JPS6337575B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6337575B2 JPS6337575B2 JP58204914A JP20491483A JPS6337575B2 JP S6337575 B2 JPS6337575 B2 JP S6337575B2 JP 58204914 A JP58204914 A JP 58204914A JP 20491483 A JP20491483 A JP 20491483A JP S6337575 B2 JPS6337575 B2 JP S6337575B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- self
- extinguishing semiconductor
- gate
- circuit
- power conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
- H02M1/088—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、複数の自己消弧形半導体素子を直列
接続した回路で構成したインバータ、コンバータ
或はチヨツパ等の電力変換装置に係り、特に直列
接続の素子が所定数以下破損しても運転を継続出
来る電力変換装置に関する。
接続した回路で構成したインバータ、コンバータ
或はチヨツパ等の電力変換装置に係り、特に直列
接続の素子が所定数以下破損しても運転を継続出
来る電力変換装置に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
ゲート・ターンオフサイリスタ（以下GTOと
記す）や静電誘導形サイリスタ（SIT）、又、パ
ワートランジスタ電界効果トランジスタ（FET）
などは、その導通・非導通をそれぞれの素子の制
御極（ゲートあるいはベースと呼ばれる）への信
号により制御できることから自己消弧形半導体素
子と呼ばれている。これらの半導体素子は、近年
大容量化への開発が進み、大容量の電力変換装
置、たとえば、インバータ装置、チヨツパ装置、
整流装置などに応用されてきている。
記す）や静電誘導形サイリスタ（SIT）、又、パ
ワートランジスタ電界効果トランジスタ（FET）
などは、その導通・非導通をそれぞれの素子の制
御極（ゲートあるいはベースと呼ばれる）への信
号により制御できることから自己消弧形半導体素
子と呼ばれている。これらの半導体素子は、近年
大容量化への開発が進み、大容量の電力変換装
置、たとえば、インバータ装置、チヨツパ装置、
整流装置などに応用されてきている。
ところで、通常半導体素子をその１個の素子の
耐電圧特性を超える高電圧回路で使用する場合、
複数個の半導体素子を直列に接続して、各素子で
分担する電圧を１個の素子の耐電圧特性を満すよ
うにする。前述のインバータ装置やチヨツパ装置
などを、複数の自己消弧形半導体素子を直列接続
して構成する場合、装置の信頼性向上を目的とし
て、直列接続数に少なくとも１個の素子を冗長性
を持たせて使用する方法がある。すなわち、たと
えばｎ個の素子を直列接続して構成した素子の１
個が故障しても（ｎ−１）個の直列構成にて装置
を運転継続することができるようにしておく方法
である。
耐電圧特性を超える高電圧回路で使用する場合、
複数個の半導体素子を直列に接続して、各素子で
分担する電圧を１個の素子の耐電圧特性を満すよ
うにする。前述のインバータ装置やチヨツパ装置
などを、複数の自己消弧形半導体素子を直列接続
して構成する場合、装置の信頼性向上を目的とし
て、直列接続数に少なくとも１個の素子を冗長性
を持たせて使用する方法がある。すなわち、たと
えばｎ個の素子を直列接続して構成した素子の１
個が故障しても（ｎ−１）個の直列構成にて装置
を運転継続することができるようにしておく方法
である。
自己消弧形半導体素子の中で、特にGTOや
SITは、その制御極（一般に、ゲートと呼ばれ
る）にオンゲート電圧、オフゲート電圧を加える
ことにより、陽極電流（アノード電流と呼ぶ）
を、オン・オフ制御できることは、周知の通りで
ある。たとえば、GTOに適したオフゲート回路
の例を第１図に示す。この図の動作については、
特開昭56−136023に述べられているので詳細は省
略する。第１図の回路は、GTOが正常に動作し
ている場合には、カソード・ゲート間にあるイン
ピーダンスが生じて、すなわち、ツエナー特性を
持つて運転されるので、そのオブゲート電流は、
アノード電流が減少後は、ツエナー特性で決まる
電流となる。しかしながら、第１図のＧ―Ｋ間が
短絡又は開放されたままで長時間運転すると、そ
の回路内の部品、たとえばトランジスタＱ、ダイ
オードD1、コンデンサＣなどの電流定格を増加
させなければならない。
SITは、その制御極（一般に、ゲートと呼ばれ
る）にオンゲート電圧、オフゲート電圧を加える
ことにより、陽極電流（アノード電流と呼ぶ）
を、オン・オフ制御できることは、周知の通りで
ある。たとえば、GTOに適したオフゲート回路
の例を第１図に示す。この図の動作については、
特開昭56−136023に述べられているので詳細は省
略する。第１図の回路は、GTOが正常に動作し
ている場合には、カソード・ゲート間にあるイン
ピーダンスが生じて、すなわち、ツエナー特性を
持つて運転されるので、そのオブゲート電流は、
