JPS6346032B2 - - Google Patents

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JPS6346032B2
JPS6346032B2 JP58233938A JP23393883A JPS6346032B2 JP S6346032 B2 JPS6346032 B2 JP S6346032B2 JP 58233938 A JP58233938 A JP 58233938A JP 23393883 A JP23393883 A JP 23393883A JP S6346032 B2 JPS6346032 B2 JP S6346032B2
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JP
Japan
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aln
sintered body
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oxygen
aluminum nitride
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JP58233938A
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JPS60127267A (ja
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Kazuo Shinozaki
Kazuo Anzai
Takeshi Takano
Akihiko Tsuge
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/581Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】
[発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体
の製造方法に関する。 (従来技術) 窒化アルミニウム(AlN)は常温から高温ま
での強度が高く(焼結体の曲げ強さは通常50Kg/
mm2以上)、化学的耐性にも優れているため、耐熱
材料として用いられる一方、その高熱伝導性、高
電気絶縁性を利用して半導体装置の放熱板材料と
しても有望視されている。こうしたAlNは通常、
融点を持たず、2200℃以上の高温で分解するた
め、薄膜などの用途を除いては焼結体として用い
られる。 ところで、AlN焼結体は従来より常圧焼結法、
ホツトプレス法により製造されている。常圧焼結
法では高密度化の目的でアルカリ土類金属酸化物
などの化合物を焼結助剤として添加することが多
い。ホツトプレス法では、AlN単独又は助剤が
添加されたAlNを用い、高温高圧下にて焼結す
る。 しかしながら、ホツトプレス法では複雑な形状
の焼結体の製造が難しく、しかも生産性が低く、
高コストとなるという問題がある。一方、常圧焼
結法ではホツトプレス法のような問題を解消でき
るものの、得られたAlN焼結体はAlNの理論熱
伝導率(320W/m・k)に比べて著しく低く、
必ずしも良好な高熱伝導性を有するものではなか
つた。なお、ホツトプレス法で造られたAlN焼
結体のうち助剤が添加されたAlNを原料とする
ものも、同様に熱伝導率の点で充分に満足するも
のではなかつた。 (発明が解決しようとする問題点) 本発明は、上記従来の問題点を解決するために
なされたもので、熱伝導率が40W/m・k以上を
有する高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造
方法を提供しようとするものである。 [発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明は、酸素を1重量%以下含む窒化アルミ
ニウムを主成分とし、これにイツトリウム、ラン
タン、プロセオジム、ニオブ、サマリウム、ガド
リウム、ジスプロシウムから選ばれる希土類元素
の酸化物もしくは炭酸塩の1種以上を希土類元素
換算で0.01〜15重量%添加した原料粉末を成形、
焼結して酸素を0.01〜20重量%含む窒化アルミニ
ウム焼結体とすることを特徴とする高熱伝導性窒
化アルミニウム焼結体の製造方法である。 以下、本発明のAlN焼結体の製造方法を詳細
に説明する。 まず、酸素が1重量%以下含むAlN粉末にイ
ツトリウム(Y)、ランタン(La)、プロセオジ
ム(Pr)、ニオブ(Nb)、サマリウム(Sm)、ガ
ドリウム(Gd)、ジスプロシウム(Dy)から選
ばれる希土類元素の酸化物もしくは炭酸塩の1種
以上を希土類元素換算で0.01〜15重量%を添加
し、ボールミル等を用いて粉砕、混合して原料を
調製する。但し、常圧焼結の場合は前記ボールミ
ル等で粉砕、混合したものに更にバインダを加
え、混練、造粒、整粒を行なつて原料を調製す
る。ここで、AlN中に含まれる酸素量を限定し
