JPS6337933B2 - - Google Patents
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- JPS6337933B2 JPS6337933B2 JP57203097A JP20309782A JPS6337933B2 JP S6337933 B2 JPS6337933 B2 JP S6337933B2 JP 57203097 A JP57203097 A JP 57203097A JP 20309782 A JP20309782 A JP 20309782A JP S6337933 B2 JPS6337933 B2 JP S6337933B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- axis
- pitch
- hole
- axis direction
- shadow mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/06—Screens for shielding; Masks interposed in the electron stream
- H01J29/07—Shadow masks for colour television tubes
- H01J29/076—Shadow masks for colour television tubes characterised by the shape or distribution of beam-passing apertures
Landscapes
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はドツト―インラインタイプのカラー
受像管、すなわち電子銃がインライン配列であ
り、かつシヤドウマスクの孔形状が小孔であるカ
ラー受像管に関するものである。
受像管、すなわち電子銃がインライン配列であ
り、かつシヤドウマスクの孔形状が小孔であるカ
ラー受像管に関するものである。
従来から知られるように、ドツト―インライン
タイプのカラー受像管におけるランデイング特性
の問題点の１つは、特公昭50―21214号、特公昭
50―19909号に述べられているように、３本の電
子ビームの蛍光スクリーン上での到違点のパター
ンが最稠密構造とはならないことである。
タイプのカラー受像管におけるランデイング特性
の問題点の１つは、特公昭50―21214号、特公昭
50―19909号に述べられているように、３本の電
子ビームの蛍光スクリーン上での到違点のパター
ンが最稠密構造とはならないことである。
具体的に述べるならば、第１図において、蛍光
スクリーン１の長手方向と一致した方向に電子銃
あるいは電子ビームのインライン配列があり、
青、緑、赤用の電子銃あるいは電子ビームをそれ
ぞれBB，BG，BRとする。また、図のように、
インライン配列の方向をＸ軸、それと直交する方
向をＹ軸とする。図のＡは蛍光スクリーン１に対
応したシヤドウマスク２の孔配列の一部の拡大図
であり、その孔２ａの最も近い孔を結んだ破線Ｂ
がＹ軸方向と一致している。ここで、蛍光スクリ
ーン１は通常ガラスパネルに形成され、しかも、
最終の受像管が真空容器であるために、爆縮防止
面より球面状に成形されており、このような蛍光
スクリーン１に対向するシヤドウマスク２も球面
状に形成されている。
スクリーン１の長手方向と一致した方向に電子銃
あるいは電子ビームのインライン配列があり、
青、緑、赤用の電子銃あるいは電子ビームをそれ
ぞれBB，BG，BRとする。また、図のように、
インライン配列の方向をＸ軸、それと直交する方
向をＹ軸とする。図のＡは蛍光スクリーン１に対
応したシヤドウマスク２の孔配列の一部の拡大図
であり、その孔２ａの最も近い孔を結んだ破線Ｂ
がＹ軸方向と一致している。ここで、蛍光スクリ
