JPS6337541A - プラズマ発生装置 - Google Patents
プラズマ発生装置Info
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- JPS6337541A JPS6337541A JP61179360A JP17936086A JPS6337541A JP S6337541 A JPS6337541 A JP S6337541A JP 61179360 A JP61179360 A JP 61179360A JP 17936086 A JP17936086 A JP 17936086A JP S6337541 A JPS6337541 A JP S6337541A
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- Japan
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- microwave
- generation chamber
- plasma generation
- plasma
- magnetic field
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ＩＦ！要〕
本発明はプラズマ発生装置において、
イオンビームの引出遷が少ない問題点を解決するため、
プラズマ発生室に連続してマイクロ波の電界方向上左右
に略λ／４（λは波長）の長さの分岐部を設けることに
より、 導波管末端部でプラズマ密度最大点を形成してイオンビ
ームの引出量を多くとり得、しかも、プラズマの発生を
容易にしたものである。
に略λ／４（λは波長）の長さの分岐部を設けることに
より、 導波管末端部でプラズマ密度最大点を形成してイオンビ
ームの引出量を多くとり得、しかも、プラズマの発生を
容易にしたものである。
本発明はプラズマ発生装置、特に、イオン注入用プラズ
マ発生Ｗ＆１２に関するもので、電子のサイクロトロン
共鳴を使用したＥ ＣＲ（Ｅ ＩｅｃｔｒｏｎＣｙｃｌ
ｏｔｒｏｎ Ｒｅ５ｏｎａｎｃｅ）イオン源である。
マ発生Ｗ＆１２に関するもので、電子のサイクロトロン
共鳴を使用したＥ ＣＲ（Ｅ ＩｅｃｔｒｏｎＣｙｃｌ
ｏｔｒｏｎ Ｒｅ５ｏｎａｎｃｅ）イオン源である。
この種のプラズマ発生装置は装置全体が小形及び軽量で
あることが望ましく、しかも、イオンビームの引出１が
十分であることが必要とされる。
あることが望ましく、しかも、イオンビームの引出１が
十分であることが必要とされる。
本出願人は先、昭和６１年 ６月２０日付の特許願（発
明の名称「プラズマ発生装置」）において、プラズマ発
生室に磁場を与えるためのコイルを小形及び軽量化し得
る構成のプラズマ発生装置を提案した、このものは、第
４図に示す如く、大略、方形導波管１の端でλ／４ずつ
マイクロ波の電界Ｅ方向に幅を絞り、断面形状が細長い
長方形となる部位を設けて、この部位をプラズマ発生室
２としており、更に、このプラズマ発生室２の上記電界
方向と直交する面の両外側にコイルまたは永久磁石等か
らなる磁場発生器３を配置することにより両側から磁場
を加えるようにしたものである。
明の名称「プラズマ発生装置」）において、プラズマ発
生室に磁場を与えるためのコイルを小形及び軽量化し得
る構成のプラズマ発生装置を提案した、このものは、第
４図に示す如く、大略、方形導波管１の端でλ／４ずつ
マイクロ波の電界Ｅ方向に幅を絞り、断面形状が細長い
長方形となる部位を設けて、この部位をプラズマ発生室
２としており、更に、このプラズマ発生室２の上記電界
方向と直交する面の両外側にコイルまたは永久磁石等か
らなる磁場発生器３を配置することにより両側から磁場
を加えるようにしたものである。
このように、プラズマ発生室２を方形導波管１の電界方
向の幅を絞った形状にしたため、そこに導かれたマイク
ロ波の電界は非常強いものとなり、この断面が細長い長
方形上のプラズマ発生室にガスを導入し、更に、少なく
とも片側から適当な磁場を加えることにより、強いプラ
ズマを発生し得る。又、これにより、磁場発生器３に必
要とされる起磁力も非常に小さくてよく、コイルが装置
全体を取り巻く必要がないので、コイル等の軽量化およ
び小型化、更には装置全体の軽量化および小型化を図る
