JPH0196067A - 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム焼結体の製造方法Info
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- JPH0196067A JPH0196067A JP62255899A JP25589987A JPH0196067A JP H0196067 A JPH0196067 A JP H0196067A JP 62255899 A JP62255899 A JP 62255899A JP 25589987 A JP25589987 A JP 25589987A JP H0196067 A JPH0196067 A JP H0196067A
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- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 16
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N dysprosium(III) oxide Inorganic materials O=[Dy]O[Dy]=O NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910003440 dysprosium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910001954 samarium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229940075630 samarium oxide Drugs 0.000 claims description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910000487 osmium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001272 pressureless sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は窒化アルミニウム焼結体の製造方法に関する。
近年、半導体工業の急速な技術革新によfi、IC1お
よびL8Iをはじめとする大規模集積回路は高集積化、
高出力化が行われ、これに伴うシリコン素子の単位面積
当りの発熱量が大幅に増加してきた。そこでシリコン素
子の通電動作による発熱のためシリコン素子の正常な動
作を妨げる問題が生じ始めている。それに伴って熱伝導
性の良い絶縁性基板材料が要求されている。
よびL8Iをはじめとする大規模集積回路は高集積化、
高出力化が行われ、これに伴うシリコン素子の単位面積
当りの発熱量が大幅に増加してきた。そこでシリコン素
子の通電動作による発熱のためシリコン素子の正常な動
作を妨げる問題が生じ始めている。それに伴って熱伝導
性の良い絶縁性基板材料が要求されている。
従来、絶縁性基板材料としては一般にアルミナ焼結体が
最も多く使用されている。しかしながら、最近ではアル
ミナ基板は熱放散に関しては満足しているとは言えず、
さらに熱放散性(熱伝導性)の優れた絶縁性基板材料の
開発が要求されるようになりてきた。このような絶縁性
基板材料としては熱伝導性が良い(熱伝導率が大きい)
、電気絶縁性である、熱膨張率がシリコン単結晶の値に
近い、機械的強度が大きい等の特性が要求される。
最も多く使用されている。しかしながら、最近ではアル
ミナ基板は熱放散に関しては満足しているとは言えず、
さらに熱放散性(熱伝導性)の優れた絶縁性基板材料の
開発が要求されるようになりてきた。このような絶縁性
基板材料としては熱伝導性が良い(熱伝導率が大きい)
、電気絶縁性である、熱膨張率がシリコン単結晶の値に
近い、機械的強度が大きい等の特性が要求される。
ところで良好な熱伝導性を有することが知られている窒
化アルミニウムは熱膨張率が約4.3xlo−’/℃(
室温から400℃の平均値)でアルミナ焼結体の約7X
10−@/’Cに比べて小さく、シリコン素子の熱膨張
率3.5〜4.OX l O−/℃に近い。
化アルミニウムは熱膨張率が約4.3xlo−’/℃(
室温から400℃の平均値)でアルミナ焼結体の約7X
10−@/’Cに比べて小さく、シリコン素子の熱膨張
率3.5〜4.OX l O−/℃に近い。
また機械的強度も曲げ強さで50 kg/mm”程度を
有し、アルミナ焼結体の値20〜3 Q kg/mm”
に比べ高強度でおる電気絶縁性に優れた材料である。
有し、アルミナ焼結体の値20〜3 Q kg/mm”
に比べ高強度でおる電気絶縁性に優れた材料である。
従来、窒化アルミニウムCiN)焼結体は窒化アルミニ
ウムの粉末を成形、焼結して得られるのであるが、窒化
アルミニウムは難焼結性物質であるため、緻密人焼結体
を得ることが困難である。
ウムの粉末を成形、焼結して得られるのであるが、窒化
アルミニウムは難焼結性物質であるため、緻密人焼結体
を得ることが困難である。