ーン１は通常ガラスパネルに形成され、しかも、
最終の受像管が真空容器であるために、爆縮防止
面より球面状に成形されており、このような蛍光
スクリーン１に対向するシヤドウマスク２も球面
状に形成されている。
第２図はそれぞれ蛍光スクリーン１の各場所に
おけるシヤドウマスク（第１図）２の１個の孔２
ａを通つた電子ビームのトリオBB，BG，BRの
到達点のパターンの特徴を誇張して示したもので
ある。第３図は一例として、第２図に示された蛍
光スクリーン１における第１象限のコーナー部Ｃ
の電子ビーム到達点を拡大して示したものであ
る。第３図では、シヤドウマスク２の孔２―１
（図示せず、以下同じ）により電子ビームのトリ
オが作るトリオをB1，G1，R1とし、右横の孔２
―２によるものをB2，G2，R2としている。また、
孔２―１に対し右斜下の孔２―３によるものが
B3，G3，R3である。ここで問題はB1，G1，R1で
作る破線ＤとB2，G2，R2で作る破線ＥとがR1と
B2間で段違いになることである。この結果とし
て、たとえば第２図に示す蛍光スクリーン１の右
上コーナー部Ｃでは、第３図のようにB3とR1間
の間隔が異常にせまくなる。この点がドツト―イ
ンラインタイプのランデイング特性の不利な点の
１つである。
おけるシヤドウマスク（第１図）２の１個の孔２
ａを通つた電子ビームのトリオBB，BG，BRの
到達点のパターンの特徴を誇張して示したもので
ある。第３図は一例として、第２図に示された蛍
光スクリーン１における第１象限のコーナー部Ｃ
の電子ビーム到達点を拡大して示したものであ
る。第３図では、シヤドウマスク２の孔２―１
（図示せず、以下同じ）により電子ビームのトリ
オが作るトリオをB1，G1，R1とし、右横の孔２
―２によるものをB2，G2，R2としている。また、
孔２―１に対し右斜下の孔２―３によるものが
B3，G3，R3である。ここで問題はB1，G1，R1で
作る破線ＤとB2，G2，R2で作る破線ＥとがR1と
B2間で段違いになることである。この結果とし
て、たとえば第２図に示す蛍光スクリーン１の右
上コーナー部Ｃでは、第３図のようにB3とR1間
の間隔が異常にせまくなる。この点がドツト―イ
ンラインタイプのランデイング特性の不利な点の
１つである。
第４図は、理想的な場合の第３図に相当する図
である。ここでいう最稠密構造とは、この状態を
指していつており、正三角を密につめたようにな
つている。この場合に最も蛍光スクリーンを効果
的に使用していることになる。すなわち、スペー
スフアクターが良い状態である。
である。ここでいう最稠密構造とは、この状態を
指していつており、正三角を密につめたようにな
つている。この場合に最も蛍光スクリーンを効果
的に使用していることになる。すなわち、スペー
スフアクターが良い状態である。
第３図に相当する歪みをなくすために、シヤド
ウマスクの孔配列を第５図のようにしようという
のが上記特公昭50―19909号である。確かに上記
特公昭50―19909号の孔配列Ｆは第４図の状態に
近づけることが可能である。しかし問題は、その
際、周辺のマスク孔ピツチを小さくせざるを得な
いことである。すなわち対角方向ではＸ軸、Ｙ軸
のいずれの方向にもピツチを小さくせざるを得な
いのである。換言すれば、第３図のスペースフア
クターを大きくするためには、Ｘ，Ｙ軸両方向に
対してピツチを小さくせざるを得ず、したがつて
各電子ビームの到達点の局部的に見た全体の相互
距離が小さくなつてしまう。また、別の問題点と
しては、第５図に示したような孔配列Ｆのパター
ンはシヤドウマスクを作る上でかなり複雑で、高
価なものにならざるを得ない。
ウマスクの孔配列を第５図のようにしようという
のが上記特公昭50―19909号である。確かに上記
特公昭50―19909号の孔配列Ｆは第４図の状態に
近づけることが可能である。しかし問題は、その
際、周辺のマスク孔ピツチを小さくせざるを得な