ことができる。
向の幅を絞った形状にしたため、そこに導かれたマイク
ロ波の電界は非常強いものとなり、この断面が細長い長
方形上のプラズマ発生室にガスを導入し、更に、少なく
とも片側から適当な磁場を加えることにより、強いプラ
ズマを発生し得る。又、これにより、磁場発生器３に必
要とされる起磁力も非常に小さくてよく、コイルが装置
全体を取り巻く必要がないので、コイル等の軽量化およ
び小型化、更には装置全体の軽量化および小型化を図る
ことができる。
このものは、実際には導波管末端部が開放端（インピー
ダンスは無限大）であるにも拘ずあたかも短絡端（イン
ピーダンスは零）であるかのように第４図及び第５図に
示ずように末端部１ａがらλ／４戻った位置１ｂでマイ
クロ波定在波の電圧振幅値が最大（腹）になり、この位
置１ｂがプラズマ密度最大点（０印）になる事を見出し
た。
ダンスは無限大）であるにも拘ずあたかも短絡端（イン
ピーダンスは零）であるかのように第４図及び第５図に
示ずように末端部１ａがらλ／４戻った位置１ｂでマイ
クロ波定在波の電圧振幅値が最大（腹）になり、この位
置１ｂがプラズマ密度最大点（０印）になる事を見出し
た。
このように、本出願人が先に提案したものは、導波管末
端部１ａからλ／４奥まった位置１ｂがプラズマ密度最
大点になるので、イオンビーム引出ωが少なく、強いイ
オンビームを得ることができない問題点がある。
端部１ａからλ／４奥まった位置１ｂがプラズマ密度最
大点になるので、イオンビーム引出ωが少なく、強いイ
オンビームを得ることができない問題点がある。
本発明になるプラズマ発生装置は、第１図において、方
形導波の幅をマイクロ波の電界方向に絞り、マイクロ波
の進行方向に直交する面に沿った断面形状が細長い長方
形となる部位を設け、この部位をプラズマ発生室７Ｃと
し、 このプラズマ発生室７Ｃのマイクロ波進行方向上の端部
にＮ続してマイクロ波の電界方向上左右に略λ／４の長
さの分岐部７ｄを設けてこの分岐部７ｄの電界方向上の
端部を短絡端としてなる。
形導波の幅をマイクロ波の電界方向に絞り、マイクロ波
の進行方向に直交する面に沿った断面形状が細長い長方
形となる部位を設け、この部位をプラズマ発生室７Ｃと
し、 このプラズマ発生室７Ｃのマイクロ波進行方向上の端部
にＮ続してマイクロ波の電界方向上左右に略λ／４の長
さの分岐部７ｄを設けてこの分岐部７ｄの電界方向上の
端部を短絡端としてなる。
第２図において、本発明装置は、導波管７の末端に長さ
λ／４の分岐部７ｄを設けたため、マイクロ波定在波の
電圧振幅値が短絡端７ｄで最小（節）、プラズマ発生ｖ
７Ｃの末端部７Ｃ’近傍で最大（腹）となり、末端部７
ｃ’近傍でプラズマ密度最大点（０印）になる。
λ／４の分岐部７ｄを設けたため、マイクロ波定在波の
電圧振幅値が短絡端７ｄで最小（節）、プラズマ発生ｖ
７Ｃの末端部７Ｃ’近傍で最大（腹）となり、末端部７
ｃ’近傍でプラズマ密度最大点（０印）になる。
第１図（Ａ）は本発明装置の一実施例の分解斜視図、同
図（Ｂ）はそのＢ−ＢＩ！Ｊに沿った断面図、第２図は
その要部の横断面図を示す。各図において、方形導波管
４は、Ｓ！Ｏｚまたはアルミナ等でできた真空封止用の
誘電体窓５及びゴム製のＯ−リング６を介して導波管７
に接続されている。
図（Ｂ）はそのＢ−ＢＩ！Ｊに沿った断面図、第２図は
その要部の横断面図を示す。各図において、方形導波管
４は、Ｓ！Ｏｚまたはアルミナ等でできた真空封止用の
誘電体窓５及びゴム製のＯ−リング６を介して導波管７
に接続されている。
導波管７は導波管部７ａ、７ｂ、プラズマ発生室７Ｃ１
末端分岐部７ｄにて構成されている。ここで、導波管７
は、そのマイクロ波の電界り向（矢印Ｅ）の長さが７２
部では方形導波管４と同じであるが、導波管部７ａから
プラズマ発生室７Ｃまで伸長するに従い、段階状にその
長さが絞られており、プラズマ発生室７Ｃのマイクロ波
の進行方向に直交する面に沿った断面形状は細長い長方
形になっている。例えば、方形導波管４，７は２：１の
縦横比をもち、導波管部７ａ、７ｂ、プラズマ発生室７
Ｃの横幅は、例えば、順次５５ａｓ＋。
末端分岐部７ｄにて構成されている。ここで、導波管７
は、そのマイクロ波の電界り向（矢印Ｅ）の長さが７２
部では方形導波管４と同じであるが、導波管部７ａから
