JPS6337933B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6337933B2 JPS6337933B2 JP57203097A JP20309782A JPS6337933B2 JP S6337933 B2 JPS6337933 B2 JP S6337933B2 JP 57203097 A JP57203097 A JP 57203097A JP 20309782 A JP20309782 A JP 20309782A JP S6337933 B2 JPS6337933 B2 JP S6337933B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- axis
- pitch
- hole
- axis direction
- shadow mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/06—Screens for shielding; Masks interposed in the electron stream
- H01J29/07—Shadow masks for colour television tubes
- H01J29/076—Shadow masks for colour television tubes characterised by the shape or distribution of beam-passing apertures
Landscapes
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はドツト―インラインタイプのカラー
受像管、すなわち電子銃がインライン配列であ
り、かつシヤドウマスクの孔形状が小孔であるカ
ラー受像管に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a dot-in-line type color picture tube, that is, a color picture tube in which electron guns are arranged in-line and a shadow mask has a small hole shape.
従来から知られるように、ドツト―インライン
タイプのカラー受像管におけるランデイング特性
の問題点の1つは、特公昭50―21214号、特公昭
50―19909号に述べられているように、3本の電
子ビームの蛍光スクリーン上での到違点のパター
ンが最稠密構造とはならないことである。 As has long been known, one of the problems with the landing characteristics of dot-in-line type color picture tubes is that
As stated in No. 50-19909, the pattern of the intersections of the three electron beams on the fluorescent screen does not form the densest structure.
具体的に述べるならば、第1図において、蛍光
スクリーン1の長手方向と一致した方向に電子銃
あるいは電子ビームのインライン配列があり、
青、緑、赤用の電子銃あるいは電子ビームをそれ
ぞれBB,BG,BRとする。また、図のように、
インライン配列の方向をX軸、それと直交する方
向をY軸とする。図のAは蛍光スクリーン1に対
応したシヤドウマスク2の孔配列の一部の拡大図
であり、その孔2aの最も近い孔を結んだ破線B
がY軸方向と一致している。ここで、蛍光スクリ
ーン1は通常ガラスパネルに形成され、しかも、
最終の受像管が真空容器であるために、爆縮防止
面より球面状に成形されており、このような蛍光
スクリーン1に対向するシヤドウマスク2も球面
状に形成されている。 Specifically, in FIG. 1, there is an in-line array of electron guns or electron beams in a direction that coincides with the longitudinal direction of the fluorescent screen 1.
Let the electron guns or electron beams for blue, green, and red be BB, BG, and BR, respectively. Also, as shown in the figure,
The direction of the inline arrangement is the X axis, and the direction perpendicular thereto is the Y axis. A in the figure is an enlarged view of a part of the hole arrangement of the shadow mask 2 corresponding to the fluorescent screen 1, and a broken line B connecting the holes closest to the hole 2a is shown.
coincides with the Y-axis direction. Here, the fluorescent screen 1 is usually formed on a glass panel, and furthermore,
Since the final picture tube is a vacuum container, it is formed into a spherical shape rather than an implosion prevention surface, and the shadow mask 2 facing the fluorescent screen 1 is also formed into a spherical shape.
第2図はそれぞれ蛍光スクリーン1の各場所に
おけるシヤドウマスク(第1図)2の1個の孔2
aを通つた電子ビームのトリオBB,BG,BRの
到達点のパターンの特徴を誇張して示したもので
ある。第3図は一例として、第2図に示された蛍
光スクリーン1における第1象限のコーナー部C
の電子ビーム到達点を拡大して示したものであ
る。第3図では、シヤドウマスク2の孔2―1
(図示せず、以下同じ)により電子ビームのトリ
オが作るトリオをB1,G1,R1とし、右横の孔2
―2によるものをB2,G2,R2としている。また、
孔2―1に対し右斜下の孔2―3によるものが
B3,G3,R3である。ここで問題はB1,G1,R1で
作る破線DとB2,G2,R2で作る破線EとがR1と
B2間で段違いになることである。この結果とし
て、たとえば第2図に示す蛍光スクリーン1の右
上コーナー部Cでは、第3図のようにB3とR1間
の間隔が異常にせまくなる。この点がドツト―イ
ンラインタイプのランデイング特性の不利な点の
1つである。 FIG. 2 shows one hole 2 of the shadow mask (FIG. 1) 2 at each location of the fluorescent screen 1.
