JPH04360562A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04360562A JPH04360562A JP3136416A JP13641691A JPH04360562A JP H04360562 A JPH04360562 A JP H04360562A JP 3136416 A JP3136416 A JP 3136416A JP 13641691 A JP13641691 A JP 13641691A JP H04360562 A JPH04360562 A JP H04360562A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bumps
- semiconductor device
- leads
- film
- carrier tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
、フィルムキャリアテープを用いた半導体装置に関する
。
、フィルムキャリアテープを用いた半導体装置に関する
。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置は、大きく分けて樹脂
封止型とセラミック封止型との二つに分類されるが、近
年の半導体装置に対する小型・薄型化および多機能化の
要求に伴ない、フィルムキャリアテープを用いた半導体
装置（以下、ＴＡＢパッケージと呼ぶ）が急激に普及し
つつある。即ち、図３および図４に示されるように、搬
送および位置決め用のスプロケットホール２と絶縁フィ
ルム６の上に銅等の金属箔を接着させ、金属箔をエッチ
ング等により所望の形状のリード４と電気選別用パッド
５が形成されているフィルムキャリアテープ１において
、リード４と半導体素子７の電極端子上に形成されるバ
ンプ８とを位置合わせして、熱圧着法または共晶法等に
よりインナーリードボンデングする。ここで、リード４
の変形防止用として、絶縁フィルム６の枠であるサスペ
ンダー９を、予めフィルムキャリアテープ１に設けるこ
とや、信頼性向上および機械的保護のために、樹脂１０
をポッティングして封止を行う場合もある。その後、リ
ード４を所望の長さに切断して、プリント基板等のボン
ディングパッドにアウターリードボンディングする。
封止型とセラミック封止型との二つに分類されるが、近
年の半導体装置に対する小型・薄型化および多機能化の
要求に伴ない、フィルムキャリアテープを用いた半導体
装置（以下、ＴＡＢパッケージと呼ぶ）が急激に普及し
つつある。即ち、図３および図４に示されるように、搬
送および位置決め用のスプロケットホール２と絶縁フィ
ルム６の上に銅等の金属箔を接着させ、金属箔をエッチ
ング等により所望の形状のリード４と電気選別用パッド
５が形成されているフィルムキャリアテープ１において
、リード４と半導体素子７の電極端子上に形成されるバ
ンプ８とを位置合わせして、熱圧着法または共晶法等に
よりインナーリードボンデングする。ここで、リード４
の変形防止用として、絶縁フィルム６の枠であるサスペ
ンダー９を、予めフィルムキャリアテープ１に設けるこ
とや、信頼性向上および機械的保護のために、樹脂１０
をポッティングして封止を行う場合もある。その後、リ
ード４を所望の長さに切断して、プリント基板等のボン
ディングパッドにアウターリードボンディングする。
【０００３】これらのＴＡＢパッケージは、ボンディン
グ処理が、リード数と無関係に一度で行うことが可能で
あるためにスピードが速いこと、スプロケットホールを
用いて搬送、位置決めが可能であること、そして更に、
薄い絶縁フィルムおよび金属箔を用いるために、非常に
薄く仕上り、小型の半導体装置を提供することができる
等の利点を有している。
グ処理が、リード数と無関係に一度で行うことが可能で
あるためにスピードが速いこと、スプロケットホールを
用いて搬送、位置決めが可能であること、そして更に、
薄い絶縁フィルムおよび金属箔を用いるために、非常に
薄く仕上り、小型の半導体装置を提供することができる
等の利点を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置においては、隣接するフィルムキャリアテープ上の
リード、もしくは半導体素子の電極端子上に形成される
バンプ同士の間が完全には絶縁されていないために、リ
ーク電流が流れるという欠点がある。この対応として、
