JPH02127004A

JPH02127004A - 半導体チップの製造方法

Info

Publication number: JPH02127004A
Application number: JP63281583A
Authority: JP
Inventors: Hisahiro Okamoto; 九弘岡本
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1988-11-08
Filing date: 1988-11-08
Publication date: 1990-05-15
Anticipated expiration: 2012-08-06
Also published as: JP2638155B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、半導体チンプの製造方法に関する。

詳しくは、粘着性のあるダイシングシートを利用して半
導体ウェハを所定の寸法に裁断する方法に関する。

現在、半導体ウェハを分割してダイスチップを得る方法
としては、粘着剤を表面塗布してなるシート材の粘着面
に半導体ウェハを固定して、このウェハをグイシングツ
−によって分割し、この後ウェハを貼りつけたのとは逆
の面からピンで半導体ウェハを突き上げ、ダイスチップ
を得るという方法が広く行われている。

しかしウェハを分割する際に、微細なＳｔ　（シリコン
）片が生じ、ダイシング溝内に溜まることが多い。この
Ｓｉ　（シリコン）片がダイスチップの突き上げ工程で
、ダイシング溝内から飛び出して、ダイスチップ表面に
乗り、信顛性、あるいは歩留まりを低下させており、こ
のＳｉ　（シリコン）片がダイスチップ表面に乗らない
方法が模索されている。

［従来の技術］従来このような問題を解消しようとしてなされた方法の
うち、有効と思える方法（特開昭６１−１８０４４２号
公報記載の発明）について紹介する。この方法は、前記
したダイシングシートと呼ばれる粘着シート表面に半導
体ウェハを固定後、半導体ウェハ表面にも接着性保護シ
ートを貼りつけておき、この後接着性保護シートととも
に半導体ウェハを分割しようというものである。

この方法によれば、分割で得られる個々のダイスチップ
表面には接着性保護シートが貼られており、直接Ｓｉ　
（シリコン）片が乗ることはない。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしこの方法によれば、分割で得られたダイスチップ
各々に付いた接着性保護シートを一枚づつ剥離しないと
半導体集積回路としては利用できないという欠点がある
。この点による不利益は大きく、極小領域であるダイス
チップ表面を傷つけることなくいかにしてこの接着性保
護シートを剥離するかを解決することが必須の課題とな
る他、いちいち−枚づつ剥がさねばならず生産性の低下
を招くという問題がある。

本発明はこのような従来技術の欠点を解決すべくなされ
たもので、ダイシング工程で生じたＳｔ（シリコン）片
がダイスチップをピックアップする際に、半導体チップ
表面に乗ることのないような方法を採り、半導体集積回
路製造の歩留まりを向上させることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明では、前記した欠点を解決するために、シート材
の表面に、粘着剤を有してなるダイシングシートの該粘
着剤表面に、半導体ウェハの裏面を貼りつけ固定する工
程と、該半導体ウェハ表面から、該シート材まで達する
ダイシング溝を形成し、該ダイシング溝によって該半導
体ウェハを完全に分割して、ダイスチップをつくる工程
と、前記分割により生じた該ダイシング溝内、及び前記
ダイスチップ表面に紫外線硬化性粘着剤を塗布する工程
と、該紫外線硬化性粘着剤表面上から紫外線を照射して
、該紫外線硬化性粘着剤を硬化させる工程と、該紫外線
硬化性粘着剤が硬化後、該紫外線硬化性粘着剤を該ダイ
スチップから剥離するとともに、前記ダイシング溝内の
該紫外線硬化性粘着剤は剥離せず残す工程と、前記シー
ト材表面の前記粘着剤を硬化させ、該ダイスチップへの
接着力を低下させる工程と、該シート材表面の該粘着剤
が硬化した後、該ダイスチップをダイシングシートから
剥離する工程とを手段として有する。