This is an exaggerated illustration of the characteristics of the pattern of the arrival points of the trio BB, BG, and BR of the electron beam that passed through a. FIG. 3 shows, as an example, a corner C in the first quadrant of the fluorescent screen 1 shown in FIG.
This is an enlarged view of the electron beam arrival point. In Figure 3, hole 2-1 of shadow mask 2 is shown.
(not shown, the same applies below), the trio of electron beams is B 1 , G 1 , R 1 , and the hole 2 on the right side is
-2 are designated as B 2 , G 2 , and R 2 . Also,
Hole 2-3 is located diagonally below the right side of hole 2-1.
They are B 3 , G 3 , and R 3 . The problem here is that the broken line D made by B 1 , G 1 , R 1 and the broken line E made by B 2 , G 2 , R 2 are R 1
B There is a difference in level between the two . As a result, for example, in the upper right corner C of the fluorescent screen 1 shown in FIG. 2, the distance between B 3 and R 1 becomes abnormally narrow as shown in FIG. 3. This point is one of the disadvantages of the dot-inline type landing characteristics.
第4図は、理想的な場合の第3図に相当する図
である。ここでいう最稠密構造とは、この状態を
指していつており、正三角を密につめたようにな
つている。この場合に最も蛍光スクリーンを効果
的に使用していることになる。すなわち、スペー
スフアクターが良い状態である。 FIG. 4 is a diagram corresponding to FIG. 3 in an ideal case. The most dense structure referred to here refers to this state, which resembles a densely packed equilateral triangle. In this case, the fluorescent screen is used most effectively. In other words, the space factor is in good condition.
第3図に相当する歪みをなくすために、シヤド
ウマスクの孔配列を第5図のようにしようという
のが上記特公昭50―19909号である。確かに上記
特公昭50―19909号の孔配列Fは第4図の状態に
近づけることが可能である。しかし問題は、その
際、周辺のマスク孔ピツチを小さくせざるを得な
いことである。すなわち対角方向ではX軸、Y軸
のいずれの方向にもピツチを小さくせざるを得な
いのである。換言すれば、第3図のスペースフア
クターを大きくするためには、X,Y軸両方向に
対してピツチを小さくせざるを得ず、したがつて
各電子ビームの到達点の局部的に見た全体の相互
距離が小さくなつてしまう。また、別の問題点と
しては、第5図に示したような孔配列Fのパター
ンはシヤドウマスクを作る上でかなり複雑で、高
価なものにならざるを得ない。 The above-mentioned Japanese Patent Publication No. 19909/1983 proposes to arrange the holes of the shadow mask as shown in FIG. 5 in order to eliminate the distortion corresponding to FIG. 3. It is true that the hole arrangement F of the above-mentioned Japanese Patent Publication No. 50-19909 can be brought close to the state shown in FIG. 4. However, the problem is that in this case, the peripheral mask hole pitch must be made smaller. That is, in the diagonal direction, the pitch must be reduced in both the X-axis and Y-axis directions. In other words, in order to increase the space factor shown in Figure 3, it is necessary to reduce the pitch in both the X and Y axes. The overall mutual distance becomes smaller. Another problem is that the pattern of the hole array F as shown in FIG. 5 is quite complicated and expensive when making a shadow mask.
一方、この問題のために、たとえば、特開昭57
―34640号公報、特開昭56―71256号公報、および
特開昭56―41648号公報に開示されているように、
種々の孔配列が案出されているが、いずれも1次
元の孔配列であり、完全に問題を解消し得るもの
ではなかつた。 On the other hand, due to this problem, for example,
As disclosed in JP-A-34640, JP-A-56-71256, and JP-A-56-41648,
Various hole arrays have been devised, but all of them are one-dimensional hole arrays and have not completely solved the problem.
この発明は上記のような点に鑑みてなされたも
ので、シヤドウマスクの孔配列をより効果的な2
次元的な改良パターンとし、蛍光スクリーン上で
は従来の問題の最小の間隔(第3図の例ではR1
とG1,B2,B3,G3間の寸法)を一層大きくする
ようになし、しかも、シヤドウマスクも作りやす
いものとし、最終的に一層効果的にランデイング
裕度を大きくできるカラー受像管を提供しようと
するものである。 This invention was made in view of the above-mentioned points, and it is possible to improve the hole arrangement of the shadow mask by two methods that are more effective.
