JPS6387791A - 高放熱性回路基板の製造方法 - Google Patents
高放熱性回路基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS6387791A JPS6387791A JP23280586A JP23280586A JPS6387791A JP S6387791 A JPS6387791 A JP S6387791A JP 23280586 A JP23280586 A JP 23280586A JP 23280586 A JP23280586 A JP 23280586A JP S6387791 A JPS6387791 A JP S6387791A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- bonding
- paste
- circuit board
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 8
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 6
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 claims description 5
- 238000005551 mechanical alloying Methods 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 24
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 15
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 11
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 3
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 101100481408 Danio rerio tie2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910017309 Mo—Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100481410 Mus musculus Tek gene Proteins 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
(産業上の利用分野)
本発明は回路基板の製造に係り、特にAQ20゜基板を
使用した回路基板を経済的に製造する方法に関する。 (従来の技術) 従来、いわゆるハイブリット基板と称される混成集積回
路基板等々の回路基板は、一般に、メッキ処理を含む多
数の工程で製造されていた。 例えば、第3図に示すように、アルミナ(96%)のセ
ラミック基板1の両面にMo、Mo−MnやW等の金属
ペースト20を印刷し、乾燥後、水素気流中にて約12
00〜1600℃で焼成してメタライズ層を形成し、そ
の上にNiメッキ処理を施してメッキ層21を形成し脱
水素処理した後、ヒートシンクとして銅板又はNiメッ
キ処理銅板22を半田23にて接合するという多段工程
による方法である。 しかし、このような方法は水素気流中で、しかも高温で
焼成したり、メッキ処理したり、或いは更にヒートシン
クを半田付けするなど複雑な工程を必要とすると共に、
MOlW等を介して接合した場合の回路面には抵抗体と
してはチップ抵抗しか使用できず、また回路面はせいぜ
い500μ程度であるので細線を描くことができず、シ
ート抵抗も高いという欠点がある。更に、銅板(ヒート
シンク)の接合は半田付けによるために接合面に気泡が
介在したり、回路面に半田付けする場合には銅板の接合
に用いた半田を使用できず、銅板自身が酸化変色したり
1回路面も酸化したりしていた。またこの方法でMoメ
タライズを使用する方式は、通常の厚膜ペーストを用い
た回路基板の製造は大気中で厚膜ペーストを焼成するの
で適用できず、樹脂等で接合するという制約がある。 一方、貴金属ペーストを使用し、導体、抵抗体、誘電体
ペーストを印刷して850℃付近で焼成し。 回路を形成する方法もあるが、この場合のヒートシンク
への接合には放熱グリースや放熱シートを用い、有機接
着剤に無機フィラーを添加したものを用いているので、
