JPS6335060B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6335060B2 JPS6335060B2 JP56129234A JP12923481A JPS6335060B2 JP S6335060 B2 JPS6335060 B2 JP S6335060B2 JP 56129234 A JP56129234 A JP 56129234A JP 12923481 A JP12923481 A JP 12923481A JP S6335060 B2 JPS6335060 B2 JP S6335060B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- magnetic field
- electrode
- cathode ray
- ray tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/488—Schematic arrangements of the electrodes for beam forming; Place and form of the elecrodes
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はビームインデツクス型カラーテレビジ
ヨン受像機に使用されるビームインデツクス型陰
極線管の改良に係り、特にビーム走査方向のビー
ム径を厳密に規定し、良好な飽和度特性と色純度
特性を呈するビームインデツクス型陰極線管を得
ることを目的とするものである。
ヨン受像機に使用されるビームインデツクス型陰
極線管の改良に係り、特にビーム走査方向のビー
ム径を厳密に規定し、良好な飽和度特性と色純度
特性を呈するビームインデツクス型陰極線管を得
ることを目的とするものである。
ビームインデツクス型カラーテレビジヨン方式
では、電子ビームの螢光面上のスポツト径が赤、
緑、青の各ストライプの巾よりも太くなると単一
の螢光体ストライプを照射すべきタイミングにお
いても、隣接する螢光体ストライプを同時に照射
してしまうことになり、そのタイミングで発光す
べき色の飽和度が低下し、色純度が低下すること
によつてカラー画質が著しく低下する。
では、電子ビームの螢光面上のスポツト径が赤、
緑、青の各ストライプの巾よりも太くなると単一
の螢光体ストライプを照射すべきタイミングにお
いても、隣接する螢光体ストライプを同時に照射
してしまうことになり、そのタイミングで発光す
べき色の飽和度が低下し、色純度が低下すること
によつてカラー画質が著しく低下する。
このため、ビームスポツト径を著しく細くし且
つ螢光体の発光効率を向上することが要求され
る。特に細い電子ビームを得るために、種々の陰
極線管用電子銃が提案され、２個の静電界型レン
ズにより細い電子ビームを得るようにした従来の
陰極線管用電子銃は、第１図に示すように、カソ
ードＫの後段に電流制御用の第１電極Ｇ１が、第
１電極Ｇ１の後段に加速電極用の第２電極Ｇ２が
それぞれ設けられ、カソードＫ、第１、第２電極
Ｇ１，Ｇ２により陰極部であるトライオード部２
が構成される。このトライオード部２から放出さ
れた電子ビームは、第２電極Ｇ２の後段に設けら
れた第３電極Ｇ３および第３電極Ｇ３の後段に設
けられた第４電極Ｇ４からなるバイポテンシヤル
方式の第１静電界型レンズL1に入射され、その
ビーム径の拡がりが抑えられる。前記第１静電界
型レンズL1により拡がりの抑えられた電子ビー
ムは第４電極Ｇ４と第４電極Ｇ４の後段に設けら
れた第５電極Ｇ５および第５電極Ｇ５の後段に設
けられた第６電極Ｇ６からなるユニポテンシヤル
方式の第２静電界型レンズL2に入射される。こ
のとき、第２静電界型レンズL2に入射される電
子ビームのビーム径が、前記第１静電界型レンズ
L1により小さく抑えられているため、第２静電
界型レンズL2の球面収差による電子ビームの拡
