JPS6337536A - 還元雰囲気中におけるフリツトシ−ル方法 - Google Patents

還元雰囲気中におけるフリツトシ−ル方法

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JPS6337536A
JPS6337536A JP61180076A JP18007686A JPS6337536A JP S6337536 A JPS6337536 A JP S6337536A JP 61180076 A JP61180076 A JP 61180076A JP 18007686 A JP18007686 A JP 18007686A JP S6337536 A JPS6337536 A JP S6337536A
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JP
Japan
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layer
frit
electrode
oxide film
thickness
Prior art date
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Pending
Application number
JP61180076A
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English (en)
Inventor
Tatsuya Nagatsu
永津 辰也
Koichi Suzuki
巧一 鈴木
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AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6337536A publication Critical patent/JPS6337536A/ja
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  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、還元雰囲気中におけるフリットシール方法に
関し、さらに詳しくは、平板形電子表示装置等における
電極板と容器体とを封着する際などに用いられる還元雰
囲気中におけるフリットシール方法に関する。
[従来の技術] ガス放電タイプの平板形電子表示装置は、特開昭58−
24744号公報や特開昭80−11905111号公
報などに開示されているところからも明らかであるよう
に、ガス放電により供給される電子が電極板からなる制
御マトリックスの選出された孔を通してプラズマ無しの
部屋に導かれ、そこで数KVの加速電圧で加速を受けて
発光スクリーンに衝突することにより、そこに選ばれた
マトリックス点の像としての光点が発生し、記号や画像
を表示するようになっている。
このような装置における制御マトリックスとしての電極
板は、絶縁体である基板と、その両面に形成され、各別
に制御されている行導体と列導体とからなる電極として
の導体列とから構成されている。
そして、この電極板1は、第2図に示すように、基板1
2上に、接着仲介材としてのTi層4を有し、その上面
に導体層としてのCu層5が設けられ、かつ、このCu
層5の補強層として機能するXi層6が電解ノー2キ等
の手法を用いて最上層に設けられてなる電極を有して形
成されており、この電極は、フォトエツチング法により
線状あるいは面状に形成されている。
また、この電極板1は、第3図に示すように。
前面板としての容器体10と背面板としての容器体9と
の間に配置され、それぞれの間はフリット8を介するこ
とで封着される。このようにして、平板形電子表示装置
を構成する気密容器は気密封止状態となって形成されて
いる。
[発明の解決しようとする問題点] ところで、電極板を構成する導体列としての電極は、そ
の最上層に旧暦を有しているため、電極板上に塗布され
たフリットは、Ni層と接触することになる。
この場合における旧暦とフリットとは、その性質上、本
来的に濡れ性の悪い接触状態となっている。
しかも、特に、ガス放電タイプの平板形電子表示装置の
場合、気密封止されている容器体内に封入されている電
極部分、あるいは容器体内に位置させた電極リード端に
ついては、その最上層であるNi層の酸化を極力抑制す
る必要があることから、通常、d2などの還元雰囲気中
でフリットシールが行なわれることになる。
このように、旧暦は、フリットとの濡れ性が悪いうえ、
上記のようなガス放電タイプの平板形電子表示装置の場
合には、旧暦が酸化してフリットとの間の接着力が低下
するということもあり、真空度の高い気密容器として所
要の耐圧強度や十分な気密性を保持させるうえからは問
題があった。
本発明の目的は、従来技術にみられた旧暦とフリットと
の接合特性の悪さを改善して、気密容器として要求され
る所定の耐圧強度や気密性を保持させることができる還
元雰囲気中におけるフリットシール方法を提供すること
にある。
[問題を解決するための手段] このような目的を達成するため、本発明は次のようにし
て構成した。
すなわち、本発明は、表面に旧暦を有する金属部材とガ