プラズマ発生室７Ｃまで伸長するに従い、段階状にその
長さが絞られており、プラズマ発生室７Ｃのマイクロ波
の進行方向に直交する面に沿った断面形状は細長い長方
形になっている。例えば、方形導波管４，７は２：１の
縦横比をもち、導波管部７ａ、７ｂ、プラズマ発生室７
Ｃの横幅は、例えば、順次５５ａｓ＋。
２３ａｓ＋、１０部ｍ＋と絞られている。また、マイク
ロ波の進行方向の長さは、導波管部７ａ、７ｂのλ／４
、プラズマ発生室７Ｃがλ／２としである。
ロ波の進行方向の長さは、導波管部７ａ、７ｂのλ／４
、プラズマ発生室７Ｃがλ／２としである。
更に、末端分岐部７ｄはプラズマ発生室７Ｃの末端部７
ｃ’に連続してマイクロ波の電界方向（矢印Ｅ）上左右
に分岐して設けられており、該電界方向上の長さは略λ
／４とされていてその端部は短絡端７ｄ’ とされてお
り、プラズマ発生室７Ｃの末端部７ｃ’ は例えば開放
とされている。
ｃ’に連続してマイクロ波の電界方向（矢印Ｅ）上左右
に分岐して設けられており、該電界方向上の長さは略λ
／４とされていてその端部は短絡端７ｄ’ とされてお
り、プラズマ発生室７Ｃの末端部７ｃ’ は例えば開放
とされている。
末端分岐部７ｄは本発明装置の要部をなす。
又更に、プラズマ発生室の両側には、コイル８ａ及び鉄
心８ｂとからなる電磁石８と、コイル９ａ及び鉄心９ｂ
からなる電磁石９とが互いに対称に配設されている。鉄
心８ｂ、９ｂは夫々コイル８ａ、９ａ内を通過し、それ
らの一端はプラズマ発生室７Ｃと近接するまで折曲げら
れる一方、それらの他端（８ｂ’ 、 ９ｂ’ ）は末
端分岐部７ｄの開放端部に挿入されてプラズマ発生室７
Ｃの末端部７ｃ’ と近接する迄折曲げられ、これらに
より、磁気抵抗を非常に小さくしている。このような位
置構成により、プラズマ発生室７Ｃ内部に、マイクロ波
の進行方向と向きを同じくし、かつＥＣＲ強度（約８７
５ガウス）を持つ磁場（第２図に破線で示す）を有効に
印加することができる。
心８ｂとからなる電磁石８と、コイル９ａ及び鉄心９ｂ
からなる電磁石９とが互いに対称に配設されている。鉄
心８ｂ、９ｂは夫々コイル８ａ、９ａ内を通過し、それ
らの一端はプラズマ発生室７Ｃと近接するまで折曲げら
れる一方、それらの他端（８ｂ’ 、 ９ｂ’ ）は末
端分岐部７ｄの開放端部に挿入されてプラズマ発生室７
Ｃの末端部７ｃ’ と近接する迄折曲げられ、これらに
より、磁気抵抗を非常に小さくしている。このような位
置構成により、プラズマ発生室７Ｃ内部に、マイクロ波
の進行方向と向きを同じくし、かつＥＣＲ強度（約８７
５ガウス）を持つ磁場（第２図に破線で示す）を有効に
印加することができる。
上記構成において、マグネトロン等のマイクロ波発生ａ
（図示せず）で発生したマイクロ波（２，４５Ｇｌ−（
Ｚ ’）は、方形導波管４によってＴ Ｅ １０モード
で伝播され、誘電体窓５を通過して導波管７に導かれる
。ここで、誘電体窓５は、方形導波管４とプラズマ発生
室７Ｃとを隔てることにより、方形導波管４からプラズ
マ発生室７Ｃ内に不用な気体が入りこむのを防止してい
る。導波管７に導かれたマイクロ波は、導波管部７ａ。
（図示せず）で発生したマイクロ波（２，４５Ｇｌ−（
Ｚ ’）は、方形導波管４によってＴ Ｅ １０モード
で伝播され、誘電体窓５を通過して導波管７に導かれる
。ここで、誘電体窓５は、方形導波管４とプラズマ発生
室７Ｃとを隔てることにより、方形導波管４からプラズ
マ発生室７Ｃ内に不用な気体が入りこむのを防止してい
る。導波管７に導かれたマイクロ波は、導波管部７ａ。
７ｂを介してプラズマ発生室７ｃ、末端分岐部７ｄに到
達するが、この際にマイクロ波の・一部は導波管部７ｂ
およびプラズマ発生室７Ｃの各入口で反射する。しかし
、導波管部７ｂの長さをλ／４としているため、これら
の反射波は互いに１８０度の位相差で重なり合う。即ち
、これらの反射波は互いに打消し合うことになり、それ
だけマイクロ波の透過率を高めるでいる。また、プラズ
マ発生室７Ｃは、もマイクロ波の電界方向（矢印Ｅ）の
幅を絞っであるため、そこに導かれたマイクロ波の電界
は非常に強くなる。
達するが、この際にマイクロ波の・一部は導波管部７ｂ
およびプラズマ発生室７Ｃの各入口で反射する。しかし
、導波管部７ｂの長さをλ／４としているため、これら
の反射波は互いに１８０度の位相差で重なり合う。即ち