It is a dimensional improvement pattern, and on a fluorescent screen, the minimum interval of the conventional problem (in the example in Fig. 3, R 1
, G 1 , B 2 , B 3 , and G 3 ), the shadow mask is also easy to make, and the final result is a color picture tube that can more effectively increase the landing margin. This is what we are trying to provide.
以下、この発明の一実施例を図面にもとづいて
説明する。 Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described based on the drawings.
第6図はこの発明の一実施例にかかるカラー受
像管のフラツトな状態でのシヤドウマスク2の孔
配列を示すものである。第2図に示した蛍光スク
リーン1の中央に相当するマスク有孔部の中心
からY軸方向には、ピツチa0で孔2aが穿たれて
いる。X軸上には、中心のつぎには偶数列ごと
にb2Nのピツチ離れたところに孔2aがあり、そ
の孔2aのY軸方向のピツチはX軸より離れるに
したがつてY軸に平行のまま徐々に小さくなつて
いる。奇数列目は偶数列の中間上にあり、奇数列
目のY軸方向の孔位置はたとえば偶数列(X軸方
向にP列目)のM番目とM+1番目の孔とつぎの
偶数列(P+2)のM番目とM+1番目の孔に囲
まれた奇数列(P+1)目の孔の高さは、上記4
個の孔位置のほぼ平均と等しくなつている。すな
わちX軸近辺の奇数列のY方向の1番目の孔の高
さは、ほぼY=1/2a0の位置にある。たとえば、
n列目の孔の分布を説明すると、X軸方向には
N/2b2Nの距離にあり、Y軸方向には最初のY軸方
向へのピツチはanであり、Y軸方向のm個目の
孔ピツチもanとなつている。 FIG. 6 shows the hole arrangement of the shadow mask 2 in a flat state of a color picture tube according to an embodiment of the present invention. A hole 2a is bored at a pitch a0 in the Y-axis direction from the center of the perforated portion of the mask corresponding to the center of the fluorescent screen 1 shown in FIG. On the X-axis, there are holes 2a located b 2N pitches away from the center in every even numbered row, and the pitch of the holes 2a in the Y-axis direction becomes parallel to the Y-axis as they move away from the X-axis. It is gradually getting smaller. The odd-numbered row is located midway between the even-numbered rows, and the hole positions in the Y-axis direction of the odd-numbered row are, for example, the Mth and M+1th holes in the even-numbered row (Pth row in the X-axis direction) and the holes in the next even-numbered row (P+2 ) is the height of the hole in the odd numbered row (P+1) surrounded by the Mth and M+1th holes.
It is approximately equal to the average of the hole positions. That is, the height of the first hole in the Y direction in the odd row near the X axis is approximately at a position of Y=1/2a 0 . for example,
To explain the distribution of the holes in the nth row, they are located at a distance of N/2b 2N in the X-axis direction, the initial pitch in the Y-axis direction is an, and the m-th hole in the Y-axis direction The hole pitch is also an.
第7図Aの縦軸方向はY軸方向の孔ピツチを示
しており、横軸はX軸方向のn個の孔位置の座標
を示している。たとえば、この孔の分布はX軸方
向にn列目のピツチとして、つぎのように表わし
てもよい。 The vertical axis in FIG. 7A indicates the hole pitch in the Y-axis direction, and the horizontal axis indicates the coordinates of n hole positions in the X-axis direction. For example, the hole distribution may be expressed as the pitch of the nth row in the X-axis direction as follows.
a0(1−K・n2)
ただし、上式でa0は0.320、Kは7.59×10-8単位
はmmである。 a 0 (1-K·n 2 ) However, in the above formula, a 0 is 0.320, and K is 7.59×10 -8 The unit is mm.
