JPS634636B2 - - Google Patents

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JPS634636B2
JPS634636B2 JP58076073A JP7607383A JPS634636B2 JP S634636 B2 JPS634636 B2 JP S634636B2 JP 58076073 A JP58076073 A JP 58076073A JP 7607383 A JP7607383 A JP 7607383A JP S634636 B2 JPS634636 B2 JP S634636B2
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JP
Japan
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etching
jig
plate
acid
flow
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JP58076073A
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JPS58197279A (ja
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Jon Kuntsu Piita
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RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
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Publication of JPS634636B2 publication Critical patent/JPS634636B2/ja
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02Local etching
    • C23F1/04Chemical milling

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の関連する技術分野〕 この発明は一体型の陰極基体と支持体の選択エ
ツチング法に関し、特にそれだけではないが、一
体型の円筒形バイメタル陰極基体と支持スリーブ
の選択エツチング法の改良に関する。
〔従来技術〕
一体型のバイメタル陰極基体と支持スリーブは
1976年7月23日の発光のアール・シー・エー技報
(RCA Technical Notes)第1159号掲載のター
ンブル(J.C.Turnbull)の論文に開示されてい
る。この一体型部品は一般的にニツケルクロム合
金のような構造合金の薄い円筒および端壁に一体
に支持されたカツプ状のニツケル合金製陰極基体
として説明され、圧着その他の方法で接合された
2つの合金層より成るバイメタル積層板から製造
される。
この一体型バイメタル部品は米国特許第
3432900号開示の一般的方法により製造されて来
た。この方法では、カツプ部とスリーブ部をバイ
メタルの積層板から深絞りした後、そのニツケル
合金層の所要部分を耐食性材料で一時的に被覆
し、無被覆部分をエツチング液でエツチングす
る。また1980年11月25日付米国特許願第210246号
(米国特許第4441957号、特開昭57―118338号対
応)の明細書に開示の別の方法では、ニツケル合
金層の所要部分をこれにシリコンゴム板のような
耐食可圧縮性薄板の表面部分を一時的に押し付け
ることにより選択的に被覆する。これらの従来法
では何れもエツチング液槽にその部品を浸漬する
が、その部品にエツチング液を圧送接触させるこ
とによりニツケル合金層の無被覆部分をエツチン
グする。
後者の方法の大量生産型式では、複数個の円筒
状部品を各別の心軸に取付け、その各端壁を同一
平面上において共通の可圧縮性薄板に押し込む。
この薄板はこの全部品を収容する共通の空房の1
壁面を構成する。この空房にエツチング液を圧送
溢出させてこれをエツチング液で満たす。この方
法により部品を大量生産してエツチング時間を短
縮すると共に空房の部品収容数を増すことが試み
られたが、エツチングした部品に汚れその他の欠
点が生ずることで失敗に終つた。これらの欠点は
空房内の小気泡が部品表面の局部領域のエツチン
グを妨げたり遅らせたりすることにより発生する
と考えられ、空房内のエツチング液の流量を増し
たりその方向を制御する等によりこの問題を解く
種々の試みにより、いくつかの欠陥は減少したが
他の欠陥が増加した。
〔発明の開示〕
この発明の方法によるエツチングでは、エツチ
ングする部品にエツチング液の一様な軟弱流を交
互に接触させたり離したりすると共に、そのエツ
チング液が重力によりその部品から流れ去るよう
にしてあり、これによつてエツチング液に含まれ
るガスやエツチングで発生するガスをエツチング
中に放出することができる。その上部品に対して
流れを動かすことはエツチング液を新しく供給す
るばかりでなく、部品の周囲に存在するガスを強
制的に追出すことになる。このエツチングは上記
米国特許願第210246号の従来法よりこの発明の方