がりは抑制され、実線に示すように、第２静電界
型レンズL2からの電子ビームのビーム径が、第
１静電界型レンズL1のない場合の電子ビーム径
（破線で示すビーム径）より小さくなり、細い電
子ビームを得るとともに、螢光面スクリーン上に
おける電子ビームのビーム・スポツト径が第２静
電界型レンズL2のない場合より小さくなる。な
お、両静電界型レンズL1，L2を構成する第３な
いし第６電極Ｇ３，Ｇ４ａ，Ｇ５，Ｇ６の電圧、
すなわち集束用電圧を電子ビームの加速用高圧を
分圧して得る構成とすると、加速用高圧の変動に
伴なつて両静電界型レンズL1，L2の焦点距離が
自動的に調整される。
つ螢光体の発光効率を向上することが要求され
る。特に細い電子ビームを得るために、種々の陰
極線管用電子銃が提案され、２個の静電界型レン
ズにより細い電子ビームを得るようにした従来の
陰極線管用電子銃は、第１図に示すように、カソ
ードＫの後段に電流制御用の第１電極Ｇ１が、第
１電極Ｇ１の後段に加速電極用の第２電極Ｇ２が
それぞれ設けられ、カソードＫ、第１、第２電極
Ｇ１，Ｇ２により陰極部であるトライオード部２
が構成される。このトライオード部２から放出さ
れた電子ビームは、第２電極Ｇ２の後段に設けら
れた第３電極Ｇ３および第３電極Ｇ３の後段に設
けられた第４電極Ｇ４からなるバイポテンシヤル
方式の第１静電界型レンズL1に入射され、その
ビーム径の拡がりが抑えられる。前記第１静電界
型レンズL1により拡がりの抑えられた電子ビー
ムは第４電極Ｇ４と第４電極Ｇ４の後段に設けら
れた第５電極Ｇ５および第５電極Ｇ５の後段に設
けられた第６電極Ｇ６からなるユニポテンシヤル
方式の第２静電界型レンズL2に入射される。こ
のとき、第２静電界型レンズL2に入射される電
子ビームのビーム径が、前記第１静電界型レンズ
L1により小さく抑えられているため、第２静電
界型レンズL2の球面収差による電子ビームの拡
がりは抑制され、実線に示すように、第２静電界
型レンズL2からの電子ビームのビーム径が、第
１静電界型レンズL1のない場合の電子ビーム径
（破線で示すビーム径）より小さくなり、細い電
子ビームを得るとともに、螢光面スクリーン上に
おける電子ビームのビーム・スポツト径が第２静
電界型レンズL2のない場合より小さくなる。な
お、両静電界型レンズL1，L2を構成する第３な
いし第６電極Ｇ３，Ｇ４ａ，Ｇ５，Ｇ６の電圧、
すなわち集束用電圧を電子ビームの加速用高圧を
分圧して得る構成とすると、加速用高圧の変動に
伴なつて両静電界型レンズL1，L2の焦点距離が
自動的に調整される。
このような静電型レンズL1，L2による電子ビ
ーム集束装置は、それ自体比較的良好に作用する
が、低消費電力化に伴う陰極線管の細ネツク化に
よつて電子銃を含む静電集束電極の内径、従つて
静電レンズの口径が制約されるために、電子ビー
ムスポツト径が太くなることを余儀なくされる。
ーム集束装置は、それ自体比較的良好に作用する
が、低消費電力化に伴う陰極線管の細ネツク化に
よつて電子銃を含む静電集束電極の内径、従つて
静電レンズの口径が制約されるために、電子ビー
ムスポツト径が太くなることを余儀なくされる。
又原理上、球面収差の改善にも限度が有り、陰
極線管の色飽和特性と色純度特性等の向上のあい
路となつていた。本発明は、このような従来例の
諸欠点の解決を課題とし、これをビームの断面形
状の規定及び静電レンズと磁界レンズの併用によ
つて解決するものである。
極線管の色飽和特性と色純度特性等の向上のあい
路となつていた。本発明は、このような従来例の
諸欠点の解決を課題とし、これをビームの断面形
状の規定及び静電レンズと磁界レンズの併用によ
つて解決するものである。
以下本発明のビームインデツクス型陰極線管の
詳細につき異る実施例を表わす第２図及び第３図
を参照しつつ説明する。
詳細につき異る実施例を表わす第２図及び第３図
を参照しつつ説明する。
第２図に図示せる一実施例は、ビームインデツ
クス方式のテレビジヨン受像機に用いることを意