半導体装置の信頼性の向上および機械的の保護のために
、絶縁性樹脂による封止による防止策がとられるが、Ｔ
ＡＢパッケージの多ピン多機能化に伴なって、隣接する
リード、バンプの間隔がより狭くなり、上記の樹脂によ
る対策は限界にきている。そして、樹脂が狭いリード間
およびバンプ間に流れ込み難くなるために、半導体素子
表面が完全には被覆されず、上述のリーク電流が流れる
という欠点が依然として存在するとともに、更にリード
の変形に伴なう半導体素子表面のエッジに対する接触に
より、短絡不良を生じるという欠点がある。
装置においては、隣接するフィルムキャリアテープ上の
リード、もしくは半導体素子の電極端子上に形成される
バンプ同士の間が完全には絶縁されていないために、リ
ーク電流が流れるという欠点がある。この対応として、
半導体装置の信頼性の向上および機械的の保護のために
、絶縁性樹脂による封止による防止策がとられるが、Ｔ
ＡＢパッケージの多ピン多機能化に伴なって、隣接する
リード、バンプの間隔がより狭くなり、上記の樹脂によ
る対策は限界にきている。そして、樹脂が狭いリード間
およびバンプ間に流れ込み難くなるために、半導体素子
表面が完全には被覆されず、上述のリーク電流が流れる
という欠点が依然として存在するとともに、更にリード
の変形に伴なう半導体素子表面のエッジに対する接触に
より、短絡不良を生じるという欠点がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
フィルムキャリアテープ上のリードと、半導体素子の電
極端子上に形成されるバンプとを固着することによって
形成される半導体装置において、前記リードと前記バン
プとを固着して形成される固着部を有し、少なくとも当
該固着部のリードならびにバンプを気相成長処理を介し
て絶縁性無機薄膜により被覆することを特徴としている
。
フィルムキャリアテープ上のリードと、半導体素子の電
極端子上に形成されるバンプとを固着することによって
形成される半導体装置において、前記リードと前記バン
プとを固着して形成される固着部を有し、少なくとも当
該固着部のリードならびにバンプを気相成長処理を介し
て絶縁性無機薄膜により被覆することを特徴としている
。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００７】図１は本発明の第１の実施例を示す断面図
である。図１に示されるように、本実施例は、フィルム
キャリアテープ１（図３参照）の上のリード４と、半導
体素子７の電極端子上に形成されているバンプ８とを位
置合わせしてインナーリードボンディング（ＩＬＢ）し
、インナーリードボンディング後に、更に半導体素子７
の主表面およびバンプ８と、サスペンダー９より内側の
リード部とを絶縁性被膜１１により被覆して形成される
。絶縁被膜を形成するＳｉ３Ｎ４ は、化学的気相成長
法（ＣＶＤ）にて形成されており、シラン（Ｓｉ Ｈ４
）とアンモニア（ＮＨ２ ）の混合気体中にインナー
リードボンディング済のサンプルを入れ、光照射により
混合気体を反応させて、低温（２００〜２５０°Ｃ）お
よび常圧（１気圧）において、短時間（３０〜６０分）
で容易に膜形成することが可能である。
である。図１に示されるように、本実施例は、フィルム
キャリアテープ１（図３参照）の上のリード４と、半導
体素子７の電極端子上に形成されているバンプ８とを位
置合わせしてインナーリードボンディング（ＩＬＢ）し
、インナーリードボンディング後に、更に半導体素子７
の主表面およびバンプ８と、サスペンダー９より内側の
リード部とを絶縁性被膜１１により被覆して形成される
。絶縁被膜を形成するＳｉ３Ｎ４ は、化学的気相成長
法（ＣＶＤ）にて形成されており、シラン（Ｓｉ Ｈ４
）とアンモニア（ＮＨ２ ）の混合気体中にインナー
リードボンディング済のサンプルを入れ、光照射により
混合気体を反応させて、低温（２００〜２５０°Ｃ）お
よび常圧（１気圧）において、短時間（３０〜６０分）
で容易に膜形成することが可能である。
【０００８】半導体素子７自体およびインナーリードボ
ンディングの信頼性を維持するためには、低温、常圧お
よび短時間での膜形成が望ましい。また、サスペンダー
９より外側のリード部は、プリント基板に対する実装、
即ちアウターボンディング（ＯＬＢ）のためにマスク等
により遮蔽する必要がある。膜厚に制限はないが、短時
間での膜形成および膜のクラック防止という点では、１
０００〜２０００オングストローム程度が最適である。