〔作用〕

本発明では、ダイスチップを貼りつけ固定したダイシン
グシートの粘着剤を硬化させ接着力を低下させる前に、
ダイスチップ表面の紫外線硬化性粘着剤を硬化させる構
成をとる。一般に紫外線硬化性粘着剤は、紫外線の照射
を受は硬化して後、ダイスをなすＳｉ　（シリコン）等
、主に金属表面に対しての接着力は著しく低下する。こ
の硬化した紫外線硬化性粘着剤のダイスチップに対する
接着力は、ダイシングシートのダイスチップに対する接
着力よりもずっと低い。よってダイシングシート側の粘
着剤が未硬化であれば、ダイスチップ表面に塗布した紫
外線硬化性粘着剤は充分硬化した後容易に剥離が可能で
ある。

また本発明では、ダイスチップとダイシング溝表面とに
形成した紫外線硬化性粘着剤を硬化させると、ダイスチ
ップへの接着力は低下するもののシート材との接着力は
強い、このために硬化した紫外線硬化性粘着剤を剥ぎ取
ろうとすると、ダイシング溝の底部に溜まった紫外線硬
化性粘着剤は、ちぎれてそのまま残る。この部分の紫外
線硬化性粘着剤に問題となっているＳｉ　（シリコン）
片目体が包み込まれており、半導体チップの突き上げ工
程でもＳｉ　（シリコン）片が飛び出して、半導体チッ
プ表面に乗るという不具合は生じない。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例に関し、工程説明図である第１図
を参照しつつ説明する。

第１図（ａ）参照。

（ａ）はダイシングシート１の粘着面に、半導体ウェハ
２を貼りつけ固定する工程である。

ダイシングシートｌはシート材１１と粘着剤１２とから
なる。シート材１１には透明なポリエチレン樹脂を用い
た。粘着剤１２には、硬化の工程や入手の容易さから、
アクリル系樹脂からなる紫外線硬化性粘着剤を選んだ。

この粘着剤１２は、シート材１１表面に２０ａｍの厚さ
に塗布される。このダイシングシート１の粘着面に、半
導体ウェハ２を貼りつけ固定する。

第１図（ｂ）参照。

（ｂ）は半導体ウェハ２を完全に分割する工程である。

工程（ａ）でダイシングシート１に固定された半導体ウ
ェハ２は、グイシングツ−を用いて約ＩＣ−程度の幅に
完全に切断され、ダイスチップ２１となる。この際切断
で生じたダイシング溝２５中の溝幅は７０μｍであり、
この溝内には３０μｍ程度の大きさのＳＳ　（シリコン
）片２０が残る。

第１図（Ｃ）参照。

（Ｃ）はダイシング溝２５とダイスチップ２１表面に紫
外線硬化性粘着剤３を塗布する工程である。

微小な幅のダイシング溝２５中にも、紫外線硬化性粘着
剤３を満たさねばならないので、紫外線硬化性粘着剤３
には粘性の低いものを用いる。そこで、粘性が充分小さ
くなるように溶剤の割合を高めた紫外線硬化性粘着剤３
を、切断されてできたダイステップ２１とダイシング溝
２５の表面全体に塗布する。この塗布で、ダイシング溝
２５の内部も紫外線硬化性粘着剤３で埋め尽くされ、問
題となっているＳｉ　（シリコン）片もこの紫外線硬化
性粘着剤３で固められてしまう。なお紫外線硬化性粘着
剤３が作る層の厚さは数ＩＩＩＩである。

第１図（ｄ）参照。

（ｄ）は紫外線硬化性粘着剤３を硬化させる工程である
。

紫輿線４を紫外線硬化性粘着剤３表面に全面照射する。

この紫外線照射は、紫外線硬化性粘着剤３が完全に硬化
するまで行なう。この際用いる光源としては、メタルハ
ライド・ランプか水銀ランプが適当である。前記メタル
ハライド・ランプによれば、例えば３６５ｎｍの紫外線
が得られる。照度１００ｍＷ／ｃｍ”で数分間照射すれ
ばよい。

第１図（ｅ）参照。

（ｅ）は硬化した紫外線硬化性粘着剤３をダイスチップ
２１から剥離する工程である。

紫外線硬化性粘着剤３とダイスチップ２１との接着力が
低下し、剥がれやすくなっている。一方、紫外線硬化性
粘着剤３とシート材１１との接着力は依然として良好で
ある。硬化した紫外線硬化性粘着剤３をダイスチップ２
１表面から剥ぎ取ると、ダイシング溝２５中には、硬化
した紫外線硬化性粘着剤３がちぎれて残る。この中にＳ
ｉ　（シリコン）片が取り込まれたままになる。