放熱性に大きな問題があるうえ、耐熱性にも問題があっ
た。 本発明は、上記従来技術の欠点を解消し、アルミナ基板
に対する各種部品の接合並びに回路形成が容易で放熱性
の良好な回路基板を経済的に製造し得る方法を提供する
ことを目的とするものである。 (問題点を解決するための手段) 上記目的を達成するため、本発明者は、従来の回路基板
の製造工程が多数工程となる原因を究明したところ、導
電ペーストが接着強度や耐熱性に問題があると共に半田
付けのためにメッキ処理を必要とする組成物であること
が判明した。そこで。 これらの問題を解決し、メッキ処理を必要とせず簡易な
工程で回路基板を製造し得る新規な導電ペーストを見い
出すべく鋭意研究に努めた。 その結果、貴金属を主体としない金属質で接着強度並び
に耐熱性に優れた導電性接着ペーストを開発するに至り
、このペーストを使用して接着並びに回路形成する回路
基板の製造方法を確立したものである。 すなわち、本発明は、Cu及びNiのうちの1種又は2
種を10〜60%、T1、Nb及びZrのうちの1種又
は2種以上を10〜80%含み、残部がAgからなる組
成を有し、かつ、少なくとも。 各成分粉末がメカニカルアロイ法によって機械的に噛合
結合した複合粉末を含有し、ビヒクルにてペースト状に
した導電ペーストを使用して。 AQ203基板の接合面に全面印刷すると共に該基板の
回路形成面にスクリーン印刷法で導電回路を形成した後
、不活性雰囲気中で脱脂処理し、次いで、10−”To
rr以下の減圧下又は不活性雰囲気中、800〜930
℃で熱処理することを特徴とする高放熱性回路基板の製
造方法を要旨とするものである。 以下に本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。 前述の如く1本発明法に用いる導電ペーストは、セラミ
ックであるAffi、03基板に対して接着剤と導電体
の双方の性質を兼備しているので、この基板とヒートシ
ンクである金属板等との接着並びに基板上への回路印刷
が同時に可能となるものである。 まず、本発明法に用いる導電ペーストの化学成分は、接
着剤として所望の性能を発揮するために、Cu及びNi
のうちの1種又は2種(A成分)を10〜60%を含み
、Ti、Nb及びZrのうちの1種又は2種以上(B成
分)を10〜80%を含み、残部がAgである組成にす
る必要がある。A成分が60%を超えると接着力がです
、またB成分が80%を超えると接合層(インサート層
)の硬度が高くなり、熱ショックに弱くなる。Cuは接
合温度を低くシ5回路形成の場合、表面層がAg/Cu
リッチ層となるため、半田濡れ性が向上する。B成分と
してTiを含む場合、アルミナ基板と金属との境界面に
A fl、O□/Tie2層が形成され、特に接着力が
向上するaNiは特に基板に金属板を接合する場合、接
合後の冷却時に金属板側が剥離するのを防止するのに有
効で、熱膨張率を緩和する作用がある。 特にA成分が20〜50%、B成分が10%を超え60
%以下で、残部がAgである組成の場合には、耐熱性、
接着力共に優れている。 上記化学成分を有する導電ペーストは、いわゆるメカニ
カルアロイ法によって製造することができ、各成分の金
属粉末を摺潰機、ボールミル、アトライター等の微粉砕
機を用いて高速、高エネルギー下で所要時間混合攪拌し
て粉砕することにより、各成分粒子が機械的に噛合結合
したいわゆるメカニカルアロイ形態の複合粉末が得られ
る。この複合粉末の粒度は44μm以下、好ましくは1
0μm以下のものが50vt%以上である微粉末が望ま
しい。 このように複合粉末形態の粒子を少なくとも含有してい
る粉末は、ペースト状にするために有機溶媒(ビヒクル
)中に分散させる。有機溶媒としては、テレピネオール
、ブチルカルピトール、テキサノール、ブチルカルピト
ールアセテートなどを使用することができ、またペース
ト中の金属粉量は60〜90vt%とするのが適当であ
る。なお、有機溶媒の他に分散剤や界面活性剤(例、ロ
ジン・ワックス)を少量添加したり、またバインダーと
してエチルセルロースなどを添加してもよい。 次に、上記導電ペーストを使用して回路基板を製造する
プロセスについて説明する。 第1図は上記プロセスの一例を示しており、まず、所定
の形状、寸法のAl、O,基板1を準備する(a)0次
いで、スクリーン印刷機を用いてこの基板1の回路形成
面に回路2を印刷形成すると共に基板1の接合面に全面
印刷して接着層(インサート層)3を形成する(b)。 印刷後は乾燥し、印刷面を脱脂処理する。この脱脂処理
