JPS6335177A - トランスフェクションのための高電圧制御装置 - Google Patents
トランスフェクションのための高電圧制御装置Info
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- JPS6335177A JPS6335177A JP62141316A JP14131687A JPS6335177A JP S6335177 A JPS6335177 A JP S6335177A JP 62141316 A JP62141316 A JP 62141316A JP 14131687 A JP14131687 A JP 14131687A JP S6335177 A JPS6335177 A JP S6335177A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
- H03K17/105—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage in thyristor switches
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
- C12M—APPARATUS FOR ENZYMOLOGY OR MICROBIOLOGY; APPARATUS FOR CULTURING MICROORGANISMS FOR PRODUCING BIOMASS, FOR GROWING CELLS OR FOR OBTAINING FERMENTATION OR METABOLIC PRODUCTS, i.e. BIOREACTORS OR FERMENTERS
- C12M35/00—Means for application of stress for stimulating the growth of microorganisms or the generation of fermentation or metabolic products; Means for electroporation or cell fusion
- C12M35/02—Electrical or electromagnetic means, e.g. for electroporation or for cell fusion
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C12N—MICROORGANISMS OR ENZYMES; COMPOSITIONS THEREOF; PROPAGATING, PRESERVING, OR MAINTAINING MICROORGANISMS; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING; CULTURE MEDIA
- C12N13/00—Treatment of microorganisms or enzymes with electrical or wave energy, e.g. magnetism, sonic waves
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
- C12N—MICROORGANISMS OR ENZYMES; COMPOSITIONS THEREOF; PROPAGATING, PRESERVING, OR MAINTAINING MICROORGANISMS; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING; CULTURE MEDIA
- C12N15/00—Mutation or genetic engineering; DNA or RNA concerning genetic engineering, vectors, e.g. plasmids, or their isolation, preparation or purification; Use of hosts therefor
- C12N15/09—Recombinant DNA-technology
- C12N15/87—Introduction of foreign genetic material using processes not otherwise provided for, e.g. co-transformation
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- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/53—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of an energy-accumulating element discharged through the load by a switching device controlled by an external signal and not incorporating positive feedback
- H03K3/57—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of an energy-accumulating element discharged through the load by a switching device controlled by an external signal and not incorporating positive feedback the switching device being a semiconductor device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はトランスフェクション及び細胞融合、特に細胞
及びＤＮＡの懸濁液に高圧電流を供給する方法及び装置
に関する。
及びＤＮＡの懸濁液に高圧電流を供給する方法及び装置
に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする問題点〕生物
工学の分野では高電圧放電を利用して種々の哺乳動物ま
たはその他の細胞にクローン化ＤＮＡを導入しなければ
ならない場合がある。一般に”トランスフェクション”
と呼ばれるこの方法では多くの場合、燐酸塩緩衝食塩（
ＰＢＳ）水に細胞を懸濁させ、これにクローン化ＤＮＡ
を添加する０次いで、適当なパルス発生器からの高電圧
パルスを懸濁液に作用させることにより、細胞が外因的
なりＮＡを吸収し、且つこれを表現するようにする。こ
の目的に使用される種々のパルス発生器が開発されてい
るが、その多くはミリアンペア程度の電流を供給する。
工学の分野では高電圧放電を利用して種々の哺乳動物ま
たはその他の細胞にクローン化ＤＮＡを導入しなければ
ならない場合がある。一般に”トランスフェクション”
と呼ばれるこの方法では多くの場合、燐酸塩緩衝食塩（
ＰＢＳ）水に細胞を懸濁させ、これにクローン化ＤＮＡ
を添加する０次いで、適当なパルス発生器からの高電圧
パルスを懸濁液に作用させることにより、細胞が外因的
なりＮＡを吸収し、且つこれを表現するようにする。こ
の目的に使用される種々のパルス発生器が開発されてい
るが、その多くはミリアンペア程度の電流を供給する。
中には４０アンペアの電流を供給できるものもある。
トランスフエフシラン法に必要な電圧及び電流の大きさ
は細胞及びＤＮＡの種類に応じて異なり、電気特性は正
確に制御しなければならない。１２５アンペア以上の大
きい電流を必要とするトランスフェクションもあること
が知られており、このような電流条件は生物工学分野に
おける公知のパルス発生器では到底得られない。
は細胞及びＤＮＡの種類に応じて異なり、電気特性は正
確に制御しなければならない。１２５アンペア以上の大
きい電流を必要とするトランスフェクションもあること
が知られており、このような電流条件は生物工学分野に
おける公知のパルス発生器では到底得られない。
生物工学分野での公知給電装置では必要な電流を供給で
きず、しかもこれらの公知装置はトランジスタ駆動式で
あり、トランジスタが提供できる電流はせいぜい５０ア
ンペア程度までであるから、必要電流を供給できるよう
に改良を加えることも不可能である。また、このような
高電流を発生させることのできる公知給電装置はあって
も、コストが高く、しかも充分な安全制御機構を具えて
いないから、生物工学用には不適当である。例えば、人
間が頻繁に操作するようには設計されていない場合が多
く、感電の危険がつきまとう。もしこのような装置で感
電すればおそらく致命的な結果をもたらすであろう。
きず、しかもこれらの公知装置はトランジスタ駆動式で
あり、トランジスタが提供できる電流はせいぜい５０ア
ンペア程度までであるから、必要電流を供給できるよう
に改良を加えることも不可能である。また、このような
高電流を発生させることのできる公知給電装置はあって
も、コストが高く、しかも充分な安全制御機構を具えて
いないから、生物工学用には不適当である。例えば、人
間が頻繁に操作するようには設計されていない場合が多
く、感電の危険がつきまとう。もしこのような装置で感
電すればおそらく致命的な結果をもたらすであろう。
高電流供給装置を構成できたとしても、高電圧、高エネ
ルギ一方形パルスを発生できるものでなければならない
。方形パルス発生のためこのような高電圧／高電流供給
装置において構成素子をスイッチングすると、構成素子
に著しく応力が作用して装置の損傷を招く可能性が大き
い。
ルギ一方形パルスを発生できるものでなければならない
。方形パルス発生のためこのような高電圧／高電流供給
装置において構成素子をスイッチングすると、構成素子
に著しく応力が作用して装置の損傷を招く可能性が大き
い。
本発明は細胞及びＤＮＡの懸濁液に高電圧電流を供給す
るための、半導体制御整流器（ＳＣＲ）を利用したトラ
ンスフェクション用高電圧制？１１装置であり、本発明