そこで現在では焼結助剤を加え、常圧焼結法やホットプ
レス法によシ緻密な窒化アルミニウム焼結体を得る試み
がなされている。1986年の第6回電子材料研究討論
会予稿集p50には酸化ホルミクム(Ho20りを焼結
助剤として加える窒化アルミニウム焼結体の製造方法が
示され°Cいる。この方法によると熱伝導率がt7oW
/mk(室温)ノ窒化アルミニウム焼結体が得られてい
る。
レス法によシ緻密な窒化アルミニウム焼結体を得る試み
がなされている。1986年の第6回電子材料研究討論
会予稿集p50には酸化ホルミクム(Ho20りを焼結
助剤として加える窒化アルミニウム焼結体の製造方法が
示され°Cいる。この方法によると熱伝導率がt7oW
/mk(室温)ノ窒化アルミニウム焼結体が得られてい
る。
しかしながら、近年の集積回路技術の発達に伴い、さら
に高熱伝導性を有する熱放散用基板材料が求められてい
る。
に高熱伝導性を有する熱放散用基板材料が求められてい
る。
そこで本発明者は上記実情に対処すべく鋭意研究を重ね
た結果、酸化サマリウム(Smz Os)、酸化ジスプ
ロシウム(DytOs)、酸化ネオジウム(Nch03
)の粉末の少なくとも一種以上を添加することにより熱
伝導率を著しく増大させることができるとの知見を得、
本発明を完成するに到った。
た結果、酸化サマリウム(Smz Os)、酸化ジスプ
ロシウム(DytOs)、酸化ネオジウム(Nch03
)の粉末の少なくとも一種以上を添加することにより熱
伝導率を著しく増大させることができるとの知見を得、
本発明を完成するに到った。
本発明の目的は高熱伝導性を有し、さらに種々の有用な
性質を有する窒化アルミニウム焼結体の製造方法を提供
することにある。
性質を有する窒化アルミニウム焼結体の製造方法を提供
することにある。
本発明は窒化アルミニクム粉末に、添加剤とし7て酸化
サマリウム、酸化ジスプロシウム、酸化ネオジウムの粉
末から選ばれる少なくとも一種以上を添加したセラミッ
ク混合物を成形後、真空中もしくは非酸化性雰囲気中で
焼成することを特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製
造方法である。
サマリウム、酸化ジスプロシウム、酸化ネオジウムの粉
末から選ばれる少なくとも一種以上を添加したセラミッ
ク混合物を成形後、真空中もしくは非酸化性雰囲気中で
焼成することを特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製
造方法である。
以下本発明について具体的に説明する。
まず、窒化アルミニウム原料は純度として高純度のもの
、例えば98%以上のものが好ましいが、95〜98%
程度のものも使用可能である。平均粒径は10μm以下
、好ましくは2μm以下のものが良い。
、例えば98%以上のものが好ましいが、95〜98%
程度のものも使用可能である。平均粒径は10μm以下
、好ましくは2μm以下のものが良い。
本発明に工れば添加剤として酸化サマリウム(Smz0
コ) 、b化ジスプCIシウム(Dyz Os)、酸化
ネオジウム(NdiOs)の粉末の少なくとも一徨以上
を直接、あるいは焼成によってMfJ記酸化物となる炭
酸塩、硝酸塩、硫酸塩等として窒化アルミニウム粉末に
対して含ませることによ#)熱伝導率を著しく増大させ
ることができる。特に添加−m’tO,5〜15重ψ%
にすることにニジ熱伝導率が200W/mk (室温
)よシ大きくでき、近来の窒化アルミニウム焼結体よシ
大きな値が1Gられる。
コ) 、b化ジスプCIシウム(Dyz Os)、酸化
ネオジウム(NdiOs)の粉末の少なくとも一徨以上
を直接、あるいは焼成によってMfJ記酸化物となる炭
酸塩、硝酸塩、硫酸塩等として窒化アルミニウム粉末に
対して含ませることによ#)熱伝導率を著しく増大させ
ることができる。特に添加−m’tO,5〜15重ψ%
にすることにニジ熱伝導率が200W/mk (室温
)よシ大きくでき、近来の窒化アルミニウム焼結体よシ
大きな値が1Gられる。
次に、焼結は真空中もしくは非酸化性雰囲気中で高温焼
結することが必要である。酸化性雰囲気中で焼結すると
窒化アルミニウムが敵化しでしまい緻密な焼結体が得ら
れない。非酸化性界−気としては窒素ガス、ヘリウムガ
ス、アルゴンガス、−酸化炭素ガス、水素ガスなどが使
用できる。このうち特に窒素ガス、アルゴンガス、ヘリ
ウムガス及び真空雰囲気が好ましい。焼結は1500〜
2000℃で行われ、特に1600〜1900℃が有効
であるが、これらの温度範囲に限定されるものではない
。また焼結は常圧焼結法でも良いし、加圧焼結法によっ
ても良い。加圧焼結法としてはホットプレス法(−軸加
圧焼結法)とif I P法(熱間静水圧加圧焼結法)
のどちらも可能である。特にホットプレス法により焼結
した場合に高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体が得られ
る。
結することが必要である。酸化性雰囲気中で焼結すると
窒化アルミニウムが敵化しでしまい緻密な焼結体が得ら
れない。非酸化性界−気としては窒素ガス、ヘリウムガ
ス、アルゴンガス、−酸化炭素ガス、水素ガスなどが使
用できる。このうち特に窒素ガス、アルゴンガス、ヘリ
