JPS6340332A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6340332A JPS6340332A JP61184427A JP18442786A JPS6340332A JP S6340332 A JPS6340332 A JP S6340332A JP 61184427 A JP61184427 A JP 61184427A JP 18442786 A JP18442786 A JP 18442786A JP S6340332 A JPS6340332 A JP S6340332A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor device
- bonding pad
- silicate glass
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
- H10W72/923—Bond pads having multiple stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/951—Materials of bond pads
- H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/981—Auxiliary members, e.g. spacers
- H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
この発明は半導体装置に関し、特にボンディングパッド
を有する半導体装置の耐湿性の改良に関するものである
。
を有する半導体装置の耐湿性の改良に関するものである
。
［従来の技術］
第３図は、たとえば特開昭６１−１８９８号に示された
従来の半導体装置の平面図、および第４図はこの断面図
である。
従来の半導体装置の平面図、および第４図はこの断面図
である。
図において、半導体基板１上にフィールド酸化１１２が
形成されており、その上にシリケートガラスｌｌ１３が
形成されている。さらに、シリケートガラス９Ｉ３上に
ポリシリコンｌＩ６を介してアルミ合金ボンディングパ
ッド４とアルミ配線部７とが連続形成され、また、アル
ミ合金ボンディングパッド４上に開口を有する窒化シリ
コン１１５が、アルミ合金ボンディングパッド４および
アルミ配線部７を被覆している。
形成されており、その上にシリケートガラスｌｌ１３が
形成されている。さらに、シリケートガラス９Ｉ３上に
ポリシリコンｌＩ６を介してアルミ合金ボンディングパ
ッド４とアルミ配線部７とが連続形成され、また、アル
ミ合金ボンディングパッド４上に開口を有する窒化シリ
コン１１５が、アルミ合金ボンディングパッド４および
アルミ配線部７を被覆している。
最近の半導体装置の動向として、高機能化、高速化およ
び高集積化が要求されており、高集積化に伴なうパター
ンの微細化、すなわち、多層配線構造が益々進展してい
る。
び高集積化が要求されており、高集積化に伴なうパター
ンの微細化、すなわち、多層配線構造が益々進展してい
る。
上記従来技術における、シリケートガラス１１３はたと
えばポリシリコンまたは二酸化シリコン膜上に気相成長
法等で形成され、高温の熱処理によって溶融状態となる
のでポリシリコンまたは二酸化シリコン膜の形成時に存
在した急激な段差を緩和し、また、その後に形成される
アルミ配線部７等のステップカバレッジの改良に用いら
れ、さらに、封止樹脂等に含まれるＮａイオン等の可動
イオンに対するトラップ効果を有し、電気的特性の安定
化に橘めて有効であるので、高集積化を目指す半導体装
置にとって必要不可欠なものとなっている。
えばポリシリコンまたは二酸化シリコン膜上に気相成長
法等で形成され、高温の熱処理によって溶融状態となる
のでポリシリコンまたは二酸化シリコン膜の形成時に存
在した急激な段差を緩和し、また、その後に形成される
アルミ配線部７等のステップカバレッジの改良に用いら
れ、さらに、封止樹脂等に含まれるＮａイオン等の可動
イオンに対するトラップ効果を有し、電気的特性の安定
化に橘めて有効であるので、高集積化を目指す半導体装
置にとって必要不可欠なものとなっている。
また、窒化シリコンｌａ５は可動イオンおよび水分等の
侵入を阻止する性質を有し、シリケートガラス膜３の絶
縁性保護膜として非常に適している。
侵入を阻止する性質を有し、シリケートガラス膜３の絶
縁性保護膜として非常に適している。
また、アルミ合金ボンディングパッド４下に形成されて
いるポリシリコン！１１６は、アルミ合金ボンディング
パッド４部から侵入する水分のシリケートガラス部への
到達に対する遮蔽効果があるとされている。
いるポリシリコン！１１６は、アルミ合金ボンディング
パッド４部から侵入する水分のシリケートガラス部への
到達に対する遮蔽効果があるとされている。
［発明が解決しようとする問題点］
上記のような従来の半導体装置では、アルミ合金ボンデ
ィングパッド４と窒化シリコン１１５との密着性が悪く
、こＱ境界部から水分が侵入する。
ィングパッド４と窒化シリコン１１５との密着性が悪く
、こＱ境界部から水分が侵入する。
侵入した水分はポリシリコン膜６の遮蔽効果は完全でな
いため、その一部はシリケートガラス１ｌｉ１３に達し
、シリケートガラスｌｌ１３の成分であるリンまたはホ
ウ素と反応してリン酸またはホウ酸となる。このリン酸
またはホウ酸がアルミ配線部７を腐蝕するため動作上信