法による方が短時間かつ少流量で達せられること
が判つている。
こゝで使用する「軟弱流」とは、方向が主に重
力により決定される液体の流れであり、「下方」
とは重力の方向である。
〔発明の実施例〕
第1図は外側が陰極基体用ニツケル合金層13
で内側が構造用ニツケルクロム合金層15のカツ
プ状構体の形にバイメタル板から深絞り成形され
た代表的成形バイメタル部品すなわち素材11を
示す。代表的な陰極基体合金は本質的に94.90重
量%以上のニツケルと約0.05重量%以下のシリコ
ンおよびマグネシウムとより成る。部品11は最
小外径約2.16mm、全長約8.76mmの円筒形スリーブ
17より成り、その一端19が広がり、他端が端
壁21で閉じられている。陰極基体用合金層13
は厚さ約0.028mm、構造用合金層15は厚さ約
0.048mmである。陰極基体用合金層13は内層1
5よりある種のエツチング液特に比較的薄い酸に
容解し易く、この違いがこの発明の方法に利用さ
れている。理想的には外層13がエツチング液に
可溶で内層15が実質的に不溶なことが好まし
い。
この発明の方法の第1実施例では、カツプ状の
成形バイメタル部品11を基板25上に支持され
た直立円柱状心軸23に嵌め、その端壁21の内
面を心軸23の頂面27に接触させる。この両接
触面は実質的に整合することが望ましい。頂面の
外面には可圧縮耐食性の板29を押し付けてこれ
が側壁の隣接部にも接触し、部品11の選択され
た所定領域を覆うようにする。押圧力が大きいほ
ど板29が覆う側壁部分も大きくなる。次にこの
構体を心軸23が水平で基板25と板29の間隙
が垂直の第1図の位置まで回転する。
部品11と板29をこの位置においてノズル3
2から基板25と板29の間隙を通り下方にエツ
チング液(こゝでは約80℃の32重量%稀硝酸)の
一様な軟弱流31を間欠的に流す。この酸は陰極
基体層13の無被覆部に接触してこれを溶解す
る。エツチング液はまた構造用合金層15に接触
することもあるが、それがエツチング液に実質的
に不溶のため溶解は起こらない。エツチング液は
第1図に示すように被覆部を除いて部品11の全
表面を流れる。この流れ31はノズル32を部品
11の上方で水平に前後に移動することにより間
欠的に供給することができる。流れが部品に衝突
しなければ、スリーブ17に接触した酸は重力に
より流下して化学反応で発生するガスは周囲に逸
出する。また流れ31が部品に衝突するときはこ
れがスリーブ17上の酸を更新してガスを部品か
ら放逐する。従つてガスが反応を妨げないため無
被覆面のエツチングがより均一になる。これらの
効果は部品に対する従来の酸供給法より遥かに少
ない酸使用量で得られる。部品の無被覆面に酸液
を吹付けた場合は均一なエツチングが得られず、
こゝで述べる軟弱流法よりも多くの酸を必要とす
る。
エツチングが完了するとエツチング液の流れ3
1と板29を除去し、エツチングされた部品11
を心軸23から取外し、真空容器中の純水で洗浄
して余分のエツチング液を除去した後室温で乾燥
する。次に板29で被覆されていた端壁21外面
に陰極被覆を行う。第2図に示すように、この陰
極被覆33は第1図の層13のエツチングされな
い部分である陰極基体用ニツケル合金カツプ35
上にあり、このカツプ35は使用するエツチング
液に実質的に不溶で第1図の無食刻構造層15で
ある端壁37および側壁39に支持されている。
この発明の方法の第2の実施例は第3図および
第4図に示す治具40を用いて実施することがで
きる。この治具40はピン保持台43とこれに定
間隔で行列に配列されたピンまたは心軸41を有
し、その心軸41は一方の方向には第3図に示す
ように約6.35mm間隔で25本、他の方向には第4図
に示すように約6.35mm間隔で12本配置されてい
る。ピン保持台43は直立した一体の側壁47を
有する基台45に嵌まり、その基台45の側壁4
7上に有孔圧え板49が乗つている。この圧え板
49は第3図に示すように両側に下向きの2つの
側壁51を有し、これで基台45の側壁47上に
支持される。圧え板49の他の2側面は開いてい
て第4図に53で示す両端の開いた空隙を形成す
る。圧え板49はピン41が通る複数個の開孔5
5を有し、各開孔55は直径がエツチングすべき
部品の外径より約0.76mm大きく、またピン保持台
43側が皿穴のように広がつている。
この装置は圧え板49の周壁に乗る下向きの外
周壁59を有する背板57で覆われ、この背板5
7の周壁59内の空間は例えばシリコンゴムのよ
うな可圧縮性の板61が詰つている。この可縮性
の板61はこの方法に使用されるエツチング液に
実質的に溶解も反応もしない固型ゴムまたはプラ
スチツクとすることができ、背板57を圧え板4
9上に乗せたとき圧縮されるように背板57の側
壁59の高さより大きいほぼ均一な厚さを有す
る。ピン41は開孔55を通つて板61を圧縮す
るだけの長さを有する。この構体はその両側の各
板の整合開孔を通る2個の位置決めボルト63お
よび締付ナツト65により保持され、背板57上
には補強材67が溶接され、この補強材には端部
に把手(図示せず)を有する2本の棒69が取付
けられている。
この発明の方法の第2の実施例を実施するに
は、部品11を実質的に第1図で説明したように
ピン41に嵌め、ピン保持台43を基台45に嵌
め、圧え板49を基台45に乗せてその開孔55
にピン41と部品を通す。次に可圧縮性シリコン