は比較的安全に、３（１６）０ボルト以上の電圧及び１
２５アンペア以上の電流を供給できる。本発明はまた、
スイッチング素子に作用する応力を最小限に抑えながら
高電圧／高エネルギーの指数関数形または方形パルスを
形成することができる。
るための、半導体制御整流器（ＳＣＲ）を利用したトラ
ンスフェクション用高電圧制？１１装置であり、本発明
は比較的安全に、３（１６）０ボルト以上の電圧及び１
２５アンペア以上の電流を供給できる。本発明はまた、
スイッチング素子に作用する応力を最小限に抑えながら
高電圧／高エネルギーの指数関数形または方形パルスを
形成することができる。
本発明の一実施例では、高ジュール・スイッチが制御装
置によってトリガーされて蓄電モジュールのコンデンサ
からキュベツトへ高電圧、高電流パルスを供給する。
置によってトリガーされて蓄電モジュールのコンデンサ
からキュベツトへ高電圧、高電流パルスを供給する。
高ジュール・スイッチは陽極が高電圧コンデンサと、陰
極がキュベツトと接続する半導体制御整流器（ＳＣＲ）
から成る。ＳＣＨのゲートは制御装置と接続し、この制
御装置によってトリガーされる。
極がキュベツトと接続する半導体制御整流器（ＳＣＲ）
から成る。ＳＣＨのゲートは制御装置と接続し、この制
御装置によってトリガーされる。
制御装置は交流スイッチによって高電圧コンデンサの充
電を制御する。コンデンサが所定電圧まで充電されると
、制御装置がトリガー装置を作動させ、トリガー”ＡＨ
はＳＣＲのゲートへ電圧パルスを供給する。トリガーに
よるパルスがＳＣＲを導通させ、ＳＣＲが高電圧コンデ
ンサからキュベツトに電流を供給する。
電を制御する。コンデンサが所定電圧まで充電されると
、制御装置がトリガー装置を作動させ、トリガー”ＡＨ
はＳＣＲのゲートへ電圧パルスを供給する。トリガーに
よるパルスがＳＣＲを導通させ、ＳＣＲが高電圧コンデ
ンサからキュベツトに電流を供給する。
高電圧／高エネルギ一方形パルスを発生させるため、本
発明は５ＣＲ０）陽極に流入する電流が“保持電流”と
呼ばれる最低値以下に降下するとＳＣＲが不導通化する
という事実を利用する。ＳＣＨの陽極に電流シンクを接
続することにより、ＳＣＨの陰極に高電圧電流が現れて
から一定時間に亘りＳＣＨの電流をその定格保持電流以
下に実質的に同時に低下させる。ＳＣＲが実質的に同時
に不導通化すると所期の方形パルスの立下がりエツジが
形成される。もし所要のパルス時間がコンデンサ電圧の
指数関数的降下よりも短ければ、方形波に必要な方形頂
部が形成される。
発明は５ＣＲ０）陽極に流入する電流が“保持電流”と
呼ばれる最低値以下に降下するとＳＣＲが不導通化する
という事実を利用する。ＳＣＨの陽極に電流シンクを接
続することにより、ＳＣＨの陰極に高電圧電流が現れて
から一定時間に亘りＳＣＨの電流をその定格保持電流以
下に実質的に同時に低下させる。ＳＣＲが実質的に同時
に不導通化すると所期の方形パルスの立下がりエツジが
形成される。もし所要のパルス時間がコンデンサ電圧の
指数関数的降下よりも短ければ、方形波に必要な方形頂
部が形成される。
動作の融通性を高め、電圧容量を増大させるには、複数
の高ジュール・スイッチを直列に接続することによって
所要の電圧／電流コンビネーションを発生させるＳＣＲ
列を形成する。複数ＳＣＲの各ゲートにトリガー制御′
ｎモジエールを接続することにより、情況に応じて同時
にまたは逐次的に各ＳＣＲをトリガーする。
の高ジュール・スイッチを直列に接続することによって
所要の電圧／電流コンビネーションを発生させるＳＣＲ
列を形成する。複数ＳＣＲの各ゲートにトリガー制御′
ｎモジエールを接続することにより、情況に応じて同時
にまたは逐次的に各ＳＣＲをトリガーする。
装置の安全性を高めるため、静及び動電圧等化装置から
成る新規の分流回路を単−ＳＣＲまたはＳＣＲ列中の各
ＳＣＨの陽極と陰極の間に挿入する。この分流回路を抵
抗器列に接続し、単−ＳＣＲまたはＳＣＲ列の最終ＳＣ
Ｈの陰極（出力）が分流回路と抵抗器列の間の点に接続
されるようにする。それぞれの定常電圧等化回路はＳＣ
Ｒ列中の各ＳＣＨ中に存在する最大定常電圧を均衡させ
る抵抗器を具備する。各動電圧等化回路はこれを定常電
圧等化回路から有効に分離するためのコンデンサと直列
の酸化金属バリスタを具備する０両回路の接続を解くこ
とにより、動電圧等化回路は定常電圧等化回路の抵抗に
寄与しないようにすることができる。従って、定常電圧
等化回路に含まれる抵抗器が、その全抵抗を寄与させ、
上記抵抗器列と共に回路の出力に、単−ＳＣＲまたはＳ
ＣＲ列中の最終ＳＣＨの陰極に存在する電圧を制限する
分圧器を形成する。単−ＳＣＲまたはＳＣＨ中の最終Ｓ
ＣＨの陰極における電圧はＳＣＲをトリガーすることの
できる電圧を制御するから、ＳＣＲがトリガーされた状
態でパルス発生器の出力端子に触れた人が感電する可能
性を防止する上でこの安全回路は有効である。
成る新規の分流回路を単−ＳＣＲまたはＳＣＲ列中の各
ＳＣＨの陽極と陰極の間に挿入する。この分流回路を抵
抗器列に接続し、単−ＳＣＲまたはＳＣＲ列の最終ＳＣ
Ｈの陰極（出力）が分流回路と抵抗器列の間の点に接続
されるようにする。それぞれの定常電圧等化回路はＳＣ
Ｒ列中の各ＳＣＨ中に存在する最大定常電圧を均衡させ
る抵抗器を具備する。各動電圧等化回路はこれを定常電
圧等化回路から有効に分離するためのコンデンサと直列
の酸化金属バリスタを具備する０両回路の接続を解くこ
とにより、動電圧等化回路は定常電圧等化回路の抵抗に
寄与しないようにすることができる。従って、定常電圧
等化回路に含まれる抵抗器が、その全抵抗を寄与させ、
上記抵抗器列と共に回路の出力に、単−ＳＣＲまたはＳ
ＣＲ列中の最終ＳＣＨの陰極に存在する電圧を制限する
分圧器を形成する。単−ＳＣＲまたはＳＣＨ中の最終Ｓ
ＣＨの陰極における電圧はＳＣＲをトリガーすることの
できる電圧を制御するから、ＳＣＲがトリガーされた状
態でパルス発生器の出力端子に触れた人が感電する可能
性を防止する上でこの安全回路は有効である。
本発明の内容は添付図面に沿った以下の詳細な説明から
明らかになるであろう。
明らかになるであろう。
益生鳳路
第１図は指数関数形パルスを形成する新規のトランスフ
ェクション用高電圧制′４Ｂ装置４を示す。
ェクション用高電圧制′４Ｂ装置４を示す。
電圧制御装置４は制御部８、蓄電部１２及び高ジュール
・スイッチ１６を具備する。
・スイッチ１６を具備する。
制御部８は光学トリガー２４ともＡＣスイッチ２８とも
接続する制御プロセッサ２０を含む。制御プロセッサ２
０はプログラム可能マイクロプロセッサまたはアナログ
／組合せ論理素子で構成することができ、光学トリガー
２４及びＡＣスイッチ２８の動作を制御する。制御プロ
セッサ２０は手動制御装置３２によって手動制御するこ
とができる。ＡＣスイッチ２８はＡＣ入力３６．４０か
ら交流を受け、給電源４４．４８を介して蓄電装置１２
に交流を供給する。光学トリガー２４は高ジュール・ス
イッチ１６をトリガーするｗ１能を有し、トリガー線５
０を介して高ジュール・スイッチ１６と接続している。
接続する制御プロセッサ２０を含む。制御プロセッサ２
０はプログラム可能マイクロプロセッサまたはアナログ
／組合せ論理素子で構成することができ、光学トリガー
２４及びＡＣスイッチ２８の動作を制御する。制御プロ
セッサ２０は手動制御装置３２によって手動制御するこ
とができる。ＡＣスイッチ２８はＡＣ入力３６．４０か
ら交流を受け、給電源４４．４８を介して蓄電装置１２
に交流を供給する。光学トリガー２４は高ジュール・ス
イッチ１６をトリガーするｗ１能を有し、トリガー線５
０を介して高ジュール・スイッチ１６と接続している。
光学トリガー２４を公知構成の光感応半導体制御整流器
（ＬＡＳＣＲ）で構成すれば、制御プロセッサ２０は高
ジュール・スイッチ１６を作動させるのに通常なら必要
な高電圧を供給しなくてもよい。
（ＬＡＳＣＲ）で構成すれば、制御プロセッサ２０は高
ジュール・スイッチ１６を作動させるのに通常なら必要
な高電圧を供給しなくてもよい。
蓄電装置１２は変圧器５２、ダイオード５６、抵抗器５
８、コンデンサ６０及び抵抗器６１を具備し、高ジュー
ル・スイッチ１６に給電する。蓄電装置１２はほかに光
学トリガー２４のためのトリガー・エネルギーを供給す
るトリガー供給回路６２をも含む。トリガー供給回路６
２はダイオード５６の出力と接続する抵抗器６３、抵抗
器６３と直列に接続する抵抗器６４、抵抗器６３．６４
間の点と接続するダイオード６５、及びダイオード６５
と直列に接続するコンデンサ６６を含む。
８、コンデンサ６０及び抵抗器６１を具備し、高ジュー
ル・スイッチ１６に給電する。蓄電装置１２はほかに光
学トリガー２４のためのトリガー・エネルギーを供給す
るトリガー供給回路６２をも含む。トリガー供給回路６
２はダイオード５６の出力と接続する抵抗器６３、抵抗
器６３と直列に接続する抵抗器６４、抵抗器６３．６４
間の点と接続するダイオード６５、及びダイオード６５
と直列に接続するコンデンサ６６を含む。
光学トリガー２４にトリガー・エネルギーを供給するた
め、ダイオード６５の出力にトリガー供給線６７を接続
する。トリガー供給回路６２は、光学トリガー２４のた
めの特別の電源を設ける必要をなくし、光学トリガー２
４が高ジュール・スイッチ１６の動作条件に自動的に適
応することを可能にする。
め、ダイオード６５の出力にトリガー供給線６７を接続
する。トリガー供給回路６２は、光学トリガー２４のた
めの特別の電源を設ける必要をなくし、光学トリガー２
４が高ジュール・スイッチ１６の動作条件に自動的に適
応することを可能にする。
変圧器５２の低電圧巻線６８を給電！４４．４８と接続
し、変圧器５２の高電圧巻線６９を接地線７０及びダイ
オードと接続する。ダイオード５６は変圧器５２からの
電流を整流する機能を有し、トリガー供給回路６２の抵
抗器６３と接続し、抵抗器５８を介してコンデンサ６０
、抵抗器６１、及び高ジュール・スイッチ１６のスイッ
チ入力線７２とそれぞれ接続する。コンデンサ６０は変
圧器５２の高電圧巻線６９からの電流によって高電圧レ
ベルまで充電され、高ジュール・スイッチ１６に高電圧
