JPS6344290B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6344290B2 JPS6344290B2 JP9699581A JP9699581A JPS6344290B2 JP S6344290 B2 JPS6344290 B2 JP S6344290B2 JP 9699581 A JP9699581 A JP 9699581A JP 9699581 A JP9699581 A JP 9699581A JP S6344290 B2 JPS6344290 B2 JP S6344290B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- impregnating agent
- derivatives
- capacitor
- added
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Organic Insulating Materials (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はフイルムコンデンサに関する。
周知のようにフイルムコンデンサはその薄葉誘
電体としてプラスチツクフイルムのみをもつて形
成されるが、この種プラスチツクフイルムはフイ
ルム相互間及びこれと電極箔との間の密着性がよ
いため、これに含浸する鉱物油（以下単にMOと
称す。以下同じ。）、アルキルナフタレン（AN）、
アルキルベンゼン（AB）、アリールジフエニル
エタン（ADE）などの絶縁油からなる含浸剤が
浸透しにくい欠点がある。含浸剤の浸透が悪い場
合は、コンデンサ素子内部にボイドが残存し耐圧
性が低下するなどの不都合な点を回避することが
困難となる。
電体としてプラスチツクフイルムのみをもつて形
成されるが、この種プラスチツクフイルムはフイ
ルム相互間及びこれと電極箔との間の密着性がよ
いため、これに含浸する鉱物油（以下単にMOと
称す。以下同じ。）、アルキルナフタレン（AN）、
アルキルベンゼン（AB）、アリールジフエニル
エタン（ADE）などの絶縁油からなる含浸剤が
浸透しにくい欠点がある。含浸剤の浸透が悪い場
合は、コンデンサ素子内部にボイドが残存し耐圧
性が低下するなどの不都合な点を回避することが
困難となる。
この発明は薄葉誘電体としてプラスチツクフイ
ルムのみを用いたフイルムコンデンサにおいて、
含浸剤の浸透を容易にすることを目的とする。
ルムのみを用いたフイルムコンデンサにおいて、
含浸剤の浸透を容易にすることを目的とする。
この発明は、ヘキサフルオロプロピレンオリゴ
マー（HF）の誘導体を絶縁油に添加した含浸剤
を含浸することを要旨とするものである。
マー（HF）の誘導体を絶縁油に添加した含浸剤
を含浸することを要旨とするものである。
前記HFとしては２量体又は３量体があり、２
量体の例を例示すると以下のようなものがある。
量体の例を例示すると以下のようなものがある。
「（CF3）2C＝CFCF2CF3」
又、３量体の例を例示すると以下のようなもの
がある。
がある。
次に、絶縁油にHFの誘導体を添加した含浸剤
のプラスチツクフイルム及び電極箔に対する濡れ
性について詳述する。以下の実験例において絶縁
油に添加したHFの誘導体ａ〜ｆは次のようなも
のである。
のプラスチツクフイルム及び電極箔に対する濡れ
性について詳述する。以下の実験例において絶縁
油に添加したHFの誘導体ａ〜ｆは次のようなも
のである。
ａ…C9F17O（CH2CH2O）7C9F17
ｂ…C9F17O（CH2CH2O）22C9F17
ｃ…C9F17O（CH2CH2O）7CH3
ｅ…C9F17OC6H4COO（CH2CH2O）9H
ｆ…C9F17OC10H6COO（CH2CH2O）10H
第１図〜第４図はMO、AN、AB及びADEの
絶縁油にHFの誘導体である前記ａ〜ｆを添加し
た含浸剤の表面張力（dyne／cm）と、HFの誘導
体の添加量（wt％）との関係を示し、ウイルヘ