ゴム板61を背板57に嵌め、その構体を圧え板
49に乗せる。上記各板の開孔に2本の位置決め
ボルト63を通し、締付ナツト65により圧え板
49に背板57を締付ける。すると可圧縮性ゴム
板61が部品の端壁と側壁の隣接部に押し付けら
れて部品の所定表面部分を被覆する。
上記のように素材部品を装着した2個の治具4
0を第5図に示す静止治具スタンド71に取付け
る。スタンド71はテーブル73に支持され、同
様にテーブル73に支持された槽75に嵌つてい
る。槽75は可撓性プラスチツク管83、ポンプ
85および弁87を介して分配槽82に結合され
た中央排出口79を有する。分配槽82はエツチ
ング中比較的少量のエツチング液を貯え、その底
壁の2つのノズル81からエツチング液を重力に
より各治具40に付き1つずつ合計2つの一様な
軟弱流31として流下させることができる。分配
槽82とノズル81は治具40の上方で空気シリ
ンダ93のピストン桿91に結合された往復腕8
9に取付けられている。装置を作動させるには、
槽75にエツチング液を注ぎ、ポンプ85を連続
運転し、弁87を調節して各ノズル81が各均一
軟弱流31ごとに毎分3.8を排出するようにす
る。空気シリンダ93を作動させ、ピストン桿9
1を治具の長さより若干短かい距離を約5.5秒
(6〜30秒の範囲で調節することができる)で水
平に移動させる。ノズルは各治具40の間隙53
を通つてエツチング液を流し、エツチング液はエ
ツチングが完了するまで治具から槽75に出て再
びノズル81に循環する。
この発明の方法の第2の実施例の推奨形式で
は、当初エツチング液は本質的に71重量%硝酸45
重量部と、85重量%の燐酸10重量部と、濃硫酸
(比重1.2158)5重量部と、純水40重量部より成
り、エツチング中約80℃±5℃の温度に維持され
る。エツチングはこの温度で約6分(2〜6分の
範囲で可変)行われ、これによつてノズルが治具
40上を66回(33サイクル)通過する。エツチン
グが完全な場合は部品のエツチングされた部分が
鈍い金属色を呈するが、不完全な場合は鈍い金属
色を呈すべきところに光沢領域が存在するため判
別することができる。エツチング完了後治具40
をスタンド71から取外して60±5℃の純水を約
5分間通し、治具40を解体してエツチングされ
た部品をピンから外し、オーバーフロー式洗浄槽
に入れて流量約11.4/分温度約60±5℃純水で
約5分間洗浄する。
可圧縮性シリコンゴム板61の代りにエツチン
グ液の化学作用に耐える他の可圧縮性固体材料の
板を使用することもできる。この推奨材料は室温
加硫のシリコンゴムである。可圧縮性シリコンゴ
ム板は約54重量%の液体シリコンエラストマ(例
えばダウ・コーニング社(Dow―Corning)より
市販のシルガード(Sylgard)186)と、6%の
エラストマ用触媒と、40%の液体粘度低下剤(例
えばゼネラルエレクトリツク社(General
Electric Co.)より市販のシリコンゴム希釈液
910)との混合物を成形することにより製造する
こともできる。成形物はほぼ室温で一晩硬化させ
る。粘度低下剤の量を減ずると生成するシリコン
ゴムが固くなつて圧縮性が低下するが、増すと柔
かくなつて圧縮性が増大する。
前述した米国特許願第210246号明細書記載の従
来法のエツチングでは、部品を治具に入れて酸に
浸漬し、酸液をマニホールドから水平方向を向い
た治具間隙を通つて噴出させる。このマニホール
ド法はエツチング不十分または不完全による種々
の問題を生じたが、その主要欠陥は「涙滴」と呼
ばれるもので所要のエツチング線から下に部分的
にエツチングされた領域がはみ出たものである。
この欠陥の大きさは処理工程の調節により小さく
することができるが、「スネークバイツ(Snake
bites)」と呼ばれる微小欠陥を生じる。これはエ
ツチング線の真下の小さな部分的エツチング領域
である。これらの欠陥を除去するためにいくつか
の方法が試みられたが、これらを一括して次に示
す。
(1) 流量の変化…流量を加減したり、交互に流し
たり止めたりしたが、どの場合においてもその
化学変化が既に得られた結果より要い結果を示
し、不良率が大きくなつた。
(2) 治具の回転…欠陥は一般に治具の1側面に限
られることが判つたため、エツチングの途中で
治具をマニホールド中で回転して酸を反対側か
ら流したところ、欠陥は小さくなつたがなくな
らなかつた。
(3) エツチング時間の増加…エツチング時間を長
くしても欠陥は改善されなかつた。
(4) 治具の向き…治具の設計により、亜酸化窒素
や水素の気泡が圧え板の皿穴に捕獲されると考
えたため、この気泡が皿穴から上昇し逃げるよ
うに治具を回転してみたが、欠陥減少効果はな
く、またマニホールドを捕えられた気泡が再び
逃げられるような角度に配置してみたが同様に
欠陥は改善されなかつた。
このようにマニホールド法を種々に変えて試
験するときはエツチング法も変える必要がある
ことが判り、いくつかの方法を試験してマニホ
ールド法より良いエツチング結果を得たが、な
お欠陥が存在した。これらの方法は次の通りで
ある。
(5) 回転浸漬…この方法はいくつかの変形を試験
したが、基本的な考え方は酸溶中に治具を吊り
下げて回転させ、治具間隙に新しい酸が供給さ
れるようにすることである。治具を同一方向に
回転するか往復回転すると少しは良くなつたが