いことである。すなわち対角方向ではＸ軸、Ｙ軸
のいずれの方向にもピツチを小さくせざるを得な
いのである。換言すれば、第３図のスペースフア
クターを大きくするためには、Ｘ，Ｙ軸両方向に
対してピツチを小さくせざるを得ず、したがつて
各電子ビームの到達点の局部的に見た全体の相互
距離が小さくなつてしまう。また、別の問題点と
しては、第５図に示したような孔配列Ｆのパター
ンはシヤドウマスクを作る上でかなり複雑で、高
価なものにならざるを得ない。
一方、この問題のために、たとえば、特開昭57
―34640号公報、特開昭56―71256号公報、および
特開昭56―41648号公報に開示されているように、
種々の孔配列が案出されているが、いずれも１次
元の孔配列であり、完全に問題を解消し得るもの
ではなかつた。
―34640号公報、特開昭56―71256号公報、および
特開昭56―41648号公報に開示されているように、
種々の孔配列が案出されているが、いずれも１次
元の孔配列であり、完全に問題を解消し得るもの
ではなかつた。
この発明は上記のような点に鑑みてなされたも
ので、シヤドウマスクの孔配列をより効果的な２
次元的な改良パターンとし、蛍光スクリーン上で
は従来の問題の最小の間隔（第３図の例ではR1
とG1，B2，B3，G3間の寸法）を一層大きくする
ようになし、しかも、シヤドウマスクも作りやす
いものとし、最終的に一層効果的にランデイング
裕度を大きくできるカラー受像管を提供しようと
するものである。
ので、シヤドウマスクの孔配列をより効果的な２
次元的な改良パターンとし、蛍光スクリーン上で
は従来の問題の最小の間隔（第３図の例ではR1
とG1，B2，B3，G3間の寸法）を一層大きくする
ようになし、しかも、シヤドウマスクも作りやす
いものとし、最終的に一層効果的にランデイング
裕度を大きくできるカラー受像管を提供しようと
するものである。
以下、この発明の一実施例を図面にもとづいて
説明する。
説明する。
第６図はこの発明の一実施例にかかるカラー受
像管のフラツトな状態でのシヤドウマスク２の孔
配列を示すものである。第２図に示した蛍光スク
リーン１の中央に相当するマスク有孔部の中心
からＹ軸方向には、ピツチa0で孔２ａが穿たれて
いる。Ｘ軸上には、中心のつぎには偶数列ごと
にb2Nのピツチ離れたところに孔２ａがあり、そ
の孔２ａのＹ軸方向のピツチはＸ軸より離れるに
したがつてＹ軸に平行のまま徐々に小さくなつて
いる。奇数列目は偶数列の中間上にあり、奇数列
目のＹ軸方向の孔位置はたとえば偶数列（Ｘ軸方
向にＰ列目）のＭ番目とＭ＋１番目の孔とつぎの
偶数列（Ｐ＋２）のＭ番目とＭ＋１番目の孔に囲
まれた奇数列（Ｐ＋１）目の孔の高さは、上記４
個の孔位置のほぼ平均と等しくなつている。すな
わちＸ軸近辺の奇数列のＹ方向の１番目の孔の高
さは、ほぼＹ＝１／2a0の位置にある。たとえば、
ｎ列目の孔の分布を説明すると、Ｘ軸方向には
Ｎ／２b2Nの距離にあり、Ｙ軸方向には最初のＹ軸方 向へのピツチはanであり、Ｙ軸方向のｍ個目の
孔ピツチもanとなつている。
像管のフラツトな状態でのシヤドウマスク２の孔
配列を示すものである。第２図に示した蛍光スク
リーン１の中央に相当するマスク有孔部の中心
からＹ軸方向には、ピツチa0で孔２ａが穿たれて
いる。Ｘ軸上には、中心のつぎには偶数列ごと
にb2Nのピツチ離れたところに孔２ａがあり、そ
の孔２ａのＹ軸方向のピツチはＸ軸より離れるに
したがつてＹ軸に平行のまま徐々に小さくなつて
いる。奇数列目は偶数列の中間上にあり、奇数列
目のＹ軸方向の孔位置はたとえば偶数列（Ｘ軸方
向にＰ列目）のＭ番目とＭ＋１番目の孔とつぎの
偶数列（Ｐ＋２）のＭ番目とＭ＋１番目の孔に囲
まれた奇数列（Ｐ＋１）目の孔の高さは、上記４
個の孔位置のほぼ平均と等しくなつている。すな
わちＸ軸近辺の奇数列のＹ方向の１番目の孔の高
さは、ほぼＹ＝１／2a0の位置にある。たとえば、