第7図Bの縦軸はX軸方向のピツチ、横軸はX
軸方向の孔位置の座標を示している。この発明の
ものと従来提案されているものとはこの点が異な
つている。すなわちX軸方向についてもX軸方向
のピツチが変えられており、しかもスクリーン端
に向うにつれてピツチが徐々に大きくなるように
設定されている。 The vertical axis in Figure 7B is the pitch in the X-axis direction, and the horizontal axis is the
The coordinates of the hole position in the axial direction are shown. The present invention differs from conventionally proposed methods in this respect. That is, the pitch in the X-axis direction is also changed, and the pitch is set to gradually increase toward the edge of the screen.
たとえば具体的な式としては
b2N=b0(1+Kin2)
ここで、上式でb0は0.554、K1は3.06×10-7、
単位はmmである。(n=700のときb2N=0.637)
具体的な例で示すと、たとえば20インチサイズ
では第8図に示すように、電子ビームのトリオ
B1,G1,R1のX軸との傾斜は3〜6゜程度であり、
一般に「電子ビームトリオの傾斜>対応の蛍光体
トリオの傾斜」であるから3〜4゜位の傾斜が好ま
しい。第7図Aによる孔配列はこの傾斜を修正す
るものである。 For example, a specific formula is b 2N = b 0 (1 + Kin 2 ) where, in the above formula, b 0 is 0.554, K 1 is 3.06 × 10 -7 ,
The unit is mm. (When n = 700, b 2N = 0.637) To give a concrete example, for example, in a 20-inch size, as shown in Figure 8, a trio of electron beams
The inclination of B 1 , G 1 , and R 1 with the X axis is about 3 to 6 degrees,
Generally speaking, "tilt of electron beam trio>tilt of corresponding phosphor trio", so a tilt of about 3 to 4 degrees is preferable. The hole arrangement according to FIG. 7A corrects this slope.
第9図Aは上記傾斜を修正することによる第3
図のB3―R1の間隔寸法がどの程度修正されたか
を説明するためのものである。同図において、縦
軸は修正される寸法(μm)、横軸は修正する傾斜
の角度を示している。この図から明らかなように
第7図Aによつて約15μm修正される。 Figure 9A shows the third result obtained by correcting the above slope.
This is to explain how much the interval dimension between B 3 and R 1 in the figure has been modified. In the figure, the vertical axis indicates the dimension to be corrected (μm), and the horizontal axis indicates the angle of inclination to be corrected. As is clear from this figure, it is corrected by about 15 μm in accordance with FIG. 7A.
第9図Bは第7図BのX軸方向のピツチの変更
によるスペースフアクターの改良を説明するため
のものである。同図において、縦軸は最小寸法が
大きくなる割合(%)、横軸はピツチの大きくな
る割合(%)である。この図から明らかなように
改良される割合は1:1で、ピツチに比例する。
たとえば従来横方向のピツチが0.3×√3×1/2で
あり、この発明のように0.3×√3×1/2×1.15、
すなわち15%ピツチを大きくした場合横方向につ
いて15%有利であり、隣接するものとの寸法関係
についても約4%(実際の寸法で約7μm)有利と
なる。 FIG. 9B is for explaining the improvement of the space factor by changing the pitch in the X-axis direction of FIG. 7B. In the figure, the vertical axis represents the percentage increase in the minimum dimension (%), and the horizontal axis represents the percentage increase in pitch (%). As is clear from this figure, the improvement ratio is 1:1 and is proportional to the pitch.
For example, the conventional pitch in the horizontal direction is 0.3×√3×1/2, and if the pitch is increased by 15% to 0.3×√3×1/2×1.15 as in this invention, there is a 15% advantage in the horizontal direction. , the dimensional relationship with the adjacent one is also advantageous by about 4% (about 7 μm in actual size).
上記のような構造となつているために、第5図
と比較した場合には、第5図のパターンがY軸方
向には「バレル」、X軸方向には「ピンクツシヨ
ン」で形成されていたのに対して、この発明の場
合にはY軸方向にのみ「バレル」のパターンであ
り、しかもX軸方向にはY軸と平行となつてい
る。したがつて、シヤドウマスクの孔配列が作り
やすく、ひいてはシヤドウマスクの値段のコスト
上昇分を極力抑えることができる。 Due to the above structure, when compared with Figure 5, the pattern in Figure 5 is formed by a "barrel" in the Y-axis direction and a "pink union" in the X-axis direction. In contrast, in the case of the present invention, the pattern is a "barrel" only in the Y-axis direction, and moreover, the X-axis direction is parallel to the Y-axis. Therefore, the hole arrangement of the shadow mask can be easily made, and the cost increase in the price of the shadow mask can be suppressed as much as possible.