アノード電流が減少後は、ツエナー特性で決まる
電流となる。しかしながら、第１図のＧ―Ｋ間が
短絡又は開放されたままで長時間運転すると、そ
の回路内の部品、たとえばトランジスタＱ、ダイ
オードD1、コンデンサＣなどの電流定格を増加
させなければならない。
ところで、GTOはその内部構造が多数並列の
エミツタ構造という特殊性から、何らかの原因で
素子が破損した場合にはそのアノード・カノード
間及びゲート・カノード間は、完全短絡状態にな
ることが極めて多い。従つて複数のGTOを直列
接続して、しかもその直列数に冗長性を持たせ
て、装置の運転を継続する必要がある場合には、
故障したGTOにゲート電流を供給し続けるのは
経済的でない。
エミツタ構造という特殊性から、何らかの原因で
素子が破損した場合にはそのアノード・カノード
間及びゲート・カノード間は、完全短絡状態にな
ることが極めて多い。従つて複数のGTOを直列
接続して、しかもその直列数に冗長性を持たせ
て、装置の運転を継続する必要がある場合には、
故障したGTOにゲート電流を供給し続けるのは
経済的でない。
［発明の目的］
したがつて、本発明は前述の点に鑑みなされた
ものであり、その目的は複数の自己消弧形半導体
素子を直列にして、しかもその直列数に冗長性を
持たせた素子構成とした装置において、故障した
自己消弧形半導体素子を駆動することを考えてゲ
ート回路の部品を必要以上に大形化させる必要の
ない電力変換装置を提供するものである。
ものであり、その目的は複数の自己消弧形半導体
素子を直列にして、しかもその直列数に冗長性を
持たせた素子構成とした装置において、故障した
自己消弧形半導体素子を駆動することを考えてゲ
ート回路の部品を必要以上に大形化させる必要の
ない電力変換装置を提供するものである。
［発明の概要］
本目的を達成するために本発明は、自己消弧形
半導体素子の故障を検出し、その検出信号により
前記素子の制御極への制御信号の供給を停止する
ようにしたものである。
半導体素子の故障を検出し、その検出信号により
前記素子の制御極への制御信号の供給を停止する
ようにしたものである。
［発明の実施例］
以下、本発明の実施例について説明する。第２
図は、本発明を適用出来る回路例を示したもので
複数の自己消弧形半導体素子（ここでは、GTO
１〜GTO４）を直列に接続して構成され、その
駆動回路１０〜１３が各々の素子に設けられてい
る。図中、Ａ〜Ｄは駆動回路１０〜１３のそれぞ
れの制御信号である。第３図は、本発明を適用で
きる第２図の回路を４組用いてブリツジ構成した
電力変換装置の例を示したものであり、１つのア
ームは４個直列接続したGTOから成り、４個の
うち少くとも１個が故障しても装置の運転継続が
できるよう冗長性を持たせてある。
図は、本発明を適用出来る回路例を示したもので
複数の自己消弧形半導体素子（ここでは、GTO
１〜GTO４）を直列に接続して構成され、その
駆動回路１０〜１３が各々の素子に設けられてい
る。図中、Ａ〜Ｄは駆動回路１０〜１３のそれぞ
れの制御信号である。第３図は、本発明を適用で
きる第２図の回路を４組用いてブリツジ構成した
電力変換装置の例を示したものであり、１つのア
ームは４個直列接続したGTOから成り、４個の
うち少くとも１個が故障しても装置の運転継続が
できるよう冗長性を持たせてある。
第４図は、本発明の第１の実施例を示したもの
で第２図と同符号のものは同一要素を示す。直列
接続され自己消弧形半導体素子（GTO１〜４）
の陽極―陰極間の電圧を検出する検出器２０〜２
３を備え、これら検出器２０〜２３の出力信号Ｅ
〜Ｈを前記素子の駆動回路１０〜１３に伝えてそ
の動作を停止させるようにしたものである。第５
図は第４図の動作機能例を示したもので、NOT
回路、フリツプフロツプ回路、遅延回路、AND
回路で構成される。GTOの陽極―陰極間電圧は、
たとえばフオトカプラなどの光結合素子を使用す
ることにより容易に検出できる。第５図におい
て、GTOが故障して陽極・陰極間電圧が零の場
合には検出器２０の出力信号は「１」状態にな
る。第６図は、第５図の動作を説明するためのタ
イムチヤートを示したもので、GTOの陽極・陰
極間に電圧VAKが加わつている場合には、フリツ
プフロツプFFは信号ａによりセツトされるので
フリツプフロツプFFの出力Ｑは「１」状態にな
りゲート信号Ａは通過する。時刻ｔ＝t1にて図の
破線の信号が検出されなかつた場合には、フリツ
プフロツプFFは、リセツトされて出力Ｑは「０」
となり、信号Ａはブロツクされるので第１図のト
ランジスタＱへのベース信号が停止されGTOへ
のゲート電流の供給が停止される。
で第２図と同符号のものは同一要素を示す。直列
接続され自己消弧形半導体素子（GTO１〜４）
の陽極―陰極間の電圧を検出する検出器２０〜２
３を備え、これら検出器２０〜２３の出力信号Ｅ
〜Ｈを前記素子の駆動回路１０〜１３に伝えてそ
の動作を停止させるようにしたものである。第５
図は第４図の動作機能例を示したもので、NOT
回路、フリツプフロツプ回路、遅延回路、AND
回路で構成される。GTOの陽極―陰極間電圧は、
たとえばフオトカプラなどの光結合素子を使用す
ることにより容易に検出できる。第５図におい
て、GTOが故障して陽極・陰極間電圧が零の場
合には検出器２０の出力信号は「１」状態にな
る。第６図は、第５図の動作を説明するためのタ
イムチヤートを示したもので、GTOの陽極・陰
極間に電圧VAKが加わつている場合には、フリツ
