JPH02179866A - 膜形成方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は、膜形成方法及びその装置に関し、特に、透明
導電膜を形成するに好適な膜形成方法及びこの方法に使
用する装置に関する。

口Ｊ従来技術 一般に透明導電膜の電極は、例えば液晶表示装置、透明
スイッチ、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）表示装置の
透明電極、その他の素子の導電電極として広（用いられ
ている。

透明導電膜は、金属酸化物からなっていて、通常、ガラ
ス板やシート状の透明基体上に形成される。透明導電膜
の形成には、従来、スパッタリング法、反応蒸着法、後
加熱酸化処理法（特開昭４８−５５２６７号公報参照）
等の方法が採用されている。

しかしながら、スパッタリング法または反応蒸着法を用
いて透明導電膜を形成する場合には、透明基体の全体を
均一な温度に維持することが困難であることから、結晶
性の均一な透明導電膜を形成することが困難である。そ
のため、透明導電性フィルムによりエレクトロルミネセ
ンス表示装置の透明電極あるいは液晶表示装置の透明電
極を形成する場合には、透明電極の性能にバラツキが生
する問題点がある。すなわち、透明電極の製造工程にお
いては、透明導電膜を酸等により溶解してバターニング
する処理を行うことが必要とされるが、この処理におい
ては、透明導電膜の溶解速度がその結晶性の程度によっ
て異なり、その結果パターンの形状精度が不均一となり
、結局高い性能の透明電極を形成することが困難である
。

基体を加熱しておいて、蒸着やスパッタによって透明導
電膜を形成すると、酸化度が高く、結晶性が良好で均一
な透明導電膜が形成される。そこで、ハロゲンランプか
らの赤外光を照射して透明基体を加熱し、これにより昇
温した透明基体の表面に蒸着やスパッタによって透明導
電膜を形成することが考えられる。赤外光による加熱は
、熱伝導による加熱に較べて昇温が速く、生産性の観点
から有利である。

ところが、基体が透明であると、赤外光は基体を透過し
てしまい、基体が充分には昇温しない。

従って、このような方法は、透明基体に透明導電膜を形
成するのには甚だ効率が悪く不適当であつた。

ハ０発明の目的 本発明は、結晶性が高くて均一な膜を高い生産性を以て
形成できる膜形成方法及びこの方法に使用する装置を提
供することを目的としている。

二０発明の構成 第一の発明は、光透過性基体上に膜を形成する際、前記
基体の一方の面に光反射及び／又は蓄熱手段を配置させ
た状態で前記基体の他方の面側から光照射による加熱を
行い、この加熱と同時に及び／又はこの加熱の次に、前
記基体の光照射側の面に所定の膜を形成する膜形成方法
に係る。

第二の発明は、光透過性基体の一方の面に配置された光
反射及び／又は蓄熱手段と、前記基体の他方の面に光を
照射してこの基体を加熱する加熱手段と、前記基体の光
照射面に膜成分を供給する膜成分供給手段とを有する、
前記第一の発明に係る膜形成方法に使用する膜形成装置
に係る。

ホ、実施例 以下、本発明の詳細な説明する。

第１図は、光透過性基体としてのガラス基板の表面に、
Ｉ　Ｔ　Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ）の透
明導電膜を形成させる蒸着装置の要部概略図である。

減圧容器６内には金属板２が水平に固定されている。金
属板２の下面両端近くにはＬ字形の基板支持部２ａ、２
ａが設けられていて、基板支持部２ａ、２ａにガラス基
板１が支持される。ガラス基板１は、下面が露出し、上
面は金属板２に密着している。この密着を確実ならしめ
るよう、バネ、ネジ、喫等適当な手段を用いるが、これ
らは図示省略しである。