はN2等の不活性雰囲気中で行い、バインダー分(ビヒ
クル成分)を脱脂せしめるが、600’C以下の温度で
10分間以上加熱するとよい。 なお、600℃以上の高温下で脱脂処理すると接着能力
が低下するので留意する。 次いで、ヒートシンク銅板等々の必要な接合部品の取付
けが行われる。ヒートシンクとしては敢えてNiメッキ
処理銅板を使用する必要はなく。 銅板等の金属板4をそのまま用い、これを基板の接合面
に印刷された接着層3に重ね合わせる。 このように取付けを行った後、基板上に形成した接着層
並びに印刷回路を熱処理し、次の条件により加熱接着及
び焼成を行う。 すなわち、接合部品をAQ、03基板に接合するに当っ
ては、上記のようにして銅板などのヒートシンク等を接
着層を介して基板に重ね合せた状態で、1〜10kg/
a1の荷重をかけながら、1O−3T orr以下の減
圧下或いはN2等の不活性雰囲気中で800〜930℃
の温度で所要時間(例、10分間以上)熱処理する。加
熱温度が930℃以上の高温であると溶着現象が生じ、
また800℃以下では接合が不充分となる。また印刷回
路を焼成する場合は、勿論、荷重をかける必要はなく、
上記熱処理条件と同じ条件で熱処理する必要があるが、
不活性雰囲気中で焼成すると回路面の半田濡れ性が悪く
なるので、留意する。 なお、ヒートシンクの接合を必要としない場合でも、接
合面に接着層を形成して上記熱処理を施しておけば、N
iメッキを行わずとも半田付けによってマザー・ボード
に貼り付けることができる。 また、抵抗体が必要な場合には市販のRub2系ペース
トを併わせで使用することができる。実装に際しては、
導電ペーストが熱処理されているので、従来のようにメ
ッキ処理を施すことなく1通常の半田処理を容易に行う
ことができる。 次に、本発明の実施例を示す。 (実施例) いずれも325メツシユ以下の粉末である各成分の粉末
を、Ti粉末20g、Ag粉末40g及びCu粉末30
gの割合で配合し、摺潰機にて約3時間混合粉砕し1粒
度を10μm以下に微粉砕した。 次いで、ペースト状にするために次の割合で配合した。 上記混合微粉末 100g エチルセルロース 18.3gテキサノール
20.8g活性剤
2.2gこの組成物141.3gを万能ミキサーにて予
備混練した後、3本西−ル・ミルを用いて本混練し、ペ
ーストとした。 ′ 次に、25mmX 25mmX 0 、635mmtの
寸法のA Q、O,(96%)基板の片面に上記ペース
トをスクリーン印刷機にて全面印刷した。スクリーンは
ステンレス製200メツシユ、バイアス張りで、エマル
ジョン厚さ45μ閣のものを使用した。印刷後、室温に
て10分間レベリングし、更に105℃で30分間乾燥
した。またAl5O,基板の反対側にも同様にして回路
パターンを印刷し、105℃で30分間乾燥した。なお
、焼成後の膜厚が15〜18μ■となるように印刷した
。乾燥後、厚膜焼成炉を使用し、窒素気流中でピーク温
度600℃×8分間の60分間プロファイルにて脱脂処
理を施した。 次いで、上記AQ*os基板について印刷回路の焼成を
行うと共に、全面印刷面に銅板(ヒートシンク)を熱間
圧着しこより(本発明例1)或いは該印刷面の焼成後に
半田付けにより(本発明例2.3)取付けた。また回路
形成面にRub、系厚膜ペースト(Rerrrex社t
S>を使用して抵抗体を形成した(本発明例3)。 その際の熱間圧着条件としては、25mmX25mmX
2mmtの銅板をAl1.03基板の全面印刷面に重ね
合せた状態で1 kg/alの荷重をかけ、1O−sT
orrの真空下、850℃×30分間加熱処理した。 また印刷回路の焼成及び全面印刷面に銅板を半田付けす
る前の焼成の各条件は上記加熱処理と同様である。 得られた各基板の構造は、第2図に示すように。 AQ、○、基板1の一方の面には印刷回路2が焼成され
ており、他方の面には1本発明例1の場合、全面印刷さ
れたインサート層3を介して銅板4が熱間圧着されてお
り、本発明例2の場合、全面印刷された後に焼成したイ
ンサート層3に銅板4が半田層5を介して半田付けされ
ており、本発明例3の場合1本発明例2の構造に更に抵
抗体6が形成されている。 なお、比較のため、第4図(a)に示すように、Moペ
ーストを使用してAQ、O,基板1の片面に回路2oを
形成し、反対面にメタライズ層20’を形成し、これら
にNiメッキ21を施した後、メタライズ層を介して銅
板22を半田23にて接合した回路基板(比較例1)、
Ag/Pdペーストを使用してAQ*○、基板1の片側
