JPS6346918B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6346918B2 JPS6346918B2 JP5358081A JP5358081A JPS6346918B2 JP S6346918 B2 JPS6346918 B2 JP S6346918B2 JP 5358081 A JP5358081 A JP 5358081A JP 5358081 A JP5358081 A JP 5358081A JP S6346918 B2 JPS6346918 B2 JP S6346918B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- bubbles
- conductor pattern
- current
- magnetic bubble
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000010977 unit operation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
- G11C19/0883—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルを利用する磁気記憶素子に
関するものである。
関するものである。
磁気バブルを移動させる方法にはパーマロイパ
ターンのような軟磁性膜を用い、外部から回転磁
場を与える磁場駆動方式と、導体に電流を流し、
それによる磁場で磁気バブルを移動させる電流駆
動方式がある。
ターンのような軟磁性膜を用い、外部から回転磁
場を与える磁場駆動方式と、導体に電流を流し、
それによる磁場で磁気バブルを移動させる電流駆
動方式がある。
電流駆動方式は磁場駆動方式より高速記憶素子
を得ることが比較的容易であり、種々の駆動方法
が提案されてきた。この中で実用的な価値が高い
のは２層の導体シートに孔をあけ、この孔からの
もれ磁場で磁気バブルを移動させる方法である。
詳細はベル・システム・テクニカル・ジヤーナル
（Bell System Technical Journal）第58巻、第
1453〜1540貢（1979年）に示されている。
を得ることが比較的容易であり、種々の駆動方法
が提案されてきた。この中で実用的な価値が高い
のは２層の導体シートに孔をあけ、この孔からの
もれ磁場で磁気バブルを移動させる方法である。
詳細はベル・システム・テクニカル・ジヤーナル
（Bell System Technical Journal）第58巻、第
1453〜1540貢（1979年）に示されている。
導体シートを用いる磁気バブル素子の欠点は広
い導体シートに電流を流す必要があるので総電流
が大きくなり、又電流による磁気バブルメモリチ
ツプの発熱が大きくなることである。
い導体シートに電流を流す必要があるので総電流
が大きくなり、又電流による磁気バブルメモリチ
ツプの発熱が大きくなることである。
駆動パワーを減少するための１つの方法は情報
の記憶ループを分割し、必要な部分のみを駆動す
ることである。
の記憶ループを分割し、必要な部分のみを駆動す
ることである。
第１図は分割された記憶ループの１部を示した
ものである。導体シート１１，１２に孔列１３，
１４がそれぞれあけられており第１の記憶ループ
を形成している。電流１５，１６により磁気バブ
ルは第１の記憶ループにそつて移動することが出
来る。導体シート１１，１２と分離された導体シ
ート１７，１８があり孔列１９，２０がそれぞれ
あけられており、第２の記憶ループを形成してい
る。電流２１，２２により磁気バブルは第２の記
憶ループにそつて移動することが出来る。
ものである。導体シート１１，１２に孔列１３，
１４がそれぞれあけられており第１の記憶ループ
を形成している。電流１５，１６により磁気バブ
ルは第１の記憶ループにそつて移動することが出
来る。導体シート１１，１２と分離された導体シ
ート１７，１８があり孔列１９，２０がそれぞれ
あけられており、第２の記憶ループを形成してい
る。電流２１，２２により磁気バブルは第２の記
憶ループにそつて移動することが出来る。
情報の書込み、読み出しを有効に行うためには
第１と第２の記憶ループ内の情報、すなわち磁気
バブルが交換出来るようになつている必要があ
る。より具体的に言えば導体シート１２，１８の
端部に設けられた切欠きパターン２３，２５の位
置にある磁気バブルがそれぞれ導体シート１７，
１１の端部に設けられた切欠きパターン２６，２
４の位置に転移出来なければならない。このよう
な機能部動作はスワツプと通称されている。