減圧容器６内には支柱３１に支持されたハロゲンランプ
３０と、台３４上に載置され、蒸発材料３２を収容する
坩堝３３とが収容されている。蒸発材料３２は、インジ
ウムと錫との混合粉（錫含有割合６重量％）としである
。図中、３５は、放電装置であって、イオン化又は活性
化された物質を減圧容器６内に導入し、これを蒸発材料
３２の蒸発物と反応させ、或いは蒸発物質を活性化させ
るためのものであるが、必ずしも必要なものではない。

容器６内は減圧しであるが排気手段の図示は省略する。

ハロゲンランプ３０に通電してガラス基板１に赤外光を
照射し、これを加熱する。次に、図示しないヒータで蒸
発材料３２を加熱してこれを蒸発させ、ガラス基板１の
下面に蒸着させて透明導電膜を形成する。

ハロゲンランプ３０からの赤外光は、ガラス基板１を透
過し、ガラス基板１の上面と金属板２の下面との界面で
反射し、再びガラス基板１を透過する。また、金属板２
は赤外光の照射によって加熱されて昇温し、金属板２に
蓄えられた熱がガラス基板１に供給される。か（して、
ガラス基板１は、その中での赤外光の往復によって２回
加熱され、更に昇温した金属板２からの熱の供給を受け
、速やかに所定温度に昇温する。

ガラス基板の温度は１３０〜３００″Ｃの範囲が好まし
い。容器６内の真空度は２ＸＩＯ−’〜５　Ｘ　１０−
３ｔｏｒｒ程度とする。

蒸発材料３２の加熱源としては、抵抗加熱、電子銃加熱
等の適宜の加熱源を用いることができる。

また、反応蒸着法においては蒸発材料３２のほかに、放
電装置３５からイオン化又は活性化した酸素又は酸素と
アルゴンとの混合ガスを蒸発空間に供給する。この供給
量は３０〜２００ｃｃ／ｗｉｎ程度である。放電には、
例えば１００〜１００ＯＷ程度の出力の高周波放電によ
るのが好ましい。

蒸着装置内でのガラス基板の支持は、第５図のようにす
ることができる。なお、第１図と共通する部分には同じ
符号を付して表わしてあり、これらの機能は第１図の例
におけると同様であるので、説明を省略する（以下、同
様）。

減圧容器６内には、鉤状を呈する基板ホルダー５が固定
され、基板ホルダー５にガラス基板１が端縁部を載置さ
れて支持される。ガラス基板１上には金属板４が載置さ
れて密着する。金属板４の役割は、第１図の金属板２の
それと同じである。

このようなガラス基板支持方法とすることにより、ガラ
ス基板１上に金属板４を載置するだけで両者が密着する
ので、第１図の例におけるような密着治具を使用する手
数が省略される。

透明導電膜の形成は、上述の真空蒸着、反応蒸着のほか
、スパッタリング、イオンブレーティングによっても形
成できる。

第６図及び第７図は、ガラス基板への透明導電膜形成を
多数枚同時に行うようにしたスパッタ装置を示し、第６
図は第７図のＶｌ−ＶＩ線断面図、第７図は第６図の■
−■線断面図である。排気手段の図示は省略する。

周壁１６ａを円形に成形してなる減圧容器１６には、円
板状金属板の基板ホルダー７が支柱１１上に回転可能に
支持される。

基板ホルダー７には、断面り字形の内側支持部７ａ、外
側支持部７ｂが一体に設けられている。

支持部７ａ、７ｂにガラス基板１がその両端縁で支持さ
れ、ガラス基板１の上面は基板ホルダー７の下面に密着
する（第１図の例と同様）。ガラス基板１は４枚が等間
隔に放射状に支持されるようにしである。

回転可能な基板ホルダー７の下方にハロゲンランプ３０
とスパッタターゲット材料（蒸発材料）３２が設置され
ている。ガラス基板１は基板ホルダー回転中にハロゲン
ランプ３０によって加熱され、スパッタ開始後は、回転
中に加熱とスパッタが交互に繰り返され、透明導電膜が
形成される。