ンディングの信頼性を維持するためには、低温、常圧お
よび短時間での膜形成が望ましい。また、サスペンダー
９より外側のリード部は、プリント基板に対する実装、
即ちアウターボンディング（ＯＬＢ）のためにマスク等
により遮蔽する必要がある。膜厚に制限はないが、短時
間での膜形成および膜のクラック防止という点では、１
０００〜２０００オングストローム程度が最適である。
【０００９】上述のような構造の半導体装置を形成する
ことにより、半導体素子７、リード４およびバンプ８の
絶縁が完全に確保されるために、リーク電流不良および
ショート不良等の障害が著しく低減され、インナーリー
ドボンディング部の接合信頼性の向上を図ることができ
る。下記の表１に、本実施例による効果の確認結果が表
示されているが、インナーリードボンディング部の接合
信頼性に関わる不良障害は完全に除去される。
ことにより、半導体素子７、リード４およびバンプ８の
絶縁が完全に確保されるために、リーク電流不良および
ショート不良等の障害が著しく低減され、インナーリー
ドボンディング部の接合信頼性の向上を図ることができ
る。下記の表１に、本実施例による効果の確認結果が表
示されているが、インナーリードボンディング部の接合
信頼性に関わる不良障害は完全に除去される。
【００１０】
【表１】
【００１１】図２に示されるのは、本発明の第２の実施
例を示す断面図である。図２に示されるように、本実施
例は、フィルムキャリアテープ１（図３参照）の上のリ
ード４と、半導体素子７の電極端子上に形成されている
バンプ８とを位置合わせしてインナーリードボンディン
グし、インナーリードボンディング後に、更に半導体素
子７の主表面およびバンプ８と、サスペンダー９より内
側のリード部とを絶縁性被膜１１により被覆して、その
上に、更に樹脂１０により、サスペンダー９の内側部分
、即ち半導体素子７の主表面および側面を封止し、半導
体装置の信頼性を向上させるとともに、リード４を機械
的に保護している。即ち、本実施例の第１の実施例との
相違点は、樹脂１０により、サスペンダー９の内側部分
、即ち半導体素子７の主表面および側面を封止している
点にある。この封止用の樹脂１０としては、溶剤タイプ
の液状エポキシ樹脂が挙げられる。
例を示す断面図である。図２に示されるように、本実施
例は、フィルムキャリアテープ１（図３参照）の上のリ
ード４と、半導体素子７の電極端子上に形成されている
バンプ８とを位置合わせしてインナーリードボンディン
グし、インナーリードボンディング後に、更に半導体素
子７の主表面およびバンプ８と、サスペンダー９より内
側のリード部とを絶縁性被膜１１により被覆して、その
上に、更に樹脂１０により、サスペンダー９の内側部分
、即ち半導体素子７の主表面および側面を封止し、半導
体装置の信頼性を向上させるとともに、リード４を機械
的に保護している。即ち、本実施例の第１の実施例との
相違点は、樹脂１０により、サスペンダー９の内側部分
、即ち半導体素子７の主表面および側面を封止している
点にある。この封止用の樹脂１０としては、溶剤タイプ
の液状エポキシ樹脂が挙げられる。
【００１２】半導体装置を、このような構造にすること
により、第１の実施例の場合と同様に、インナーリード
ボンディング部の接合信頼性を向上させることができる
とともに、従来、封止樹脂との密着性が余り良くなかっ
たバンプ８およびリード４等の部分を、封止樹脂との密
着性が良好なＳｉ３Ｎ４ 膜により被覆することによっ
て密着性が向上され、半導体装置の信頼性、特に耐湿性
を向上させることが可能となる。
により、第１の実施例の場合と同様に、インナーリード
ボンディング部の接合信頼性を向上させることができる
とともに、従来、封止樹脂との密着性が余り良くなかっ
たバンプ８およびリード４等の部分を、封止樹脂との密
着性が良好なＳｉ３Ｎ４ 膜により被覆することによっ
て密着性が向上され、半導体装置の信頼性、特に耐湿性
を向上させることが可能となる。
【００１３】フィルムキャリアテープを用いた半導体装
置を樹脂により封止した後、プレッシャークッカー試験
（ＰＣＴ）を実施して、本実施例の効果を確認した結果
が下記の表２に示される。本表により、５０％不良に至
るまでのＰＣＴ経過時間が、従来の半導体装置に比較し
て２．５倍と増大し、半導体装置の耐湿性が向上された
ことが分る。
置を樹脂により封止した後、プレッシャークッカー試験
（ＰＣＴ）を実施して、本実施例の効果を確認した結果
が下記の表２に示される。本表により、５０％不良に至