に回路20を形成し、反対面に放熱グリース24を用い
て銅板22を接合した回路基板(比較例2)をそれぞれ
製造した。 これらの構造の回路基板について各種試験を実施し、第
1表に示す結果を得た。同表から明らかなように、本発
明例の場合、回路面の半田濡れ性も全面印刷焼成面の半
田濡れ性も良好であり、したがって、銅板を半田付けし
た場合(本発明例2)には特に接着強度が大きい、勿論
、銅板を熱間圧着して直接接合した場合(本発明例1)
でも接着強度が充分得られ1通常の厚膜ペーストに比べ
て2倍位大きい。また導電ペーストにフリットが含まれ
ていないのでシート抵抗が低く接着強度が大きいので、
信頼性が高く、特に高周波領域で使用する回路形成も可
能となる。更に熱抵抗も小さいので、SiC基板の使用
と相俟って回路基板の放熱性が極めてよい。 一方、比較例はいずれもシート抵抗が高く、接着強度が
低い、更に熱抵抗も大きく、放熱グリースを使用しても
本発明例よりも熱抵抗が劣っている。
使用した回路基板を経済的に製造する方法に関する。 (従来の技術) 従来、いわゆるハイブリット基板と称される混成集積回
路基板等々の回路基板は、一般に、メッキ処理を含む多
数の工程で製造されていた。 例えば、第3図に示すように、アルミナ(96%)のセ
ラミック基板1の両面にMo、Mo−MnやW等の金属
ペースト20を印刷し、乾燥後、水素気流中にて約12
00〜1600℃で焼成してメタライズ層を形成し、そ
の上にNiメッキ処理を施してメッキ層21を形成し脱
水素処理した後、ヒートシンクとして銅板又はNiメッ
キ処理銅板22を半田23にて接合するという多段工程
による方法である。 しかし、このような方法は水素気流中で、しかも高温で
焼成したり、メッキ処理したり、或いは更にヒートシン
クを半田付けするなど複雑な工程を必要とすると共に、
MOlW等を介して接合した場合の回路面には抵抗体と
してはチップ抵抗しか使用できず、また回路面はせいぜ
い500μ程度であるので細線を描くことができず、シ
ート抵抗も高いという欠点がある。更に、銅板(ヒート
シンク)の接合は半田付けによるために接合面に気泡が
介在したり、回路面に半田付けする場合には銅板の接合
に用いた半田を使用できず、銅板自身が酸化変色したり
1回路面も酸化したりしていた。またこの方法でMoメ
タライズを使用する方式は、通常の厚膜ペーストを用い
た回路基板の製造は大気中で厚膜ペーストを焼成するの
で適用できず、樹脂等で接合するという制約がある。 一方、貴金属ペーストを使用し、導体、抵抗体、誘電体
ペーストを印刷して850℃付近で焼成し。 回路を形成する方法もあるが、この場合のヒートシンク
への接合には放熱グリースや放熱シートを用い、有機接
着剤に無機フィラーを添加したものを用いているので、
放熱性に大きな問題があるうえ、耐熱性にも問題があっ
た。 本発明は、上記従来技術の欠点を解消し、アルミナ基板
に対する各種部品の接合並びに回路形成が容易で放熱性
の良好な回路基板を経済的に製造し得る方法を提供する
ことを目的とするものである。 (問題点を解決するための手段) 上記目的を達成するため、本発明者は、従来の回路基板
の製造工程が多数工程となる原因を究明したところ、導
電ペーストが接着強度や耐熱性に問題があると共に半田
付けのためにメッキ処理を必要とする組成物であること
が判明した。そこで。 これらの問題を解決し、メッキ処理を必要とせず簡易な
工程で回路基板を製造し得る新規な導電ペーストを見い
出すべく鋭意研究に努めた。 その結果、貴金属を主体としない金属質で接着強度並び
に耐熱性に優れた導電性接着ペーストを開発するに至り
、このペーストを使用して接着並びに回路形成する回路
基板の製造方法を確立したものである。 すなわち、本発明は、Cu及びNiのうちの1種又は2
種を10〜60%、T1、Nb及びZrのうちの1種又
は2種以上を10〜80%含み、残部がAgからなる組
成を有し、かつ、少なくとも。 各成分粉末がメカニカルアロイ法によって機械的に噛合
結合した複合粉末を含有し、ビヒクルにてペースト状に
した導電ペーストを使用して。 AQ203基板の接合面に全面印刷すると共に該基板の
回路形成面にスクリーン印刷法で導電回路を形成した後
、不活性雰囲気中で脱脂処理し、次いで、10−”To
rr以下の減圧下又は不活性雰囲気中、800〜930
℃で熱処理することを特徴とする高放熱性回路基板の製
造方法を要旨とするものである。 以下に本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。 前述の如く1本発明法に用いる導電ペーストは、セラミ