第２図は、上記のようにしてスパッタリングによって得
られた液晶表示素子素材の拡大断面図である。　１００
Ｘ２００　ｍｍ、厚さ１　、１　ｍｍの低アルカリガラ
ス基板１の表面にＩＴＯの透明導電膜９１が均一に形成
されている。スパッタリング時の基板温度は２００°Ｃ
とした。透明導電膜９１の厚さは１０００人である。透
明導電膜９１の形成は、６０分間でなされ、従来の方法
によるよりも熱効率が良好で短時間であった。

透明導電膜９１の酸化度は約１．３であり、組成比に直
すとＩｎ２０□、６である。

透明導電膜の酸化度は、ＥＳＣＡＳＣ法により求めた。

第３図にＥＳＣＡ分析による結果を示す。

このＥＳＣＡ分析の結果に基いて、Ｉｎ３ａｚ　５ｎｓ
ａ、０□の各ピーク高さを測定し、これらのピーク高さ
をそれぞれ下記第１表に示した補正値で割り、得られた
ＩｎｘａＳＳｎ３ａ、０□の比率をそれぞれＩｎ、Ｓｎ
、０の濃度（ａｔ％）とし、次式により酸化度を算出し
た。

酸化度＝０１３濃度／Ｉｎ３４濃度 第１表 透明導電膜９１をＸ線回折により調べたところ、第４図
に示すように、（２，２，２，）において高いピークを
示しており、その結晶性が高いことが確認された。

シート抵抗値は１５±２Ω／口、波長５５０ｎｍにおけ
る光透過率の測定結果は８５％といずれも均一性が高か
った。

比較のために、基板ホルダーと密着させず、その他は上
記の実施例と同様の条件で透明導電膜を形成した。その
結果、ガラス基板温度は１５０°Ｃにしか昇温せず、光
透過率は８５％であるものの、Ｘ線回折試験による結晶
性は低く、シート抵抗値は５０±１０Ω／口と高い値を
示し、バラツキも大きくて均一性に乏しいものであった
。

金属酸化物よりなる透明導電膜を形成するために用いる
ことができる当該金属酸化物としては、ＩＴＯのほか、
例えば酸化インジウム、酸化錫、酸化錫とアンチモンと
の混合物、酸化カドミウムと錫との混合物等を挙げるこ
とができる。また金属よりなる透明導電膜を形成するた
めにはパラジウム、金、白金を用いることができる。

この透明導電膜の形成においては、蒸着法や反応蒸着法
のほか、スパッタ法、反応スパッタ法、イオンブレーテ
ィング法、その他の薄膜製造手段を用いることができる
。

ガラス基板には、通常のガラス、石英ガラス、低膨張ガ
ラス、硼珪素ガラス、低アルカリガラス等が使用でき、
厚さは０．５〜５．０　ｍｍ、特に０．５〜１．５ｍｍ
の厚さが好ましい。

次に、長尺の可撓性透明フィルムの面に透明導電膜を連
続的に形成する例について述べる。

蒸着装置３６の内部は、第８図に示すように、４つの室
４１．４２．４３．４４に仕切られ、夫々排気口４１ａ
、４２ａ、４３ａ、４４ａから排気ポンプ（図示せず）
により所定の真空度に保持されている。両側の室４１．
４４にはそれぞれフィルム状の透明基体２０の供給ロー
ル２５および巻取りロール２６が配置され、供給ロール
２５よりの透明基体２０は、蒸着時には２個の搬送ロー
ラ２１．２１を経由して巻取りロール２６により一様な
速度で巻取られる。

室４３は、蒸着処理を施すための蒸着空間４５を区画す
るものであり、室４３内の上流側には、付勢力によって
透明基体２０に圧接するようにしである。金属板２７の
下方には、支柱３１に支持されたハロゲンランプ３０が
位置していて、ハロゲンランプ３０からの赤外光によっ
て透明基体２０が加熱されるようにしである。室４３内
の下流側には、蒸発材料３２を収容する坩堝３３が台３
４上に載置されている。

