JPS6342153A - 混成集積回路基板及びその製造方法 - Google Patents

混成集積回路基板及びその製造方法

Info

Publication number
JPS6342153A
JPS6342153A JP18591586A JP18591586A JPS6342153A JP S6342153 A JPS6342153 A JP S6342153A JP 18591586 A JP18591586 A JP 18591586A JP 18591586 A JP18591586 A JP 18591586A JP S6342153 A JPS6342153 A JP S6342153A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat sink
paste
substrate
ceramic substrate
printed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP18591586A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0738424B2 (ja
Inventor
Takashi Shoji
孝志 荘司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Denko KK filed Critical Showa Denko KK
Priority to JP61185915A priority Critical patent/JPH0738424B2/ja
Publication of JPS6342153A publication Critical patent/JPS6342153A/ja
Publication of JPH0738424B2 publication Critical patent/JPH0738424B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は混成集積回路基板及びその製造方法に関する。
(従来の技術及び解決しようとする問題点)従来、いわ
ゆるハイブリッド基板と称される混成集積回路基板は、
一般に、メツキ処理を含む多数の工程で製造されていた
例えば、第2図に示すように、アルミナ等のセラミック
基板1の両面にMOlMo−MnやW等の金属ペースト
20を印刷し、乾燥後、水素気流中にて約1200〜1
600℃で焼成してメタライズ層を形成し、その上にN
iメツキ処理を施してメツキ層21を形成し脱水素処理
した後、ヒートシンクとしてNiメツキ処処理C抜板2
2半田付け23を行うという多段工程による方法である
しかし、このような方法は水素気流中で、しかも高温で
焼成したり、メツキ処理したり、或いは更にヒートシン
クを半田付けするなど複雑な工程を必要とすると共に1
Mo、W等を介して接合した場合の回路面には抵抗体と
してはチップ抵抗しか使用できず、また回路面はせいぜ
い500μ程度であるので細線を描くことができず、シ
ート抵抗も高いという欠点がある。更に、銅板(ヒート
シンク)の接合は半田付けによるために接合面に気泡が
介在したり、回路面に半田付けする場合には銅板の接合
に用いた半田を使用できず、銅板自身が酸化変色したり
、回路面も酸化したりしていた。またこの方法でMOメ
タライズを使用する方式は、通常の厚膜ペーストを用い
たハイブリッド基板の製造は大気中で厚膜ペーストを焼
成するので適用できず、樹脂等で接合するという制約が
ある。
一方、貴金属ペーストを使用し、導体、抵抗体、誘電体
ペーストを印刷して850℃付近で焼成し、回路を形成
する方法もあるが、この場合のヒートシンクへの接合に
は放熱グリースや放熱シートを用い、有機接着剤に無機
フィラーを添加したものを用いているので、放熱性に大
きな問題があるうえ、耐熱性にも問題があった。
本発明は、上記従来技術の欠点を解消し、セラミック基
板とヒートシンク材との接着強度が゛大きく、かつ耐熱
性、放熱性に優れた混成集積回路基板であって、これを
簡単な工程で通常の厚膜ペーストを使用して製造し得る
技術を提供することを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段) 上記目的を達成するため、本発明者は1通常の厚膜ペー
ストを使用する方法でセラミック基板とヒートシンク材
との接合性に優れた方策について鋭意研究を重ねた結果
、接着剤として特定のペースト状インサート材を使用し
特定の処理を施すことにより可能であることを知得し、
本発明をなしたものである。
すなわち、本発明に係る混成集積回路基板は。
アルミナ等のセラミック基板と、該基板の片面に形成さ
れた印刷回路面と、該基板の他方の面全体に印刷、焼成
された複合金属粉末からなるインサート材と、このイン
サート材を介して該基板に加熱接合された銅板等のヒー
トシンク材からなることを特徴とするものである。
また、その製造方法は、アルミナ等のセラミック基板の
片面に厚膜ペーストを用いて回路を印刷すると共に、他
方の面全体に複合金属粉末をペースト状にしたインサー
ト材を印刷し、これを乾燥、焼成後、インサート材上に
銅板等のヒートシンク材を重ね合せ、非酸化性雰囲気中
又は10−’Torr以下の真空中にて加熱して該基板
とヒートシンク材を接合することを特徴とするものであ