ックであるAffi、03基板に対して接着剤と導電体
の双方の性質を兼備しているので、この基板とヒートシ
ンクである金属板等との接着並びに基板上への回路印刷
が同時に可能となるものである。 まず、本発明法に用いる導電ペーストの化学成分は、接
着剤として所望の性能を発揮するために、Cu及びNi
のうちの1種又は2種(A成分)を10〜60%を含み
、Ti、Nb及びZrのうちの1種又は2種以上(B成
分)を10〜80%を含み、残部がAgである組成にす
る必要がある。A成分が60%を超えると接着力がです
、またB成分が80%を超えると接合層(インサート層
)の硬度が高くなり、熱ショックに弱くなる。Cuは接
合温度を低くシ5回路形成の場合、表面層がAg/Cu
リッチ層となるため、半田濡れ性が向上する。B成分と
してTiを含む場合、アルミナ基板と金属との境界面に
A fl、O□/Tie2層が形成され、特に接着力が
向上するaNiは特に基板に金属板を接合する場合、接
合後の冷却時に金属板側が剥離するのを防止するのに有
効で、熱膨張率を緩和する作用がある。 特にA成分が20〜50%、B成分が10%を超え60
%以下で、残部がAgである組成の場合には、耐熱性、
接着力共に優れている。 上記化学成分を有する導電ペーストは、いわゆるメカニ
カルアロイ法によって製造することができ、各成分の金
属粉末を摺潰機、ボールミル、アトライター等の微粉砕
機を用いて高速、高エネルギー下で所要時間混合攪拌し
て粉砕することにより、各成分粒子が機械的に噛合結合
したいわゆるメカニカルアロイ形態の複合粉末が得られ
る。この複合粉末の粒度は44μm以下、好ましくは1
0μm以下のものが50vt%以上である微粉末が望ま
しい。 このように複合粉末形態の粒子を少なくとも含有してい
る粉末は、ペースト状にするために有機溶媒(ビヒクル
)中に分散させる。有機溶媒としては、テレピネオール
、ブチルカルピトール、テキサノール、ブチルカルピト
ールアセテートなどを使用することができ、またペース
ト中の金属粉量は60〜90vt%とするのが適当であ
る。なお、有機溶媒の他に分散剤や界面活性剤(例、ロ
ジン・ワックス)を少量添加したり、またバインダーと
してエチルセルロースなどを添加してもよい。 次に、上記導電ペーストを使用して回路基板を製造する
プロセスについて説明する。 第1図は上記プロセスの一例を示しており、まず、所定
の形状、寸法のAl、O,基板1を準備する(a)0次
いで、スクリーン印刷機を用いてこの基板1の回路形成
面に回路2を印刷形成すると共に基板1の接合面に全面
印刷して接着層(インサート層)3を形成する(b)。 印刷後は乾燥し、印刷面を脱脂処理する。この脱脂処理
はN2等の不活性雰囲気中で行い、バインダー分(ビヒ
クル成分)を脱脂せしめるが、600’C以下の温度で
10分間以上加熱するとよい。 なお、600℃以上の高温下で脱脂処理すると接着能力
が低下するので留意する。 次いで、ヒートシンク銅板等々の必要な接合部品の取付
けが行われる。ヒートシンクとしては敢えてNiメッキ
処理銅板を使用する必要はなく。 銅板等の金属板4をそのまま用い、これを基板の接合面
に印刷された接着層3に重ね合わせる。 このように取付けを行った後、基板上に形成した接着層
並びに印刷回路を熱処理し、次の条件により加熱接着及
び焼成を行う。 すなわち、接合部品をAQ、03基板に接合するに当っ
ては、上記のようにして銅板などのヒートシンク等を接
着層を介して基板に重ね合せた状態で、1〜10kg/
a1の荷重をかけながら、1O−3T orr以下の減
圧下或いはN2等の不活性雰囲気中で800〜930℃
の温度で所要時間(例、10分間以上)熱処理する。加
熱温度が930℃以上の高温であると溶着現象が生じ、
また800℃以下では接合が不充分となる。また印刷回
路を焼成する場合は、勿論、荷重をかける必要はなく、
上記熱処理条件と同じ条件で熱処理する必要があるが、
不活性雰囲気中で焼成すると回路面の半田濡れ性が悪く
なるので、留意する。 なお、ヒートシンクの接合を必要としない場合でも、接
合面に接着層を形成して上記熱処理を施しておけば、N
iメッキを行わずとも半田付けによってマザー・ボード
に貼り付けることができる。 また、抵抗体が必要な場合には市販のRub2系ペース
トを併わせで使用することができる。実装に際しては、
導電ペーストが熱処理されているので、従来のようにメ
ッキ処理を施すことなく1通常の半田処理を容易に行う