た理由は、その量が1重量%を越えると、AlN
中に固溶される酸素量が多くなつて高熱伝導性の
AlN焼結体の製造が困難となるからである。ま
た、前記希土類元素の酸化物もしくは炭酸塩の添
加量を限定した理由はその量を希土類元素換算で
0.01重量%未満にすると焼結性の高い緻密なAlN
焼結体が得られなくなり、かといつてその量が同
換算で15重量%を越えると原料粉末中のAlN粉
末の絶対量が少なくなり、AlN焼結体本来の特
性である耐熱性、高強度性が損われるばかりか、
高熱伝導性も低下させるからである。なお、焼結
手段として常圧焼結を採用した場合には前記希土
類元素の酸化物もしくは炭酸塩の添加量を0.1〜
15重量%の範囲とすることが望ましい。 次いで、前記バインダを含む原料を金型、静水
圧又はシート成形等の手段により成形した後、成
形体をN2ガス気流中にて700℃前後で加熱してバ
インダを除去する。つづいて、成形体を黒鉛又は
窒化アルミニウムからなる容器にセツトし、N2
ガス雰囲気中にて1600〜1850℃で常圧焼結を行な
う。この際、比較的低温(1000〜1300℃)で後述
するガーネツト相或いはペロブスカイト相が
AlNの粒界に生成され、更に高い1600〜1850℃
でガーネツト相、ペロブスカイト相が融解し、そ
の液相焼結機構によつて常圧焼結がなされる。 一方、ホツトプレス焼結の場合は前記ボールミ
ルで粉砕、混合して調製した原料を1600〜1800℃
でホツトプレスを行なう。 上述した原料の成形、焼結により酸素を0.01〜
20重量%を含むAlN焼結体を製造する。かかる
AlN焼結体中の酸素含有量を限定した理由は、
該酸素量を0.01重量%未満にすると、焼結性の高
い緻密なAlN焼結体が得難く、かといつてその
量が20重量%を越えると、熱伝導性の低下を招く
からである。 (作用) 本発明者らは、従来法で製造された助剤が添加
されたAlN焼結体の低熱伝導性について種々検
討した結果、この低熱伝導性はAlN焼結体中の
助剤量と共に焼結性に関与する酸素含有量に起因
することを究明した。AlN焼結性を高めて緻密
なAlN焼結体を得るために、酸素が含まれてい
ることが必要であるが、酸素量が多くなると、高
熱伝導性の阻害要因となることがわかつた。 そこで、本発明者らは上記究明結果を踏えて更
に鋭意研究したところ、酸素を1重量%以下含む
AlN粉末に特定の希土類元素の酸化物もしくは
炭酸塩の1種以上を希土類元素換算で0.01〜15重
量%添加した原料を成形、焼結して所定の酸素を
含む焼結体とすることによつて、熱伝導率が
40W/m・k以上の高熱伝導性AlN焼結体を製
造できることを見い出した。このように、本発明
方法で製造されたAlN焼結体が高熱伝導性を示
すのは以下に説明する組織となることによるもの
と推定される。 所定量の酸素を含むAlN粉末に特定の希土類
元素の酸化物もしく炭酸塩の1種以上を所定量添
加した原料を成形し、焼結すると、希土類元素が
AlN中に存在する酸素と反応して、組成式
3Ln2O3・5Al2O3(Ln;Y、La、Pr、Nb、Sm、
Gd、Dyから選ばれる希土類元素)の形で表わさ
れるガーネツト構造化合物相(以下、ガーネツト
相と略す)がAlNの粒界に生成され、AlNの結
合に寄与すると共に、酸素を固定化する。しかし
ながら、酸素量が多くなると、ガーネツト相とし
て取り込まれない酸素が存在することになり、そ
の酸素がAlN粒子に固溶拡散する。絶縁体の熱
伝導率は弾性波(フオノン)の拡散によつて支配
されるが、酸素が固溶拡散したAlN粒子を含む
AlN焼結体ではフオノンが該固溶拡散された領
域で散乱し、結果として熱伝導性の低下を招く。
しかるに、AlN粉末中の酸素を1重量%以下と
し、このAlN粉末に希土類元素の酸化物もしく
は炭酸塩の1種以上を所定量添加して、AlN焼
結体中の酸素を前記ガーネツト相を構成する量に
抑えて固定化し、AlNへの固溶拡散を阻止する
ことによつて、フオノンの散乱が少なくなり、結
果的には熱伝導性が向上される。なお、AlNの
粒界にはガーネツト相とは別の組成式LnAlO3
(Ln;Y、La、Pr、Nb、Sm、Gd、Dyから選ば
れる希土類元素)の形で表わされるペロブスカイ
ト構造化合物相(以下、ペロブスカイト相と略
す)が生成される場合もあり、この場合も全く同
様な作用効果を示す。 (発明の実施例) 以下、本発明の実施例を詳細に説明する。 実施例 1 まず、酸素を1重量%含有するAlN粉末(平
均粒径1μm)に酸化サマリウム粉末(平均粒径
1μm)を3重量%添加し、ボールミルを用いて
粉砕、混合して原料を調製した。つづいて、この
原料を直径10mmのカーボン型に充填し、圧力300
Kg/cm2、温度1800℃の条件で1時間ホツトプレス
を行なつてAlN焼結体を製造した。 比較例 1 酸素を3重量%含有するAlN粉末(平均粒径
1μm)そのものを原料として用いた以外、実施
例1と同様な方法によりAlN焼結体を製造した。 比較例 2 酸素を20重量%含有するAlN粉末(平均粒径
0.9μm)に酸化サマリウム粉末(平均粒径1μm)
を3重量%添加し、ボールミルを用いて粉砕、混