プフロツプFFは信号ａによりセツトされるので
フリツプフロツプFFの出力Ｑは「１」状態にな
りゲート信号Ａは通過する。時刻ｔ＝t1にて図の
破線の信号が検出されなかつた場合には、フリツ
プフロツプFFは、リセツトされて出力Ｑは「０」
となり、信号Ａはブロツクされるので第１図のト
ランジスタＱへのベース信号が停止されGTOへ
のゲート電流の供給が停止される。
第７図は、本発明の第２の実施例を示したブロ
ツク図で、第４図と同一部には同一記号を付して
示している。第７図では、GTOの故障をゲー
ト・カノード間の逆電圧を利用して第５図の検出
器２０と同様な検出器２０〜２３を用いて容易に
検出できる。第８図はGTOのターンオフ時の波
形を示したもので、IAは、GTOの陽極電流、VAK
は陽極・陰極間電圧、IGQはオフゲート電流、VGQ
はオフゲート電圧である。破線はIAが小さい場合
である。GTOは正常に動作していれば、ターン
オフ後はカソード・ゲート間にツエナー特性電圧
（たとえば―20V〜―30V）VGQMが表われるので、
その電圧の有無を検出すればGTOが故障してい
るか否かがわかる。
ツク図で、第４図と同一部には同一記号を付して
示している。第７図では、GTOの故障をゲー
ト・カノード間の逆電圧を利用して第５図の検出
器２０と同様な検出器２０〜２３を用いて容易に
検出できる。第８図はGTOのターンオフ時の波
形を示したもので、IAは、GTOの陽極電流、VAK
は陽極・陰極間電圧、IGQはオフゲート電流、VGQ
はオフゲート電圧である。破線はIAが小さい場合
である。GTOは正常に動作していれば、ターン
オフ後はカソード・ゲート間にツエナー特性電圧
（たとえば―20V〜―30V）VGQMが表われるので、
その電圧の有無を検出すればGTOが故障してい
るか否かがわかる。
第９図は、第７図の駆動回路１０〜１３の具体
的一例を示したもので、第１０図はその動作を説
明するためのタイムチヤートである。ゲート信号
Ａを印加後、Δt時間遅れてVGQMが検出されると、
検出器２０の出力には第１０図の信号ｅが得られ
る。フリツプフロツプFFは、単安定マルチMM1
により整形された信号ｆにより通常はセツトされ
つづけるが、GTOが破損故障した場合には時刻
t1において破線の信号が得られないため、単安定
マルチMM2の出力信号ｇによりフリツプフロツ
プFFはリセツトされる。したがつて、時刻t1以
降新たなゲート信号Ａはブロツクされる。
的一例を示したもので、第１０図はその動作を説
明するためのタイムチヤートである。ゲート信号
Ａを印加後、Δt時間遅れてVGQMが検出されると、
検出器２０の出力には第１０図の信号ｅが得られ
る。フリツプフロツプFFは、単安定マルチMM1
により整形された信号ｆにより通常はセツトされ
つづけるが、GTOが破損故障した場合には時刻
t1において破線の信号が得られないため、単安定
マルチMM2の出力信号ｇによりフリツプフロツ
プFFはリセツトされる。したがつて、時刻t1以
降新たなゲート信号Ａはブロツクされる。
第１１図は、本発明の第３の実施例を示したブ
ロツク図で、GTOのゲート電流を変流器３０に
て検出し、その大きさが規定値からはずれたこと
を検出器２０で判別してそれぞれ駆動回路１０へ
伝えてゲート電流の供給を停止するようにしたも
のである。例えば、オフゲート電流は、ゲート・
カソード間が短絡状態に至つていると、正常時の
1.5〜２倍の電流になるので、異常の検出は容易
にできる。
ロツク図で、GTOのゲート電流を変流器３０に
て検出し、その大きさが規定値からはずれたこと
を検出器２０で判別してそれぞれ駆動回路１０へ
伝えてゲート電流の供給を停止するようにしたも
のである。例えば、オフゲート電流は、ゲート・
カソード間が短絡状態に至つていると、正常時の
1.5〜２倍の電流になるので、異常の検出は容易
にできる。
第１２図は本発明の第４の実施例を示したブロ
ツク図で、故障検出信号Ｅ制御電位側の制御回路
４０の例えば図示しないリングカウンタ等へ伝送
し、故障したGTOの制御信号のみ、その動作を
停止させるようにしたものである。故障検出信号
の伝送は、電気的手段、光学的手段等で行なうこ
とが出来るがその手段は周知であるので、ここで
は詳細例は省略する。
ツク図で、故障検出信号Ｅ制御電位側の制御回路
４０の例えば図示しないリングカウンタ等へ伝送
し、故障したGTOの制御信号のみ、その動作を
停止させるようにしたものである。故障検出信号
の伝送は、電気的手段、光学的手段等で行なうこ
とが出来るがその手段は周知であるので、ここで
は詳細例は省略する。
第１３図は、本発明の第５の実施例を示すブロ
ツク図で、故障検出信号Ｅにより、駆動回路１０
への電源供給を停止させるようにしたものであ
る。尚、前述説明において、検出回路２０として
フオトカプラを使用した例を述べたが、パルスト
ランス等絶縁して信号を伝えられるものでも同様
に実施出来、本発明は特に前記実施例に限定する
ものではない。
ツク図で、故障検出信号Ｅにより、駆動回路１０
への電源供給を停止させるようにしたものであ
る。尚、前述説明において、検出回路２０として
フオトカプラを使用した例を述べたが、パルスト
ランス等絶縁して信号を伝えられるものでも同様
に実施出来、本発明は特に前記実施例に限定する
ものではない。
［発明の効果］
以上説明のように、本発明によれば、複数の自
己消弧形半導体素子を直列接続した回路を用い
て、インバータ、コンバータ或はチヨツパ等の電