る。
以下に本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
まず、セラミック基板としては、従来と同様の材質のも
のでよく、アルミナ、窒化アルミナ等々のセラミック材
料を用いる。
セラミック基板の片面、すなわち回路印刷面には、第1
図(a)、 (b)に示すように通常の厚膜ペースト(
卑金属ペーストを含む)2を使用する厚膜技術によって
導体、抵抗体、誘電体回路をセラミック基板1上に印刷
する。印刷後、従来と同様、レベリングし、乾燥する。
一方、セラミック基板1の他方の面、すなわちヒートシ
ンク材4を取付ける面には、第1図(b)に示すように
、特定組成のペースト状インサート材3を全面に所要量
印刷し、加熱接合処理する。
すなわち、そのためには、インサート材としては、例え
ばAg系で複合金属粉末をペースト状にしたものを用い
る。
具体的には、例えば、Cu及びNiのうちの少なくとも
1種を10〜60シt%(以下、同じ)、 ”ri、N
b及びZrのうちの少なくとも1種を10〜80%含み
、残部が実質的にAgである組成を有し、各成分をメカ
ニカル7コイ法によって機械的に噛合結合した複合粉末
を有機溶媒中に分散させペースト状にしたインサート材
、或いはCu及びNiのうちの少なくとも1種を10〜
60%、T1、Nb及びZrのうちの少なくとも1種を
7〜80%、希土類元素(Yを含む)のうちの少なくと
も1種を5 ppm〜3%含み、残部が実質的にAg系
である組成を有し、各成分をメカニカルアロイ法によっ
て機械的に噛合結合した複合粉末を有機溶媒中に分散さ
せペースト状にしたインサート材などが好ましい。この
ような複合粉末は、いわゆるメカニヵルアロイ法によっ
て製造することができ、各成分の金属粉末を摺潰機、ボ
ールミル、アトライター等の攪拌機を用いて高速、高エ
ネルギー下で所要時間混合攪拌して粉砕することにより
、各成分粒子が機械的に噛合結合した、いわゆるメカニ
カルアロイ形態の複合粉末が得られるにの複合粉末の粒
度は44μm以下、好ましくは10μm以下のものが5
0すt%以上である微粉末が望ましい、この複合粉末は
ペースト状にするために有機溶媒中に分散させる。有機
溶媒としては、テレピネオール、ブチルカルピトール、
テキサノール、ブチルカルピトールアセテートなどを使
用することができ、またペースト中の金属粉量は60〜
90wt%とするのが適当である。なお、有機溶媒の他
に界面活性剤(例、ロジン・ワックス)を少量添加した
り、またバインダーとしてエチルセルロースなどを添加
してもよい。
ペースト状インサート材の膜厚は、インサート材及びセ
ラミック基板の材質、鋼板の厚みにもよるが、焼成膜厚
が45〜65μとなるような膜厚にする。
印刷後は、レベリングし、乾燥し、その後、焼成(脱脂
処理)するが、脱脂処理は不活性雰囲気中で約600℃
で焼成するのが望ましく、これによりバインダー分を揮
発させる。
次いで、第1図(c)に示すように、インサート材印刷
面にヒートシンク材4、すなわちヒートシンクやマザー
・ボードになる銅板又はアルミニウム板(いずれもニッ
ケルメッキしたものを含む)を合体させ、N2、Arな
どの非酸化性雰囲気中又は1O−ffTorr以下の真
空中で所要時間加熱し、接合する。加熱温度は上記組成
のインサート材を用いた場合、600〜900℃が好ま
しく、また1〜100 kg/aJの加圧下で接合する
なお、抵抗体の場合には、第1図(d)に示すように、
導体2の上に抵抗体2′を印刷する。
次に本発明の実施例を示す。
(実施例) =20μに分級したスポンジチタン粉末20部と平均粒
径1.6μの銀粉末40部と平均粒径1゜5μの銅粉末
40部とを合計50g準備し、前処理として摺潰機で5
時間混合粉砕した。混合粉砕後、フィッシャー・サブ・
シーブ・サイザー(粒度分布測定袋W)で平均粒径を測
定したところ、1.3μであった。
更に、次の割合で摺潰機を使用して5時間、予備混練し
た。
上記混合粉砕物      80部 エチル・セルロース    1.5部 テキサノール     16.7部 界面活性剤       1.8部 予備混線の目的は、粉末表面を活性にし、ビヒクルと接
触させることによって分散性をよくするためである。予
備混線の終了後、三本ロール・ミルで本混線を行い、ペ
ースト状インサート材を得た。
一方、約25mm口X0.635mmtの96%AN2
03基板及び25mn+口X2mmtの銅板を用意した
。そして、銅板を貼り付ける側のAl2O,基板に対し
ては、焼成膜厚が16μ、30μ、45μ、63μ、1
mmになるように(焼成膜厚45μとする乾燥膜厚は1
20〜130μ)、200メツシユ、バイアス張り、エ
マルジョン厚さ45μのスクリーンを使用したスクリー
ン印刷機により、上記ペースト状インサート材を全面印
刷した。厚みの制御は印刷→乾燥を繰り返し、三回全面
にわたって印刷した。印刷後、120℃で30分間最終
乾燥した。
一方、Al2O,基板の裏側には、Remex社製厚膜
導電ペーストAg/Pd#2034、Cu#5814を
#A$パターンを使用して印刷し、15分間レベリング
した後に105℃で約1時間乾燥し。
またR emex社製Ru系抵抗ペーストを印刷し、同
様にレベリングし、乾燥した。なお、印刷は2゜Oメツ
シュ、バイアス張り、エマルジョン厚さ45μのステン
レススクリーンを使用したスクリーン印刷機により行な