ｎ列目の孔の分布を説明すると、Ｘ軸方向には
Ｎ／２b2Nの距離にあり、Ｙ軸方向には最初のＹ軸方 向へのピツチはanであり、Ｙ軸方向のｍ個目の
孔ピツチもanとなつている。
第７図Ａの縦軸方向はＹ軸方向の孔ピツチを示
しており、横軸はＸ軸方向のｎ個の孔位置の座標
を示している。たとえば、この孔の分布はＸ軸方
向にｎ列目のピツチとして、つぎのように表わし
てもよい。
しており、横軸はＸ軸方向のｎ個の孔位置の座標
を示している。たとえば、この孔の分布はＸ軸方
向にｎ列目のピツチとして、つぎのように表わし
てもよい。
a0（１−Ｋ・n2）
ただし、上式でa0は0.320、Ｋは7.59×10-8単位
はmmである。
はmmである。
第７図Ｂの縦軸はＸ軸方向のピツチ、横軸はＸ
軸方向の孔位置の座標を示している。この発明の
ものと従来提案されているものとはこの点が異な
つている。すなわちＸ軸方向についてもＸ軸方向
のピツチが変えられており、しかもスクリーン端
に向うにつれてピツチが徐々に大きくなるように
設定されている。
軸方向の孔位置の座標を示している。この発明の
ものと従来提案されているものとはこの点が異な
つている。すなわちＸ軸方向についてもＸ軸方向
のピツチが変えられており、しかもスクリーン端
に向うにつれてピツチが徐々に大きくなるように
設定されている。
たとえば具体的な式としては
b2N＝b0（１＋Kin2）
ここで、上式でb0は0.554、K1は3.06×10-7、
単位はmmである。（ｎ＝700のときb2N＝0.637） 具体的な例で示すと、たとえば20インチサイズ
では第８図に示すように、電子ビームのトリオ
B1，G1，R1のＸ軸との傾斜は３〜6゜程度であり、
一般に「電子ビームトリオの傾斜＞対応の蛍光体
トリオの傾斜」であるから３〜4゜位の傾斜が好ま
しい。第７図Ａによる孔配列はこの傾斜を修正す
るものである。
単位はmmである。（ｎ＝700のときb2N＝0.637） 具体的な例で示すと、たとえば20インチサイズ
では第８図に示すように、電子ビームのトリオ
B1，G1，R1のＸ軸との傾斜は３〜6゜程度であり、
一般に「電子ビームトリオの傾斜＞対応の蛍光体
トリオの傾斜」であるから３〜4゜位の傾斜が好ま
しい。第７図Ａによる孔配列はこの傾斜を修正す
るものである。
第９図Ａは上記傾斜を修正することによる第３
図のB3―R1の間隔寸法がどの程度修正されたか
を説明するためのものである。同図において、縦
軸は修正される寸法（μm）、横軸は修正する傾斜
の角度を示している。この図から明らかなように
第７図Ａによつて約15μm修正される。
図のB3―R1の間隔寸法がどの程度修正されたか
を説明するためのものである。同図において、縦
軸は修正される寸法（μm）、横軸は修正する傾斜
の角度を示している。この図から明らかなように
第７図Ａによつて約15μm修正される。
第９図Ｂは第７図ＢのＸ軸方向のピツチの変更
によるスペースフアクターの改良を説明するため
のものである。同図において、縦軸は最小寸法が
大きくなる割合（％）、横軸はピツチの大きくな
る割合（％）である。この図から明らかなように
改良される割合は１：１で、ピツチに比例する。
たとえば従来横方向のピツチが0.3×√３×１／２で あり、この発明のように0.3×√３×１／２×1.15、 すなわち15％ピツチを大きくした場合横方向につ
いて15％有利であり、隣接するものとの寸法関係
についても約４％（実際の寸法で約7μm）有利と
なる。
によるスペースフアクターの改良を説明するため
のものである。同図において、縦軸は最小寸法が
大きくなる割合（％）、横軸はピツチの大きくな
る割合（％）である。この図から明らかなように
改良される割合は１：１で、ピツチに比例する。
たとえば従来横方向のピツチが0.3×√３×１／２で あり、この発明のように0.3×√３×１／２×1.15、 すなわち15％ピツチを大きくした場合横方向につ
いて15％有利であり、隣接するものとの寸法関係