るまでのＰＣＴ経過時間が、従来の半導体装置に比較し
て２．５倍と増大し、半導体装置の耐湿性が向上された
ことが分る。
【００１４】
【表２】
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、フィル
ムキャリアテープを用いた半導体装置において、少なく
ともインナーリード部、即ちバンプおよびリードの固着
部を絶縁性薄膜により被覆することにより、（１）隣接
するリードおよびバンプ同士の絶縁性が完全に保持され
、リーク電流等の障害が除去される。 （２）リードの変形に伴ない、半導体素子表面のエッジ
に対する接触により生じる短絡不良障害が除去される。 （３）リードおよびバンプと樹脂との密着性が向上され
、特に耐湿性を含む信頼性が著しく向上される。 という効果がある。
ムキャリアテープを用いた半導体装置において、少なく
ともインナーリード部、即ちバンプおよびリードの固着
部を絶縁性薄膜により被覆することにより、（１）隣接
するリードおよびバンプ同士の絶縁性が完全に保持され
、リーク電流等の障害が除去される。 （２）リードの変形に伴ない、半導体素子表面のエッジ
に対する接触により生じる短絡不良障害が除去される。 （３）リードおよびバンプと樹脂との密着性が向上され
、特に耐湿性を含む信頼性が著しく向上される。 という効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す断面図である。
【図３】従来例のフィルムキャリアテープの上面図であ
る。
る。
【図４】従来例を示す断面図である。
１ フィルムキャリテープ
２ スプロケットホール
３ デバイスホール
４ リード
５ 電気選別用パッド
６ 絶縁フィルム
７ 半導体素子
８ バンプ
９ サスペンダー
１０ 樹脂
１１ 絶縁性薄膜
Claims (1)
- 【請求項１】 フィルムキャリアテープ上のリードと
、半導体素子の電極端子上に形成されるバンプとを固着
することによって形成される半導体装置において、前記
リードと前記バンプとを固着して形成される固着部を有
し、少なくとも当該固着部のリードならびにバンプを気
相成長処理を介して絶縁性無機薄膜により被覆すること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3136416A JPH04360562A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3136416A JPH04360562A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04360562A true JPH04360562A (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=15174651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3136416A Pending JPH04360562A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04360562A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831988A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-02-02 | Nec Corp | テープキャリアパッケージの封止構造 |
| CN105492908A (zh) * | 2013-09-02 | 2016-04-13 | 株式会社日立高新技术 | 自动分析装置 |
-
1991
- 1991-06-07 JP JP3136416A patent/JPH04360562A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831988A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-02-02 | Nec Corp | テープキャリアパッケージの封止構造 |
| CN105492908A (zh) * | 2013-09-02 | 2016-04-13 | 株式会社日立高新技术 | 自动分析装置 |
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