ウムガス及び真空雰囲気が好ましい。焼結は1500〜
2000℃で行われ、特に1600〜1900℃が有効
であるが、これらの温度範囲に限定されるものではない
。また焼結は常圧焼結法でも良いし、加圧焼結法によっ
ても良い。加圧焼結法としてはホットプレス法(−軸加
圧焼結法)とif I P法(熱間静水圧加圧焼結法)
のどちらも可能である。特にホットプレス法により焼結
した場合に高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体が得られ
る。
次に実施例によって本発明を具体的に説明する。
実施例1〜6、比較例1
平均粒径が1μmの窒化アルミニウム粉末罠第1表に示
す種々の添加剤を合計量で7″iIL量%添訓混合した
。次いでこの混合粉末を室温で2000kg/cm2の
圧力を加えて成形体とした。この成形体を焼結炉に入れ
、窒素ガ゛ス雰囲気下、1800℃で10時間焼結して
窒化アルミニウム焼結体を得た。この窒化アルミニウム
焼結体の室温での熱伝導率を同じく第1表に示す。本発
明の添加剤を加えることによシ室温での熱伝導率が20
0W/mk以上の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体が
得られた。
す種々の添加剤を合計量で7″iIL量%添訓混合した
。次いでこの混合粉末を室温で2000kg/cm2の
圧力を加えて成形体とした。この成形体を焼結炉に入れ
、窒素ガ゛ス雰囲気下、1800℃で10時間焼結して
窒化アルミニウム焼結体を得た。この窒化アルミニウム
焼結体の室温での熱伝導率を同じく第1表に示す。本発
明の添加剤を加えることによシ室温での熱伝導率が20
0W/mk以上の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体が
得られた。
一方、比較例として添加剤を加えないほかは上記実施例
と同様にして窒化アルミニウム焼結体を製造した。その
結果もあわせて第1表に示す。
と同様にして窒化アルミニウム焼結体を製造した。その
結果もあわせて第1表に示す。
第1表
実施例7〜11
平均粒径が2μmの窒化アルミニクム粉末に第2表に示
す添加剤を加え、次いでこの混合粉末を室温でz o
o o kg/cm’の圧力を加えて成形体とした。こ
の成形体を焼結炉において窒素ガス雰凹気下で第2表に
示す条件で焼結した。この窒化アルミニウム焼結体の室
温での熱伝導率を第2表に示す。本発明の添加剤を加え
ることによシ、室温での熱伝導率が200W/mk以上
の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体が得られた。
す添加剤を加え、次いでこの混合粉末を室温でz o
o o kg/cm’の圧力を加えて成形体とした。こ
の成形体を焼結炉において窒素ガス雰凹気下で第2表に
示す条件で焼結した。この窒化アルミニウム焼結体の室
温での熱伝導率を第2表に示す。本発明の添加剤を加え
ることによシ、室温での熱伝導率が200W/mk以上
の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体が得られた。
以下余白
実施例12
平均粒径が1μm、純度99%の窒化アルミニウム粉末
に酸化ジスプロシウム粉末を7重量%添加し、アルコー
ル中で混合後、ろ過した粉末を乾燥窒素雰囲気下で加熱
転線した。次いでこの混合粉末を室温で2000 k
17cm”の圧力を加え成形体とした。この成形体を黒
鉛製のホットプレス型に入れ、1800℃、400 k
g/cri”、窒素雰囲気下で2時間ホットプレスして
、窒化アルミニクム焼結体を得た。
に酸化ジスプロシウム粉末を7重量%添加し、アルコー
ル中で混合後、ろ過した粉末を乾燥窒素雰囲気下で加熱
転線した。次いでこの混合粉末を室温で2000 k
17cm”の圧力を加え成形体とした。この成形体を黒
鉛製のホットプレス型に入れ、1800℃、400 k
g/cri”、窒素雰囲気下で2時間ホットプレスして
、窒化アルミニクム焼結体を得た。
この窒化アルミニクム焼結体は室温で相対密度99%、
熱伝導率240痴菊k、熱膨張率4.3×10″′4/
/℃、比抵抗10′!Ωcm以上、曲げ強度50kg/
mm2の特性を示し、さらに透光性を有していた。例え
ば4〜6μmの波長の光に対する透過率は約20%でら
シ、また約0.2〜6.5μmの範囲の波長では約5%
以上の透過率を示した。
熱伝導率240痴菊k、熱膨張率4.3×10″′4/
/℃、比抵抗10′!Ωcm以上、曲げ強度50kg/
mm2の特性を示し、さらに透光性を有していた。例え
ば4〜6μmの波長の光に対する透過率は約20%でら
シ、また約0.2〜6.5μmの範囲の波長では約5%
以上の透過率を示した。
実施例13〜15
実施例1〜3の各試料を1800℃、1000kg/c
m”(アルゴンガス圧力)、2時間の条件でHIP(熱
間静水圧加圧)焼結することによシ室温での熱伝導率が
各々z4oW/mkの窒化アルミニウム焼結体を得た。
m”(アルゴンガス圧力)、2時間の条件でHIP(熱
間静水圧加圧)焼結することによシ室温での熱伝導率が
各々z4oW/mkの窒化アルミニウム焼結体を得た。