についても約４％（実際の寸法で約7μm）有利と
なる。
上記のような構造となつているために、第５図
と比較した場合には、第５図のパターンがＹ軸方
向には「バレル」、Ｘ軸方向には「ピンクツシヨ
ン」で形成されていたのに対して、この発明の場
合にはＹ軸方向にのみ「バレル」のパターンであ
り、しかもＸ軸方向にはＹ軸と平行となつてい
る。したがつて、シヤドウマスクの孔配列が作り
やすく、ひいてはシヤドウマスクの値段のコスト
上昇分を極力抑えることができる。
と比較した場合には、第５図のパターンがＹ軸方
向には「バレル」、Ｘ軸方向には「ピンクツシヨ
ン」で形成されていたのに対して、この発明の場
合にはＹ軸方向にのみ「バレル」のパターンであ
り、しかもＸ軸方向にはＹ軸と平行となつてい
る。したがつて、シヤドウマスクの孔配列が作り
やすく、ひいてはシヤドウマスクの値段のコスト
上昇分を極力抑えることができる。
なお、上記説明ではＹ軸上および任意のＸ＝Ｘ
でのＹ軸方向の孔ピツチが常に一定の場合で説明
したが、必ずしも同一ピツチでなくてもよいこと
はいうまでもなく、孔の分布がＹ軸方向にはバレ
ルで、Ｘ軸方向には常にＹ軸に孔配列が平行であ
り、かつ周囲に向うにつれてＸ軸方向のピツチが
大となることが肝要である。
でのＹ軸方向の孔ピツチが常に一定の場合で説明
したが、必ずしも同一ピツチでなくてもよいこと
はいうまでもなく、孔の分布がＹ軸方向にはバレ
ルで、Ｘ軸方向には常にＹ軸に孔配列が平行であ
り、かつ周囲に向うにつれてＸ軸方向のピツチが
大となることが肝要である。
さらに、この発明のカラー受像管は、キヤラク
ター、グラフなどを映出するのに使用されること
が多いが、このような場合、Ｙ軸方向については
通常ピツチの公差で±25μm程度（50μmの差）が
限度である。またＸ軸方向についてはセンターに
比べて20％増までが限度である。たとえば最稠密
構造でＹ軸方向が0.300であるとき、Ｘ軸方向に
ついては約0.52mmがピツチであり、センターでこ
の値に選んだ時周辺で20％増、すなわち約0.62が
実用上の限度値であることもわかつた。ピツチが
0.300mm付近の高解像度受像管において、7μm程
度の改良は著るしい改良を意味するもので、完成
管の状態でのランデイング裕度を大きくするだけ
ではなく、蛍光面作成上での歩留りも著るしく改
良できるものである。
ター、グラフなどを映出するのに使用されること
が多いが、このような場合、Ｙ軸方向については
通常ピツチの公差で±25μm程度（50μmの差）が
限度である。またＸ軸方向についてはセンターに
比べて20％増までが限度である。たとえば最稠密
構造でＹ軸方向が0.300であるとき、Ｘ軸方向に
ついては約0.52mmがピツチであり、センターでこ
の値に選んだ時周辺で20％増、すなわち約0.62が
実用上の限度値であることもわかつた。ピツチが
0.300mm付近の高解像度受像管において、7μm程
度の改良は著るしい改良を意味するもので、完成
管の状態でのランデイング裕度を大きくするだけ
ではなく、蛍光面作成上での歩留りも著るしく改
良できるものである。
ここで、上記Ｙ軸方向について±25μmの公差
に限定し、また、Ｘ軸方向について20％増（セン
ターに比べて1.2倍増）に限定した理由は、仮り
に、Ｙ軸方向の公差を±25μm以上とし、また、
Ｘ＝Ｘのピツチをb0に対して20％増以上とした場
合には、解像度上の不都合が生じて、市場では受
け入れられないためである。
に限定し、また、Ｘ軸方向について20％増（セン
ターに比べて1.2倍増）に限定した理由は、仮り
に、Ｙ軸方向の公差を±25μm以上とし、また、
Ｘ＝Ｘのピツチをb0に対して20％増以上とした場
合には、解像度上の不都合が生じて、市場では受
け入れられないためである。
なお、上記孔パターンの説明はフラツトマスク
で説明したが、実際にはドーム状に成形し、その
後、電子ビームとの関連を調べ、フラツトマスク