合して原料を調製した。次いで、この原料を用い
て実施例1と同様にポツトプレスを行なつて
AlN焼結体を製造した。 しかして、本実施例1及び比較例1、2で製造
されたAlN焼結体について約3.5mmの厚さに研摩
した後、レーザフラツシユ法によつて室温での熱
伝導率を測定した。その結果、本実施例1の
AlN焼結体では121W/m・kであつたのに対
し、比較例1のAlN焼結体では35W/m・k、
比較例2のAlN焼結体では32W/m・kであつ
た。 また、X線回折で各AlN焼結体の構成相を調
べたところ、実施例1のAlN焼結体ではAlN相
及びペロブスカイト相が、比較例1ではAlN相
以外にかなりの量の酸窒化物相が、比較例2では
AlN相及びペロブスカイト相以外にかなりの量
の酸窒化相が、夫々検出された。 実施例 2 酸化サマリウム粉末の代わりに酸化ガドリニウ
ム粉末を用いた以外、実施例1と同様に原料を調
製し、これをホツトプレスすることによりAlN
焼結体を製造した。 製造されたAlN焼結体を約3.5mmの厚さに研摩
した後、レーザフラツシユ法によつて室温での熱
伝導率を測定したところ、123W/m・kと極め
て高い熱伝導性を示した。また、X線回析で
AlN焼結体の組織を調べたところ、AlN相、ガ
ーネツト相が検出された。 実施例 3〜9 下記第1表に示す酸素含有量の異なるAlN粉
末(平均粒径0.9μm)に酸化イツトリウム
(Y2O3)粉末を同第1表に示す割合で添加し、ボ
ールミルを用いて10時間湿式粉砕、混合して重量
が200gの混合粉末とした後、これら混合粉末に
パラフインを夫々7重量%添加し、造粒して7種
の原料を調製した。つづいて、これら原料を300
Kg/cm2の圧力で冷間成形して37cm×37cm×6cmの
寸法の板状体とした。次いで、これら板状体を窒
素ガス雰囲気で600℃まで加熱し、10時間保持し
て脱脂した後、窒化アルミニウム容器中にセツト
し、窒素ガス雰囲気下にて1800℃、2時間常圧焼
結して7種のAlN焼結体を製造した。 製造された各AlN焼結体の密度、並びに実施
例1と同様なレーザフラツシユ法による室温での
熱伝導率を調べた。その結果を同第1表に併記し
た。なお、第1表には比較例3として酸化イツト
リウムを添加しないAlN粉末(酸素含有量1重
量%)にパラフインを7重量%添加し、造粒した
原料を用いた以外、実施例3〜9と同様な方法に
より製造したAlN焼結体の密度、熱伝導率を併
記した。
【表】 上記第1表から明らかなように本実施例3〜9
のAlN焼結体は高密度でかつ高熱伝導性を有す
ることがわかる。 また、本実施例3〜9のAlN焼結体について
X線回析により組織を調べたところ、いずれも
AlN相、ガーネツト相、ペロブスカイト相及び
僅かな酸窒化物相が検出されたが、Y2O3の添加
量の多いAlN焼結体ほど酸窒化物相が減少して、
ガーネツト相が増大していた。 実施例 10〜15 酸素を1重量%含有するAlN粉末(平均粒径
1μm)に平均粒径が1μmGd2O3粉末、Dy2O3
末、La2O3粉末、Pr2O3粉末、Nd2O3粉末及び
Sm2O3粉末を夫々3重量%添加し、ボールミル
を用いて10時間湿式粉砕、混合して混合粉末とし
た後、これら混合粉末にパラフインを夫々7重量
%添加し、造粒して調製した6種の原料を用いた
以外、実施例3〜9と同様な方法によりAlN焼
結体を製造した。 製造された各AlN焼結体は、3.29g/cm2以上の
密度を有し、かつ80W/m・k以上の熱伝導率を
示した。 [発明の効果] 以上詳述した如く、本発明によれば高密度で熱
伝導率が40W/m・k以上を示し、半導体装置の
放熱板等に有効な高熱伝導性窒化アルミニウム焼
結体を製造し得る方法を提供できる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 酸素を1重量%以下含む窒化アルミニウムを
    主成分とし、これにイツトリウム、ランタン、プ
    ロセオジム、ニオブ、サマリウム、ガドリウム、
    ジスプロシウムから選ばれる希土類元素の酸化物
    もしくは炭酸塩の1種以上を希土類元素換算で
    0.01〜15重量%添加した原料を成形、焼結して酸
    素を0.01〜20重量%含む窒化アルミニウム焼結体
    とすることを特徴とする高熱伝導性窒化アルミニ
    ウム焼結体の製造方法。 2 製造された窒化アルミニウム焼結体は密度が
    理論密度の90%以上で、室温における熱伝導率が
    40W/m・kである特許請求の範囲第1項記載の
    高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
JP58233938A 1983-12-12 1983-12-12 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法 Granted JPS60127267A (ja)

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