、これらの反射波は互いに打消し合うことになり、それ
だけマイクロ波の透過率を高めるでいる。また、プラズ
マ発生室７Ｃは、もマイクロ波の電界方向（矢印Ｅ）の
幅を絞っであるため、そこに導かれたマイクロ波の電界
は非常に強くなる。
ところで、プラズマ発生室７Ｃの末端部７ｃ’から末端
分岐部７ｄへと伝搬したマイクロ波は７ｄの短絡端７ｄ
’で反射される。この場合、末端分岐部７ｄのマイクロ
波の電界方向上の長さはλ／４とされているため、第５
図において説明したのと同様に、マイクロ波定在波の電
圧振幅値は上記短絡端７ｄ’で最小（節）となり、短絡
端７ｄ’からλ／４戻ったプラズマ発生室７Ｃの末端部
７ｃ’近傍で最大（腹）となる。
分岐部７ｄへと伝搬したマイクロ波は７ｄの短絡端７ｄ
’で反射される。この場合、末端分岐部７ｄのマイクロ
波の電界方向上の長さはλ／４とされているため、第５
図において説明したのと同様に、マイクロ波定在波の電
圧振幅値は上記短絡端７ｄ’で最小（節）となり、短絡
端７ｄ’からλ／４戻ったプラズマ発生室７Ｃの末端部
７ｃ’近傍で最大（腹）となる。
このような状態で、プラズマ発生室７Ｃ内にガス管（図
示せず）を介してガスを導入すると、放電が発生する。
示せず）を介してガスを導入すると、放電が発生する。
ここで、電磁石８．９によってプラズマ発生室７Ｃ内に
上述した磁場を印加すると、上記電界とこの磁場の相互
作用によりＥＣＲ放電がおこり、強いプラズマが発生す
る。このプラズマ中のイオンは、イオンビーム引出し電
極系（図示せず）に適当な電圧を印加することにより、
イオンビームとして外部に取出すことができる。この場
合、前述のようにマイクロ波定在波の電圧振幅値は上記
末端部７ｃ’近傍で最大となるので、この位置がプラズ
マ密度最大点（Ｏ印）になる。
上述した磁場を印加すると、上記電界とこの磁場の相互
作用によりＥＣＲ放電がおこり、強いプラズマが発生す
る。このプラズマ中のイオンは、イオンビーム引出し電
極系（図示せず）に適当な電圧を印加することにより、
イオンビームとして外部に取出すことができる。この場
合、前述のようにマイクロ波定在波の電圧振幅値は上記
末端部７ｃ’近傍で最大となるので、この位置がプラズ
マ密度最大点（Ｏ印）になる。
従って、プラズマ密度最大点が導波管末端部からλ／４
戻った位置に形成される第４図示のものに比してイオン
ビーム引出通を多くとり得る。
戻った位置に形成される第４図示のものに比してイオン
ビーム引出通を多くとり得る。
又、第２図に示す如く、鉄心８ｂ、９ｂの他端８ｂ’
、９ｂ’ は折曲げられてそれらの一端と対向するよう
に構成されているので強い磁場（破線で六す）を形成し
易く、この磁界の強さが大きい位置と前記マイクロ波定
在波の電圧振幅値が最大となる位置とが一致しているの
でプラズマの発生が容易である。
、９ｂ’ は折曲げられてそれらの一端と対向するよう
に構成されているので強い磁場（破線で六す）を形成し
易く、この磁界の強さが大きい位置と前記マイクロ波定
在波の電圧振幅値が最大となる位置とが一致しているの
でプラズマの発生が容易である。
第３図は本発明装置の他の実施例の要部の横断面図を示
し、同図中、第１図及び第２図と同一構成部分には同一
番号を付してその説明を省略する。
し、同図中、第１図及び第２図と同一構成部分には同一
番号を付してその説明を省略する。
同図中、１０は短絡板で、末端分岐部７ｄと鉄心８ｂ、
９ｂとの間に設けられており、取付けられている操作杆
等によって分岐部７ｄの内部長を変更し得る構成とされ
ている。これにより、該分岐７ｄ内部の長さλ／４を微
調整し得、プラズマ密度最大点を最適位置に設定し得る
。
９ｂとの間に設けられており、取付けられている操作杆
等によって分岐部７ｄの内部長を変更し得る構成とされ
ている。これにより、該分岐７ｄ内部の長さλ／４を微
調整し得、プラズマ密度最大点を最適位置に設定し得る
。
尚、本実施例では、誘電体窓５を上記磁場から外れた位
置に設けたため、誘電体窓５がプラズマにさらされて汚
れてしまうことがない。
置に設けたため、誘電体窓５がプラズマにさらされて汚
れてしまうことがない。
又、磁場発生器としてはプラズマ発生室７Ｃの必ずしも
両側に設ける必要はなく、いずれか・一方の側のみ設け
るようにしてもよい。