にその結果をフイードバツクしているので、フラ
ツトマスクで議論するのがより実際的である。
で説明したが、実際にはドーム状に成形し、その
後、電子ビームとの関連を調べ、フラツトマスク
にその結果をフイードバツクしているので、フラ
ツトマスクで議論するのがより実際的である。
この発明を要約すると、電子銃のインライン配
列の方向をＸ軸とし、それと蛍光スクリーンのほ
ぼ中央を含む直角な方向をＹ軸と定義したとき
に、フラツトな状態でのシヤドウマスクの孔配列
がＹ軸方向については常にＹ軸に平行であり、Ｙ
軸方向のピツチについては、Ｙ軸上でＸ軸から数
えてｍ個目の孔のピツチをa0、Ｙ軸に平行なｎ例
目で、Ｘ軸から数えてｍ個目の孔のピツチをanm
としたとき、このピツチanmは、上記Ｙ軸上のピ
ツチa0に比べて、 a0−50（μm）≦anm＜a0 であり、かつ、上記ピツチanmは、Ｙ軸から遠ざ
かるに従つて徐々に小さくなつている。
列の方向をＸ軸とし、それと蛍光スクリーンのほ
ぼ中央を含む直角な方向をＹ軸と定義したとき
に、フラツトな状態でのシヤドウマスクの孔配列
がＹ軸方向については常にＹ軸に平行であり、Ｙ
軸方向のピツチについては、Ｙ軸上でＸ軸から数
えてｍ個目の孔のピツチをa0、Ｙ軸に平行なｎ例
目で、Ｘ軸から数えてｍ個目の孔のピツチをanm
としたとき、このピツチanmは、上記Ｙ軸上のピ
ツチa0に比べて、 a0−50（μm）≦anm＜a0 であり、かつ、上記ピツチanmは、Ｙ軸から遠ざ
かるに従つて徐々に小さくなつている。
一方、Ｘ軸方向のピツチについては、スクリー
ン中央でのピツチをb0、任意のＸ＝Ｘでのピツチ
をｂとしたとき、このｂは、上記b0に比べて、 b0＜ｂ≦b0×1.2 であり、かつ、上記ｂは、Ｙ軸から遠ざかるに従
つて徐々に大きくしたフラツトマスクを構成し、
このフラツトマスクを曲面状のシヤドウマスクに
形成したことである。
ン中央でのピツチをb0、任意のＸ＝Ｘでのピツチ
をｂとしたとき、このｂは、上記b0に比べて、 b0＜ｂ≦b0×1.2 であり、かつ、上記ｂは、Ｙ軸から遠ざかるに従
つて徐々に大きくしたフラツトマスクを構成し、
このフラツトマスクを曲面状のシヤドウマスクに
形成したことである。
上記構成において、Ｙ軸方向のピツチを、Ｙ軸
から遠ざかるに従つて、公差±25μmの範囲内で
徐々に小さくし、一方、Ｘ軸方向のピツチを、Ｙ
軸から遠ざかるに従つて、上記20％増の範囲内で
徐々に大きくしたので、スクリーン周辺での水平
解像度が若干低下する反面、電子ビームのチルト
現象を補正して、ランデイング裕度を大きくでき
る。
から遠ざかるに従つて、公差±25μmの範囲内で
徐々に小さくし、一方、Ｘ軸方向のピツチを、Ｙ
軸から遠ざかるに従つて、上記20％増の範囲内で
徐々に大きくしたので、スクリーン周辺での水平
解像度が若干低下する反面、電子ビームのチルト
現象を補正して、ランデイング裕度を大きくでき
る。
ここで、上記Ｘ軸のピツチを徐々に大きくする
ことにより、スクリーン周辺の水平解像度が若干
低下するという問題はあるが、この発明の特徴
は、水平解像度よりもランデイング裕度の確保を
重視した点に特徴がある。
ことにより、スクリーン周辺の水平解像度が若干
低下するという問題はあるが、この発明の特徴
は、水平解像度よりもランデイング裕度の確保を
重視した点に特徴がある。
つまり、デイスプレイ用のカラー受像管は、一
般に、偏向歪の関係でＸ軸方向に電子ビームが
延びて、常にスクリーン周辺の水平解像度が低下
する傾向にあること、シヤドウマスク２の孔の
ピツチが小さいため、電子ビームのチルト現象に
よるランデイング裕度の方が上記水平解像度より
も致命的であること、という２つの特性を有して
いる。
般に、偏向歪の関係でＸ軸方向に電子ビームが
延びて、常にスクリーン周辺の水平解像度が低下
する傾向にあること、シヤドウマスク２の孔の
ピツチが小さいため、電子ビームのチルト現象に