第１と第２の記憶ループ内の情報、すなわち磁気
バブルが交換出来るようになつている必要があ
る。より具体的に言えば導体シート１２，１８の
端部に設けられた切欠きパターン２３，２５の位
置にある磁気バブルがそれぞれ導体シート１７，
１１の端部に設けられた切欠きパターン２６，２
４の位置に転移出来なければならない。このよう
な機能部動作はスワツプと通称されている。
このような動作をするために通常第３の制御導
体を用い、これによる磁場で磁気バブルを転移さ
せる。
体を用い、これによる磁場で磁気バブルを転移さ
せる。
従来から、第３の制御導体としてヘアピン状の
形状にすればよいことが知られている。第２図は
従来の方式にしたがつて設計されたスワツプ機能
部を示す。２７，２８で示す制御導体に電流を流
すことにより２５の位置にある磁気バブル３０を
２４の位置に、２３の位置にある磁気バブル２９
を２６の位置に移動させることが出来る。このよ
うな方式では一般に制御導体の幅は導体シートの
孔の大きさより小さくする必要がある。磁気バブ
ルの大きさと孔の大きさは大略同じであるの微小
な磁気バブルを用いて高密度メモリデバイスを構
成しようとすると加工技術的に問題が生ずる。磁
場駆動方式においてもスワツプ等機能部制御用の
導体で同様の問題が生じうる。
形状にすればよいことが知られている。第２図は
従来の方式にしたがつて設計されたスワツプ機能
部を示す。２７，２８で示す制御導体に電流を流
すことにより２５の位置にある磁気バブル３０を
２４の位置に、２３の位置にある磁気バブル２９
を２６の位置に移動させることが出来る。このよ
うな方式では一般に制御導体の幅は導体シートの
孔の大きさより小さくする必要がある。磁気バブ
ルの大きさと孔の大きさは大略同じであるの微小
な磁気バブルを用いて高密度メモリデバイスを構
成しようとすると加工技術的に問題が生ずる。磁
場駆動方式においてもスワツプ等機能部制御用の
導体で同様の問題が生じうる。
本発明の目的は従来の方式の制御導体の寸法的
な問題を取り除くことにある。
な問題を取り除くことにある。
本発明によれば機能部に孔パターンを有する制
御導体を用いることにより少くとも他のパターン
と同じ寸法精度でメモリチツプを構成することが
可能である。
御導体を用いることにより少くとも他のパターン
と同じ寸法精度でメモリチツプを構成することが
可能である。
次に実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
第３図は本発明による機能部での制御導体パター
ンの実施例を示す。制御導体３１に孔パターン３
２と切欠きパターン３３がある点に大きな特徴を
有する。孔パターン３２と切欠き３３の付近に発
生する磁場分布を用い、粗い精度のパターンで細
いヘアピンパターンと同等の動作をさせることが
可能である。第４〜８図を用いて第３図の制御導
体を用いたスワツプ部での磁気バブルの動きを詳
細に説明する。第４図において矢印４１は第１の
記憶ループでの磁気バブルの移動方向を示す。矢
印４２は第２の記憶ループでの磁気バブルの移動
方向を示す。２３の位置にある磁気バブル４３と
２５の位置にある磁気バブル４４を交換すること
を考える。まず第５図に示す如く制御導体３１に
電流Ic、５０を流すと、電流による磁場で磁気バ
ブル４３は２３の位置から５１の位置に、磁気バ
ブル４４は２５の位置から５２の位置に動く。第
１、第２の記憶ループの他の磁気バブルは停止し
たままである。次に第６図に示す如く制御導体３
１に逆方向の電流Ic、５３を流すと磁気バブル４
３は５１から６１の位置に、磁気バブル４４は５
２から６２の位置に動く。次に第７図に示すよう
に導体シート１１，１７にそれぞれ電流I1、７
１、I1′、７２を流すと磁気バブル４３は６１か
ら２６の位置に、磁気バブル４４は６２から２４
の位置に動く。このようにして磁気バブル４３の
２３から２６の位置への、磁気バブル４４の２５
から２４への転移が完了し、スワツプ動作が完了
したことになる。その後は第８図にように導体シ
ート１２，１８にそれぞれ電流I2、８１、I2′、８
２を流し、以後導体シート１１，１２，１７，１
８に順次I1、I2、I1′、I2′の電流を流してゆくと磁
気バブルはいつせいに第１及び第２の記憶ループ
内を移動していくことになる。
第３図は本発明による機能部での制御導体パター
ンの実施例を示す。制御導体３１に孔パターン３
２と切欠きパターン３３がある点に大きな特徴を
有する。孔パターン３２と切欠き３３の付近に発
生する磁場分布を用い、粗い精度のパターンで細
いヘアピンパターンと同等の動作をさせることが
可能である。第４〜８図を用いて第３図の制御導
体を用いたスワツプ部での磁気バブルの動きを詳