電流を供給する。抵抗器５８は小さい変圧器５２を使用
できるようにコンデンサ６０への電流を制限する。抵抗
器６１は詳しくは後述する理由でコンデンサ６０を少し
ずつ放電させる。
し、変圧器５２の高電圧巻線６９を接地線７０及びダイ
オードと接続する。ダイオード５６は変圧器５２からの
電流を整流する機能を有し、トリガー供給回路６２の抵
抗器６３と接続し、抵抗器５８を介してコンデンサ６０
、抵抗器６１、及び高ジュール・スイッチ１６のスイッ
チ入力線７２とそれぞれ接続する。コンデンサ６０は変
圧器５２の高電圧巻線６９からの電流によって高電圧レ
ベルまで充電され、高ジュール・スイッチ１６に高電圧
電流を供給する。抵抗器５８は小さい変圧器５２を使用
できるようにコンデンサ６０への電流を制限する。抵抗
器６１は詳しくは後述する理由でコンデンサ６０を少し
ずつ放電させる。
閉成すると、高ジュール・スイッチ１６は負荷！７６を
介してコンデンサ６０からの殆どすべての電荷／エネル
ギーを例えばキュベツトのような負荷７４に供給する。
介してコンデンサ６０からの殆どすべての電荷／エネル
ギーを例えばキュベツトのような負荷７４に供給する。
コンデンサ６０は指数関数的に放電して指数関数形出力
波形を形成する。
波形を形成する。
第２図は高ジュール・スイッチ１６の一実施例の回路図
である。高ジュール・スイッチ１６の主要スイッチング
素子は５ＣＲ８０の動作をトリガーするゲート８４、負
荷線７６に高電圧電流を供給する陰極８８、及びスイッ
チ入力線６５から高電圧電流を入力される陽極９２を有
する半導体制御整流器（ＳＣＲ）８０である。尚、半導
体制御整流器は逆阻止３端子サイリスクの総称である。
である。高ジュール・スイッチ１６の主要スイッチング
素子は５ＣＲ８０の動作をトリガーするゲート８４、負
荷線７６に高電圧電流を供給する陰極８８、及びスイッ
チ入力線６５から高電圧電流を入力される陽極９２を有
する半導体制御整流器（ＳＣＲ）８０である。尚、半導
体制御整流器は逆阻止３端子サイリスクの総称である。
装置製造に使用される具体的な半導体材料の名称（シリ
コン、セレンなど）を語“半導体装置き換えればよいが
、本発明はこれらの実施例をすべて包含する。例えば、
Ｇｅｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏｍｐａｎｙ製
の部品番号２Ｎ３８９９のようなシリコン制御整流器を
５ＣＲ８０として使用することができる。
コン、セレンなど）を語“半導体装置き換えればよいが
、本発明はこれらの実施例をすべて包含する。例えば、
Ｇｅｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏｍｐａｎｙ製
の部品番号２Ｎ３８９９のようなシリコン制御整流器を
５ＣＲ８０として使用することができる。
５ＣＲ８０のゲート８４及び陰極８８には、ゲート８４
及び陰極８８が同じトリガー電圧となるように抵抗器９
６を接続する。ダイオード１（１６）はゲート８４及び
陰極８８が逆バイアスされるのを防止する。ゲート８４
にはまた、ゲート８４への電流を制限する抵抗器１０４
及びスイッチに高電圧を供給すると共にこれがトリガー
線５０に現れるのを阻止するコンデンサ１０８をも接続
する。
及び陰極８８が同じトリガー電圧となるように抵抗器９
６を接続する。ダイオード１（１６）はゲート８４及び
陰極８８が逆バイアスされるのを防止する。ゲート８４
にはまた、ゲート８４への電流を制限する抵抗器１０４
及びスイッチに高電圧を供給すると共にこれがトリガー
線５０に現れるのを阻止するコンデンサ１０８をも接続
する。
静及び動状態において５ＣＲ８０を分路するため陰極８
８及び陽極９２に分流回路１１２を接続する。抵抗器１
１６は定常状態において５ＣＲ８０を分流し、複数ＳＣ
Ｒを接続して後述の多重スイッチ高電流回路を形成する
場合には各５ＣＲ８０を分圧する。酸化金属バリスタ１
２０をコンデンサ１２４と直列に接続することにより、
トリガー動作などのような動的状態において５ＣＲ８０
を分流する。
８及び陽極９２に分流回路１１２を接続する。抵抗器１
１６は定常状態において５ＣＲ８０を分流し、複数ＳＣ
Ｒを接続して後述の多重スイッチ高電流回路を形成する
場合には各５ＣＲ８０を分圧する。酸化金属バリスタ１
２０をコンデンサ１２４と直列に接続することにより、
トリガー動作などのような動的状態において５ＣＲ８０
を分流する。
第１図に示すように、使用時に（図示しない）低電圧交
流電源をＡＣ入力３６．４０に接続する。
流電源をＡＣ入力３６．４０に接続する。
所要の電圧にセットし、手動制御装置３２を操作するこ
とによって回路動作を開始させる。制御プロセッサ２０
がＡＣスイッチ２８を閉じると、ＡＣスイッチ２８が変
圧器５２の低電圧巻線６ＧにＡＣ電圧を供給する。変圧
１Ｓ５２は高電圧巻線６９に高電圧交流を発生させ、こ
れがダイオード５６によって整流され、抵抗器５８を介
してコンデンサ６０を充電する。制御プロセッサ２０の
作用下に、コンデンサ６０は高ジュール・スイッチ１６
をトリガーすることなく、手動制御装置３２によってセ
ットされた所定電圧以上の電圧まで充電可能であるから
、ＡＣスイッチ２８の遅延が高ジュール・スイッチ１６
の誤ったトリガーを招く恐れを解消することができる。
とによって回路動作を開始させる。制御プロセッサ２０
がＡＣスイッチ２８を閉じると、ＡＣスイッチ２８が変
圧器５２の低電圧巻線６ＧにＡＣ電圧を供給する。変圧
１Ｓ５２は高電圧巻線６９に高電圧交流を発生させ、こ
れがダイオード５６によって整流され、抵抗器５８を介
してコンデンサ６０を充電する。制御プロセッサ２０の
作用下に、コンデンサ６０は高ジュール・スイッチ１６
をトリガーすることなく、手動制御装置３２によってセ
ットされた所定電圧以上の電圧まで充電可能であるから
、ＡＣスイッチ２８の遅延が高ジュール・スイッチ１６
の誤ったトリガーを招く恐れを解消することができる。
コンデンサ６０が所定電圧よりも充分高い電圧まで充電
されたのち、制御プロセッサ２０がＡＣスイッチ２８を
開き、コンデンサ６０が抵抗器６１を介して徐々に放電
される。コンデンサ６０の電荷が手動制御装置３２で設
定された電圧に達すると、制御プロセ・ノサ２０が光学
的パルスを光学トリガー２４に伝送し、光学トリガーは
トリガー供給回路６２からのエネルギーを利用して電気
パルスを発生させ、これをトリガー線５０を介して高ジ
ュール・スイッチ１６に供給する。第２図の抵抗器１０
４及びコンデンサ１０８は充分な時間に亘って充分な電
圧及び電圧を供給することによって５ＣＲ８０を導通さ
せ、コンデンサ６０の電荷及びエネルギーは陽橿９２か
ら陰極８８を経て負荷線７６に至り、さらに負荷７４に
達する。
されたのち、制御プロセッサ２０がＡＣスイッチ２８を
開き、コンデンサ６０が抵抗器６１を介して徐々に放電
される。コンデンサ６０の電荷が手動制御装置３２で設
定された電圧に達すると、制御プロセ・ノサ２０が光学
的パルスを光学トリガー２４に伝送し、光学トリガーは
トリガー供給回路６２からのエネルギーを利用して電気
パルスを発生させ、これをトリガー線５０を介して高ジ
ュール・スイッチ１６に供給する。第２図の抵抗器１０
４及びコンデンサ１０８は充分な時間に亘って充分な電
圧及び電圧を供給することによって５ＣＲ８０を導通さ
せ、コンデンサ６０の電荷及びエネルギーは陽橿９２か
ら陰極８８を経て負荷線７６に至り、さらに負荷７４に
達する。
マルチ・スイッチ ０パ 口
高ジュール・スイッチ１６は３（１６）０ボルトで１（
１６）アンペア以上の高電流を得るため多重スイッチを
直列に配置できるように構成されている。
１６）アンペア以上の高電流を得るため多重スイッチを
直列に配置できるように構成されている。
トランスフェクションにこのような高電流を必要とする
場合が多く、単一の高ジュールＳＣＲが極めて高価であ
るのに対して一連の低容量ＳＣＲを接続すればコストを
比較的低く抑えることができるから、上記構成が望まし
い。
場合が多く、単一の高ジュールＳＣＲが極めて高価であ
るのに対して一連の低容量ＳＣＲを接続すればコストを
比較的低く抑えることができるから、上記構成が望まし
い。
第３図は直列に接続した複数の高ジュール・スイッチ１
６及びトリガー制御装置１６０を具備するマルチ・スイ
ッチ高電流回路１５８を示す。複数の高ジュール・スイ
ッチ１６は複数の、例えば６個のスイッチ・セル１５０
，１５１，１５２゜１５３．１５４，１５５を形成する
。スイッチ・セル１５０はスイッチ入力線７２とスイッ
チ・セル１５５は第１図実施例の負荷線７６とそれぞれ
接続する。トリガー制御装置１６０は各高ジュール・ス
イッチ１６のトリガー線５０と接続し、トリガー駆動線
１６２を介して光学トリガー２４とインターフェイスす
る。トリガー制御装置１６０は光学トリガー２４に呼応
して複数のスイッチ・セルをトリガーする。トリガー制
御装置１６０は情況に応じて同時に、または逐次的に各
スイッチ・セルをトリガーすることができる。
６及びトリガー制御装置１６０を具備するマルチ・スイ
ッチ高電流回路１５８を示す。複数の高ジュール・スイ
ッチ１６は複数の、例えば６個のスイッチ・セル１５０
，１５１，１５２゜１５３．１５４，１５５を形成する
。スイッチ・セル１５０はスイッチ入力線７２とスイッ
チ・セル１５５は第１図実施例の負荷線７６とそれぞれ
接続する。トリガー制御装置１６０は各高ジュール・ス
イッチ１６のトリガー線５０と接続し、トリガー駆動線
１６２を介して光学トリガー２４とインターフェイスす
る。トリガー制御装置１６０は光学トリガー２４に呼応
して複数のスイッチ・セルをトリガーする。トリガー制
御装置１６０は情況に応じて同時に、または逐次的に各
スイッチ・セルをトリガーすることができる。
この実施例では複数の、例えば４個の抵抗器１６４を負
荷線７６と接続すると共に、後述のような理由から負荷
７４と並列に接続する。
荷線７６と接続すると共に、後述のような理由から負荷
７４と並列に接続する。
ＳＣＲが阻止（不導通）状態にある時、各ＳＣＲの阻止
特性に差があれば定常状態高圧の配分が不均一になる。
