式図である。１…重水素ランプ、２…ランプの水
冷手段、３…波長および／又は波長帯の選定手
段、４…ランプ支技枠、５…光学窓、６…反応
室、７…支持台、８…被処理物、９…気体導入
系、１０…反応室排気系。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定の気体を光化学的に活性化し基板表面に
所定の処理をする装置であつて、 ａ 光源としての重水素ランプと、必要ならばこ
の重水素ランプの冷却手段、 ｂ 選定された波長および／又は波長帯の放射線
を透過するための光学窓を有し、必要ならば気
密に保つことができる反応室、 Ｃ 前記反応室に気体を導入する導入系及び気体
の排気系、 ｄ 必要ならば、該光源と該光学窓の間にあつて
波長および／又は波長帯を選定するための手
段、 からなることを特徴とする光化学的表面処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118795A JPS6012128A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 光化学的表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118795A JPS6012128A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 光化学的表面処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6012128A JPS6012128A (ja) | 1985-01-22 |
| JPS6334780B2 true JPS6334780B2 (ja) | 1988-07-12 |
Family
ID=14745293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58118795A Granted JPS6012128A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 光化学的表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6012128A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0169485B1 (en) * | 1984-07-17 | 1991-12-04 | Nec Corporation | Method and apparatus for inducing photochemical reaction |
| JPH0622222B2 (ja) * | 1984-09-18 | 1994-03-23 | 株式会社東芝 | 光処理装置 |
| JP5083318B2 (ja) * | 2007-08-16 | 2012-11-28 | 旭硝子株式会社 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
| CN102532578A (zh) * | 2011-12-30 | 2012-07-04 | 北京工业大学 | 用氘灯uv辐射光对封边条表面处理与表面改性的工艺 |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP58118795A patent/JPS6012128A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6012128A (ja) | 1985-01-22 |
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