頼性に欠ける半導体装置となっていた。
いため、その一部はシリケートガラス１ｌｉ１３に達し
、シリケートガラスｌｌ１３の成分であるリンまたはホ
ウ素と反応してリン酸またはホウ酸となる。このリン酸
またはホウ酸がアルミ配線部７を腐蝕するため動作上信
頼性に欠ける半導体装置となっていた。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、このような水分の侵入を防ぐ耐湿性に優れた半導体
装置を得ることを目的とする。
で、このような水分の侵入を防ぐ耐湿性に優れた半導体
装置を得ることを目的とする。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、ボンディングパッド部と
配線部とを分離し、両者間をたとえばポリシリコン膜ま
たはタングステン・シリサイド膜等の窒化シリコン瑛と
の密着性の良い接続膜で接合するものである。
配線部とを分離し、両者間をたとえばポリシリコン膜ま
たはタングステン・シリサイド膜等の窒化シリコン瑛と
の密着性の良い接続膜で接合するものである。
［作用］
この発明においては、ボンディングパッド部を腐蝕され
易いアルミ配線部から分離し、この間を窒化シリコン膜
と密着性の良い接続膜でシールするので、ボンデインク
パッドと窒化シリコン膜との境界部から侵入した水分は
、アルミ配線部まで到達せず、アルミ配線部の腐蝕を防
止することができる。
易いアルミ配線部から分離し、この間を窒化シリコン膜
と密着性の良い接続膜でシールするので、ボンデインク
パッドと窒化シリコン膜との境界部から侵入した水分は
、アルミ配線部まで到達せず、アルミ配線部の腐蝕を防
止することができる。
［発明の実施例］
第１図はこの発明の一実施例を示す平面図、および第２
図はこの断面図である。
図はこの断面図である。
図において、符号１〜３は従来ＩＩと同一である。シリ
ケートガラス１１３上にアルミ合金ボンディングパッド
４がアルミ配線部７と分離して形成され、両者がポリシ
リコン膜６にて接合されている。また、アルミ合金ボン
ディングパッド４上に開口を有する窒化シリコンｌ１１
５によって、アルミ合金ボンディングパッド４、ポリシ
リコン１６およびアルミ配線部７上が被覆されている。
ケートガラス１１３上にアルミ合金ボンディングパッド
４がアルミ配線部７と分離して形成され、両者がポリシ
リコン膜６にて接合されている。また、アルミ合金ボン
ディングパッド４上に開口を有する窒化シリコンｌ１１
５によって、アルミ合金ボンディングパッド４、ポリシ
リコン１６およびアルミ配線部７上が被覆されている。
上記のように構成された半導体装置においては、アルミ
合金ボンディングパッド４と窒化シリコン膜５との境界
部から侵入した水分は、ポリシリコンｇＩ６と窒化シリ
コン膜５との１！！着効果によりアルミ配線部７まで到
達しないので、アルミ配線部７の腐蝕を防止することが
できる。
合金ボンディングパッド４と窒化シリコン膜５との境界
部から侵入した水分は、ポリシリコンｇＩ６と窒化シリ
コン膜５との１！！着効果によりアルミ配線部７まで到
達しないので、アルミ配線部７の腐蝕を防止することが
できる。
なお、上記実施例ではポリシリコン膜６をアルミ合金ボ
ンディングパッド４下の一部に設けているが、パッド下
全面に形成しても、またはパッドより大きくしてパッド
全周において窒化シリコン膜５と密着させれば、より一
層の効果を秦する。
ンディングパッド４下の一部に設けているが、パッド下
全面に形成しても、またはパッドより大きくしてパッド
全周において窒化シリコン膜５と密着させれば、より一
層の効果を秦する。
また、上記実施例ではボンディングパッドと配線部との
接合をポリシリコン膜にて形成したが、タングステン・
シリサイド膜としても同様の効果を奏する。
接合をポリシリコン膜にて形成したが、タングステン・
シリサイド膜としても同様の効果を奏する。
［発明の効果］
この発明は以上説明したとおり、ボンディングパッド部
に侵入した水分を配線部に到達させない構造としたので
、この水分の反応物による配線部の腐蝕を防止でき、動
作上信頼のおける半導体装置を得る効果がある。
に侵入した水分を配線部に到達させない構造としたので
、この水分の反応物による配線部の腐蝕を防止でき、動
作上信頼のおける半導体装置を得る効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す平面図、第２図はこ
の断面図、第３図は従来装置の平面図、および第４図は
この断面図である。 図において、１は半導体基板、２はフィールド酸化膜、
３はシリケートガラス膜、４はアルミ合金ボンディング
パッド、５は窒化シリコン膜、６はポリシリコン膜、７
はアルミ配線部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
の断面図、第３図は従来装置の平面図、および第４図は
この断面図である。 図において、１は半導体基板、２はフィールド酸化膜、
３はシリケートガラス膜、４はアルミ合金ボンディング
パッド、５は窒化シリコン膜、６はポリシリコン膜、７
はアルミ配線部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (5)
- （１）半導体基板と、 前記半導体基板上に形成されるフィールド酸化膜と、 前記フィールド酸化膜上に形成されるシリケートガラス
膜と、 前記シリケートガラス膜上に形成される配線と、前記シ
リケートガラス膜上に形成され、かつ、前記配線と分離