特性に差があれば定常状態高圧の配分が不均一になる。
その場合、電流阻止特性の低いＳＣＲに過剰電圧が現れ
る恐れがあるから、このＳＣＲにとって有害である。そ
こで、分流抵抗器１１６が定常状態において各ＳＣ１’
？８０の電圧を等化する。同様に、１つのＳＣＲの遅延
時間が他のＳＣＲよりもはるかに長い場合、導通化の遅
いこのＳＣＲに全電圧が瞬間的に加わることになる。
る恐れがあるから、このＳＣＲにとって有害である。そ
こで、分流抵抗器１１６が定常状態において各ＳＣ１’
？８０の電圧を等化する。同様に、１つのＳＣＲの遅延
時間が他のＳＣＲよりもはるかに長い場合、導通化の遅
いこのＳＣＲに全電圧が瞬間的に加わることになる。
これと同じことはＳＣＲが不導通する際にも起こる。な
ぜなら、すべてのＳＣＲが同時に回復せず、最初に不導
通化するセルが全電圧を与えることになるからである。
ぜなら、すべてのＳＣＲが同時に回復せず、最初に不導
通化するセルが全電圧を与えることになるからである。
従って、各スイッチング・セルの酸化金属バリスタ（Ｍ
ＯＶ）１２０及びコンデンサ〕２４がこの不導通化プロ
セスにおいて電圧を等化する。
ＯＶ）１２０及びコンデンサ〕２４がこの不導通化プロ
セスにおいて電圧を等化する。
抵抗器１１６及び各ＭＯＶ１２０／コンデンサ１２４対
は電圧等化機能のほかに、抵抗器１６４と協働して重要
な安全機能をも果す。各ＭＯＶＩ２０のインピーダンス
は極めて高く、各コンデンサ１２４は各５ＣＲ８０が不
導通状態にある時、本質的には開放回路として作用する
。従って、各ＭＯＶ１２０の抵抗値は抵抗器１１６の抵
抗値にほとんど影響せず、抵抗器１１６は抵抗器１６４
と共に分圧器を形成し、この分圧器において各抵抗器１
１６はそのほとんど全ての抵抗値を分圧器に寄与させる
。この実施例の用途に鑑み、各抵抗器１１６の値を１Ｍ
オーム、各抵抗器１６４の値を１８にオームに設定する
ことが好ましい。
は電圧等化機能のほかに、抵抗器１６４と協働して重要
な安全機能をも果す。各ＭＯＶＩ２０のインピーダンス
は極めて高く、各コンデンサ１２４は各５ＣＲ８０が不
導通状態にある時、本質的には開放回路として作用する
。従って、各ＭＯＶ１２０の抵抗値は抵抗器１１６の抵
抗値にほとんど影響せず、抵抗器１１６は抵抗器１６４
と共に分圧器を形成し、この分圧器において各抵抗器１
１６はそのほとんど全ての抵抗値を分圧器に寄与させる
。この実施例の用途に鑑み、各抵抗器１１６の値を１Ｍ
オーム、各抵抗器１６４の値を１８にオームに設定する
ことが好ましい。
高抵抗負荷（例えば人体）がシステムに触れると、各ス
イッチ・セルの抵抗器１１６が抵抗器１６４と協働して
、スイッチ・セル１５５における５ＣＲ８０の陰極８８
と接続する負荷線７６に現れる電圧を、トリガー制御装
置１６０によってこのスイッチ・セルをトリガーするに
は高すぎるレベルにする。この実施例の場合、トリガー
は約１（１６）０オームの負荷で始まる。抵抗値が約１
０にオームの人体はトリガーを妨げるが、抵抗値が１（
１６）０オーム以下の実際のサンプル負荷では確実なト
リガーが行われる。
イッチ・セルの抵抗器１１６が抵抗器１６４と協働して
、スイッチ・セル１５５における５ＣＲ８０の陰極８８
と接続する負荷線７６に現れる電圧を、トリガー制御装
置１６０によってこのスイッチ・セルをトリガーするに
は高すぎるレベルにする。この実施例の場合、トリガー
は約１（１６）０オームの負荷で始まる。抵抗値が約１
０にオームの人体はトリガーを妨げるが、抵抗値が１（
１６）０オーム以下の実際のサンプル負荷では確実なト
リガーが行われる。
第４図は第３図実施例の詳細図である。各スイッチ・セ
ルを含む各高ジュール・スイッチの素子には第２図と同
じ参照番号を付した。
ルを含む各高ジュール・スイッチの素子には第２図と同
じ参照番号を付した。
トリガー制御装置１６０は所要のトリガー・モードを設
定するため各スイッチ・セル１５０．１５１．１５２，
１５３，１５４，１５５と連携させたモード・スイッチ
１８２を含む。モード・スイッチ１８２は機械的なスイ
ッチでも電子的スイッチでもよい。同時トリガーが必要
な場合には、モード・スイッチ１８２がスイッチ・セル
１５０゜１５１．１５２，１５３．１５４，１５５を光
学トリガー２４と接続する。
定するため各スイッチ・セル１５０．１５１．１５２，
１５３，１５４，１５５と連携させたモード・スイッチ
１８２を含む。モード・スイッチ１８２は機械的なスイ
ッチでも電子的スイッチでもよい。同時トリガーが必要
な場合には、モード・スイッチ１８２がスイッチ・セル
１５０゜１５１．１５２，１５３．１５４，１５５を光
学トリガー２４と接続する。
トリガー制御装置１６０は各スイッチ・セル１５０．１
５１，１５２，１５３，１５４と連携する逐次モード抵
抗器１８６をも含む。スイッチ・セルを逐次トリガーし
たければ、モード・スイッチ１８２がスイッチ・セル１
５０，１５１，１５２．１５３．１５４を逐次モード抵
抗器１８６と接続し、逐次モード抵抗器１８６は大地電
圧と接続する。パルス発生に関連して後述する電流シン
ク機能には逐次モードトリガーを利用すればよい。
５１，１５２，１５３，１５４と連携する逐次モード抵
抗器１８６をも含む。スイッチ・セルを逐次トリガーし
たければ、モード・スイッチ１８２がスイッチ・セル１
５０，１５１，１５２．１５３．１５４を逐次モード抵
抗器１８６と接続し、逐次モード抵抗器１８６は大地電
圧と接続する。パルス発生に関連して後述する電流シン
ク機能には逐次モードトリガーを利用すればよい。
スイッチ・セル１５５はモード・スイッチ１８２と接続
せず、常に光学トリガー２４及び大地電圧に基準化され
た抵抗器１９０と接続している。
せず、常に光学トリガー２４及び大地電圧に基準化され
た抵抗器１９０と接続している。
多重スイッチ回路の動作はオペレータに２つのトリガー
・モードが与えられることを除けば基本回路に関して述
べたのと実質的に同じである。もっと電圧が高い同時ト
リガーの場合には、モード・スイッチ１８２を第４図に
示すように光学トリガー２４と接続する。従って、光学
トリガー２４が作動すると、各スイッチ・セルにおける
各５ＣＲ８０のゲート８４にトリガー・パルスが同時に
供給され、スイッチ・セルは実質的に同時に導通化する
。
・モードが与えられることを除けば基本回路に関して述
べたのと実質的に同じである。もっと電圧が高い同時ト
リガーの場合には、モード・スイッチ１８２を第４図に
示すように光学トリガー２４と接続する。従って、光学
トリガー２４が作動すると、各スイッチ・セルにおける
各５ＣＲ８０のゲート８４にトリガー・パルスが同時に
供給され、スイッチ・セルは実質的に同時に導通化する
。
低電圧トリガー及び後述のパルス発生には逐次トリガー
が望ましい。逐次トリガーには、モード・スイッチ１８
２が逐次モード抵抗器１８６と接触するように位置ぎめ
される。このように構成すれば、各スイッチ・セルのコ
ンデンサ１０８には所定電圧まで充電可能である。また
、負荷！７６はほぼ大地電圧に基準化されている。負荷
線７６を（スイッチ・セル１５５における５ＣＲ８０の
陰極８８と接続する）はぼ大地電圧に標準化することに
より、光学トリガー２４に固有のトリガー遅延が望まし
くない場合に光学トリガー２４の代わりに（図示しない
）低電圧トリガー・ソースを利用することができる。低
電圧トリガーが作動すると、スイッチ・セル１５５の５
ＣＲ８０をトリガーする。スイッチ・セル１５５が導通
化すると、スイッチ・セル１５４における５ＣＲ８０の
陰極８８に現れる電圧は実質的に大地電圧まで降下する
。この大地電圧近似電圧がスイッチ・セル１５４のコン
デンサ１０８を放電させ、コンデンサ１０８がスイッチ
・セル１５４における５ＣＲ８０のゲート８４にこれを
トリガーするのに充分な電流を供給する。スイッチ・セ
ル１５４における５ＣＲ８０の陽極９２は大地電圧近似
電圧を取り、スイッチ・セル１５３，１５２，１５１，
１５０を介してプロセスがリップル効果で反復する。
が望ましい。逐次トリガーには、モード・スイッチ１８
２が逐次モード抵抗器１８６と接触するように位置ぎめ
される。このように構成すれば、各スイッチ・セルのコ
ンデンサ１０８には所定電圧まで充電可能である。また
、負荷！７６はほぼ大地電圧に基準化されている。負荷
線７６を（スイッチ・セル１５５における５ＣＲ８０の
陰極８８と接続する）はぼ大地電圧に標準化することに
より、光学トリガー２４に固有のトリガー遅延が望まし
くない場合に光学トリガー２４の代わりに（図示しない
）低電圧トリガー・ソースを利用することができる。低
電圧トリガーが作動すると、スイッチ・セル１５５の５
ＣＲ８０をトリガーする。スイッチ・セル１５５が導通
化すると、スイッチ・セル１５４における５ＣＲ８０の
陰極８８に現れる電圧は実質的に大地電圧まで降下する
。この大地電圧近似電圧がスイッチ・セル１５４のコン
デンサ１０８を放電させ、コンデンサ１０８がスイッチ
・セル１５４における５ＣＲ８０のゲート８４にこれを
トリガーするのに充分な電流を供給する。スイッチ・セ
ル１５４における５ＣＲ８０の陽極９２は大地電圧近似
電圧を取り、スイッチ・セル１５３，１５２，１５１，
１５０を介してプロセスがリップル効果で反復する。
バｙ久凡生皿貧
電気的細胞融合には高電圧、高エネルギーの方形パルス
の発生が必要である。但し、陽極を流れる主要電流が装
置の規定保持電流以下のレベルに低下するまでＳＣＲは
導通状態のままである。従って、５ＣＲ８０を不導通化
し、所要の方形パルスを形成するためには、陽極９２を
流れる電流を、高電圧電流が負荷線７６に現れてから所
定時間に亘って規定の保持電流以下に低下させねばなら
ない。また、５ＣＲ８０を流れる電流がパルス時間に亘
って殆ど変化せず、パルスの立ら下がりエツジがほぼ垂
直となるように電流低下が実質的に瞬間的でなければな
らない。
の発生が必要である。但し、陽極を流れる主要電流が装
置の規定保持電流以下のレベルに低下するまでＳＣＲは
導通状態のままである。従って、５ＣＲ８０を不導通化
し、所要の方形パルスを形成するためには、陽極９２を
流れる電流を、高電圧電流が負荷線７６に現れてから所