可撓性透明基体２０の材料としては、各種の有機材料を
用いることができる。この材料としては、例えば、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、
ポリへキサメチレンジアミド、ポリエ−テルイミド、ポ
リメタキシレンジアミンテレフタルアミド、ビスフェノ
ールＡおよびそのハロゲン化物と酸ジクロライドを主成
分とする芳香族ポリエステル（例えばｒＮＡＰフィルム
」（鐘淵化学社製））または芳香族ポリエステルカーボ
ネート、メタフェニレンジアミンとイソフタル酸および
テ゛レフタル酸の共重合体などのポリアミド、ポリカー
ボネート、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリアミド、
イミドポリベンズイミダゾール、ポリエーテルサルホン
、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエ
ーテルイミド、トリアセチルセルロースなどを挙げるこ
とができる。また、透明基体は、偏光性フィルタ機能を
有していてもよいし、製造時に延伸を要する場合には１
軸性のものもしくは２軸性のもののいずれをも用いるこ
とができ、また、結晶性もしくは非品性のいずれのもの
をも用いることができる。この例では、厚さ１００μｍ
のポリエーテルサルホンを基体材料としている。

透明基体２０の厚さは、材質、用途等によって異なり、
−概には規定することができないが、例えば透明スイッ
チに用いる場合には、７５〜１２５μｍ程度であり、例
えばエレクトロルミネセンス表示板の透明電極に用いる
場合には７５〜１００μｍ程度であり、例えば液晶表示
素子の透明電極に用いる場合には、１００〜２００μｍ
程度である。

蒸着時にｉよ、図示しない駆動装置によって巻取りロー
ル２６が回転し、透明基体２０は、室４３内で金属板２
７に接触しながらハロゲンランプ３０からの赤外光によ
って第１図の例におけると同様に１３０〜２００°Ｃに
効果的に加熱される。次いで坩堝３３内の蒸発材料３２
が蒸発して透明基体２０の下面に透明導電膜が形成され
、室４４内で透明基体２０は巻取りロール２６に巻取ら
れる。透明基体２０の搬送速度は、透明導電膜の成長速
度によって決まるが、−例を挙げると５０〜２００　ｃ
ｍ／ｍｉｎの範囲内が好ましい。透明基体２０の加熱を
確実ならしめるため、室４１内にも仮想線で示す同様の
金属板２７及びハロゲンランプ３０を配しても良い。

その他は第１図の例におけると同様である。かくして、
透明基体２０の面に透明導電膜が連続的に形成される。

その断面構造は、第２図に示す通りであって、可撓性透
明基体２０上にＩＴＯの透明導電膜９１が均一に形成さ
れている。

この透明導電膜９１の諸性質は、第１図の例におけると
同様に良好なものであった。

以上のようにして得られた透明導電性積層フィルムを用
いて実用に則してタッチ入力用の透明スイッチを作製し
、これらの透明スイッチについて第９図に示した構成の
実験装置を用いて耐打鍵性を調べる実験を行った。図中
、７０は直流電源、７１は抵抗、８０は透明スイッチで
あり、透明スイッチ８０の一方の透明導電膜８１　（第
２図の９１）は抵抗７１を介して直流電源７０の正極に
接続され、透明スイッチ８０の他方の透明導電膜８２（
第２図の９１）は直接直流電源７ｏの負極に接続されて
いる。７２は打鍵部である。８３．８４はそれぞれ一方
および他方の透明基体（第８図の２０）であり、８５．
８６はスペーサである。