図して、走査方向の巾、即ち短径を螢光面の螢光
ストライプの巾よりも狭く、走査方向に直交する
方向の巾、即ち長径を短径の２倍程度に選び、カ
ソードの電流負荷を軽減し乍ら螢光体の発光効率
を維持すべく配慮している。
クス方式のテレビジヨン受像機に用いることを意
図して、走査方向の巾、即ち短径を螢光面の螢光
ストライプの巾よりも狭く、走査方向に直交する
方向の巾、即ち長径を短径の２倍程度に選び、カ
ソードの電流負荷を軽減し乍ら螢光体の発光効率
を維持すべく配慮している。
この陰極線管に使用される電子銃EGは、カソ
ードＫと、プリフオーカスレンズを形成する電流
制御（第１）電極Ｇ１、ビーム引出（第２）電極
Ｇ２及び加速用（第３、第４）電極Ｇ３，Ｇ４で
形成される静電型レンズ及び磁界型レンズM0で
構成される。
ードＫと、プリフオーカスレンズを形成する電流
制御（第１）電極Ｇ１、ビーム引出（第２）電極
Ｇ２及び加速用（第３、第４）電極Ｇ３，Ｇ４で
形成される静電型レンズ及び磁界型レンズM0で
構成される。
前記電流制御電極Ｇ１は、所望のビームスポツ
ト（螢光面上に照射されるビームの断面）の縦横
比（例３：１）よりも小さい縦横比（例２：１）
のアパーチヤＡを備える。（その理由は後述す
る。）このアパーチヤの構成を除くと、第２図に
おいて第１図と異なる点は、第３電極Ｇ３の後段
に第４電極Ｇ４を設け、第３、第４電極Ｇ３，Ｇ
４によりバイポテンシヤル方式の静電界型レンズ
L1を形成し、静電界型レンズL1の後段に、円環
状の永久磁石から発生した磁界により形成される
磁界型レンズM0を設けた点であり、トライオー
ド部２から放出された電子ビーム静電界型レンズ
L1に入射されると、前述と同様に、トライオー
ド部２から放出された電子ビームの拡がりが静電
界型レンズL1により抑えられ、磁界型レンズM0
にはビーム径の小さな電子ビームが入射され、磁
界型レンズM0を介した電子ビームが螢光面スク
リーン上に集束される。
ト（螢光面上に照射されるビームの断面）の縦横
比（例３：１）よりも小さい縦横比（例２：１）
のアパーチヤＡを備える。（その理由は後述す
る。）このアパーチヤの構成を除くと、第２図に
おいて第１図と異なる点は、第３電極Ｇ３の後段
に第４電極Ｇ４を設け、第３、第４電極Ｇ３，Ｇ
４によりバイポテンシヤル方式の静電界型レンズ
L1を形成し、静電界型レンズL1の後段に、円環
状の永久磁石から発生した磁界により形成される
磁界型レンズM0を設けた点であり、トライオー
ド部２から放出された電子ビーム静電界型レンズ
L1に入射されると、前述と同様に、トライオー
ド部２から放出された電子ビームの拡がりが静電
界型レンズL1により抑えられ、磁界型レンズM0
にはビーム径の小さな電子ビームが入射され、磁
界型レンズM0を介した電子ビームが螢光面スク
リーン上に集束される。
このような電子銃構成の一例として６型のビー
ムインデツクス管用電子銃を例にとると、第1G
１電極の矩形アパーチヤＡの寸法は、0.2×0.4m/
ｍ、第2G２電極の円形のアパーチヤ径は0.6〜0.7
ｍ／ｍφ、第3G３電極の円形のアパーチヤ径は2.0
ｍ／ｍφで、カソードＫと第1G１電極間の距離は
0.1m/m、第１第2G１，Ｇ２両電極間の距離は
0.1m/m第３、第4G３，Ｇ４両電極間の距離は４
ｍ／ｍである。
ムインデツクス管用電子銃を例にとると、第1G
１電極の矩形アパーチヤＡの寸法は、0.2×0.4m/
ｍ、第2G２電極の円形のアパーチヤ径は0.6〜0.7
ｍ／ｍφ、第3G３電極の円形のアパーチヤ径は2.0
ｍ／ｍφで、カソードＫと第1G１電極間の距離は
0.1m/m、第１第2G１，Ｇ２両電極間の距離は
0.1m/m第３、第4G３，Ｇ４両電極間の距離は４
ｍ／ｍである。
このような構成で、Ｇ３電極に3KV、Ｇ４電
極に12KVの直流電圧を印加すると、上述の如く
両電極はいわゆるバイポテンシヤルレンズL1を
形成する。
極に12KVの直流電圧を印加すると、上述の如く