両側に設ける必要はなく、いずれか・一方の側のみ設け
るようにしてもよい。
〔発明の効果〕
本発明によれば、マイクロ波導波管の端で電界方向の幅
を絞ることによりプラズマ発生室とし、このプラズマ発
生室の両側に磁場発生器を設けたので、磁場をプラズマ
発生室にのみ有効に与えることができ、従って、磁場発
生器に必要とされるΦ 起磁力も非常小さくてよく、コイルが装置全体を取り巻
く必要がないので、コイル等の軽量化および小型化、更
には装置全体の軽量化および小型化を図ることができ、
又、磁場をプラズマ発生室に集中的に印加できるので、
誘電体窓をこの磁場外に設けることも容易であり、この
ようにすれば、誘電体窓がプラズマにさらされて汚れて
しまうのを防止でき、その長寿命化を図ることができ、
又更に、プラズマ発生室のマイクＤ波進行方向上の端部
に連続してマイクロ波の電界方向上左右に略λ／４の長
さの分岐部を設けてこの分岐部の端部を短絡端としたた
め、マイクロ波定在波の電圧振幅値が短絡端で最小、プ
ラズマ発生室の端部近傍で最大となってこの端部近傍で
プラズマ密度最大点となり、従って、イオンビームの引
出ｍを多くとり１？、しかも、磁場発生器の鉄心の一部
をプラズマ発生室の端部近傍まで延在させたため、強い
磁場の位置とマイクロ波定在波の電圧振幅値最大の位置
とが一致し、これにより、プラズマの発生が容易である
等の特長を有する。
を絞ることによりプラズマ発生室とし、このプラズマ発
生室の両側に磁場発生器を設けたので、磁場をプラズマ
発生室にのみ有効に与えることができ、従って、磁場発
生器に必要とされるΦ 起磁力も非常小さくてよく、コイルが装置全体を取り巻
く必要がないので、コイル等の軽量化および小型化、更
には装置全体の軽量化および小型化を図ることができ、
又、磁場をプラズマ発生室に集中的に印加できるので、
誘電体窓をこの磁場外に設けることも容易であり、この
ようにすれば、誘電体窓がプラズマにさらされて汚れて
しまうのを防止でき、その長寿命化を図ることができ、
又更に、プラズマ発生室のマイクＤ波進行方向上の端部
に連続してマイクロ波の電界方向上左右に略λ／４の長
さの分岐部を設けてこの分岐部の端部を短絡端としたた
め、マイクロ波定在波の電圧振幅値が短絡端で最小、プ
ラズマ発生室の端部近傍で最大となってこの端部近傍で
プラズマ密度最大点となり、従って、イオンビームの引
出ｍを多くとり１？、しかも、磁場発生器の鉄心の一部
をプラズマ発生室の端部近傍まで延在させたため、強い
磁場の位置とマイクロ波定在波の電圧振幅値最大の位置
とが一致し、これにより、プラズマの発生が容易である
等の特長を有する。
第１図は本発明の一実施例を示す分解斜視図及び断面図
、 第２図は上記実施例の要部の横断面図、第３図は本発明
の伯の実施例の要部を示す横断面図、 第４図は本出願人が先に提案したプラズマ発生装置の横
断面図、 第５図はマイクロ波定在波の゛市圧撮幅を示す図である
。 第１図、第２図、第３図において、 ４は方形Ｉ！！波管、 ７は導波管、 ７ａ、７ｂは導波管部、 ７Ｃはプラズマ発生室、 ７ｃ’ はプラズマ発生室末端部、 ７ｄは末端分岐部、 ７ｄ’ は末端分岐部短絡端、 ８．９は電磁石、 Ｂａ、ｇａはコイル、 Ｂｂ、ｇｂは鉄心、 ８ｂ’ 、９ｂ’ は鉄心他端、 １０は短絡板である。 （８） 第を図 第２図 第３図
、 第２図は上記実施例の要部の横断面図、第３図は本発明
の伯の実施例の要部を示す横断面図、 第４図は本出願人が先に提案したプラズマ発生装置の横
断面図、 第５図はマイクロ波定在波の゛市圧撮幅を示す図である
。 第１図、第２図、第３図において、 ４は方形Ｉ！！波管、 ７は導波管、 ７ａ、７ｂは導波管部、 ７Ｃはプラズマ発生室、 ７ｃ’ はプラズマ発生室末端部、 ７ｄは末端分岐部、 ７ｄ’ は末端分岐部短絡端、 ８．９は電磁石、 Ｂａ、ｇａはコイル、 Ｂｂ、ｇｂは鉄心、 ８ｂ’ 、９ｂ’ は鉄心他端、 １０は短絡板である。 （８） 第を図 第２図 第３図
Claims (3)
- （１）マイクロ波を伝播するための方形導波管と、該方
形導波管の端部に設けられ、該方形導波管によって伝播
されたマイクロ波のエネルギーをガス体に吸収させてプ
ラズマを発生させるプラズマ発生室と、 該プラズマ発生室に前記マイクロ波の進行方向と軸が同