ルミ法（ガラスに対する）により測定した。
絶縁油にHFの誘導体である前記ａ〜ｆを添加し
た含浸剤の表面張力（dyne／cm）と、HFの誘導
体の添加量（wt％）との関係を示し、ウイルヘ
ルミ法（ガラスに対する）により測定した。
第５図〜第８図はAN及びADEの絶縁油にHF
の誘導体である前記ａ〜ｅを添加した含浸剤の二
軸延伸ポリプロピレンフイルム（PPフイルム）
及びアルミニユム箔（Al箔）に対する接触角α
と、HFの誘導体の添加量（wt％）との関係を示
し、前記接触角とは第９図に示すように、注射器
１からPPフイルム又はAl箔２上に前記含浸剤を
滴下し、PPフイルム又はAl箔２の表面に拡がつ
た含浸剤３の接触角αを測定した値である。
の誘導体である前記ａ〜ｅを添加した含浸剤の二
軸延伸ポリプロピレンフイルム（PPフイルム）
及びアルミニユム箔（Al箔）に対する接触角α
と、HFの誘導体の添加量（wt％）との関係を示
し、前記接触角とは第９図に示すように、注射器
１からPPフイルム又はAl箔２上に前記含浸剤を
滴下し、PPフイルム又はAl箔２の表面に拡がつ
た含浸剤３の接触角αを測定した値である。
第１０図及び第１１図はAN及びADEの絶縁油
にHFの誘導体である前記ｂ〜ｅを添加した含浸
剤のヘイジ化した二軸延伸ポリプロピレンフイル
ム（HPPフイルム）に対する広がり（mm2）と、
HFの誘導体の添加量（wt％）との関係を示し、
前記広がりとはHPPフイルムの上に0.02c.c.の含浸
剤を滴下し、その上に別のHPPフイルムを２cm
の高さより静かに落し、その後20分経過したとき
の含浸剤の広がり面積を指す。なお、HPPフイ
ルムのヘイズ度は26.5％のものを用いた。
にHFの誘導体である前記ｂ〜ｅを添加した含浸
剤のヘイジ化した二軸延伸ポリプロピレンフイル
ム（HPPフイルム）に対する広がり（mm2）と、
HFの誘導体の添加量（wt％）との関係を示し、
前記広がりとはHPPフイルムの上に0.02c.c.の含浸
剤を滴下し、その上に別のHPPフイルムを２cm
の高さより静かに落し、その後20分経過したとき
の含浸剤の広がり面積を指す。なお、HPPフイ
ルムのヘイズ度は26.5％のものを用いた。
第１図〜第８図、第１０図及び第１１図から理
解されるように、絶縁油にHFの誘導体を添加す
ることにより、含浸剤はPPフイルム、HPPフイ
ルム、Al箔に対する濡れ性が向上する。そのた
めコンデンサ素子内部に容易に浸透していくよう
になる。このようにコンデンサ素子内部に深く含
浸剤が浸透することによつて、内部に残存してい
たボイドは排除され、耐圧性が向上するようにな
る。
解されるように、絶縁油にHFの誘導体を添加す
ることにより、含浸剤はPPフイルム、HPPフイ
ルム、Al箔に対する濡れ性が向上する。そのた
めコンデンサ素子内部に容易に浸透していくよう
になる。このようにコンデンサ素子内部に深く含
浸剤が浸透することによつて、内部に残存してい
たボイドは排除され、耐圧性が向上するようにな
る。
なお、添加すべきHFの誘導体は、絶縁油から
みればあくまでも不純物であるから、これが多量
に添加されると、絶縁油の絶縁性能が低下するの
で、必要最小限度にとどめるのが得策である。し
かし、これが少量にすぎると、前記した濡れ性を
充分発揮することができない。以上の理由から、
その混入量としては、そのフイルムコンデンサの
構成や定格によつて異なるが、一般的には0.005
〜1.0wt％が適当であろう。
みればあくまでも不純物であるから、これが多量
に添加されると、絶縁油の絶縁性能が低下するの
で、必要最小限度にとどめるのが得策である。し
かし、これが少量にすぎると、前記した濡れ性を
充分発揮することができない。以上の理由から、
その混入量としては、そのフイルムコンデンサの
構成や定格によつて異なるが、一般的には0.005
〜1.0wt％が適当であろう。
次に、この発明の実施例について詳述する。第
１２図及び第１３図は供試フイルムコンデンサの
部分放電開始電圧（CSV）（供試コンデンサの定
格電圧に対する倍数）と、HFの誘導体の添加量