定時間に亘って規定の保持電流以下に低下させねばなら
ない。また、５ＣＲ８０を流れる電流がパルス時間に亘
って殆ど変化せず、パルスの立ら下がりエツジがほぼ垂
直となるように電流低下が実質的に瞬間的でなければな
らない。
これを達成するには第５図に示すパルス発生回路１９１
を利用すればよい。パルス発生回路１９１の基本素子は
第１図の基本回路と同様であるから、ここではパルス操
作機構の詳細だけを説明する。
を利用すればよい。パルス発生回路１９１の基本素子は
第１図の基本回路と同様であるから、ここではパルス操
作機構の詳細だけを説明する。
第５図に示すように、高ジュール・スイッチ１６Ａの負
荷線７６Ａは抵抗器１９２，１９４と接続する。抵抗器
１９２，１９４は直列に接続されており、抵抗器１９４
は接地されている。公知構成のワンショット遅延回路１
９６はその入力が抵抗器１９２，１９４間の点と接続し
、出力はワンショット・トリガー１９８と接続している
。ワンショット・トリガー１９８はクローバ−２（１６
）と接続している。クローバ−２（１６）の入力は高ジ
ュール・スイッチ１６Ａから電流を引き出すためのスイ
ッチ入力線７２Ａと接続し、クローバ−２（１６）の出
力は接地している。
荷線７６Ａは抵抗器１９２，１９４と接続する。抵抗器
１９２，１９４は直列に接続されており、抵抗器１９４
は接地されている。公知構成のワンショット遅延回路１
９６はその入力が抵抗器１９２，１９４間の点と接続し
、出力はワンショット・トリガー１９８と接続している
。ワンショット・トリガー１９８はクローバ−２（１６
）と接続している。クローバ−２（１６）の入力は高ジ
ュール・スイッチ１６Ａから電流を引き出すためのスイ
ッチ入力線７２Ａと接続し、クローバ−２（１６）の出
力は接地している。
第５図に示すように、クローバ−２（１６）は第３及び
第４図に示すマルチ・スイッチ高電流回路１５８から構
成することができる。その場合にはモード・スイッチ１
８２を逐次動作モードに接続し、スイッチ入力線７２を
高ジュール・スイッチ１６Ａのスイッチ入力線７２Ａと
接続し、負荷線７６を接地し、トリガー駆動線１６２を
ワンショット・トリガー１９８と接続する。逐次トリガ
ー・モードの回路１５８を利用することにより、ワンシ
ョット・トリガー１９８の低電圧トリガー能力を利用す
ることができ、従って光学トリガーに固有の遅延を解消
することができる。
第４図に示すマルチ・スイッチ高電流回路１５８から構
成することができる。その場合にはモード・スイッチ１
８２を逐次動作モードに接続し、スイッチ入力線７２を
高ジュール・スイッチ１６Ａのスイッチ入力線７２Ａと
接続し、負荷線７６を接地し、トリガー駆動線１６２を
ワンショット・トリガー１９８と接続する。逐次トリガ
ー・モードの回路１５８を利用することにより、ワンシ
ョット・トリガー１９８の低電圧トリガー能力を利用す
ることができ、従って光学トリガーに固有の遅延を解消
することができる。
動作時に、高ジュール・スイッチ１６Ａが基本回路に関
して述べた方法によってトリガーされる。
して述べた方法によってトリガーされる。
負荷線７６Ａに高電圧電流が現れると、この電流がワン
ショット遅延回路１９６を作動させ、ワンショット遅延
回路１９６が所要のパルス幅のタイミングを開始する。
ショット遅延回路１９６を作動させ、ワンショット遅延
回路１９６が所要のパルス幅のタイミングを開始する。
ワンショット遅延回路１９６はタイムアウトと同時にワ
ンショット・トリガー１９８を作動させ、トリガー１９
８がクローバ−２（１６）を作動させる。スイッチ入力
線７２Ａに電流が入力されると実質的に同時に大地へ分
流され、高ジュール・スイッチ１６Ａに流れる電流が定
格保持電流以下の値に低下する。その結果、高ジュール
・スイッチ１６Ａが不導通化し、所要の方形パルスを形
成する。
ンショット・トリガー１９８を作動させ、トリガー１９
８がクローバ−２（１６）を作動させる。スイッチ入力
線７２Ａに電流が入力されると実質的に同時に大地へ分
流され、高ジュール・スイッチ１６Ａに流れる電流が定
格保持電流以下の値に低下する。その結果、高ジュール
・スイッチ１６Ａが不導通化し、所要の方形パルスを形
成する。
猪誓及互弛ｐス蓬−桝
以上に本発明の好ましい実施例を説明したが、種々の変
更が可能である。例えば、第６図に示すようにゲート２
１１、陽極２１２、及び陰極２１３を有する等価の２ト
ランジスタＳＣＲモデル２１０を各５ＣＲ８０の代わり
に使用してもよい。
更が可能である。例えば、第６図に示すようにゲート２
１１、陽極２１２、及び陰極２１３を有する等価の２ト
ランジスタＳＣＲモデル２１０を各５ＣＲ８０の代わり
に使用してもよい。
ゲー）２１１、陽極２１２．及び陰極２１３は第２図に
示した５ＣＲ８０のゲート８４、陰極８８及び陽極９２
と等価である。
示した５ＣＲ８０のゲート８４、陰極８８及び陽極９２
と等価である。
第６図に示すように、ＳＣＲモデル２１０はベース２１
５、コレクタ２１６、エミッタ２１７を有するＰＮＰ
トランジスタ２１４、及びベース２１９、コレクタ２２
０、エミ・ン夕２２１を有するＮＰＮ トランジスタ２
１８から成る。ＮＰＮトランジスタ２１８のコレクタは
ＰＮＰ トランジスタ２１４のベースと接続し、ＰＮＰ
トランジスタ２１４のコレクタはＮＰＮトランジスタ
２１８のベースと接続する。ＮＰＮ トランジスタ２１
８のベース２１９及びエミッタ２２１、及びＰＮＰ ト
ランジスタ２１４のエミッタ２１７がＳＣＲモデル２１
０のゲート２１１、陰極２１３、及び陽極２１２をそれ
ぞれ形成する。
５、コレクタ２１６、エミッタ２１７を有するＰＮＰ
トランジスタ２１４、及びベース２１９、コレクタ２２
０、エミ・ン夕２２１を有するＮＰＮ トランジスタ２
１８から成る。ＮＰＮトランジスタ２１８のコレクタは
ＰＮＰ トランジスタ２１４のベースと接続し、ＰＮＰ
トランジスタ２１４のコレクタはＮＰＮトランジスタ
２１８のベースと接続する。ＮＰＮ トランジスタ２１
８のベース２１９及びエミッタ２２１、及びＰＮＰ ト
ランジスタ２１４のエミッタ２１７がＳＣＲモデル２１
０のゲート２１１、陰極２１３、及び陽極２１２をそれ
ぞれ形成する。
ＳＣＲモデル２１０のゲート２１１に電気パルスが供給
されると、トランジスタ２１８が導通し、コレクタ２２
０を低電圧状態にする。この低電圧はベース２１５に供
給されてトランジスタ２１４を導通化する。その結果、
コレクタ２１６から流れる電流はトランジスタ２１８の
ベース２１９に供給され、導通状態を確立する。ゲート
２１１に供給される電気パルスが停止すると、ＳＣＲモ
デル２１０は陽極２１２に充分な主要電流が供給される
限り、導通状態のままである。
されると、トランジスタ２１８が導通し、コレクタ２２
０を低電圧状態にする。この低電圧はベース２１５に供
給されてトランジスタ２１４を導通化する。その結果、
コレクタ２１６から流れる電流はトランジスタ２１８の
ベース２１９に供給され、導通状態を確立する。ゲート
２１１に供給される電気パルスが停止すると、ＳＣＲモ
デル２１０は陽極２１２に充分な主要電流が供給される
限り、導通状態のままである。
以上の説明は本発明の範囲を制限するものではなく、本
発明の範囲は頭書の特許請求の範囲によって限定される
。
発明の範囲は頭書の特許請求の範囲によって限定される
。
第１図は指数関数形パルスを形成する本発明のトランス
フニックジョン用高電圧制御装置の回路図、第２図は第
１図に示した高ジュール・スイッチの詳細な回路図、第
３図は本発明の直列接続された複数高ジュール・スイッ
チのブロックダイヤグラム、第４図は第３図に示した実
施例の回路図、第５図は第１図の高ジュール・スイッチ
を利用し。 て方形波を発生させる装置の詳細なブロックダイヤグラ
ム、第６図は半導体制御整流器の双トランジスタ・モデ
ルを示す回路図である。 ４・・トランスフェクション用高電圧制御ｇｔ’ＩＩ８
・・制御部 １２・・蓄電部
フニックジョン用高電圧制御装置の回路図、第２図は第
１図に示した高ジュール・スイッチの詳細な回路図、第
３図は本発明の直列接続された複数高ジュール・スイッ
チのブロックダイヤグラム、第４図は第３図に示した実
施例の回路図、第５図は第１図の高ジュール・スイッチ
を利用し。 て方形波を発生させる装置の詳細なブロックダイヤグラ
ム、第６図は半導体制御整流器の双トランジスタ・モデ
ルを示す回路図である。 ４・・トランスフェクション用高電圧制御ｇｔ’ＩＩ８
・・制御部 １２・・蓄電部
Claims (25)
- （１）化学溶液に高圧電流を供給する装置であって、 電荷を蓄積する手段と、 電荷蓄積手段に蓄積された電荷を受ける手段と、 電荷蓄積手段に蓄積された所定量の電荷を検出する手段
と、 電荷検出手段に呼応して電荷蓄積手段に蓄積されている
電荷を電荷受け手段に供給する手段と を具備することを特徴とする装置。 - （２）供給手段が電荷蓄積手段に接続されて該電荷蓄積
手段からの電流を受ける陽極および電荷受け手段に接続
されて電荷蓄積手段に蓄積されている電荷を電荷受け手
段に供給する陰極を有する半導体制御整流器を含むこと
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の装置。 - （３）供給手段が複数のトランジスタを含み、前記複数
のトランジスタの入力が電荷蓄積手段と接続して該電荷
蓄積手段からの電流を受け、出力が電荷受け手段と接続
して電荷蓄積手段に蓄積されている電荷を電荷受け手段
に供給し、前記複数のトランジスタが互いに接続されて
、電気パルスが供給されたのち導通状態を維持すること
のできる回路を形成することを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項記載の装置。 - （４）供給手段がＰＮＰトランジスタ及びＮＰＮトラン
ジスタを含み、ＰＮＰトランジスタのコレクタがＮＰＮ
トランジスタのベースと接続し、ＮＰＮトランジスタの
コレクタがＰＮＰトランジスタのベースと接続し、ＰＮ
Ｐトランジスタのエミッタが電荷蓄積手段と接続して該
電荷蓄積手段からの電流を受け、ＮＰＮトランジスタの