よるランデイング裕度の方が上記水平解像度より
も致命的であること、という２つの特性を有して
いる。
したがつて、水平解像度を若干犠性にしてで
も、ランデイング裕度を大きくする方が、カラー
受像管の致命的な欠陥をなくす点で極めて有利と
なる。
も、ランデイング裕度を大きくする方が、カラー
受像管の致命的な欠陥をなくす点で極めて有利と
なる。
さらに、この実施例では、シヤドウマスク２の
孔配列を２次元的（Ｘ軸、Ｙ軸）な改良パターン
としたので、スクリーン周辺での孔の最小ピツチ
を大きくして、スペースフアクターを良好にでき
る効果がある。
孔配列を２次元的（Ｘ軸、Ｙ軸）な改良パターン
としたので、スクリーン周辺での孔の最小ピツチ
を大きくして、スペースフアクターを良好にでき
る効果がある。
この発明は以上のような構成となつているため
に、蛍光スクリーン上での電子ビーム間相互の間
隔が実用的にあらゆる方向で最大となつているた
め二方向のスペースフアクターを良好にできる。
しかも、スクリーン周辺での水平解像度を若干犠
性にすることにより、最小限のピツチの変化の範
囲で大きいランデイング裕度が得られ、またシヤ
ドウマスクを容易に作成できる低コストのカラー
受像管を提供することができる。
に、蛍光スクリーン上での電子ビーム間相互の間
隔が実用的にあらゆる方向で最大となつているた
め二方向のスペースフアクターを良好にできる。
しかも、スクリーン周辺での水平解像度を若干犠
性にすることにより、最小限のピツチの変化の範
囲で大きいランデイング裕度が得られ、またシヤ
ドウマスクを容易に作成できる低コストのカラー
受像管を提供することができる。
第１図は電子銃のインライン配列とシヤドウマ
スクの孔配列の関係とＸ，Ｙ軸とを説明する図、
第２図は蛍光スクリーン上で電子ビームが傾斜す
ることを説明する図、第３図は第２図の詳細を説
明する図、第４図は理想的な場合の第３図に相当
する図、第５図は第３図に相当する歪みをなくす
ためのシヤドウマスクの孔配列を示す図、第６図
はこの発明の一実施例にかかるカラー受像管のシ
ヤドウマスクの孔パターンを示す図、第７図Ａは
この発明のＹ軸方向のピツチの変化を示す図、第
７図Ｂは同Ｘ軸方向のピツチの変化を示す図、第
８図は電子ビームトリオの傾斜を説明する図、第
９図Ａ，Ｂはそれぞれ第７図Ａ，Ｂにより隣接す
るビームとの間隔寸法が改良された程度を示す図
である。 １……蛍光スクリーン、BB，BG，BR……電
子銃、２……シヤドウマスク、２ａ……孔。な
お、図中、同一符号は同一または相当部分を示
す。
スクの孔配列の関係とＸ，Ｙ軸とを説明する図、
第２図は蛍光スクリーン上で電子ビームが傾斜す
ることを説明する図、第３図は第２図の詳細を説
明する図、第４図は理想的な場合の第３図に相当
する図、第５図は第３図に相当する歪みをなくす
ためのシヤドウマスクの孔配列を示す図、第６図
はこの発明の一実施例にかかるカラー受像管のシ
ヤドウマスクの孔パターンを示す図、第７図Ａは
この発明のＹ軸方向のピツチの変化を示す図、第
７図Ｂは同Ｘ軸方向のピツチの変化を示す図、第
８図は電子ビームトリオの傾斜を説明する図、第
９図Ａ，Ｂはそれぞれ第７図Ａ，Ｂにより隣接す
るビームとの間隔寸法が改良された程度を示す図
である。 １……蛍光スクリーン、BB，BG，BR……電
子銃、２……シヤドウマスク、２ａ……孔。な
お、図中、同一符号は同一または相当部分を示
す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子銃のインライン配列の方向をＸ軸とし、
それと蛍光スクリーンのほぼ中央を含む直角な方
向をＹ軸と定義したときに、フラツトな状態での
シヤドウマスクの孔配列がＹ軸方向については常
にＹ軸に平行であり、Ｙ軸方向のピツチについて
は、Ｙ軸上でＸ軸から数えてｍ個目の孔のピツチ
をa0、Ｙ軸に平行なｎ列目で、Ｘ軸から数えてｍ