両電極はいわゆるバイポテンシヤルレンズL1を
形成する。
上記磁界レンズM0の実施態様は、大別して第
２図に図示せる如き外部磁界方式と第３図に図示
せる如き内部磁界方式に分けられる。
２図に図示せる如き外部磁界方式と第３図に図示
せる如き内部磁界方式に分けられる。
前述の外部磁界方式の磁界型レンズM0は、ド
ーナツ型のフエライト磁石１１を鉄製の環状の薄
板１２，１３で挾持固定してなり、陰極線管のネ
ツク部Ｎに固定・固着される。
ーナツ型のフエライト磁石１１を鉄製の環状の薄
板１２，１３で挾持固定してなり、陰極線管のネ
ツク部Ｎに固定・固着される。
この外部磁界方式のレンズはコスト的には有利
であるが電子銃の各電極の中心軸と磁石の中心軸
とのずれを完全に留止りよく除くことが出来ない
ためにビームの断面形状が変形してしまうという
欠点を歪めない。第３図の実施例においても、第
１図と同じ要素には同じ符号を付してある。
であるが電子銃の各電極の中心軸と磁石の中心軸
とのずれを完全に留止りよく除くことが出来ない
ためにビームの断面形状が変形してしまうという
欠点を歪めない。第３図の実施例においても、第
１図と同じ要素には同じ符号を付してある。
第３図に実施態様として開示せる内部磁界方式
の磁界型レンズは、円環状のフエライト磁石２１
とこの磁石を両側から挾持する一対の環状鉄片２
２，２３とで構成され、Ｇ１乃至Ｇ４の各電極の
中心軸に対して同心となる様に前記Ｇ４電極の前
方に配置される。第３図の実施例においては、Ｇ
４電極の前方開放端をラツパ状に拡げ、その外周
部に前記環状鉄片２３を熔接する構成を採用して
いる。
の磁界型レンズは、円環状のフエライト磁石２１
とこの磁石を両側から挾持する一対の環状鉄片２
２，２３とで構成され、Ｇ１乃至Ｇ４の各電極の
中心軸に対して同心となる様に前記Ｇ４電極の前
方に配置される。第３図の実施例においては、Ｇ
４電極の前方開放端をラツパ状に拡げ、その外周
部に前記環状鉄片２３を熔接する構成を採用して
いる。
この内部磁界方式では、磁界レンズ中心と電子
銃の各電極の中心軸とのずれを極力小さく出来る
利点はあるが、フエライト磁石を真空中に配置す
ること、製造工程中で高温（400〜500℃）に晒さ
れることを考慮して、磁性材料を選定することが
必要である。磁性材料の一例としては、Fe―Cr
―Co系の磁石をあげることができる。
銃の各電極の中心軸とのずれを極力小さく出来る
利点はあるが、フエライト磁石を真空中に配置す
ること、製造工程中で高温（400〜500℃）に晒さ
れることを考慮して、磁性材料を選定することが
必要である。磁性材料の一例としては、Fe―Cr
―Co系の磁石をあげることができる。
このような構成で、カソソードＫの電子エミツ
シヨン領域で発生した電子ビームｂは、上記電流
制御電極Ｇ１のアパーチユアＡの近傍で、断面が
アパーチヤに近似した縦横比２：１の断面を備え
る橢円形状の電子ビームが形成される。Ｇ１，Ｇ
２電極に突入した電子ビームは、両電極で形成さ
れるレンズによつて、Ｘ、Ｙ方向のクロスオーバ
を生ずる。前記レンズの球面収差のために、Ｙ方
向のクロスオーバは、よりカソードＫ側に生じ
る。
シヨン領域で発生した電子ビームｂは、上記電流
制御電極Ｇ１のアパーチユアＡの近傍で、断面が
アパーチヤに近似した縦横比２：１の断面を備え
る橢円形状の電子ビームが形成される。Ｇ１，Ｇ
２電極に突入した電子ビームは、両電極で形成さ
れるレンズによつて、Ｘ、Ｙ方向のクロスオーバ
を生ずる。前記レンズの球面収差のために、Ｙ方
向のクロスオーバは、よりカソードＫ側に生じ
る。
Ｇ１，Ｇ２電極を経由した電子ビームは、Ｇ
３，Ｇ４電極で形成されるバイポテンシヤルレン
ズL1でその径を絞られた後に後段の磁界型レン
ズM0〔若しくはM1以下同じ〕に入射する。この
磁界レンズM0を経て螢光面に至る電子ビームの
Ｙ方向のクロスオーバは、陰極線管の螢光面スク
リーンより手前に結像することになるから螢光面