エミッタが電荷受け手段と接続して電荷蓄積手段に蓄積
されている電荷を電荷受け手段に供給することを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載の装置。 - （５）電荷蓄積手段が所定量以上の電荷を蓄積する手段
を含み、装置が 電荷蓄積手段に蓄積されている電荷量が所定量に等しく
なり、検出手段が電荷蓄積手段に蓄積されている所定量
の電荷を検出し、供給手段が蓄積手段に蓄積されている
電荷を電荷受け手段に供給するまで電荷蓄積手段を放電
させる手段をも含むことを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載の装置。 - （６）化学溶液に高圧電流を供給する装置であって、 ゲート、高圧電流を入力される陽極、及び高圧電流を出
力する陰極を有する第一半導体制御整流器と、 陽極及び陰極と接続して第一半導体制御整流器を分路し
、コンデンサと直列に接続した酸化金属バリスタを含む
分路手段と、 ゲートと接続し、第一半導体制御整流器をトリガーして
該整流器の陽極から陰極へ高圧電流を流動させるトリガ
ー手段と を具備することを特徴とする装置。 - （７）トリガー手段が第一半導体制御整流器をトリガー
するための電荷を蓄積する手段を含み、蓄積電荷量が第
一半導体制御整流器の陽極に供給される高圧電流に比例
することを特徴とする特許請求の範囲第（６）項記載の
装置。 - （８）ゲート、第一半導体制御整流器の陰極から高圧電
流を入力される陽極及び高圧電流を出力する陰極を有す
る第二半導体制御整流器と、 第二半導体制御整流器の陽極及び陰極と接続して第二半
導体制御整流器を分路し、コンデンサと直列に接続する
酸化金属バリスタを含む分路手段と、 第二半導体制御整流器のゲートと接続し、第一半導体制
御整流器の陰極から高圧電流が出力されると第二半導体
制御整流器をトリガーすることにより、該整流器の陽極
から陰極へ高圧電流を流動させるトリガー手段 をも含むことを特徴とする特許請求の範囲第（６）項記
載の装置。 - （９）第一及び第二半導体制御整流器トリガー手段と接
続し、第一及び第二半導体制御整流器を実質的に同時に
トリガーする手段をも含むことを特徴とする特許請求の
範囲第（８）項記載の装置。 - （１０）第一及び第二半導体制御整流器トリガー手段と
接続し、第一及び第二半導体制御整流器を逐次的にトリ
ガーする手段をも含むことを特徴とする特許請求の範囲
第（８）項記載の装置。 - （１１）第一半導体制御整流器トリガー手段が第一半導
体制御整流器のゲートと接続するゲート抵抗器及び前記
ゲートと直列に接続するゲート・コンデンサを含み、第
二半導体制御整流器トリガー手段が第二半導体制御整流
器のゲートと接続するゲート抵抗器及び前記ゲートと直
列接続するゲート・コンデンサを含むことを特徴とする
特許請求の範囲第（８）項記載の装置。 - （１２）第一及び第二半導体制御整流器トリガー手段と
接続してこれに同時に電圧パルスを供給することにより
、第一及び第二半導体制御整流器を実質的に同時にトリ
ガーし、高圧電流が第一半導体制御整流器の陽極から第
一及び第二半導体制御整流器を流れ、第二半導体制御整
流器の陰極から出力されるようにする手段をも含むこと
を特徴とする特許請求の範囲第（１１）項記載の装置。 - （１３）第一半導体制御整流器トリガー手段が、 前記第一半導体制御整流器トリガー手段のゲート・コン
デンサ及びゲート抵抗器と直列に接続すると共に接地さ
れた大地抵抗器と、 ゲート・コンデンサが放電されると第一半導体制御整流
器をトリガーするのに充分な量の電荷をゲート・コンデ
ンサに蓄積させる手段と、 第一半導体制御整流器の陰極が実質的に大地電圧に相当
する電圧と接続すると、ゲート・コンデンサを放電させ
る手段 をも含むことを特徴とする特許請求の範囲第（１１）項
記載の装置。 - （１４）第二半導体制御整流器の陰極が実質的に接地さ
れていることと、装置が第二半導体制御整流器トリガー
手段と接続してこれに電圧パルスを供給することにより
第二半導体制御整流器をトリガーし、その陽極がほぼ大
地電圧に相当する電圧を取り、これが第一半導体制御整
流器の陰極に供給され、これに呼応して第一半導体制御
整流器がトリガーされるようにする手段をも含むことと
を特徴とする特許請求の範囲第（１３）項記載の装置。 - （１５）化学溶液に高圧電流を供給する装置であって、 ゲート、高圧電流を入力される陽極及び高圧電流を出力
する陰極を有する半導体制御整流器と、 ゲートと接続して半導体制御整流器をトリガーし、その
陽極から陰極へ高圧電流を流動させるトリガー手段と、 陰極と接続して、所定時間後、高圧電流が半導体制御整
流器の陽極を流れるのを抑止するタイマーと を具備することを特徴とする装置。 - （１６）化学溶液に高圧電流を供給する方法であって、 電荷蓄積装置を第一半導体制御整流器の陽極と接続し、 第一半導体制御整流器の陰極を化学溶液に電流を供給す
るように接続し、 第一半導体制御整流器を導通させるのに充分な電気パル
スを第一半導体制御整流器のゲートに供給し、 第一半導体制御整流器を流れる電荷を化学溶液に供給す
る 段階を具備することを特徴とする方法。 - （１７）半導体制御整流器の導通状態を検知し、 第一半導体制御整流器の導通状態を検知したのち、所定
の時間を測定し、 所定の時間後、第一半導体制御整流器を流れる電流を抑
制する 段階をも含むことを特徴とする特許請求の範囲第（１６
）項記載の方法。 - （１８）第一半導体制御整流器の陰極における電圧を制
限する段階をも含むことを特徴とする特許請求の範囲第
（１６）項記載の方法。 - （１９）第一半導体制御整流器の陰極を流れる電流を入
力されるように第二半導体制御整流器の陽極を接続し、 化学溶液に電流を供給するように第二半導体制御整流器
の陰極を接続し、 第一及び第二半導体制御整流器を導通させるに充分な電
気パルスを第一及び第二半導体制御整流器のゲートに供
給し、 第一及び第二半導体制御整流器を流れる電荷を化学溶液
に供給する 段階をも含むことを特徴とする特許請求の範囲第（１６
）項記載の方法。 - （２０）電気パルス供給段階が第一及び第二半導体制御
整流器のゲートに実質的に同時に電気パルスを供給する
段階を含むことを特徴とする特許請求の範囲第（１７）
項記載の方法。 - （２１）第一半導体制御整流器の陰極における電圧を制
限する段階をも含む特許請求の範囲第（１７）項記載の
方法。 - （２２）第一半導体制御整流器の陰極における電圧を実
質的に大地電圧に制限する段階をも含むことを特徴とす
る特許請求の範囲第（２１）項記載の方法。 - （２３）第一半導体制御整流器のゲートを、放電される
と、この半導体制御整流器をトリガーすることができる
コンデンサに接続する段階をも含むことを特徴とする特
許請求の範囲第（２２）項記載の方法。 - （２４）第二半導体制御整流器の陽極における電圧を第
一半導体制御整流器のゲートに供給し、 第二半導体制御整流器のゲートにこれを導通させるに充
分な電気パルスを供給することにより、第二半導体制御
整流器の陰極における大地電圧に実質的に相当する電圧
が第二半導体制御整流器の陽極及び第一半導体制御整流
器のゲートに供給され、第一半導体制御整流器のゲート
における大地電圧に実質的に相当する電圧がコンデンサ
を放電して第一半導体制御整流器を導通させるようにす
る 段階をも含むことを特徴とする特許請求の範囲第（２１
）項記載の方法。 - （２５）化学溶液に高圧電流を供給する方法であって、 複数のトランジスタを相互に接続して、電気パルスを供
給されたのち入力から出力へ流れる電流を導通すること
のできる回路を形成し、 前記回路の入力を電荷蓄積装置と接続し、 前記回路の出力を、この回路を流れる電流が化学溶液に
供給されるように接続し、 前記回路を導通させるためこれに電気パルスを供給し、 前記回路の出力からの電流を化学溶液に供給する 段階を具備することを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/872,060 US4750100A (en) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | Transfection high voltage controller |
| US872060 | 2001-06-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6335177A true JPS6335177A (ja) | 1988-02-15 |
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ID=25358752
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|---|---|---|---|
| JP62141316A Expired - Lifetime JP2848599B2 (ja) | 1986-06-06 | 1987-06-05 | 化学溶液に高圧電流を供給する装置 |
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| GB (3) | GB2193054B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010512151A (ja) * | 2006-12-06 | 2010-04-22 | バイオ−ラッド ラボラトリーズ，インコーポレイティド | 多重チャンネルエレクトロポレーションシステム |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4946793A (en) * | 1986-05-09 | 1990-08-07 | Electropore, Inc. | Impedance matching for instrumentation which electrically alters vesicle membranes |