ラス等の非金属部材とを還元雰囲気中でフリットシール
する還元雰囲気中におけるフリットシール方法にあって
、少なくともフリットシールされる部位に位置する金属
部材表面のNi層は、酸化膜により被覆されていること
に構成上の特徴ある。
[実施例] 以下、図面を参酌して本発明の詳細な説明する。
基板12は、熱膨張係数が80X 10−7〜100 
Xl0−7/℃の間の軟質ガラスで、その板厚が0.1
−1.0履膳のものを用いることで形成する。
この基板12上には、フォトリングラフィ法により、第
1図に示すようなパターンで線状電極2と面状電極3と
を配設することで電極板1が形成される。
線状電極2と面状電極3とは、基板12上に、まず接着
仲介材として厚さが300〜1000人の71層4を形
成し、次いで、導体層として厚さが3000人〜lJL
mのCu層5を形成し、しかる後、導体層であるCu層
を補強するため、最上層に厚さが1〜5μmの1層6を
付加することで形成されている。
この場合、線状電極2は、電極幅0.1〜1.0■のも
のをピッチ0.3〜2.0■■の間隔で基板12上を横
方向に複数本平行に配列することで形成されている。
一方、上記線状電極2の上方と下方とには、補強層とし
てのNi層6を電解メツキ法などで形成しようとする際
に線状電極2のメツキ厚さの均一性を確保するため、ダ
ミー電極としての面状電極3が形成される。
すなわち、一般に電解メツキ法を用いる場合、電流密度
の分布状況により、メツキ面内の端部、例えば複数本の
線状電極2のうち、上側の数本と下側の数本とのメツキ
膜厚が他よりも厚く形成される傾向にある。この場合、
前記面状電極3を予めダミー電極として設けておくこと
により、メツキの厚膜部分をこれに吸収することができ
るため、線状電極2における旧M6を均一な膜厚で形成
することが可能となる。
また、基板12の周側縁7近傍には、周側縁7に沿わせ
るようにして、第3図における容器体9゜10を接合し
、あるいは他の電極板を接合するため、フリット8が塗
着される。
この際、線状電極2との面状電極3とにあって、少なく
ともフリット8が塗着される部分、つまり旧暦6上には
、予め酸化膜11が被着される。
旧暦6上に形成されるこのような酸化膜11は、フリッ
ト8が塗着される部位に限り被着形成するのが好ましい
、その理由は、フリット8が塗着されない部分、特に容
器体9.lO内部の表示領域においては、線状電極2も
しくは面状電極3の表面に酸化膜11が形成されると、
この酸化膜11が絶縁層として機能し、帯電してスパー
クするなど、好ましくない異常放電を惹起する原因とな
るおそれがあることによる。
旧暦6への酸化膜11の被着は、真空蒸着法やスパッタ
リング法により行なわれ、その際における形成条件につ
いては、特に限定するものではないが、真空蒸着法にあ
っては、真空度1O−5Torr、付着速度200λ/
分、基板温度100℃が好ましく、薄膜材料としての酸
化物の加熱方法については電子衝撃法が用いられる。酸
化膜11の膜厚さは、10〜5000人の範囲で行なわ
れるが、200〜2000人程度が特に好ましい。
また、スパッタリング法にあっては、これも特に限定す
るものではないが、圧力3X 1O−3Torr程度の
Arガス中にて薄膜材料としての酸化物をターゲットと
して、100人/分の付着速度にて膜厚200〜300
人程度の酸化膜11を被着させるのが好ましく、その際
のNi層6側の基板温度は100°Cが好ましい。
薄膜材料に好適な酸化物としては、Ybz03、Ti0
?、 Y2O3、Z r02、Al2O3、CeO2、
SiO、MgO等を挙げることができるが、特に、Yb
2O3,Ti01Y203、Z r02、Al2O3が
好ましい、また、これらの酸化物のなかから選択された
ものを少なくとも1つ含む混合酸化物であってもよい。
・実験例 Ni層表面に酸化膜を形成した場合におけるフリットと
の接合力向上の効果を確認するため、下記条件のもとで
酸化膜11を真空蒸着法により第4図のようにして面状
電極の1層6上に被着し、フリット8を塗着、焼成した
後、引張り破壊テストを実施した。
(1)電極板 基板は、膨張係数(α) = atx 10−7/”C
の軟質ガラス(501■X 50g+鳳×2鳳l)を用
い、これの表面に真空蒸着法によりTi 500人、C
u5000人を順次蒸着し、その上に旧を2μ諺の厚さ
で電解メツキすることで電極を形成した。
(2)酸化膜 Yb2O3、TiO、Y2O3,ZrO2、A I20
3 、 CeO2。
Sio 、 MgOの各種酸化物を真空蒸着法により前
記電極における旧暦上の全面に蒸着することで酸化膜を
形成した。
蒸着条件については、真空度5 X 1O−5Torr
、基板温度100℃、付着速度200人/分とし、EB
加熱法を用いた。形成膜厚は200〜250人である。
(3)フリット PbO−8203−ZnO系、膨張係数(a)=79X
10−7/”0 (25〜300℃平均)のフリットを
無バインダーの状態で用いた。物性としては、転移点3
20℃、軟化点400℃、結晶ピーク520℃、結晶化
時間25分である。
(4)焼成プロファイル、雰囲気 昇降温度速度5℃/分、450℃45分保持とし、焼成
雰囲気はN2 (02濃度10〜30ppm)とした。
