JPS6344785A - 半導体レ−ザアレ−装置 - Google Patents
半導体レ−ザアレ−装置Info
- Publication number
- JPS6344785A JPS6344785A JP18820286A JP18820286A JPS6344785A JP S6344785 A JPS6344785 A JP S6344785A JP 18820286 A JP18820286 A JP 18820286A JP 18820286 A JP18820286 A JP 18820286A JP S6344785 A JPS6344785 A JP S6344785A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- array
- substrate
- semiconductor laser
- groove
- clad layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明はたとえば光通信や光デイスクプレーヤなどの
光情報処理機器に用いられる単一モードで発振して高出
力が得られる半導体レーザアレー装置に関、するもので
ある。
光情報処理機器に用いられる単一モードで発振して高出
力が得られる半導体レーザアレー装置に関、するもので
ある。
（ロ）従来の技術
一般に、高出力を得るために、半導体レーザを複数本集
積した半導体レーザアレー装置が知られている。そして
その構成としては、たとえば一つの半導体レーザが、平
坦なｎ形Ｇ ａ Ａ ｓ基板上に、ｎ形ＧａＡｆｆＡｓ
クラッド層、ＣａＡｓ活性暦活性形ＧユＡＱＡｓクラッ
ド暦およびｐ形ＧａＡｓキャップ層を順次形成した後、
キャップ層の左右両側全部とクラッド層の左右両側一部
をエツチングによって除去し、このクラッド層の左右両
側表面にＳｉＯ＊絶縁層を形成してなる構造を有するリ
ッジ導波路型レーザ素子を一つの基板上に３個集積して
形成したものである。
積した半導体レーザアレー装置が知られている。そして
その構成としては、たとえば一つの半導体レーザが、平
坦なｎ形Ｇ ａ Ａ ｓ基板上に、ｎ形ＧａＡｆｆＡｓ
クラッド層、ＣａＡｓ活性暦活性形ＧユＡＱＡｓクラッ
ド暦およびｐ形ＧａＡｓキャップ層を順次形成した後、
キャップ層の左右両側全部とクラッド層の左右両側一部
をエツチングによって除去し、このクラッド層の左右両
側表面にＳｉＯ＊絶縁層を形成してなる構造を有するリ
ッジ導波路型レーザ素子を一つの基板上に３個集積して
形成したものである。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記の構造においては、単一〇°位相同
期モードでの発振が得られておらず、したがって高出力
化が達成されていない。この原因は、高次の１８０°位
相同期モードが低い閾値利得で発振しているためである
。っまり０°位相同期モードと１８０°位相同期モード
との利得差は極めて小さいため、両モードが混在した発
振をするか、むしろリッジ間で利得が小さいため１８０
°位相同期モードの発振の方が主となるものである。
期モードでの発振が得られておらず、したがって高出力
化が達成されていない。この原因は、高次の１８０°位
相同期モードが低い閾値利得で発振しているためである
。っまり０°位相同期モードと１８０°位相同期モード
との利得差は極めて小さいため、両モードが混在した発
振をするか、むしろリッジ間で利得が小さいため１８０
°位相同期モードの発振の方が主となるものである。
この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、１８０
°位相同期モードを抑制して、弔−〇゛位相同期モード
で発振する半導体レーザアレー装置を提供しようするも
のである。
°位相同期モードを抑制して、弔−〇゛位相同期モード
で発振する半導体レーザアレー装置を提供しようするも
のである。
（ニ）問題点を解決するための手段
この発明の構成は半導体レーザを複数本同一基板上に集
積して、複数の発光領域を具備する半導体レーザアレー
装置において、 萌記発光領域に対向する前記基板の接合面に、それぞれ
の発光領域の幅寸法を合計した幅寸法より小なる幅寸法
で、かつ、所定の深さ寸法を有する溝部を設けたことを
特徴とする半導体レーザアレー装置である。
積して、複数の発光領域を具備する半導体レーザアレー
装置において、 萌記発光領域に対向する前記基板の接合面に、それぞれ
の発光領域の幅寸法を合計した幅寸法より小なる幅寸法
で、かつ、所定の深さ寸法を有する溝部を設けたことを
特徴とする半導体レーザアレー装置である。
（ホ）作 用
溝部の部分における屈折率が最も大きく、溝部以外の周
辺部で高次モードの吸収を大きくするため、０°位相発
振を安定に得ることができるようになる。
辺部で高次モードの吸収を大きくするため、０°位相発
振を安定に得ることができるようになる。
（へ）実施例
以下この発明の実施例を図面にて詳述するが、この発明
は以下の実施例に限定されるものではない。
は以下の実施例に限定されるものではない。
第１図に示す半導体レーザアレー装置Ｉは、３本ストラ
イプ型の半導体レーザアレー装置である。
イプ型の半導体レーザアレー装置である。
２はｐ型ＧａＡｓの基板で、その上面（接合面）に輻６
μｍ１深さ１μｍの溝部３をストライプ状に形成する。
μｍ１深さ１μｍの溝部３をストライプ状に形成する。
つまり溝部３は半導体レーザアレー装置１の共振器（図
示しない）長手方向に延長されている。そして上記のよ
うに加工した基板２上にｐ型Ｇ ａ ＡｆｆＡ ｓクラ
ッド層４、ＧａＡＱＡｓ活性層５、ｎ型ＧａＡ１２Ａｓ
クラッド層らおよび電極形成用Ω型Ｇ ａ Ａ ｓ Ｒ
７をそれぞれ液相エピタキシャル法で成長させる。つい
で、基板２に形成した溝部３を中心として、幅２μｍＳ
間隔２μｍのリッジ８をリアクティブエツチング法で形
成する。さらに電極形成用ｎ型ＧａＡｓ層７の上面をの
ぞく表面とｐ型ＧａＡｌ２Ａｓクラッド層４表面とに電