| US5098843A (en) * | 1987-06-04 | 1992-03-24 | Calvin Noel M | Apparatus for the high efficiency transformation of living cells |
| GB8807271D0 (en) * | 1988-03-26 | 1988-04-27 | Preece A W | Cell fusion apparatus |
| US5422272A (en) * | 1993-07-14 | 1995-06-06 | Andrew A. Papp | Improvements to apparatus and method for electroporation |
| US5642035A (en) * | 1994-06-16 | 1997-06-24 | Bio-Rad Laboratories | Transfection high-voltage controller |
| US5585249A (en) * | 1994-10-03 | 1996-12-17 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Polyhydroxybutyrate and polyphosphate membranes with channels |
| US6103084A (en) * | 1995-06-06 | 2000-08-15 | Eppendorf Netheler-Hinz Gmbh | Apparatus for electroporation |
| US5608311A (en) * | 1995-10-19 | 1997-03-04 | Eaton Corporation | AC input for digital processor with capacitively coupled immunity and surge withstand |
| US6010613A (en) * | 1995-12-08 | 2000-01-04 | Cyto Pulse Sciences, Inc. | Method of treating materials with pulsed electrical fields |
| US5869326A (en) * | 1996-09-09 | 1999-02-09 | Genetronics, Inc. | Electroporation employing user-configured pulsing scheme |
| EP0866123B1 (de) * | 1997-03-21 | 2005-03-16 | Eppendorf Ag | Verfahren und Schaltungsanordnung zur Elektropermeation oder Elektroporation von lebenden Zellen |
| DE19834612A1 (de) * | 1998-07-31 | 2000-02-24 | Dornier Medtech Holding Int Gmbh | Verfahren zum intrazellulären Transfer von Oligonukleotiden und Vorrichtung zur Durchführung desselben |
| US6214297B1 (en) * | 1999-03-24 | 2001-04-10 | The Ohio State University | High voltage pulse generator |
| US8143195B2 (en) * | 2000-01-24 | 2012-03-27 | Yingjian Wang | Arrays for bringing two or more reagents in contact with one or more biological targets and methods for making and using the arrays |
| US7429466B2 (en) * | 2000-01-24 | 2008-09-30 | Hypromatrix, Inc | Methods and arrays for detecting biological molecules |
| DE10031179A1 (de) * | 2000-06-27 | 2002-01-31 | Amaxa Gmbh | Verfahren zur Einbringung von Nukleinsäuren und anderen biologisch aktiven Molekülen in den Kern höherer eukaryontischer Zellen mit Hilfe elektrischen Stroms |
| DE10119901A1 (de) * | 2001-04-23 | 2002-10-24 | Amaxa Gmbh | Schaltungsanordnung zur Einbringung von Nukleinsäuren und anderen biologisch aktiven Molekülen in den Kern höherer eukaryontischer Zellen mit Hilfe elektrischen Stroms |
| CA2468755C (en) | 2001-12-06 | 2009-07-14 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Resistance circuit stabilization and pulse duration control systems for electroporation instruments |
| ES2465467T3 (es) * | 2004-06-14 | 2014-06-05 | Lonza Cologne Ag | Procedimiento y disposición de circuito para el tratamiento de material biológico |
| US7776373B2 (en) * | 2004-11-19 | 2010-08-17 | Eteka Llc | Apparatus and method for the enhancement of food properties and food prepared therefrom |
| DE102008016275A1 (de) | 2008-03-28 | 2009-11-19 | Biontex Laboratories Gmbh | Verbesserung von Transfektionsergebnissen nicht-viraler Genliefersysteme durch Blockierung des angeborenen Immunsystems |
| DE102008023913A1 (de) | 2008-05-16 | 2009-11-19 | Biontex Laboratories Gmbh | Verbesserung von Transfektionsergebnissen nicht-viraler Genliefersysteme durch Beeinflussung des angeborenen Immunsystems |
| DE102007056488A1 (de) | 2007-11-22 | 2009-07-23 | Biontex Laboratories Gmbh | Steigerung von Transfektionseffizienzen nicht-viraler Genliefersysteme durch Blockierung des angeborenen Immunsystems |
| EP2212425A2 (de) | 2007-11-22 | 2010-08-04 | Biontex Laboratories Gmbh | Verbesserung von transfektionsergebnissen nicht-viraler genliefersysteme durch beeinflussung des angeborenen immunsystems |
| DE102007056956B4 (de) * | 2007-11-27 | 2009-10-29 | Moosbauer, Peter, Dipl.-Ing.(FH) | Schaltung zur Regelung der Stromversorgung eines Verbrauchers und Verfahren zum Betrieb einer Schaltung |
| DE102007056955B4 (de) * | 2007-11-27 | 2009-11-19 | Moosbauer, Peter, Dipl.-Ing.(FH) | Schaltung zur Regelung der Stromversorgung eines Verbrauchers und Verfahren zum Betrieb einer Schaltung |
| US20110045001A1 (en) * | 2008-03-28 | 2011-02-24 | Biontex Laboratories Gmbh | Transfection results of non-viral gene delivery systems by influencing of the innate immune system |
| WO2012158132A1 (en) | 2011-05-18 | 2012-11-22 | Eteka Llc | Apparatus for the enhancement of food properties by electroporation or pulsed electric fields |