ことができる。 次に、本発明の実施例を示す。 (実施例) いずれも325メツシユ以下の粉末である各成分の粉末
を、Ti粉末20g、Ag粉末40g及びCu粉末30
gの割合で配合し、摺潰機にて約3時間混合粉砕し1粒
度を10μm以下に微粉砕した。 次いで、ペースト状にするために次の割合で配合した。 上記混合微粉末 100g エチルセルロース 18.3gテキサノール
20.8g活性剤
2.2gこの組成物141.3gを万能ミキサーにて予
備混練した後、3本西−ル・ミルを用いて本混練し、ペ
ーストとした。 ′ 次に、25mmX 25mmX 0 、635mmtの
寸法のA Q、O,(96%)基板の片面に上記ペース
トをスクリーン印刷機にて全面印刷した。スクリーンは
ステンレス製200メツシユ、バイアス張りで、エマル
ジョン厚さ45μ閣のものを使用した。印刷後、室温に
て10分間レベリングし、更に105℃で30分間乾燥
した。またAl5O,基板の反対側にも同様にして回路
パターンを印刷し、105℃で30分間乾燥した。なお
、焼成後の膜厚が15〜18μ■となるように印刷した
。乾燥後、厚膜焼成炉を使用し、窒素気流中でピーク温
度600℃×8分間の60分間プロファイルにて脱脂処
理を施した。 次いで、上記AQ*os基板について印刷回路の焼成を
行うと共に、全面印刷面に銅板(ヒートシンク)を熱間
圧着しこより(本発明例1)或いは該印刷面の焼成後に
半田付けにより(本発明例2.3)取付けた。また回路
形成面にRub、系厚膜ペースト(Rerrrex社t
S>を使用して抵抗体を形成した(本発明例3)。 その際の熱間圧着条件としては、25mmX25mmX
2mmtの銅板をAl1.03基板の全面印刷面に重ね
合せた状態で1 kg/alの荷重をかけ、1O−sT
orrの真空下、850℃×30分間加熱処理した。 また印刷回路の焼成及び全面印刷面に銅板を半田付けす
る前の焼成の各条件は上記加熱処理と同様である。 得られた各基板の構造は、第2図に示すように。 AQ、○、基板1の一方の面には印刷回路2が焼成され
ており、他方の面には1本発明例1の場合、全面印刷さ
れたインサート層3を介して銅板4が熱間圧着されてお
り、本発明例2の場合、全面印刷された後に焼成したイ
ンサート層3に銅板4が半田層5を介して半田付けされ
ており、本発明例3の場合1本発明例2の構造に更に抵
抗体6が形成されている。 なお、比較のため、第4図(a)に示すように、Moペ
ーストを使用してAQ、O,基板1の片面に回路2oを
形成し、反対面にメタライズ層20’を形成し、これら
にNiメッキ21を施した後、メタライズ層を介して銅
板22を半田23にて接合した回路基板(比較例1)、
Ag/Pdペーストを使用してAQ*○、基板1の片側
に回路20を形成し、反対面に放熱グリース24を用い
て銅板22を接合した回路基板(比較例2)をそれぞれ
製造した。 これらの構造の回路基板について各種試験を実施し、第
1表に示す結果を得た。同表から明らかなように、本発
明例の場合、回路面の半田濡れ性も全面印刷焼成面の半
田濡れ性も良好であり、したがって、銅板を半田付けし
た場合(本発明例2)には特に接着強度が大きい、勿論
、銅板を熱間圧着して直接接合した場合(本発明例1)
でも接着強度が充分得られ1通常の厚膜ペーストに比べ
て2倍位大きい。また導電ペーストにフリットが含まれ
ていないのでシート抵抗が低く接着強度が大きいので、
信頼性が高く、特に高周波領域で使用する回路形成も可
能となる。更に熱抵抗も小さいので、SiC基板の使用
と相俟って回路基板の放熱性が極めてよい。 一方、比較例はいずれもシート抵抗が高く、接着強度が
低い、更に熱抵抗も大きく、放熱グリースを使用しても
本発明例よりも熱抵抗が劣っている。
(発明の効果)
以上詳述したように、本発明によれば、貴金属を主体に
しない特定成分の接着兼導電ペーストを使用するので、
特に放熱性の優れた回路基板を複雑な工程によらずに経
済的に製造できるのみならず、以下に示すような多くの
利点が得られる。 (1)基板上の回路形成と反対面の接着層(インサート
M)形成とを同時に行うことができ、しかもメッキ処理
を要しないので、製造工程を大幅に短縮でき、また導電
ペーストが貴金属を主体にしないものであるので、極め
て経済的に回路基板を製造することができる。 (2) 通常の厚膜ペーストはフリット(ガラス)を
含んでいるのでシート抵抗が高く、熱ショック、熱サイ
クル等の信頼性に難があるのに対し、本発明による印刷