流阻止用のＳｊＮ膜９を形成し、その上面および電極形
成用ｎ型ＧａＡｓ層７上面に連続してｎ型電極ｌＯを形
成する。ｌ】は基板２の下面に設けられるｐ型電極であ
る。この後通常の何間法によりウェハより分割して個々
の半導体レーザアレー装置Ｉとする。
示しない）長手方向に延長されている。そして上記のよ
うに加工した基板２上にｐ型Ｇ ａ ＡｆｆＡ ｓクラ
ッド層４、ＧａＡＱＡｓ活性層５、ｎ型ＧａＡ１２Ａｓ
クラッド層らおよび電極形成用Ω型Ｇ ａ Ａ ｓ Ｒ
７をそれぞれ液相エピタキシャル法で成長させる。つい
で、基板２に形成した溝部３を中心として、幅２μｍＳ
間隔２μｍのリッジ８をリアクティブエツチング法で形
成する。さらに電極形成用ｎ型ＧａＡｓ層７の上面をの
ぞく表面とｐ型ＧａＡｌ２Ａｓクラッド層４表面とに電
流阻止用のＳｊＮ膜９を形成し、その上面および電極形
成用ｎ型ＧａＡｓ層７上面に連続してｎ型電極ｌＯを形
成する。ｌ】は基板２の下面に設けられるｐ型電極であ
る。この後通常の何間法によりウェハより分割して個々
の半導体レーザアレー装置Ｉとする。
この実施例では、それぞれのりツノ８下方のそれぞれの
りツノ８に対応する発光領域１２１゜１２ｂ、１２ｃの
幅寸法、いいかえればそれぞれのりツノ８の幅寸法の合
計にほぼ等しい幅寸法ＷＬより、溝部３の幅寸法ｗｓが
小さく （Ｗ５ ＜ Ｗｗ ）なっている。したかって
、溝部３により、ｐ型ＧａＡりＡｓクラッド層４の層厚
が、アレー中央部でアレー周辺部より大きくなり、この
ｐ型ＧａＡ（ＩＡｓクラッド層４のストライプの等価屈
折率が大きくなる。これとは逆に、周辺部では基板２に
よる吸収のため損失が大きくなっている。
りツノ８に対応する発光領域１２１゜１２ｂ、１２ｃの
幅寸法、いいかえればそれぞれのりツノ８の幅寸法の合
計にほぼ等しい幅寸法ＷＬより、溝部３の幅寸法ｗｓが
小さく （Ｗ５ ＜ Ｗｗ ）なっている。したかって
、溝部３により、ｐ型ＧａＡりＡｓクラッド層４の層厚
が、アレー中央部でアレー周辺部より大きくなり、この
ｐ型ＧａＡ（ＩＡｓクラッド層４のストライプの等価屈
折率が大きくなる。これとは逆に、周辺部では基板２に
よる吸収のため損失が大きくなっている。
したがってこの発明の半導体レーザアレー装置は、アレ
ー中央部の電界強度が大きなＯ°位位相モー１振振有利
な屈折率分布をもっており、アレー各部において同一強
度の１８０°位相同期モードは抑制される損失分布とな
っている。
ー中央部の電界強度が大きなＯ°位位相モー１振振有利
な屈折率分布をもっており、アレー各部において同一強
度の１８０°位相同期モードは抑制される損失分布とな
っている。
この実施例において、前面共振面に透過膜、裏面共振面
に高反射膜を被覆して、出力３００ｍＷまで単一〇゛位
相発振が得られた。
に高反射膜を被覆して、出力３００ｍＷまで単一〇゛位
相発振が得られた。
この方法は例えば埋め込みガイドやリブガイドなどの他
のリアルガイドレーザにも応用できる。
のリアルガイドレーザにも応用できる。
なお上記実施例では、３つのりツノを有する半導体レー
ザアレー装置としたが、リッジの数は所望の出力に対応
して増減すればよい。
ザアレー装置としたが、リッジの数は所望の出力に対応
して増減すればよい。
（ト）発明の効果
この発明によれば、高次の横モードを含む多モード発振
の中から、クラッド層の等価屈折率に分布をもたせるこ
とにより、単一〇゛位相同期モードの発振のみを選択し
、極めて安定に、かつ、高主力でレーザ発振をすること
ができる半導体レーザアレー装置が得られる。
の中から、クラッド層の等価屈折率に分布をもたせるこ
とにより、単一〇゛位相同期モードの発振のみを選択し
、極めて安定に、かつ、高主力でレーザ発振をすること
ができる半導体レーザアレー装置が得られる。
第１図はこの発明の実施例縦断面図である。
２・−・・・・基板、 ３・・・・・・溝部、１２ａ
、＋２ｂ、１２ｃ・・・・・・発光領域。 第１図
、＋２ｂ、１２ｃ・・・・・・発光領域。 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体レーザを複数本同一基板上に集積して、複数
の発光領域を具備する半導体レーザアレー装置において
、 前記発光領域に対向する前記基板の接合面に、それぞれ
の発光領域の幅寸法を合計した幅寸法より小なる幅寸法
で、かつ、所定の深さ寸法を有する溝部を設けたことを
特徴とする半導体レーザアレー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18820286A JPS6344785A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | 半導体レ−ザアレ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18820286A JPS6344785A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | 半導体レ−ザアレ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6344785A true JPS6344785A (ja) | 1988-02-25 |
Family
ID=16219561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18820286A Pending JPS6344785A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | 半導体レ−ザアレ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6344785A (ja) |
-
1986
- 1986-08-11 JP JP18820286A patent/JPS6344785A/ja active Pending
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