JPS6342423B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、定電圧素子として用いられツエナー
ダイオードに関する。

一般的なツエナーダイオードは、第１図に示す
ように、n^-基板１の一表面から部分的に形成さ
れたＰ形領域２を有し、このＰ形領域に接続され
た第１電極４と、基板１の裏面に設けられた第２
電極５とを両端電極とするものであつた。なお、
６はPN接合端を保護する絶縁膜である。このよ
うなツエナーダイオードにおいて、第１電極４に
（−）、第２電極５に（＋）の電圧を加えたときの
ブレークダウン電圧、すなわち、このツエナーダ
イオードの動作電圧は、基板の不純物濃度および
接合の深さの選択により決められ、動作電圧を変
える毎に、これらを変えなければならず、設計は
面倒であつた。

本発明の目的は、その動作電圧の設計が極めて
簡単なツエナーダイオードを提供することであ
る。

つぎに第２図により本発明を詳細に説明する。
第２図において、本発明のツエナーダイオードは
n^-基板１の表面部分に、間を隔ててP^-領域２と
n⁺領域３を形成し、P^-領域に接続した第１電極
４を絶縁膜６の上を這わせてn⁺領域３の部分ま
で延在させ、n⁺領域３から第２電極５を取り出
し、この第１電極と第２電極を両端電極としてい
るものである。

いま、第１電極４に対し、第２電極５を（＋）
とする電圧を与えると、よく知られているよう
に、フイールドプレート効果により、第２図に示
すような、第１電極４の下を空乏層７が第１電極
４から第２電極５の方え延びる。この印加電圧を
さらに増加させると、空乏層７は８のようにn⁺
領域に達する。空乏層８がn⁺領域に達すると、
ここでの電子増倍係数がn^-基板に比べはるかに
大きいため、直ちにアバランシユブレークダウン
を引起す。このときのアバランシユブレークダウ
ンの開始電圧は、基板，Ｐ，ｎ領域の不純物濃
度、絶縁膜の厚さおよびＰ，n⁺領域間距離に依
存するが、中でもＰ領域とn⁺領域間距離の影響
が大きい。すなわち、この距離が短ければ小さな
電圧で開始し、長ければ大きな電圧が必要とな
る。したがつて、このＰ・n⁺領域間距離を変え
るだけで、多種類の開始電圧が同一条件で形成し
たＰ，ｎ層に対して得られる。これが応用上有利
であることは云うまでもない。

すなわち、同一基板同一Ｐ，ｎ拡散条件のもと
で多種類のツエナー電圧を得ることが可能とな
る。この構成は集積回路にも用いることができ
る。

第３図は、電極５を基板下面に形成した場合で
動作的には第２図の場合と全く同一となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のツエナーダイオードの断面図、
第２図は本発明の一実施例の断面図、第３図は本
発明の他の実施例の断面図である。 １…n^-基板、２…P^-領域、３…n⁺領域、４…
第１電極、５…第２電極、６…絶縁膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 一導電型の第１の半導体領域と、該第１の半
   導体領域の一主面に形成された他の導電型の第２
   の半導体領域と、前記第１の半導体領域の前記一
   主面に前記第２の半導体領域とは離間して形成さ
   れた前記一導電型の高濃度の第３の半導体領域
   と、前記第２の半導体領域より前記一主面を延在
   し前記第３の半導体領域に達して設けられた絶縁
   膜と、前記第３の半導体領域と電気的に接続され
   た第１の電極と、前記第２の半導体領域より前記
   絶縁膜上を前記第３の半導体領域上まで延在し、
   前記第２の半導体領域と前記第１の半導体領域と
   により形成されるPN接合を逆バイアスする電位
   が前記第１の電極との間に与えられるべく設けら
   れた第２の電極とを有することを特徴とするツエ
   ナーダイオード。