なお、上記説明ではY軸上および任意のX=X
でのY軸方向の孔ピツチが常に一定の場合で説明
したが、必ずしも同一ピツチでなくてもよいこと
はいうまでもなく、孔の分布がY軸方向にはバレ
ルで、X軸方向には常にY軸に孔配列が平行であ
り、かつ周囲に向うにつれてX軸方向のピツチが
大となることが肝要である。 In addition, in the above explanation, on the Y axis and any X=X
In the above explanation, the hole pitch in the Y-axis direction is always constant, but it goes without saying that the hole pitch does not necessarily have to be the same. It is important that the hole arrangement is always parallel to the Y-axis and that the pitch in the X-axis direction increases toward the periphery.
さらに、この発明のカラー受像管は、キヤラク
ター、グラフなどを映出するのに使用されること
が多いが、このような場合、Y軸方向については
通常ピツチの公差で±25μm程度(50μmの差)が
限度である。またX軸方向についてはセンターに
比べて20%増までが限度である。たとえば最稠密
構造でY軸方向が0.300であるとき、X軸方向に
ついては約0.52mmがピツチであり、センターでこ
の値に選んだ時周辺で20%増、すなわち約0.62が
実用上の限度値であることもわかつた。ピツチが
0.300mm付近の高解像度受像管において、7μm程
度の改良は著るしい改良を意味するもので、完成
管の状態でのランデイング裕度を大きくするだけ
ではなく、蛍光面作成上での歩留りも著るしく改
良できるものである。 Furthermore, the color picture tube of this invention is often used to project characters, graphs, etc. In such cases, the pitch tolerance in the Y-axis direction is usually around ±25 μm (with a difference of 50 μm). ) is the limit. Also, in the X-axis direction, the limit is 20% increase compared to the center. For example, when the Y-axis direction is 0.300 in the densest structure, the pitch for the X-axis direction is approximately 0.52 mm, and when this value is selected for the center, the periphery increases by 20%, or approximately 0.62, which is the practical limit. I also found out that it is. Pituchi is
In high-resolution picture tubes around 0.300 mm, an improvement of about 7 μm represents a significant improvement, and not only increases the landing margin in the finished tube state, but also significantly improves the yield in making phosphor screens. This is something that can be greatly improved.
ここで、上記Y軸方向について±25μmの公差
に限定し、また、X軸方向について20%増(セン
ターに比べて1.2倍増)に限定した理由は、仮り
に、Y軸方向の公差を±25μm以上とし、また、
X=Xのピツチをb0に対して20%増以上とした場
合には、解像度上の不都合が生じて、市場では受
け入れられないためである。 Here, the reason for limiting the tolerance in the Y-axis direction to ±25 μm and the 20% increase (1.2 times compared to the center) in the X-axis direction is to assume that the tolerance in the Y-axis direction is ±25 μm. The above, and also,
This is because if the pitch of X =
なお、上記孔パターンの説明はフラツトマスク
で説明したが、実際にはドーム状に成形し、その
後、電子ビームとの関連を調べ、フラツトマスク
にその結果をフイードバツクしているので、フラ
ツトマスクで議論するのがより実際的である。 Although the hole pattern above was explained using a flat mask, it is actually formed into a dome shape, and then the relationship with the electron beam is investigated, and the results are fed back to the flat mask, so it is better to discuss the hole pattern using a flat mask. More practical.