力変換装置を構成し、少なくとも１個の素子が破
損しても装置を運転継続させる場合、破損した素
子の導通・非導通の制御を停止するようにしたの
で、ゲート回路の部品を必要以上に大形化する必
要がなく、経済性及び信頼性の高い電力変換装置
を提供出来る。
己消弧形半導体素子を直列接続した回路を用い
て、インバータ、コンバータ或はチヨツパ等の電
力変換装置を構成し、少なくとも１個の素子が破
損しても装置を運転継続させる場合、破損した素
子の導通・非導通の制御を停止するようにしたの
で、ゲート回路の部品を必要以上に大形化する必
要がなく、経済性及び信頼性の高い電力変換装置
を提供出来る。
第１図はゲートターンオフサイリスタのオフゲ
ート回路の一例を示す図、第２図、第３図は本発
明を適用出来る回路例を示した図、第４図は本発
明の一実施例を示したブロツク図、第５図は第４
図の詳細回路の一例を示した図、第６図は第５図
の動作を説明するためのタイムチヤート、第７図
は本発明の他の実施例を示すブロツク図、第８図
は第７図の動作を説明するための波形図、第９図
は第７図の一部詳細回路図、第１０図は第９図の
動作を説明するためのタイムチヤート、第１１図
乃至第１３図は本発明のそれぞれ異る他の実施例
を示すブロツク図である。 １０〜１３……制御極駆動回路、２０〜２３…
…故障検出器、３０……変流器、４０……制御回
路、５０……ドライブ回路。
ート回路の一例を示す図、第２図、第３図は本発
明を適用出来る回路例を示した図、第４図は本発
明の一実施例を示したブロツク図、第５図は第４
図の詳細回路の一例を示した図、第６図は第５図
の動作を説明するためのタイムチヤート、第７図
は本発明の他の実施例を示すブロツク図、第８図
は第７図の動作を説明するための波形図、第９図
は第７図の一部詳細回路図、第１０図は第９図の
動作を説明するためのタイムチヤート、第１１図
乃至第１３図は本発明のそれぞれ異る他の実施例
を示すブロツク図である。 １０〜１３……制御極駆動回路、２０〜２３…
…故障検出器、３０……変流器、４０……制御回
路、５０……ドライブ回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数の自己消弧形半導体素子を直列接続して
成る回路を用いて構成される電力変換装置におい
て、前記自己消弧形半導体素子の故障を個別に検
出する手段と、この故障検出手段に応動し、故障
した自己消弧形半導体素子へのゲート信号の少な
くともオフゲート信号の供給を停止するゲート信
号停止手段を具備した電力変換装置。 ２ 前記故障検出手段は、前記自己消弧形半導体
素子の陽極・陰極間電圧又は制御極・陰極間電圧
或は制御極へ流れる電流を検出して故障を判別す
るようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の電力変換装置。 ３ 前記ゲート信号停止手段は、前記自己消弧形
半導体素子の制御極を駆動する増幅器の動作を停
止、又は増幅器への電源供給を停止、或は故障し
た自己消弧形半導体素子に制御信号を伝送する制
御回路の該当制御部の動作を停止させることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の電力変換装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58204914A JPS6098823A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 電力変換装置 |
| US06/664,384 US4675800A (en) | 1983-11-02 | 1984-10-24 | Power converter with a failure detector of a self-turn-off semiconductor element |
| DE8484307342T DE3480150D1 (en) | 1983-11-02 | 1984-10-25 | Power converter |
| EP84307342A EP0141624B1 (en) | 1983-11-02 | 1984-10-25 | Power converter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58204914A JPS6098823A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 電力変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6098823A JPS6098823A (ja) | 1985-06-01 |
| JPS6337575B2 true JPS6337575B2 (ja) | 1988-07-26 |
Family
ID=16498465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58204914A Granted JPS6098823A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 電力変換装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4675800A (ja) |