(5)接着力評価 テンシロン型引張り試験機を用いて垂直引張りテストを
実施した結果を表1に示す。
比較のため、基板としてガラス板(表面未処理品)を用
いた場合のN2中シ一ル品、酸化物未処理品(旧表面品
) 82の中シール品、および大気中(02=20%)
シール品についての結果も示しである。試料数は、各条
件n=5である。
表I Xi表面酸化物処理品の引っ張りテスト結果(零
1)ガラス板上に直接フリットを塗布しN2雰囲気中で
焼成(*2)酸化物未被膜のNi上にフリットを塗布し
大気雰囲気中で焼成(零3)酸化物未被膜のNi上にフ
リットを塗布しN2雰囲気中で焼成上記実験結果による
と、Yb2O3,TiO、Y2O3、ZrO2、A 1
203の酸化膜被覆品は、ガラスルフリットの接着量お
よび大気雰囲気中で焼成したXi表面(酸化物未被WI
)〜フリットの接着量と同等の接着強度を有しているこ
とが判明する(表1のランクA参照)。
また、これらの試料の破壊モードは、いずれも第5図(
A)に示すようにフリット8内部から発生しており、フ
リットバルクの強度よりフリット−旧基板の接着強度の
方が勝っていることが判明する。
したがって、これらの試料の破壊値は、必ずしも接着強
度を示すものではなく、むしろ、フリットバルクの強度
と考えた方がよく、したがって、これらの破壊値以上の
接着力を有しているとするほうがより実態に即している
ということができる。
しかしながら、これらの値を同一雰囲気(N2雰囲気)
で焼成した酸化膜未被覆の旧表面の破壊値(表1のラン
クC参照)と比較すると、この試料の破壊モードが第5
図(C)のように1〜フリ一2ト境界面で発生している
ことからみて、破壊値が接着強度を示していると考える
ことができるので。
上記酸化膜11を介在させることにより、接着力が少な
くとも 1.2〜2.1倍にまで向上したことが判明す
る。
一方、酸化1911としてCeO2を被覆した試料につ
いては、破壊モードが第5図(B)に示すように一部は
フリット8内部から、他はフリット8とNi層6を有す
る基板1との境界面から発生しており、表1におけるラ
ンクAの酸化膜に比較して接着力向上の程度は劣ってい
るものの、この種の酸化1!11が好ましい状況におい
てはその使用が可能である。
SiO、MgOの酸化膜被覆品は、N2雰囲気中焼成の
N1表面品(酸化膜被覆品)と同様に、第5図(C)の
モードで破壊し、接合特性の向上効果はあまり認められ
なかった。これらの試料は、酸化膜がフリット側に付着
した形で剥蕩が起こっており、これらの酸化物と旧との
付着性(反応性)が表1におけるランクA、Hの酸化物
より劣っているためと考えられる。
【発明の効果] 以上述べたように本発明によれば、電極におけるNi層
に酸化膜を被覆することで、電極板に容器体を気密封止
する際に使用するフリットとの接着力の効果向上を図る
ことができ、さらには、還元雰囲気中で行なわれるその
他の場合の1面とフリットとの気密封着操作においても
その接合特性の向上を図るうえから広く応用することが
できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明方法が適用される電極板のパターン例
を示す平面図、第2図は、従来からある電極板の構造を
示す要部拡大断面図、第3図は、電極板を組込んだ放電
パネルの構成を示す概略図、第4図は、接着力評価のた
めの試料の構成を示す断面図、第5図(A)〜(C)は
、第4図の試料に対しての引張りテストにおける破壊モ
ードを示す断面図である。 1・・・電極板、2・・・線状電極、3・・・面状電極
、4・・・Ti層、5・・・Cu層、 6・・・Ni層
、7・・・周側縁、8・・・フリット、9.lO・・・
容器体、11・・・酸化膜、12・・・基板 免1 図 弔2 面 第 3 図 〆 塾 4 介 一=ニジ 面 ′8 (C1

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、表面にNi層を有する金属部材とガラス等の非金属
    部材とを還元雰囲気中でフリットシールする還元雰囲気
    中におけるフリットシール方法において、少なくともフ
    リットシールされる部位に位置する金属部材表面のNi
    層は、酸化膜により被覆されていることを特徴とする還
    元雰囲気中におけるフリットシール方法。
JP61180076A 1986-08-01 1986-08-01 還元雰囲気中におけるフリツトシ−ル方法 Pending JPS6337536A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004513473A (ja) * 2000-07-31 2004-04-30 キャンデセント・インテレクチュアル・プロパティ・サービシーズ・インコーポレイテッド フラットパネルデバイスのシーリング方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004513473A (ja) * 2000-07-31 2004-04-30 キャンデセント・インテレクチュアル・プロパティ・サービシーズ・インコーポレイテッド フラットパネルデバイスのシーリング方法

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