この発明を要約すると、電子銃のインライン配
列の方向をX軸とし、それと蛍光スクリーンのほ
ぼ中央を含む直角な方向をY軸と定義したとき
に、フラツトな状態でのシヤドウマスクの孔配列
がY軸方向については常にY軸に平行であり、Y
軸方向のピツチについては、Y軸上でX軸から数
えてm個目の孔のピツチをa0、Y軸に平行なn例
目で、X軸から数えてm個目の孔のピツチをanm
としたとき、このピツチanmは、上記Y軸上のピ
ツチa0に比べて、
a0−50(μm)≦anm<a0
であり、かつ、上記ピツチanmは、Y軸から遠ざ
かるに従つて徐々に小さくなつている。 To summarize this invention, when the direction of the in-line arrangement of the electron gun is defined as the X-axis, and the direction perpendicular to the X-axis including approximately the center of the fluorescent screen is defined as the Y-axis, the hole arrangement of the shadow mask in a flat state is defined as the Y-axis. The direction is always parallel to the Y axis, and the Y
Regarding the pitch in the axial direction, a 0 is the pitch of the m-th hole counting from the X-axis on the Y-axis, and a 0 is the pitch of the m-th hole counting from the X-axis on the n-th parallel to the Y-axis. anm
Then, compared to the pitch a 0 on the Y axis, this pitch anm satisfies a 0 −50 (μm) ≦ anm < a 0 , and the pitch anm increases as the distance from the Y axis increases. It is gradually getting smaller.
一方、X軸方向のピツチについては、スクリー
ン中央でのピツチをb0、任意のX=Xでのピツチ
をbとしたとき、このbは、上記b0に比べて、
b0<b≦b0×1.2
であり、かつ、上記bは、Y軸から遠ざかるに従
つて徐々に大きくしたフラツトマスクを構成し、
このフラツトマスクを曲面状のシヤドウマスクに
形成したことである。 On the other hand, regarding the pitch in the X-axis direction, let b 0 be the pitch at the center of the screen, and b be the pitch at arbitrary 0 × 1.2, and the above b constitutes a flat mask that gradually increases in size as it moves away from the Y axis,
This flat mask was formed into a curved shadow mask.
上記構成において、Y軸方向のピツチを、Y軸
から遠ざかるに従つて、公差±25μmの範囲内で
徐々に小さくし、一方、X軸方向のピツチを、Y
軸から遠ざかるに従つて、上記20%増の範囲内で
徐々に大きくしたので、スクリーン周辺での水平
解像度が若干低下する反面、電子ビームのチルト
現象を補正して、ランデイング裕度を大きくでき
る。 In the above configuration, the pitch in the Y-axis direction is gradually decreased within a tolerance range of ±25 μm as the distance from the Y-axis increases, and the pitch in the X-axis direction is
The distance from the axis is gradually increased within the above 20% increase range, so while the horizontal resolution around the screen is slightly reduced, the tilting phenomenon of the electron beam can be corrected and the landing latitude can be increased.
ここで、上記X軸のピツチを徐々に大きくする
ことにより、スクリーン周辺の水平解像度が若干
低下するという問題はあるが、この発明の特徴
は、水平解像度よりもランデイング裕度の確保を
重視した点に特徴がある。 Although there is a problem in that the horizontal resolution around the screen slightly decreases by gradually increasing the pitch of the X-axis, the feature of this invention is that it places more emphasis on securing landing latitude than horizontal resolution. There are characteristics.
つまり、デイスプレイ用のカラー受像管は、一
般に、偏向歪の関係でX軸方向に電子ビームが
延びて、常にスクリーン周辺の水平解像度が低下
する傾向にあること、シヤドウマスク2の孔の
ピツチが小さいため、電子ビームのチルト現象に
よるランデイング裕度の方が上記水平解像度より
も致命的であること、という2つの特性を有して
いる。 In other words, in color picture tubes for displays, the electron beam generally extends in the X-axis direction due to deflection distortion, and the horizontal resolution around the screen always tends to decrease, and the hole pitch of the shadow mask 2 is small. It has two characteristics: the landing margin due to the tilt phenomenon of the electron beam is more critical than the horizontal resolution.
したがつて、水平解像度を若干犠性にしてで
も、ランデイング裕度を大きくする方が、カラー
受像管の致命的な欠陥をなくす点で極めて有利と
なる。 Therefore, it is extremely advantageous to increase the landing latitude even if the horizontal resolution is sacrificed a little in terms of eliminating fatal defects in color picture tubes.
さらに、この実施例では、シヤドウマスク2の
孔配列を2次元的(X軸、Y軸)な改良パターン
としたので、スクリーン周辺での孔の最小ピツチ
を大きくして、スペースフアクターを良好にでき
る効果がある。 Furthermore, in this embodiment, the hole arrangement of the shadow mask 2 is made into a two-dimensional (X-axis, Y-axis) improved pattern, so the minimum pitch of the holes around the screen can be increased and the space factor can be improved. effective.