回路にはフリットが含まれていないのでシート抵抗が低
く、接着強度や耐熱性に優れているので、信頼性が高く
、特に高周波領域で使用する回路の形成も可能である。 (3)基wと金xとのa界面にAQ、O,/TiO。 等の層が形成されるので、接着強度も通常の厚膜ペース
トに比べて約2倍程度大きい。 (6)半田濡れ性が良好であり、したがって。 メッキ処理を必要とせずに接合部品の半田付けが可能で
ある。また、金属板のヒートシンクの接合を必要としな
い場合でも、基板の接着面に全面印刷し焼成しておけば
、半田付けによりマザー・ボードに貼り付けることがで
きる。 (7)異形状の部品も接合、配線可能であり、抵抗体が
必要であれば、市販のRu O、系ペーストを併せて使
用することもできる。
しない特定成分の接着兼導電ペーストを使用するので、
特に放熱性の優れた回路基板を複雑な工程によらずに経
済的に製造できるのみならず、以下に示すような多くの
利点が得られる。 (1)基板上の回路形成と反対面の接着層(インサート
M)形成とを同時に行うことができ、しかもメッキ処理
を要しないので、製造工程を大幅に短縮でき、また導電
ペーストが貴金属を主体にしないものであるので、極め
て経済的に回路基板を製造することができる。 (2) 通常の厚膜ペーストはフリット(ガラス)を
含んでいるのでシート抵抗が高く、熱ショック、熱サイ
クル等の信頼性に難があるのに対し、本発明による印刷
回路にはフリットが含まれていないのでシート抵抗が低
く、接着強度や耐熱性に優れているので、信頼性が高く
、特に高周波領域で使用する回路の形成も可能である。 (3)基wと金xとのa界面にAQ、O,/TiO。 等の層が形成されるので、接着強度も通常の厚膜ペース
トに比べて約2倍程度大きい。 (6)半田濡れ性が良好であり、したがって。 メッキ処理を必要とせずに接合部品の半田付けが可能で
ある。また、金属板のヒートシンクの接合を必要としな
い場合でも、基板の接着面に全面印刷し焼成しておけば
、半田付けによりマザー・ボードに貼り付けることがで
きる。 (7)異形状の部品も接合、配線可能であり、抵抗体が
必要であれば、市販のRu O、系ペーストを併せて使
用することもできる。
第1図は本発明の一実施例の製造プロセスを示す工程図
、 第2図(a)、(b)、(c)は上記実施例により製造
された回路基板の構造を示す断面図、 第3図はアルミナ基板を用いた従来の回路基板の製造プ
ロセスを示す工程図である。 第4図(a)、(b)は従来の回路基板の構造例を示す
断面図である。 1・・・基板、2・・・印刷回路、3・・・接着層(イ
ンサート層)、4・・・銅板(ヒートシンク)、5・・
・半田層。 6・・・抵抗体。
、 第2図(a)、(b)、(c)は上記実施例により製造
された回路基板の構造を示す断面図、 第3図はアルミナ基板を用いた従来の回路基板の製造プ
ロセスを示す工程図である。 第4図(a)、(b)は従来の回路基板の構造例を示す
断面図である。 1・・・基板、2・・・印刷回路、3・・・接着層(イ
ンサート層)、4・・・銅板(ヒートシンク)、5・・
・半田層。 6・・・抵抗体。
Claims (3)
- (1)重量%で(以下、同じ)、Cu及びNiのうちの
1種又は2種を10〜60%、Ti、Nb及びZrのう
ちの1種又は2種以上を10〜80%を含み、残部がA
gからなる組成を有し、かつ、少なくとも、各成分粉末
がメカニカルアロイ法によって機械的に噛合結合した複
合粉末を含有し、ビヒクルにてペースト状にした導電ペ
ーストを使用して、Al_2O_3基板の接合面に全面
印刷すると共に該基板の回路形成面にスクリーン印刷法
で導電回路を形成した後、不活性雰囲気中で脱脂処理し
、次いで、10^−^3Torr以下の減圧下又は不活
性雰囲気中、800〜930℃で熱処理することを特徴
とする高放熱性回路基板の製造方法。 - (2)前記複合粉末は、粒度が10μm以下で、全粉末
の50wt%以上含まれている特許請求の範囲第1項記
載の方法。 - (3)接合部品をAl_2O_3基板に接合する場合に
は、接合面に1〜10kg/cm^2の荷重をかけなが
ら前記熱処理を行う特許請求の範囲第1項又は第2項記