しているボンディングパッドと、前記配線と前記ボンデ
ィングパッドとを接続する接続膜と、 前記ボンディングパッド上に開口を有し、前記半導体表
面を被覆する絶縁性保護膜とを備え、前記接続膜は、水
分の侵入を阻止する目的において前記絶縁性保護膜と密
着性の良い材料であることを特徴とする、半導体装置。 - （２）前記接続膜は、ポリシリコンであることを特徴と
する、特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 - （３）前記接続膜は、タングステン・シリサイドである
ことを特徴とする、特許請求の範囲第１項記載の半導体
装置。 - （４）前記シリケートガラス膜は、リン珪酸ガラス（Ｐ
ＳＧ）であることを特徴とする、特許請求の範囲第１項
記載の半導体装置。 - （５）前記シリケートガラス膜は、ホウ珪酸ガラス（Ｂ
ＳＧ）であることを特徴とする、特許請求の範囲第１項
記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61184427A JPS6340332A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61184427A JPS6340332A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6340332A true JPS6340332A (ja) | 1988-02-20 |
Family
ID=16152963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61184427A Pending JPS6340332A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6340332A (ja) |
-
1986
- 1986-08-05 JP JP61184427A patent/JPS6340332A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5699611A (en) | Method of hermetically self-sealing a flip chip | |
| JPS6094744A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPS59110122A (ja) | 窒化膜を有する半導体集積回路装置 | |
| JPS5821850A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6340332A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6340333A (ja) | 半導体装置 | |
| EP0902468B1 (en) | Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the device | |
| JP3098333B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US4824801A (en) | Method of manufacturing aluminum bonding pad with PSG coating | |
| JPS63308924A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6057635A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60145628A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02165646A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0414833A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04206651A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6232636A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3354716B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS617638A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6320845A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS62232147A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2806538B2 (ja) | 集積回路装置 | |
| JPH0364926A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04360562A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05102335A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62269332A (ja) | 半導体装置 |