（wt％）との関係を示す。第１２図の供試フイル
ムコンデンサは、18μのPPフイルム３枚とAl箔
を重ね合わせて巻回したコンデンサ素子に、AN
にHFの誘導体としてａ〜ｃを添加した含浸剤を
含浸したものである。又、第１３図の供試フイル
ムコンデンサは、18μのHPPフイルム３枚とAl箔
を重ね合わせて巻回したコンデンサ素子に、
ADEにHFの誘導体としてｄ〜ｆを添加した含浸
剤を含浸したものである。
１２図及び第１３図は供試フイルムコンデンサの
部分放電開始電圧（CSV）（供試コンデンサの定
格電圧に対する倍数）と、HFの誘導体の添加量
（wt％）との関係を示す。第１２図の供試フイル
ムコンデンサは、18μのPPフイルム３枚とAl箔
を重ね合わせて巻回したコンデンサ素子に、AN
にHFの誘導体としてａ〜ｃを添加した含浸剤を
含浸したものである。又、第１３図の供試フイル
ムコンデンサは、18μのHPPフイルム３枚とAl箔
を重ね合わせて巻回したコンデンサ素子に、
ADEにHFの誘導体としてｄ〜ｆを添加した含浸
剤を含浸したものである。
第１４図及び第１５図は供試フイルムコンデン
サのの交流電圧印加（定格電圧×1.5倍）時の残
存率の推移を示す。第１４図の供試フイルムコン
デンサは、18μのPPフイルム３枚とAl箔を重ね
合わせて巻回したコンデンサ素子に、ANにHF
の誘導体としてａ，ｃ，ｄを0.05wt％及び0.1wt
％を添加した含浸剤を含浸したものである。又、
第１５図の供試フイルムコンデンサは、18μの
HPPフイルム３枚とAl箔を重ね合わせて巻回し
たコンデンサ素子に、ADEにHF誘導体として
ｄ，ｅを0.05wt％及び0.1wt％を添加した含浸剤
を含浸したものである。なお、第１４図及び第１
５図には、参考のために含浸剤にHFの誘導体を
添加せず、AN又はADEのみを含浸した供試フイ
ルムコンデンサの残存率の推移を点線でもつて併
示してある。
サのの交流電圧印加（定格電圧×1.5倍）時の残
存率の推移を示す。第１４図の供試フイルムコン
デンサは、18μのPPフイルム３枚とAl箔を重ね
合わせて巻回したコンデンサ素子に、ANにHF
の誘導体としてａ，ｃ，ｄを0.05wt％及び0.1wt
％を添加した含浸剤を含浸したものである。又、
第１５図の供試フイルムコンデンサは、18μの
HPPフイルム３枚とAl箔を重ね合わせて巻回し
たコンデンサ素子に、ADEにHF誘導体として
ｄ，ｅを0.05wt％及び0.1wt％を添加した含浸剤
を含浸したものである。なお、第１４図及び第１
５図には、参考のために含浸剤にHFの誘導体を
添加せず、AN又はADEのみを含浸した供試フイ
ルムコンデンサの残存率の推移を点線でもつて併
示してある。
第１２図〜第１５図から理解されるように、絶
縁油にHFの誘導体を添加した含浸剤を含浸した
供試フイルムコンデンサは、CSV、残存率のい
ずれも、HFの誘導体を添加していない場合より
も優れた値を呈している。
縁油にHFの誘導体を添加した含浸剤を含浸した
供試フイルムコンデンサは、CSV、残存率のい
ずれも、HFの誘導体を添加していない場合より
も優れた値を呈している。
以上詳述したように、この発明によれば絶縁油
にHFの誘導体を添加し、含浸剤の濡れ性を向上
することによつてプラスチツクフイルムのみから
なる薄葉誘電体構成のコンデンサ素子内部への含
浸剤の浸透を容易とすることができ、これによつ
てフイルムコンデンサの耐圧性能を著るしく向上
させることができ、又長寿命化できる効果をを奏
する。
にHFの誘導体を添加し、含浸剤の濡れ性を向上
することによつてプラスチツクフイルムのみから
なる薄葉誘電体構成のコンデンサ素子内部への含
浸剤の浸透を容易とすることができ、これによつ
てフイルムコンデンサの耐圧性能を著るしく向上
させることができ、又長寿命化できる効果をを奏
する。
第１図〜第４図は含浸剤の表面張力とHFの誘
導体の添加量との関係を示す特性図、第５図〜第
８図は含浸剤のPPフイルムおよびAl箔に対する
接触角とHFの誘導体の添加量との関係を示す特