じでＥＣＲ強度を持つ磁場を加える磁場発生器と、 前記方形導波管と前記プラズマ発生室との間に設けられ
、該プラズマ発生室を真空封止するための誘電体窓とを
具備するプラズマ発生装置において、 前記方形導波管の幅をマイクロ波の電界方向に絞り、前
記マイクロ波の進行方向に直交する面に沿つた断面形状
が細長い長方形となる部位を設け、該部位を前記プラズ
マ発生室とし、 該プラズマ発生室の前記マイクロ波進行方向上の端部に
連続して前記マイクロ波の電界方向上左右に略λ／４（
λは波長）の長さの分岐部を設けて該分岐部の端部を短
絡端とし、 前記磁場発生器を前記プラズマ発生室の前記電界方向と
直交する面の少なくとも一方の外側に配設したこととを
特徴とするプラズマ発生装置。 - （２）前記プラズマ発生室におけるマイクロ波進行方向
上の該分岐部の端部を開放部とし、該磁場発生器の鉄心
の一部は該分岐部の開放部を大略覆って該プラズマ発生
室の前記マイクロ波進行方向上の端部近傍まで延在して
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラ
ズマ発生装置。 - （３）該分岐部は、その内部にそれ自身の内部長を可変
調整する手段を設けてなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のプラズマ発生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61179360A JPS6337541A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | プラズマ発生装置 |
| US07/063,972 US4788473A (en) | 1986-06-20 | 1987-06-19 | Plasma generating device with stepped waveguide transition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61179360A JPS6337541A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | プラズマ発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6337541A true JPS6337541A (ja) | 1988-02-18 |
Family
ID=16064488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61179360A Pending JPS6337541A (ja) | 1986-06-20 | 1986-07-30 | プラズマ発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6337541A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02144837A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-04 | Erionikusu:Kk | スロットアンテナ |
| JPH10269958A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Nissin Electric Co Ltd | Ｅｃｒイオン源 |
-
1986
- 1986-07-30 JP JP61179360A patent/JPS6337541A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02144837A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-04 | Erionikusu:Kk | スロットアンテナ |
| JPH10269958A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Nissin Electric Co Ltd | Ｅｃｒイオン源 |
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