JPS6336988A - 半導体ウエハの分割方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、半導体ウェハを個々の半導体チップに分割す
る方法に関する。

〈従来の技術〉 半導体素子や集積回路が形成された半導体ウェハを個々
の半導体チップに分割する手段として、スクライブ法と
いわれる方法がある。このスクライブ法は、伸張性を有
する粘着シートに半導体ウェハを貼着したのち、半導体
ウェハの表面に半導体チップの外形に沿う浅い分割溝を
ダイアモンドスクライバやレーザ照射によって形成し、
半導体ウェハをゴムローラなどで押圧して撓ませ、その
分割溝に沿って半導体ウェハを割る方法である。

ところが、このスクライブ法によれば、ウェハは分割溝
から結晶方位に基づいて襞間するので分割された半導体
チップが斜方体となり、特に半導体ウェハの厚みが厚い
場合にはリードフレームへのマウント不良やワイヤボン
ディングの際に半導体チップに欠けが生じる。

そこで、スクライブ法による分割における以上のような
不都合を避けるために、つぎのような分割方法が採用さ
れている。すなわち、■グイシングツーによりウェハの
厚み方向のほぼ中央まで切り込んだ後、半導体ウェハを
屈曲させて割るバーフカ・７ト法、もしくは、■グイシ
ングツーにより半導体ウェハを一気に切断してしまうス
ルーカット法といわれる方法である。

〈発明が解決しようとする問題点〉 ■のハーフカット法における半導体ウェハの最終的な分
割は、スクライブ法と同様に、半導体ウェハを屈曲して
割っている。そのため、分割された個々の半導体チップ
の端部が鋭角となって欠けやすく、かつ欠けた部分が半
導体チップに付着して電極間の短絡を起こしたりするこ
とがある。

また、■のスルーカット法では半導体ウェハを割る必要
がないので、前記のような不都合はない。

しかし、ダイシングブレードによる半導体ウェハの切断
終了直前に水平方向のクランクが発生したり、切断され
た半導体チップが高速回転中のダイシングブレードに引
きずられて粘着シートから剥離することがある。この＠
離を防ぐために粘着性のよい粘着シートを使用すれば、
半導体チップの裏面に粘着シートの粘着成分が付着する
ので半導体チップのマウント不良が発生する。しかも、
このスルーカット法においては、完全切断のためには切
り込み余裕が必要となることから、ダイシングブレード
は粘着シートの内部まで達するので、粘着シートの粘着
成分がダイシングブレードの刃面に付着することにより
刃面が目詰まりして、切れ味が劣化する。一方、粘着シ
ートにはダイシングブレードによる鋭利な切り込みが形
成されるので、半導体ウェハの分割後、半導体チップの
取り出しを容易にするために粘着シートを引き伸ばした
際、粘着シートが破れてしまい、自動マウント機に装着
できなくなる。

これに対しては、半導体ウェハの全厚みをレーザで溶断
分割することが考えられるが、その場合には、半導体ウ
ェハの厚みが厚くなればなるほど、溶断に要する加工時
間が増大するほか、レーザ光によって発生する熱が半導
体チップに伝わるので、半導体チップの特性が悪化した
り、熱クラ７りが発生したりする。そのため、このよう
なレーザによる方法は、半導体ウェハの分割には適さな
い。

本発明はかかる従来の問題点に鑑み、■のスルーカット
法を改善することによって、上述の各分割方法における
各種の不都合を解消することができる半導体ウェハの分
割方法の提供を目的とする。

〈問題点を解決するための手段〉 本発明は、ダイシングブレードによる切削加工で半導体
ウェハに溝を形成し、つぎに前記溝の底部へのレーザ照
射により半導体ウェハを溶断することに特徴を存するも
のである。

〈実施例〉 以下、本発明による半導体ウェハの分割方法の一実施例
を、その手順にしたがって説明する。なお、第１図およ
び第２図は各手順ごとの半導体ウェハを示す説明図であ
り、これらの図における符号１０は半導体ウェハ、１１
は半導体子ノブである。