| EP (1) | EP0141624B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6098823A (ja) |
| DE (1) | DE3480150D1 (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3537050A1 (de) * | 1985-06-19 | 1987-01-02 | Siemens Ag | Verfahren und vorrichtung zur erkennung des sperrzustandes eines abschaltbaren thyristors |
| US4884025A (en) * | 1986-06-06 | 1989-11-28 | Asea Brown Boveri Ag | Process for the fault monitoring of an electric valve |
| US4816982A (en) * | 1987-11-23 | 1989-03-28 | Viteq Corporation | AC to DC power converter with integrated line current control for improving power factor |
| US4943902A (en) * | 1987-11-23 | 1990-07-24 | Viteq Corporation | AC to DC power converter and method with integrated line current control for improving power factor |
| US4964029A (en) * | 1988-05-18 | 1990-10-16 | Viteq Corporation | AC to DC power converter with input current waveform control for buck-boost regulation of output |
| US4956600A (en) * | 1988-07-01 | 1990-09-11 | Viteq Corporation | High frequency current detector for a low frequency line |
| DE69319465T2 (de) * | 1992-02-20 | 1998-11-12 | Hitachi Ltd | Gate-Turn-Off-Thyristor und dessen Verwendung in Leistungwandlern |
| WO1993017668A1 (en) * | 1992-03-12 | 1993-09-16 | Alkermes Controlled Therapeutics, Inc. | Controlled release acth containing microspheres |
| DE4241174A1 (de) * | 1992-12-07 | 1994-05-05 | Asea Brown Boveri | Verfahren zum synchronisierten Abschalten von GTO-Thyristoren |
| JPH06189524A (ja) * | 1992-12-17 | 1994-07-08 | Toshiba Corp | 半導体バルブ |
| AT402245B (de) * | 1994-03-02 | 1997-03-25 | Siemens Ag Oesterreich | Ansteuerschaltung für zwei in serie geschaltete transistoren |
| US5723913A (en) * | 1994-12-06 | 1998-03-03 | Performance Controls, Inc. | High-voltage electronic switching circuit |
| US6281015B1 (en) | 1994-12-16 | 2001-08-28 | Children's Medical Center Corp. | Localized delivery of factors enhancing survival of transplanted cells |
| AU2001257613A1 (en) * | 2000-04-23 | 2001-11-12 | Arizeke Pharmaceuticals, Inc. | Compositions comprising carriers and transportable complexes |
| US20030166160A1 (en) * | 2001-09-06 | 2003-09-04 | Hawley Stephen B. | Compounds and molecular complexes comprising multiple binding regions directed to transcytotic ligands |
| IL155204A0 (en) * | 2000-10-02 | 2003-11-23 | Arizeke Pharmaceuticals Inc | Compositions and methods for the transport of biologically active agents across cellular barriers |