個目の孔のピツチをanmとしたとき、このanm
は、上記Ｙ軸上のピツチa0に比べて、 a0−50（μm）≦anm＜a0 であり、かつ、上記anmは、Ｙ軸から遠ざかるに
従つて徐々に小さくなつており、しかも、Ｘ軸方
向のピツチについては、スクリーン中央でのピツ
チをb0、任意のＸ＝Ｘでのピツチをｂとしたと
き、このｂは、上記b0に比べて、 b0＜ｂ≦b0×1.2 であり、かつ、上記ｂは、Ｙ軸から遠ざかるに従
つて徐々に大きくなつているフラツトマスクを構
成し、このフラツトマスクを曲面状に形成してな
るシヤドウマスクを備えたことを特徴とするカラ
ー受像管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20309782A JPS5991634A (ja) | 1982-11-17 | 1982-11-17 | カラ−受像管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20309782A JPS5991634A (ja) | 1982-11-17 | 1982-11-17 | カラ−受像管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5991634A JPS5991634A (ja) | 1984-05-26 |
| JPS6337933B2 true JPS6337933B2 (ja) | 1988-07-27 |
Family
ID=16468323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20309782A Granted JPS5991634A (ja) | 1982-11-17 | 1982-11-17 | カラ−受像管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5991634A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6258548A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-14 | Toshiba Corp | インライン型カラ−ブラウン管 |
| KR900004820B1 (ko) * | 1987-03-03 | 1990-07-07 | 미쓰비시덴기 가부시기가이샤 | 새도 마스크식 컬러 브라운관 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641648A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-18 | Hitachi Ltd | Cathode ray tube |
| JPS5671256A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-13 | Hitachi Ltd | Shadow mask cathode-ray tube |
| JPS5734640A (en) * | 1980-08-11 | 1982-02-25 | Nec Corp | Color cathode-ray tube |
| JPS58100338A (ja) * | 1981-12-10 | 1983-06-15 | Mitsubishi Electric Corp | シヤドウマスク式カラ−ブラウン管 |
-
1982
- 1982-11-17 JP JP20309782A patent/JPS5991634A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5991634A (ja) | 1984-05-26 |
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