透明基体８３．８４の厚さは１２５μｍ、透明導電膜８
１．８２の厚さは共に５００人、ギャップ８７の長さＤ
は０．５＋ｎｎ＋である。実験は前記打鍵部７２を上下
に往復動させるこ七により透明スイッチ８０の開閉を繰
返して行ったところ、約１５０万回においても透明スイ
ッチを流れる電流波形に乱れがなく依然として良好なス
イッチング特性が得られ、機械的耐久性が優れていて十
分な耐打鍵性を有していることが確認できた。なお、ス
イッチング電流は１ｍＡ、電圧は５■である。また、打
鍵部は、その先端にゴム硬度が６度で直径８　ｍｍの球
形のゴム製の打鍵部が設けられたものである。

上記の実施例において、蒸着時における加熱処理温度を
下記第２表に示すように変更したことと雰囲気を窒素ガ
スとしたほかは同様にして透明導電性積層フィルムを製
造した。

これらの透明導電性積層フィルムのそれぞれについて、
透明導電膜の結晶性をＸ線回折により調べた。結果を併
せて第２表に示す。なお、第２表における「○」、「Δ
」、「×」の評価は次の通りである。

’ＯＪ：Ｘ線回折における（２．２．２．）ピークの値
が、当該透明導電膜を温度１８０°Ｃで３０分間にわた
り加熱処理したときに得られる透明導電膜のＸ線回折に
おける（２．　２．　２．　　）のピークの値に対して
２／３以上であることを示す。

「Δ」　：Ｘ線回折における（２．２．２．）　　ピー
クの値が、当該透明導電膜を温度１８０°Ｃで蒸着形成
したときに得られる透明導電膜のＸ線回折における（２
．２．２．）のピークの値に対して２／３未満であるこ
とを示す。

「×」　＝Ｘ線回折においてピークが全く認められない
ことを示す。

第２表 二の第２表の結果から、加熱処理温度が１３０″Ｃ以上
の場合には透明導電膜の結晶化が十分に進行することが
理解される。

また、上記と同様にして、タッチ人力用の透明スイッチ
を作製し、耐スイッチング特性を調べる試験を行い、ス
イッチングが不良となるまでの耐打鍵回数を求めた。結
果を併せて第２表に示す。

この第２表の結果から理解されるように、蒸着時の温度
が１３０°Ｃ以上である透明導電性積層フィルムを用い
た場合には、耐打鍵回数が１００万回以上と機械的耐久
性の優れていることが確認できた。

これに対して、蒸着時の温度が１２０°Ｃ以下である透
明導電性積層フィルムを用いた場合には、耐打鍵回数が
１０〜７０万回程度と低く機械的耐久性が劣るものであ
った。

第１０図の蒸着装置は、長尺の可撓性透明基体に対する
ハロゲンランプによる加熱と蒸着とを同時に行うように
したものである。

蒸着装置４６の内部は、４つの室５１．５２．５３．５
４に仕切られ、夫々排気口５１ａ、５２ａ、５３ａ、５
４ａから排気ポンプ（図示せず）により所定の真空度に
保持されている。両側の室５１．５４には夫々フィルム
状の透明基体２０の供給ロール及び巻取りロール２６が
配置される。供給ロール２５よりの透明基体２０は、蒸
着時には、室５１内に１個、室５２内に２個、室５２と
５３との間に２個、室５４内に１個設けられた搬送用ロ
ーラ２１．２１．２１．２１．２１．２１を経由して巻
取りロール２６に−様な速度で巻取られる。

第８図の蒸着装置と異なるところは、搬送用ロールの個
数及びハロゲンランプ３０からの赤外光が蒸着空間４５
で透明基体２０を照射するようにしていることである。

その他は第８図の装置と同様である。また、第８図の例
と同様に、室５１内及び／又は室５２内に、仮想線で示
す金属板２７及びハロゲンランプ３０を配し、透明基体
２０の加熱を効果的にすることができる。

第８図、第１０図の装置においては透明基体２０を−様
な速度で連続的に搬送ｃながら透明導電膜を形成するこ
とができるので大量生産が可能であって透明導電性積層
フィルムを安価に製造することができ、しかも特性の揃
った透明導電性積層フィルムを製造することができる。