まず、紫外線硬化樹脂などからなり伸張性を存する粘着
シート１２の粘着面上に、分割しようとする半導体ウェ
ハｌＯを載置して熱圧着により接合する。なお、この熱
圧着は、重ね合わせた両者をホントプレート上で１０秒
間にわたって６０〜８０℃に加熱したのち、両者を圧着
ローラで加圧することにより行う。

つぎに、粘着シート１２が貼着された゛Ｌ導体ウェハ１
０をダイシング装置にセントし、半導体ウェハ１０に形
成された多数の半導体チップ１１それぞれの外形に沿っ
て、半導体ウェハ１　（＋における厚み方向の切り残し
代（第１図のし寸法）が２０〜６０μｍになるまでダイ
シングブレード１３による切削加工を行い、切削溝１４
を形成する。

なお、このとき使用するダイシング装置におけるダイシ
ングブレード１３の刃厚は２０〜３０μｍとし、そのダ
イシングスピードは５０〜］　００１７秒とする。

さらに、切削溝１４が形成された半導体ウェハ１０をレ
ーザ装置にセットしたうえで、分割溝１４の底部にレー
ザ光を照射し、このレーザ照射により切削４１４の切り
残し部を溶断する。なお、このようなレーザ装置１５と
してはコンスタントウェーブレーザを使用し、かつレー
ザ光のスポット幅およびパワーは半導体ウェハ１０の切
れ具合を見ながら調整する。ただし、レーザ光の目安と
しては、波長１０〜２０μｍで０．５〜１ワツトとする
。なお、レーザ光は粘着シート１２への吸収が悪く、強
く当たっても粘着シート１２に切り込みが形成されるよ
うなことはない。

このようにして、半導体ウェハ１０から分割された個々
の半導体チップ１１はそれぞれ粘着シート１２から剥が
されて次の工程へ送られる。このような半導体チップ１
１の分割面は、ダイシングブレード１３によって形成さ
れた切削溝１４の切り残し部がレーザ照射で溶断された
ことにより凹凸面１１ａとなっている。そのため、この
ような半導体チップ１１を使用して、第３図（ａ）に示
すようなりＨＤ型ダイオードを製作する場合には、つぎ
のような利点がある。すなわち、前記した■のスルーカ
ット法により分割されん半導体チップ２０の分割面は平
らであるため、第３図（ｂ）に示すように、半導体チッ
プ２０がスラグリード２１゜２１間に立つことがある（
ペレット立ちといわれている）。ところが、本発明方法
により分割された半導体チップ１１は、その分割面の一
部が凹凸面１１ａとなっているので、このようなペレッ
ト立ちが起こりにくい。

〈発明の効果〉 以上のように本発明によれば、ダイシングブレードの切
削加工により切り残し部を有する切削溝を形成し、その
後、切削溝の切り残し部をレーザ照射により溶断するこ
とにより半導体ウェハを分割する。そのため、半導体チ
ップにクランクが発生したり、粘着シートから開離した
りすることが防止できる。また、ダイシングブレードが
粘着シートにまで到達することはないのでダイシングブ
レードが目詰まりすることがなく、粘着シートにもダイ
シングブレードによる切り込みが形成されることがない
ので粘着シートを引き伸ばしても破れることがない。し
かも、レーザ照射による溶断加工に要する時間は短いの
で、半導体チップの特性が悪化することはなく、熱クラ
ツクの発生を防止することができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、本発明方法による各手順ごとの
半導体ウェハを示す説明図である。また、第３図（ａ）
　（ｂ）はＤＨＤ型ダイオードの断面図である。 １０・・・半導体ウェハ、 １１・・・半導体チップ、 １３・・・ダイシングブレード、 １４・・・切削溝（溝）。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ダイシングブレードによる切削加工で半導体ウェ
   ハに溝を形成し、つぎに前記溝の底部へのレーザ照射に
   より半導体ウェハを溶断することを特徴とする半導体ウ
   ェハの分割方法。