った。
このように両面に印刷した後、厚膜焼成炉を使用し、N
2気流中にて90分間プロファイルで15分間ピーク温
度(600℃)保持の焼成を行い、含有しているバイン
ダー(ビヒクル)成分を揮発させたゆ 次いで、上記Af1.03.W板のインサート材印刷面
に銅板を重ね合せ、更に全面1kgの荷重をかけ、真空
炉に装入し、真空度10 ”−’ Torr、接合温度
850℃で1時間保持し、常温になってから取り出した
。なお、真空炉への装入に際しては、第3図に示すよう
に、ステンレス鋼板(SUS304)5と99.5%A
Q203板6を用いて回路部を保護する状態にした。
得られた基板の接着強度は次のようにして調べた。
まず、銅板とAQ、O,基板の接着強度については、厚
膜ペーストを印刷しないサンプルを使い。
MEEK加工機(放電砥石切断4!&)によって10m
m口に切り出した。サンプルは、1枚につき16ケ切り
出すことができた。このようなサンプルについて次のよ
うな方法で銅板側の接着強度を測定した。すなわち、第
4図に示すように、接着剤7としてアラルダイトAZ−
15を使用して、25mmX 50mmX 2mmtの
ステンレス鋼板(SUS304)8の中央部に銅板側を
接着し、AQ、O,基板1のアルミナ面に10InI!
lφの銅リベット9を接合した後、ブツシュ・プル・テ
スター(全国製作所製)で銅板4側の接着強度を測定し
た。
一方、AQ20.基板に厚膜ペーストを用いて標準テス
ト・パターンにより印刷した面の接着強度については、
測定パターンは2mm口のパッドとし、第5図に示すよ
うに、そのパッド部10にL字型にした0 、 6 m
mφ銅線(スズ・メツキ処理)11を2Ag−62Sn
−36Pbの銀入り半田12にて固定し、バーチカル・
ボンド・テスターにより回路接着強度を求めた。更にラ
スペクト比10:1のテストパターンにより、抵抗値、
シート抵抗、T。
C,Rも測定した。
以上の結果を第1表及び第2表に示す。
【以下余白1 第1表及び第2表かられかるように、AQ、□○。
基板と銅板の間のインサート材の焼成膜厚を適当に選ぶ
ならば(Nα3.4)、接着強度の優れた接合面を得る
ことができ、回路面の接着強度及び回路面積も本発明法
の処理に影響されず十分確保されると共にシート抵抗も
低く抑えられ、他の回路特性も良好である。
(発明の効果) 以上詳述したように、本発明によれば、特定のペースト
状インサート材を使用してセラミック基板に銅板等のヒ
ートシンク材を接合するので、接着強度及び耐熱性に優
れ、しかも通常の厚膜ペーストを用いて回路面を印刷で
きると共に特別のヒートシンクを使用せずに放熱性も向
上でき、更に製造工程が大幅に簡略化される。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜(d)は本発明法の製造工程の一例を示
す説明図、 第2図(a)〜(d)は従来法の製造工程を示す説明図
、 第3図は真空炉を用いて加熱接合する際の装入状態を示
す断面図、 第4図はAQ、、O,基板と銅板の接着強度を試験する
時の試料取付状態を示す断面図、 第5図はAQ、O,基板と回路面の接着強度を試験する
時の試料取付状態を示す断面図である。 1・・・AQ20.基板、   2・・・厚膜ペースト
、3・・・インサート材、  4・・・ヒートシンク材
。 特許出願人    昭和電工株式会社 代理人弁理士   中  村   尚 第3図 旦 第5図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)アルミナ等のセラミック基板と、該基板の片面に
    形成された印刷回路面と、該基板の他方の面全体に印刷
    、焼成された複合金属粉末からなるインサート材と、こ
    のインサート材を介して該基板に加熱接合された銅板等
    のヒートシンク材からなることを特徴とする混成集積回
    路基板。
  2. (2)アルミナ等のセラミック基板の片面に厚膜ペース
    トを用いて回路を印刷すると共に、他方の面全体に複合
    金属粉末をペースト状にしたインサート材を印刷し、こ
    れを乾燥、焼成後、インサート材上に銅板等のヒートシ
    ンク材を重ね合せ、非酸化性雰囲気中又は10^−^3
    Torr以下の真空中にて加熱して該基板とヒートシン
    ク材を接合することを特徴とする混成集積回路基板の製
    造方法。
JP61185915A 1986-08-07 1986-08-07 混成集積回路基板及びその製造方法 Expired - Lifetime JPH0738424B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61185915A JPH0738424B2 (ja) 1986-08-07 1986-08-07 混成集積回路基板及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61185915A JPH0738424B2 (ja) 1986-08-07 1986-08-07 混成集積回路基板及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6342153A true JPS6342153A (ja) 1988-02-23
JPH0738424B2 JPH0738424B2 (ja) 1995-04-26