スクリーン上においてビーム断面はより縦長とな
る。
３，Ｇ４電極で形成されるバイポテンシヤルレン
ズL1でその径を絞られた後に後段の磁界型レン
ズM0〔若しくはM1以下同じ〕に入射する。この
磁界レンズM0を経て螢光面に至る電子ビームの
Ｙ方向のクロスオーバは、陰極線管の螢光面スク
リーンより手前に結像することになるから螢光面
スクリーン上においてビーム断面はより縦長とな
る。
相対的にＸ方向のクロスオーバは螢光面側に位
置し、そのビーム径は、螢光面スクリーン上のビ
ーム走査方向のビームスポツト径を規定するか
ら、螢光面の所の位置に正しくそのクロスオーバ
像を結ぶように、上記磁界レンズM0を構成する
磁石１１（或は２１）の磁界の強さ及び取付位置
を調整しなければならない。
置し、そのビーム径は、螢光面スクリーン上のビ
ーム走査方向のビームスポツト径を規定するか
ら、螢光面の所の位置に正しくそのクロスオーバ
像を結ぶように、上記磁界レンズM0を構成する
磁石１１（或は２１）の磁界の強さ及び取付位置
を調整しなければならない。
従つて、上記電流制限電極Ｇ１のアパーチヤＡ
の縦横比は螢光面スクリーンFS上のビームスポ
ツト径の縦横比よりも幾分小さめに設計しなけれ
ばならない。
の縦横比は螢光面スクリーンFS上のビームスポ
ツト径の縦横比よりも幾分小さめに設計しなけれ
ばならない。
上述の如く、縦長ビームを永久磁石製のマグネ
ツトリングレンズで集束する構成を採る利点は、 (イ) 静電レンズに比較して、球面収差が小さく従
つて径小のビームスポツトを形成することが出
来る。
ツトリングレンズで集束する構成を採る利点は、 (イ) 静電レンズに比較して、球面収差が小さく従
つて径小のビームスポツトを形成することが出
来る。
(ロ) ビームが磁力線に沿つて回転しても、マグネ
ツトリングに入射され、透過されると、結果的
には逆方向にも回転することになるから、総合
的なビームの回転角は零となる。
ツトリングに入射され、透過されると、結果的
には逆方向にも回転することになるから、総合
的なビームの回転角は零となる。
である。
本発明によれば、電流制御電極に設けた縦長の
アパーチヤを経て断面縦長のビームをまず静電型
のレンズを経由し、その後に磁界型レンズを通す
様に構成したので、電子ビームの加速用高圧の変
動に伴うビーム集束度の変化が補正された状態で
球面収差の影響を受けず集束されるので、極めて
細い電子ビームを得ることができ、シヤドウマス
クを使用しないビームインデツクス型陰極線管に
おいて非常に良好なビームスポツト径を得ること
ができる。更に敷衍すれば、螢行面スクリーン上
に電子ビームの走査方向に沿つてその巾方向に小
径で正確な巾を持つビームスポツトを形成できる
ので、ビームインデツクス方式のテレビジヨン受
像機のための陰極線管として、カラー画像のよい
ビームインデツクス型陰極線管を提供し得る外、
電極G1にアパーチヤを設けているので、付随的
に小信号駆動で、色飽和度、色純度のよい高カラ
ー画質のビームインデツクス型陰極線管を提供し
得るものである。
アパーチヤを経て断面縦長のビームをまず静電型
のレンズを経由し、その後に磁界型レンズを通す
様に構成したので、電子ビームの加速用高圧の変
動に伴うビーム集束度の変化が補正された状態で
球面収差の影響を受けず集束されるので、極めて
細い電子ビームを得ることができ、シヤドウマス
クを使用しないビームインデツクス型陰極線管に
おいて非常に良好なビームスポツト径を得ること
ができる。更に敷衍すれば、螢行面スクリーン上
に電子ビームの走査方向に沿つてその巾方向に小
径で正確な巾を持つビームスポツトを形成できる
ので、ビームインデツクス方式のテレビジヨン受
像機のための陰極線管として、カラー画像のよい
ビームインデツクス型陰極線管を提供し得る外、
電極G1にアパーチヤを設けているので、付随的
に小信号駆動で、色飽和度、色純度のよい高カラ
ー画質のビームインデツクス型陰極線管を提供し
得るものである。