以上説明したよりに本発明の製造方法で製造した窒化ア
ルミニウム焼結体は高密度で熱伝導性に優れ、熱的特性
、電気的特性、機械的特性、さらに光学的持回も良好で
あるlとめ、半導体工業等の放熱材料としでの応用以外
に、ルツボ、蒸着容器、耐熱治具、高己部材等の高温材
料としての応用も可能であp、さらに透光性であるとい
った光学的性質をオリ用した窓材等の光学旧料とし7て
の応用も可能であるなど、工業的に多くの利点金有する
ものである。
ルミニウム焼結体は高密度で熱伝導性に優れ、熱的特性
、電気的特性、機械的特性、さらに光学的持回も良好で
あるlとめ、半導体工業等の放熱材料としでの応用以外
に、ルツボ、蒸着容器、耐熱治具、高己部材等の高温材
料としての応用も可能であp、さらに透光性であるとい
った光学的性質をオリ用した窓材等の光学旧料とし7て
の応用も可能であるなど、工業的に多くの利点金有する
ものである。
代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (2)
- (1)窒化アルミニウム粉末に、添加剤として酸化サマ
リウム、酸化ジスプロシウム、酸化ネオジウムの粉末か
ら選ばれる少なくとも一種以上を添加したセラミック混
合物を成形後、真空中もしくは非酸化性雰囲気中で焼成
することを特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方
法。 - (2)酸化サマリウム、酸化ジスプロシウム、酸化ネオ
ジウムの粉末から選ばれる少なくとも一種以上の添加物
の添加量は0.5〜15重量%である特許請求の範囲第
1項記載の窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62255899A JPH0196067A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62255899A JPH0196067A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196067A true JPH0196067A (ja) | 1989-04-14 |
Family
ID=17285116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62255899A Pending JPH0196067A (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0196067A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01305863A (ja) * | 1988-06-03 | 1989-12-11 | Hitachi Metals Ltd | 窒化アルミニウム焼結体 |
| WO1998027024A1 (en) * | 1996-12-17 | 1998-06-25 | The Dow Chemical Company | Ain sintered body containing a rare earth aluminum oxynitride and method to produce said body |
| JP2005294796A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-10-20 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置 |
| JP2006270120A (ja) * | 2003-12-19 | 2006-10-05 | Kyocera Corp | 発光ダイオード装置 |
| KR100793679B1 (ko) * | 2006-03-24 | 2008-01-10 | 니뽄 가이시 가부시키가이샤 | 정전 척 및 그 제조 방법 |
| CN112142475A (zh) * | 2020-09-11 | 2020-12-29 | 北京理工大学 | 一种电子封装用高致密/高导热AlN陶瓷及其制备方法 |
Citations (2)
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| JPS60127267A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-06 | 株式会社東芝 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPS62275069A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-30 | 日立金属株式会社 | AlN系セラミツクスの製造方法 |
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1987
- 1987-10-08 JP JP62255899A patent/JPH0196067A/ja active Pending
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