第８図、第１０図の例は共に蒸着装置の例を示したが、
全く同様にスパッタ装置にも適用できる。

透明導電性積層体の構造は、第２図の構造のほかに、必
要に応じて他の層を設けた構造としてもよい。他の層と
しては、例えば、透明°導電膜と透明基体との密着性を
高めるための下引層、透明導電膜に擦り傷等が発生する
のを防止するための保護層、透明基体に擦り傷あるいは
汚れ等が発生するのを防止するためのハードコート層、
水分あるいは酸素等の透過を抑制して透明基体の劣化を
防止するためのバリアー層等を挙げることができる。

第１１図〜第１６図はこのような積層体の拡大断面図で
ある。これらの図において、１はガラス基板、２０は透
明フィルム基体（以下、１及び２０を透明基体と呼ぶ。

）、９１は透明導電膜、９２は下引層、９３は保護層、
９４はハードコート層、９５はバリアー層である。

第１１図に示した例は、透明基体１又は２０上に下引層
９２を積層し、この下引層９２上に透明導電膜９１を積
層した構成、第１２図に示した例は、透明基体１又は２
０上に、下引層９２、透明導電膜９１、保護層９３をこ
の順に積層した構成、第１３図に示した例は、透明基体
１又は２０の一面上にハードコート層９４を積層し、透
明基体１又は２０の他面上に、下引層９２、透明導電膜
９１をこの順に積層した構成、第１４図に示した例は、
透明基体１又は２０の一面上にバリアー層９５を積層し
、透明基体１又は２０の他面上に、下引層９２、透明導
電膜９１をこの順に積層した構成、第１５図に示した例
は、透明基体１又は２０の一面上に、バリアー層９５、
ハードコート層９４をこの順に積層し、透明基体１又は
２０の他面上に、下引層９２、透明導電膜９１をこの順
に積層した構成、第１６図に示した例は、透明基体１又
は２０の一面上に、バリアー層９５、透明導電膜９１を
この順に積層し、透明基体１又は２０の他面上に、ハー
ドコート層９４を積層した構成である。

下引層９２、保護層９３、ハードコート層９４の構成材
料としては、種々の有機高分子物質、無機物質を用いる
ことができる。有機高分子物質としては、例えばシリコ
ーン樹脂、シラン系カップリング剤、シラノール系樹脂
、エポキシ系樹脂、メラミン系樹脂等の熱硬化性樹脂；
アクリル系樹脂等の紫外線硬化性樹脂；等を挙げること
ができる。また無機物質としては、例えば酸化珪素、酸
化アルミニウム、酸化錫、酸化インジウム、酸化インジ
ウム−鍋温合物、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸
化ニオブ、酸化セリウム等を挙げることができる。また
無機物質よりなる下引層としては、特願昭５９−２３６
４４３号明細書に記載されている非品性の酸化錫等の非
品性の酸化物質を好ましく用いることができる。

バリアー層９５の構成材料としては、例えば塩化ビニリ
デン樹脂、エチレンビニルアルコール共重合体樹脂等を
用いることができる。またエチレンビニルアルコール共
重合体樹脂として市販されている具体的製品としては、
例えばｒＥＶＡ−ＥＰ−ＦＩＯＩＪ、ｒＥＶＡ−ＥＰ−
Ｆ２Ｏ３Ｊ、ｒＥＶＡ−ＥＰ−Ｆ２Ｏ３Ｊ　　（以上、
■クラレ製）等を挙げることができる。また、無機物質
も用いることができ、当該無機物質としては、例えば酸
化珪素、酸化アルミニウム、酸化インジウム、酸化錫等
を挙げることができる。