載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23280586A JPS6387791A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 高放熱性回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23280586A JPS6387791A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 高放熱性回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6387791A true JPS6387791A (ja) | 1988-04-19 |
| JPH0361353B2 JPH0361353B2 (ja) | 1991-09-19 |
Family
ID=16945043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23280586A Granted JPS6387791A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 高放熱性回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6387791A (ja) |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP23280586A patent/JPS6387791A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0361353B2 (ja) | 1991-09-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2737292B2 (ja) | 銅ペースト及びそれを用いたメタライズ方法 | |
| US5165986A (en) | Copper conductive composition for use on aluminum nitride substrate | |
| US6284985B1 (en) | Ceramic circuit board with a metal plate projected to prevent solder-flow | |
| JPS62104878A (ja) | 磁製化金属基板用の銅含有導電塗料 | |
| JP2571233B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| EP1434750B1 (en) | Thick film conductor compositions for use on aluminum nitride substrates | |
| JP2578283B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板のメタライズ方法 | |
| JPS6387790A (ja) | 高放熱性回路基板の製造方法 | |
| JPH0361353B2 (ja) | ||
| JP4544837B2 (ja) | セラミック配線基板用銅ペースト、セラミック配線基板及びセラミック配線基板の製造方法 | |
| JPH02126700A (ja) | ガラスセラミックス多層回路基板焼結体 | |
| JPH05226515A (ja) | メタライズ層を有する窒化アルミニウム基板とそのメタライズ方法 | |
| JPH06196831A (ja) | AlN基板用導電パターンの製造方法 | |
| JPH01206508A (ja) | 窒化アルミニウム基板用導体ペースト | |
| JPH05156303A (ja) | メタライズ用金属粉末組成物,それを用いたメタライズ基板及びメタライズ基板の製造方法 | |
| JPS63283184A (ja) | 導体組成物を被覆した回路基板 | |
| JPS62140304A (ja) | 導電性ペ−スト | |
| JPH01107592A (ja) | 電気回路基板 | |
| JPH0468138B2 (ja) | ||
| JPS58130590A (ja) | セラミツク配線基板および該セラミツク配線基板を用いた厚膜ハイブリツドic | |
| JPS6342153A (ja) | 混成集積回路基板及びその製造方法 | |
| JP3505659B2 (ja) | 導電膜付メタライズ基板の製造方法 | |
| JPS62237605A (ja) | 厚膜ペ−スト | |
| JP3456225B2 (ja) | 高熱伝導性基板およびその製造方法 | |
| JPS63132497A (ja) | ムライト配線基板の製造方法 |