この発明は以上のような構成となつているため
に、蛍光スクリーン上での電子ビーム間相互の間
隔が実用的にあらゆる方向で最大となつているた
め二方向のスペースフアクターを良好にできる。
しかも、スクリーン周辺での水平解像度を若干犠
性にすることにより、最小限のピツチの変化の範
囲で大きいランデイング裕度が得られ、またシヤ
ドウマスクを容易に作成できる低コストのカラー
受像管を提供することができる。 Since the present invention has the above-described configuration, the distance between the electron beams on the fluorescent screen is practically the maximum in all directions, so that the space factor in two directions can be improved.
Moreover, by slightly sacrificing the horizontal resolution around the screen, a large landing margin can be obtained with a minimum pitch change range, and a low-cost color picture tube with which shadow masks can be easily created is provided. be able to.
第1図は電子銃のインライン配列とシヤドウマ
スクの孔配列の関係とX,Y軸とを説明する図、
第2図は蛍光スクリーン上で電子ビームが傾斜す
ることを説明する図、第3図は第2図の詳細を説
明する図、第4図は理想的な場合の第3図に相当
する図、第5図は第3図に相当する歪みをなくす
ためのシヤドウマスクの孔配列を示す図、第6図
はこの発明の一実施例にかかるカラー受像管のシ
ヤドウマスクの孔パターンを示す図、第7図Aは
この発明のY軸方向のピツチの変化を示す図、第
7図Bは同X軸方向のピツチの変化を示す図、第
8図は電子ビームトリオの傾斜を説明する図、第
9図A,Bはそれぞれ第7図A,Bにより隣接す
るビームとの間隔寸法が改良された程度を示す図
である。
1……蛍光スクリーン、BB,BG,BR……電
子銃、2……シヤドウマスク、2a……孔。な
お、図中、同一符号は同一または相当部分を示
す。
FIG. 1 is a diagram explaining the relationship between the in-line arrangement of the electron gun and the hole arrangement of the shadow mask, and the X and Y axes.
FIG. 2 is a diagram explaining that an electron beam is tilted on a fluorescent screen, FIG. 3 is a diagram explaining details of FIG. 2, and FIG. 4 is a diagram corresponding to FIG. 3 in an ideal case. FIG. 5 is a diagram showing a hole arrangement of a shadow mask for eliminating distortion corresponding to FIG. 3, FIG. 6 is a diagram showing a hole pattern of a shadow mask of a color picture tube according to an embodiment of the present invention, and FIG. A is a diagram showing pitch changes in the Y-axis direction of the present invention, FIG. 7B is a diagram showing pitch changes in the X-axis direction, FIG. 8 is a diagram explaining the tilt of the electron beam trio, and FIG. 9 FIGS. 7A and 7B are diagrams showing the degree to which the distance between adjacent beams has been improved by FIGS. 7A and 7B, respectively. 1... Fluorescent screen, BB, BG, BR... Electron gun, 2... Shadow mask, 2a... Hole. In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
Claims (1)
それと蛍光スクリーンのほぼ中央を含む直角な方
向をY軸と定義したときに、フラツトな状態での
シヤドウマスクの孔配列がY軸方向については常
にY軸に平行であり、Y軸方向のピツチについて
は、Y軸上でX軸から数えてm個目の孔のピツチ
をa0、Y軸に平行なn列目で、X軸から数えてm
個目の孔のピツチをanmとしたとき、このanm
は、上記Y軸上のピツチa0に比べて、 a0−50(μm)≦anm<a0 であり、かつ、上記anmは、Y軸から遠ざかるに
従つて徐々に小さくなつており、しかも、X軸方
向のピツチについては、スクリーン中央でのピツ
チをb0、任意のX=Xでのピツチをbとしたと
き、このbは、上記b0に比べて、 b0<b≦b0×1.2 であり、かつ、上記bは、Y軸から遠ざかるに従
つて徐々に大きくなつているフラツトマスクを構
成し、このフラツトマスクを曲面状に形成してな
るシヤドウマスクを備えたことを特徴とするカラ
ー受像管。[Claims] 1. The direction of the inline arrangement of the electron guns is the X axis,
When the Y-axis is defined as the perpendicular direction that includes approximately the center of the fluorescent screen, the hole arrangement of the shadow mask in a flat state is always parallel to the Y-axis, and the pitch in the Y-axis direction is , the m-th hole pitch on the Y-axis counting from the X-axis is a 0 , and the pitch of the m-th hole on the Y-axis counting from the
When the pitch of each hole is defined as amm, this amm