これらの下引層、保ｇＩＮ、ハードコート層、バリアー
層は、例えばワイヤーバー塗布法、グラビアロール塗布
法等の手段により形成することができる。下引層の厚さ
は例えば高分子物質では０．１〜５μｍ程度であり、無
機物質では５０〜２０００人程度が好ましい。ハードコ
ート層および保護層の厚さは例えば高分子物質では１〜
１０μｍ程度であり、無機物質では５００〜２０００人
程度が好ましい。バリアー層の厚さは例えば高分子物質
では５〜３０μｍ程度であり、無機物質では１００〜１
０００人程度が好ましい。

赤外光等の光を反射する反射手段、或いはこの光を吸収
して透明基体を加熱する加熱（蓄熱）手段には、金属の
ほか、適宜の材料を使用して良い。

また、光反射と蓄熱とのいずれか一方だけで透明基体の
加熱を促進するようにもできる。

以上の例は、透明基体上に透明導電膜を形成する例であ
るが、本発明は、透明導電膜形成に限られるものではな
く、不透明な導電膜又は透明、半透明若しくは不透明な
誘電体の膜その他の膜の形成にも適用可能である。

へ０発明の効果 本発明は、光透過性基体の一方の面に光反射及び／又は
蓄熱手段を配置させた状態で基体の他方の面側から光照
射による加熱を行い、この加熱と同時に及び／又はこの
加熱の次に基体の光照射側の面に所定の膜を形成するよ
うにしているので、上記光反射によって光は基体内を往
復して光による加熱が２回行われ、また光のエネルギー
が熱エネルギーとして蓄熱手段に蓄えられてこれが基体
に伝導し、これら光反射と蓄熱との双方又はいずれか一
方によって基体の加熱が効果的になされる。

基体のこの効果的な加熱の結果、形成される膜は、結晶
性が高く、均一で良質な膜となり、生産性も高い。また
、この膜が酸化物の膜である場合は酸化度も充分に高く
なる。

【図面の簡単な説明】

図面はいずれも本発明の実施例を示すものであって、 第１図は蒸着装置の要部概略断面図、 第２図は透明導電性積層体の拡大断面図、第３図は形成
された透明導電膜の酸化度を求めるためのＥＳＣＡ分析
による結果を示すグラフ、７第４図は透明導電膜の結晶
性を調べるためのＸ線回折による結果を示すグラフ、 第５図は他の例による蒸着装置の要部概略断面図、 第６図及び第７図は更に他の例による蒸着装置を示し、
第６図は第７図の■−■線断面図、第７図は第６図の■
−■線断面図、 第８図は更に他の例による蒸着装置の要部概略断面図、 第９図は耐打鍵性を調べるための実験装置の説明図、 第１０図は更に他の例による蒸着装置の要部概略断面図
、 第１１図、第１２図、第１３図、第１４図、第１５図及
び第１６図は夫々他の例による透明導電性積層体の拡大
断面図 である。 なお、図面に示された符号において、 １・・・・・・・・・ガラス基板 ２．４．７．２７・旧・・・・・金属板２０，８３．８
４・・・・・・・・・透明基体フィルム３０・・・・旧
・・ハロゲンランプ ３２・・・・・・・・・蒸発材料 ３３・・・・・・・・・坩堝 ３５・・・・・・・・・放電装置 ８１．８２．９１・・・・・・・・・透明導電膜である
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、光透過性基体上に膜を形成する際、前記基体の一方
   の面に光反射及び／又は蓄熱手段を配置させた状態で前
   記基体の他方の面側から光照射による加熱を行い、この
   加熱と同時に及び／又はこの加熱の次に、前記基体の光
   照射側の面に所定の膜を形成する膜形成方法。 ２、光透過性基体の一方の面に配置された光反射及び／
   又は蓄熱手段と、前記基体の他方の面に光を照射してこ
   の基体を加熱する加熱手段と、前記基体の光照射面に膜
   成分を供給する膜成分供給手段とを有する膜形成装置。