性図、第９図は接触角の測定法を説明するための
図、第１０図及び第１１図は含浸剤の広がりと
HFの誘導体の添加量との関係を示す特性図であ
る。第１２図及び第１３図はこの発明による一実
施例の部分放電開始電圧とHFの誘導体の添加量
との関係を示す特性図、第１４図及び第１５図は
この発明による一実施例の残存率の推移を示す図
である。 １：注射器、２：PPフイルム又はAl箔、３：
含浸剤、α：接触角、MO：鉱物油、AN：アル
キルナフタレン、AB：アルキルベンゼン、
ADE：アリールジフエニルエタン、ａ〜ｆ：HF
の誘導体。
導体の添加量との関係を示す特性図、第５図〜第
８図は含浸剤のPPフイルムおよびAl箔に対する
接触角とHFの誘導体の添加量との関係を示す特
性図、第９図は接触角の測定法を説明するための
図、第１０図及び第１１図は含浸剤の広がりと
HFの誘導体の添加量との関係を示す特性図であ
る。第１２図及び第１３図はこの発明による一実
施例の部分放電開始電圧とHFの誘導体の添加量
との関係を示す特性図、第１４図及び第１５図は
この発明による一実施例の残存率の推移を示す図
である。 １：注射器、２：PPフイルム又はAl箔、３：
含浸剤、α：接触角、MO：鉱物油、AN：アル
キルナフタレン、AB：アルキルベンゼン、
ADE：アリールジフエニルエタン、ａ〜ｆ：HF
の誘導体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電極箔間にプラスチツクフイルムのみを薄葉
誘電体として介在してなるコンデンサ素子に、ヘ
キサフルオロプロピレンオリゴマーの誘導体を絶
縁油に添加した含浸剤を含浸してなるフイルムコ
ンデンサ。 ２ プラスチツクフイルムがポリプロピレンフイ
ルムである特許請求の範囲第１項記載のフイルム
コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9699581A JPS57211218A (en) | 1981-06-22 | 1981-06-22 | Film condenser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9699581A JPS57211218A (en) | 1981-06-22 | 1981-06-22 | Film condenser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57211218A JPS57211218A (en) | 1982-12-25 |
| JPS6344290B2 true JPS6344290B2 (ja) | 1988-09-05 |
Family
ID=14179770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9699581A Granted JPS57211218A (en) | 1981-06-22 | 1981-06-22 | Film condenser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57211218A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0212783U (ja) * | 1988-07-11 | 1990-01-26 |
-
1981
- 1981-06-22 JP JP9699581A patent/JPS57211218A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0212783U (ja) * | 1988-07-11 | 1990-01-26 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57211218A (en) | 1982-12-25 |
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