Family

ID=16179104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61185915A Expired - Lifetime JPH0738424B2 (ja) 1986-08-07 1986-08-07 混成集積回路基板及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0738424B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014088025A1 (ja) * 2012-12-06 2014-06-12 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール、パワーモジュール用基板の製造方法、銅板接合用ペースト、及び接合体の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5267275U (ja) * 1975-11-13 1977-05-18
JPS6032343A (ja) * 1983-08-02 1985-02-19 Toshiba Corp パワ−半導体モジユ−ル基板

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5267275U (ja) * 1975-11-13 1977-05-18
JPS6032343A (ja) * 1983-08-02 1985-02-19 Toshiba Corp パワ−半導体モジユ−ル基板

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014088025A1 (ja) * 2012-12-06 2014-06-12 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール、パワーモジュール用基板の製造方法、銅板接合用ペースト、及び接合体の製造方法
JP2014116353A (ja) * 2012-12-06 2014-06-26 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール、パワーモジュール用基板の製造方法、銅板接合用ペースト、及び接合体の製造方法
TWI615929B (zh) * 2012-12-06 2018-02-21 Mitsubishi Materials Corporation 電力模組用基板、附散熱器的電力模組用基板、電力模組、電力模組用基板的製造方法、銅板接合用膏及接合體的製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0738424B2 (ja) 1995-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4122232A (en) Air firable base metal conductors
JPS59146103A (ja) ドツテイングペ−スト
US5165986A (en) Copper conductive composition for use on aluminum nitride substrate
CA1278912C (en) Overprint copper composition
CA1110053A (en) Silver compositions
WO2021200242A1 (ja) ろう材およびその製造方法並びに金属-セラミックス接合基板の製造方法
JP2018060941A (ja) 接合用の導電性ペースト
JP7317397B2 (ja) 酸化銅ペースト及び電子部品の製造方法
JPS6342153A (ja) 混成集積回路基板及びその製造方法
JPH0367403A (ja) 導体ペーストの製造方法
JPS63256291A (ja) 接着用材料
JPS6342152A (ja) 混成集積回路基板及びその製造方法
JP3482580B2 (ja) 高放熱性金属複合板材及びそれを用いた高放熱性金属基板
JP3522295B2 (ja) 金属板接合セラミック基板とその製造方法
JP5953003B2 (ja) セラミック多層回路基板用導電ペースト
JPH05238857A (ja) 窒化アルミニウム基板のメタライズ方法
JPH01206508A (ja) 窒化アルミニウム基板用導体ペースト
JP7132591B2 (ja) 導電性ペースト及び焼成体
TWI789698B (zh) 氧化銅糊料及電子零件之製造方法
JPH07207452A (ja) 金属粉末組成物及びそれを用いたメタライズ基板の製造方法
JPS6387790A (ja) 高放熱性回路基板の製造方法
JPH03155493A (ja) 半導体装置用金合金はんだペースト
JPS58130590A (ja) セラミツク配線基板および該セラミツク配線基板を用いた厚膜ハイブリツドic
JPH0468138B2 (ja)
JPS6387791A (ja) 高放熱性回路基板の製造方法