| WO2013167185A1 (en) | 2012-05-09 | 2013-11-14 | Universitat Politècnica De Catalunya | Electrode assembly for generating electric field pulses to perform electroporation to a biological sample |
| US10916939B2 (en) | 2018-10-02 | 2021-02-09 | Stmicroelectronics (Tours) Sas | Low leakage transient overvoltage protection circuit using a series connected metal oxide varistor (MOV) and silicon controlled rectifier (SCR) |
| EP3654477A1 (de) | 2018-11-15 | 2020-05-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektronischer schalter mit überspannungsschutz |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB644347A (en) * | 1948-07-23 | 1950-10-11 | British Thomson Houston Co Ltd | Circuit arrangements for charging condensers |
| BE627843A (ja) * | 1962-01-31 | |||
| DE1564084B2 (de) * | 1966-07-28 | 1977-05-12 | Hellige Gmbh, 7800 Freiburg | Gleichstrom-defibrillator |
| US3609413A (en) * | 1969-11-03 | 1971-09-28 | Fairchild Camera Instr Co | Circuit for the protection of monolithic silicon-controlled rectifiers from false triggering |
| FR2077002A5 (ja) * | 1970-01-26 | 1971-10-15 | Petrov Jury | |
| SE360228B (ja) * | 1972-02-01 | 1973-09-17 | Asea Ab | |
| US3898410A (en) * | 1972-06-16 | 1975-08-05 | Environment One Corp | AC to RF converter circuit for induction cooking unit |
| US3849670A (en) * | 1973-04-13 | 1974-11-19 | Webster Electric Co Inc | Scr commutation circuit for current pulse generators |
| CH569545A5 (ja) * | 1973-08-31 | 1975-11-28 | Charmilles Sa Ateliers | |
| FR2253831B1 (ja) * | 1973-12-06 | 1977-11-10 | Rikagaku Kenkyusho | |
| US3947726A (en) * | 1974-12-18 | 1976-03-30 | General Electric Co. | Reverse voltage surge protection for high-voltage thyristors |
| DK140580B (da) * | 1977-06-29 | 1979-10-01 | Reofon As | Apparat til frembringelse af elektriske stødimpulser. |
| GB1598590A (en) * | 1978-05-31 | 1981-09-23 | Ml Aviation Co Ltd | Explosive devices |
| US4296358A (en) * | 1979-07-30 | 1981-10-20 | Fisher Scientific Company | High-voltage spark source |
| US4414603A (en) * | 1980-03-27 | 1983-11-08 | Senichi Masuda | Particle charging apparatus |
| DD205312A1 (de) * | 1982-03-03 | 1983-12-21 | Herbert Bachmann | Anordnung zur steuerung einer abschneidefunkenstrecke |
| JPS58154367A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-13 | Toshiba Corp | サイリスタ変換器の光ゲ−ト信号発生器 |
| DE3321999A1 (de) * | 1983-06-18 | 1984-12-20 | Gesellschaft für Schwerionenforschung mbH, 6100 Darmstadt | Schaltungsanordnung zur energieversorgung |
| US4571535A (en) * | 1984-11-15 | 1986-02-18 | Westinghouse Electric Corp. | VAR Generator having controlled discharge of thyristor switched capacitors |
| DE3538194A1 (de) * | 1985-10-26 | 1987-06-11 | Heinz Doevenspeck | Verfahren zur stoffwechsel- und/oder wachstumssteigernden behandlung von mikroorganismen sowie vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
-
1986
- 1986-06-06 US US06/872,060 patent/US4750100A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-06-04 CA CA000538821A patent/CA1326507C/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-06-05 JP JP62141316A patent/JP2848599B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-05 GB GB8713170A patent/GB2193054B/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-05 DE DE19873718941 patent/DE3718941A1/de not_active Ceased
-
1990
- 1990-02-22 GB GB9003971A patent/GB2227380B/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-02-22 GB GB9003972A patent/GB2228635B/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010512151A (ja) * | 2006-12-06 | 2010-04-22 | バイオ−ラッド ラボラトリーズ，インコーポレイティド | 多重チャンネルエレクトロポレーションシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2227380B (en) | 1991-04-03 |
| JP2848599B2 (ja) | 1999-01-20 |
| DE3718941A1 (de) | 1988-02-04 |
| GB9003972D0 (en) | 1990-04-18 |
| GB2227380A (en) | 1990-07-25 |
| GB8713170D0 (en) | 1987-07-08 |
| GB2193054B (en) | 1991-03-20 |
| GB9003971D0 (en) | 1990-04-18 |
| GB2228635A (en) | 1990-08-29 |
| GB2228635B (en) | 1991-04-17 |
| CA1326507C (en) | 1994-01-25 |
| US4750100A (en) | 1988-06-07 |
| GB2193054A (en) | 1988-01-27 |
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|---|---|---|
| JPS6335177A (ja) | トランスフェクションのための高電圧制御装置 | |
| US5650240A (en) | Multicell battery system with individually controllable cell bypasses | |
| US6437539B2 (en) | Method and device for balancing charges of a plurality of series-connected battery cells | |
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