第１図（ｆ）参照。

（ｆ）はダイスチップ２１下面の粘着剤１２を硬化させ
る工程である。

この後、ダイシングシートｌの背面には、前記工程（ｄ
）同様に、紫外線５を照射して粘着剤１２を硬化させる
。ただし１秒間照射するだけで充分硬化する。硬化によ
り粘着剤１２のダイスチップ２１に対する接着力は低下
し、ダイスチップ２１はダイシングシート１から容易に
剥離できることとなる。

第１図（ｇ）参照。

（ｇ）はダイステップ２１をダイシングシートｌから剥
離する工程である。

ダイシングシート１の非粘着面側がらダイスチップ２１
を狙って突き上げピン６で突き上げるとともに、ダイス
チップ２１表面側から真空チャンク７を近づけてダイス
チップ２Ｉを取り出す。このときダイシング溝２５内に
は、ちぎれた紫外線硬化性粘着剤３がＳｉ　（シリコン
）片を包みこんで残る。このためにダイスチップ２１を
突き上げる際に、−・緒に飛び出すことはない。よって
Ｓｉ　（シリコン）片がダイスチップ表面に乗ることは
ない。

ところで、最近はダイシングシートｌとしてダイスチッ
プ２１を貼る位置に予め穴の開いたものを用いて、この
穴から空気を吹き込んでチップを剥離するような治具も
あるが、このような治具で突き上げピンを置き換えるこ
ともできる。

以上の工程を経て、ダイスチップ２１は表面を汚染され
ることもなく取り出されることとなる。

〔発明の効果〕

以上説明してきたように、本発明によれば従来のように
個々の表面保護シートを剥ぐ面倒もなく、Ｓｉ　（シリ
コン）片によるダイスチップ表面の損傷を防止できる。

よって生産性を悪化させることなく、半導体集積回路製
造の歩留まりを向上させることができるという効果が得
られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例に則した工程説明図（断面図
）である。図中、１・・・ダイシングシート、１１・・・シート材、　１
２・・・粘着剤、２・・・半導体ウェハ、２０・・・Ｓ
ｔ　（シリコン）片。２１・・・ダイスチップ、２５・・・ダイシング溝、３
・・・紫外線硬化性粘着剤、４・・・紫外線、５・・・
紫外線、６・・・突き上げピン、７・・・真空チャック
である。本石ご明／１９ミ方七イ列＋：　ｌ’１１ｔ　ｒ：　１
才ｉ３凭−明しう茅図

Claims

【特許請求の範囲】シート材（１１）の表面に、粘着剤（１２）を有してな
るダイシングシート（１）の該粘着剤（１２）表面に、
半導体ウェハ（２）の裏面を貼りつけ固定する工程と、該半導体ウェハ（２）表面から、該シート材（１１）ま
で達するダイシング溝（２５）を形成し、該ダイシング
溝（２５）によって該半導体ウェハ（２）を完全に分割
して、ダイスチップ（２１）をつくる工程と、前記分割により生じた該ダイシング溝（２５）内、及び
前記ダイスチップ（２１）表面に紫外線硬化性粘着剤（
３）を塗布する工程と、該紫外線硬化性粘着剤（３）表面上から紫外線（４）を
照射して、該紫外線硬化性粘着剤（３）を硬化させる工
程と、該紫外線硬化性粘着剤（３）が硬化後、該紫外線硬化性
粘着剤（３）を該ダイスチップ（２１）から剥離すると
ともに、前記ダイシング溝（２５）内の該紫外線硬化性
粘着剤（３）は剥離せず残す工程と、前記シート材（１１）表面の前記粘着剤（１２）を硬化
させ、該ダイスチップ（２１）への接着力を低下させる
工程と、該シート材（１１）表面の該粘着剤（１２）が硬化した
後、該ダイスチップ（２１）をダイシングシート（１）
から剥離する工程とを有する半導体チップの製造方法。