第１図は本発明の先行技術の要部断面図であ
る。第２図及び第３図はいずれも本発明に係り、
第２図は外部磁界レンズを採用した実施例の要部
断面図、第３図は内部磁界レンズを採用した実施
例の要部断面図である。 Ｋ…カソード、Ｇ１…第１電極、Ｇ２…第２電
極、Ｇ３…第３電極、Ｇ４…第４電極、L1…バ
イポテンシヤルレンズ、M0（M1）…磁界型レン
ズ、Ｎ…ネツク部。
る。第２図及び第３図はいずれも本発明に係り、
第２図は外部磁界レンズを採用した実施例の要部
断面図、第３図は内部磁界レンズを採用した実施
例の要部断面図である。 Ｋ…カソード、Ｇ１…第１電極、Ｇ２…第２電
極、Ｇ３…第３電極、Ｇ４…第４電極、L1…バ
イポテンシヤルレンズ、M0（M1）…磁界型レン
ズ、Ｎ…ネツク部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子銃を構成する電流制御電極に、蛍光面上
に結像するビームスポツト断面の縦横比よりも小
さい縦横比のアパーチヤを設け、該アパーチヤを
透過した電子ビームを静電型レンズ、磁界型レン
ズの順で集束し蛍光面に結像すべく構成したビー
ムインデツクス型陰極線管。 ２ 前記静電型レンズをバイポテンシヤル型レン
ズとした特許請求の範囲第１項記載のビームイン
デツクス型陰極線管。 ３ 前記磁界型レンズを前記静電型レンズの前方
に同心的に配した環状磁石で形成した特許請求の
範囲第１項若しくは第２項記載のビームインデツ
クス型陰極線管。 ４ 前記磁界型レンズを、前記静電型レンズの前
方にネツク管外周に沿つて配置される環状磁石で
構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
若しくは第２項記載のビームインデツクス型陰極
線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12923481A JPS5830044A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | ビームインデックス型陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12923481A JPS5830044A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | ビームインデックス型陰極線管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5830044A JPS5830044A (ja) | 1983-02-22 |
| JPS6335060B2 true JPS6335060B2 (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=15004485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12923481A Granted JPS5830044A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | ビームインデックス型陰極線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5830044A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5026274U (ja) * | 1973-07-03 | 1975-03-26 |
-
1981
- 1981-08-17 JP JP12923481A patent/JPS5830044A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5830044A (ja) | 1983-02-22 |
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