| US7088073B2 (en) * | 2003-01-24 | 2006-08-08 | Toshiba Internationl Corporation | Inverter drive system |
| US20130156935A1 (en) | 2011-12-14 | 2013-06-20 | Rachit Ohri | Methods for Coating Medical Devices |
| KR101326327B1 (ko) * | 2012-05-22 | 2013-11-11 | 명지대학교 산학협력단 | 사이리스터 밸브의 합성 시험 장치 |
| MX374480B (es) | 2013-09-30 | 2025-03-06 | Zoetis Services Llc | Formulaciones de espiro-isoxazolina de accion prolongada. |
| DE102014105719B4 (de) * | 2014-04-23 | 2015-11-26 | Ge Energy Power Conversion Gmbh | Schaltungsvorrichtung mit einer Thyristorschaltung sowie ein Verfahren zum Prüfen der Thyristorschaltung |
| US11171646B1 (en) * | 2021-01-14 | 2021-11-09 | Infineon Technologies Ag | Turn-off detection circuits for anti-series switches |
| EP4119957B1 (de) * | 2021-07-16 | 2026-06-17 | Siemens Energy Global GmbH & Co. KG | Verfahren zum überwachen einer schutzeinrichtung |
| US20260021076A1 (en) | 2024-07-22 | 2026-01-22 | Zoetis Services Llc | Isoxazoline and macrocyclic lactone microspheres |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE364412B (ja) * | 1972-06-21 | 1974-02-18 | Asea Ab | |
| SE364826B (ja) * | 1972-07-10 | 1974-03-04 | Asea Ab | |
| UST958008I4 (en) * | 1976-06-23 | 1977-05-03 | Rca Corporation | Switching circuit |
| US4384248A (en) * | 1979-06-22 | 1983-05-17 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for detecting shortcircuit in arm of GTO inverter |
| JPS56136023A (en) * | 1980-03-27 | 1981-10-23 | Toshiba Corp | Pulse amplifying circuit |
| JPS57208862A (en) * | 1981-06-16 | 1982-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | Thyristor bulb |
| JPS5911772A (ja) * | 1982-07-12 | 1984-01-21 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 光点弧サイリスタの過電圧保護装置 |
-
1983
- 1983-11-02 JP JP58204914A patent/JPS6098823A/ja active Granted
-
1984
- 1984-10-24 US US06/664,384 patent/US4675800A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-10-25 EP EP84307342A patent/EP0141624B1/en not_active Expired
- 1984-10-25 DE DE8484307342T patent/DE3480150D1/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0141624B1 (en) | 1989-10-11 |
| DE3480150D1 (en) | 1989-11-16 |
| US4675800A (en) | 1987-06-23 |
| EP0141624A2 (en) | 1985-05-15 |
| EP0141624A3 (en) | 1986-05-07 |
| JPS6098823A (ja) | 1985-06-01 |
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