欠陥はなくならなかつた。
(6) 静止浸漬…治具を通る酸の流れをどのような
形状にしても欠陥が残つたので、治具を静止さ
せて酸も流さない方法を試み、治具を気泡が逃
げ得るような角度に配置したが、エツチング生
成品に改善は見られなかつた。
(7) 圧え板の開孔寸法の増大…陰極が開孔にあま
りにも接近していたため発生したガスの気泡が
圧え板の皿孔に捕獲されることがあり、開孔の
直径を増すと気泡が大きくなつて逃げ易かろう
と考えたが、開孔を大きくすると欠陥水準は低
下するがカツプのエツチング端縁が不均一にな
ることが判つた。すなわち欠陥数は減少したが
陰極の品質が低下した。
(8) 軟弱流エツチング…この方法は上記すべての
方法を試験して殆んどまたは全く改善が得られ
なかつたときに到達したもので、これを導いた
主目的は次の必要性であつた。
(イ) 機械の設計が余り複雑でなく、工程が簡単
なこと。
(ロ) 発生したガスの気泡を治具から逃がす方
法。
(ハ) 欠陥のないエツチング部品を生産するより
良好で効率のよいエツチング法。
(ニ) 1つの方向からしか酸の流れを必要としな
いエツチング法。
最初考えたのは滝(比較的長いか幅の広い軟弱
流)の下に治具を置くことで、これは首尾よく作
動したが、まだ完全に欠陥を取除くことができな
かつた。これは酸の交換比率が大きすぎて酸が均
一なエツチングが得られるほど十分な時間部品に
接触しないためである。この問題を解決するため
に流れのパタンを変え、6.35mmの管から毎分約
11.4の流量が主として重力により流下する1本
の均一軟弱流とした。これは非常に効果があり、
欠陥が0に近く、残つた欠陥も極めて小さく許容
できるものであつた。蒸発による熱損失を最小に
するために流量を少なくすることが望ましく、最
終的には3.18mmの管を使用して毎分3.8〜5.7と
した。試験中にこの発明のエツチング法は処理反
応を促進することが観察された。すなわち最初6
分かかつたエツチングを4分以下に短縮し得るこ
とが判つた。軟弱流は各部品にかかつたりかから
なかつたりするように移動させるが、これは部品
と流れの一方を静止させるか両方を移動させるこ
とによりその間に相対運動を生成して行うことが
できる。また代りに両方とも静止させておいて流
れを間欠させてもよい。接触回数は毎分2〜10回
とすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の第1実施例によりエツチン
グされる成形バイメタル部品の部分破断正面図、
第2図はエツチングを終つた第1図のバイメタル
部品の陰極基体に陰極被覆を行つたところを示す
部分破断正面図、第3図および第4図はそれぞれ
この発明の方法の第2の実施例により1組のバイ
メタル部品をエツチングする装置の部分断面正面
図および側面図、第5図は第3図および第4図に
示す治具2台に取付けた部品をエツチングする装
置の側面図である。 11…成形金属部品、13…陰極基体、15…
支持部、29…耐食マスク、31…エツチング
液。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 陰極基体およびそれと一体のその支持体を含
    む成形金属部品を準備し、この部品の所定の表面
    部分を耐食性マスクで被覆し、上記部品表面の被
    覆されない部分を所要の深さまでエツチングし、
    次いで上記マスクを除去する各段階を含み、上記
    エツチング段階がエツチング液の一様な軟弱流を
    上記部品に交互に接触させたり離したりしながら
    重力によりその部品から流れ去るようにして行わ
    れる一体型の陰極基体および支持体の製造法。
JP58076073A 1982-04-29 1983-04-28 一体型の陰極基体および支持体の製造法 Granted JPS58197279A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US373052 1982-04-29
US06/373,052 US4376009A (en) 1982-04-29 1982-04-29 Limp-stream method for selectively etching integral cathode substrate and support

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58197279A JPS58197279A (ja) 1983-11-16
JPS634636B2 true JPS634636B2 (ja) 1988-01-29

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ID=23470713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58076073A Granted JPS58197279A (ja) 1982-04-29 1983-04-28 一体型の陰極基体および支持体の製造法

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US (1) US4376009A (ja)
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