is compared to the pitch a 0 on the Y axis, a 0 −50 (μm) ≦ anm < a 0 , and the above a m gradually becomes smaller as it moves away from the Y axis, and , regarding the pitch in the X-axis direction, let b 0 be the pitch at the center of the screen, and b be the pitch at arbitrary X=X . ×1.2, and the above b constitutes a flat mask that gradually increases in size as it goes away from the Y axis, and a color image receiving device comprising a shadow mask formed by forming this flat mask into a curved shape. tube.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20309782A JPS5991634A (en) | 1982-11-17 | 1982-11-17 | Color picture tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20309782A JPS5991634A (en) | 1982-11-17 | 1982-11-17 | Color picture tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5991634A JPS5991634A (en) | 1984-05-26 |
| JPS6337933B2 true JPS6337933B2 (en) | 1988-07-27 |
Family
ID=16468323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20309782A Granted JPS5991634A (en) | 1982-11-17 | 1982-11-17 | Color picture tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5991634A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6258548A (en) * | 1985-09-09 | 1987-03-14 | Toshiba Corp | In-line type color cathode-ray tube |
| KR900004820B1 (en) * | 1987-03-03 | 1990-07-07 | 미쓰비시덴기 가부시기가이샤 | Color display tube having shadow mask |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641648A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-18 | Hitachi Ltd | Cathode ray tube |
| JPS5671256A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-13 | Hitachi Ltd | Shadow mask cathode-ray tube |
| JPS5734640A (en) * | 1980-08-11 | 1982-02-25 | Nec Corp | Color cathode-ray tube |
| JPS58100338A (en) * | 1981-12-10 | 1983-06-15 | Mitsubishi Electric Corp | Shadowmask type color picture tube |
-
1982
- 1982-11-17 JP JP20309782A patent/JPS5991634A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5991634A (en) | 1984-05-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06275206A (en) | Color cathode-ray tube with shadow mask of variable hole pitch | |
| US4638212A (en) | Color cathode-ray tube | |
| JPS61256551A (en) | Color cathode-ray tube | |
| US3705322A (en) | Shadow mask having apertures at intersections of barrel-shaped horizontal and pin-cushion-shaped vertical lines | |
| EP0520795B1 (en) | Color cathode ray tube | |
| US3721853A (en) | Shadow mask having apertures at intersections of barrel-shaped and pincushion shaped lines | |
| TW507241B (en) | Color cathode ray tube having an improved phosphor screen | |
| US6157120A (en) | Shadow mask for color CRT having different vertical pitch for outer periphery of the display than inner portion of the display | |
| JPS5991634A (en) | Color picture tube | |
| TW460900B (en) | Method of producing a screen for a display device, screen for a display device produced by means of said method and display device provided with said screen | |
| US4631440A (en) | Color cathode ray tube having smooth screen edges | |
| JPS6145343B2 (en) | ||
| US4766341A (en) | Color picture tube with shadow mask having alternately displaced apertures | |
| JPS58157039A (en) | Shadow mask type color cathode-ray tube | |
| JPS5848339A (en) | Color picture tube | |
| US5270753A (en) | Optical aperture device for manufacturing color cathode ray tubes | |
| JP3222640B2 (en) | Color picture tube equipment | |
| US6455993B1 (en) | Shadow mask type color cathode ray tube having variable aperture diameter | |
| JPS58100338A (en) | Shadowmask type color picture tube | |
| JP2644221B2 (en) | Cathode ray tube device | |
| JPS59194330A (en) | Color picture tube | |
| JP2000340132A (en) | Color cathode ray tube | |
| JPH11504158A (en) | Color display tube with less defocus due to polarization | |
| JPH04249039A (en) | Color image receiving tube | |
| JPS59194329A (en) | Color picture tube |