細に説明する。第４図において矢印４１は第１の
記憶ループでの磁気バブルの移動方向を示す。矢
印４２は第２の記憶ループでの磁気バブルの移動
方向を示す。２３の位置にある磁気バブル４３と
２５の位置にある磁気バブル４４を交換すること
を考える。まず第５図に示す如く制御導体３１に
電流Ic、５０を流すと、電流による磁場で磁気バ
ブル４３は２３の位置から５１の位置に、磁気バ
ブル４４は２５の位置から５２の位置に動く。第
１、第２の記憶ループの他の磁気バブルは停止し
たままである。次に第６図に示す如く制御導体３
１に逆方向の電流Ic、５３を流すと磁気バブル４
３は５１から６１の位置に、磁気バブル４４は５
２から６２の位置に動く。次に第７図に示すよう
に導体シート１１，１７にそれぞれ電流I1、７
１、I1′、７２を流すと磁気バブル４３は６１か
ら２６の位置に、磁気バブル４４は６２から２４
の位置に動く。このようにして磁気バブル４３の
２３から２６の位置への、磁気バブル４４の２５
から２４への転移が完了し、スワツプ動作が完了
したことになる。その後は第８図にように導体シ
ート１２，１８にそれぞれ電流I2、８１、I2′、８
２を流し、以後導体シート１１，１２，１７，１
８に順次I1、I2、I1′、I2′の電流を流してゆくと磁
気バブルはいつせいに第１及び第２の記憶ループ
内を移動していくことになる。
磁気バブル列の交換をしたければ第５図から第
８図の動作を繰返せばよい。このように第３図で
示した単純な孔パターンと切欠きを有する制御導
体によりスワツプ動作を行なわせることが出来る
ことが示された。
８図の動作を繰返せばよい。このように第３図で
示した単純な孔パターンと切欠きを有する制御導
体によりスワツプ動作を行なわせることが出来る
ことが示された。
上記実施例では記憶ループ間での磁気バブルの
スワツプ動作を示したが単なる磁気バブルの転送
ライン間であつてもよく、又記憶ループと転送ラ
イン間のスワツプ動作であつてもよいことはもち
ろんである。また、スワツプ動作ではなく１方の
磁気バブルの記憶ループ間での転送、すなわちト
ランスフア動作に対しても本発明の主旨に従つて
孔パターン等を有する制御導体を設計することが
出来ることももちろんである。
スワツプ動作を示したが単なる磁気バブルの転送
ライン間であつてもよく、又記憶ループと転送ラ
イン間のスワツプ動作であつてもよいことはもち
ろんである。また、スワツプ動作ではなく１方の
磁気バブルの記憶ループ間での転送、すなわちト
ランスフア動作に対しても本発明の主旨に従つて
孔パターン等を有する制御導体を設計することが
出来ることももちろんである。
また、孔パターンは実施例のような楕円形に限
られるものではなく、角形なども同様に用いられ
る。さらに孔パターンと切欠きパターンとの組み
合せに限らず孔パターンのみでも達成されるし、
パターン配列も目的に応じて変形されることはも
ちろんである。また、本実施例では電流駆動方式
の磁気バブルデバイスにおけるスワツプ部での制
御導体を示したがパーマロイパターンによる磁気
バブルデバイス、あるいはイオン注入パターンに
よる磁気バブルデバイスにおいても本発明による
制御導体が使用出来ることも言うまでもない。
られるものではなく、角形なども同様に用いられ
る。さらに孔パターンと切欠きパターンとの組み
合せに限らず孔パターンのみでも達成されるし、
パターン配列も目的に応じて変形されることはも
ちろんである。また、本実施例では電流駆動方式
の磁気バブルデバイスにおけるスワツプ部での制
御導体を示したがパーマロイパターンによる磁気
バブルデバイス、あるいはイオン注入パターンに
よる磁気バブルデバイスにおいても本発明による
制御導体が使用出来ることも言うまでもない。
本発明によれば磁気バブルデバイスの制御導体
パターンの最小寸法を相対的に大きくすることが
可能であり高密度の磁気バブルデバイスを実現す
ることが出来る。
パターンの最小寸法を相対的に大きくすることが
可能であり高密度の磁気バブルデバイスを実現す
ることが出来る。
第１図は電流駆動方式の磁気バブルデバイスの
記憶ループの１部を示す平面図で、１１，１２，
１７，１８は駆動導体シート、１３，１４，１
９，２０は孔パターン、１５，１６，２１，２２
は導体シートへの駆動電流、２３，２４，２５，
２６は切欠きパターンを表わす。 第２図は従来の設計方式によるスワツプゲート
部を示す平面図で、２７，２８は制御導体、２
９，３０は磁気バブルを表わす。 第３図は本発明の一実施例における制御導体パ
ターンを示す平面図で、３１は制御導体、３２は
孔パターン、３３は切欠きパターンを表わす。 第４図〜第８図は本発明の一実施例のスワツプ
動作を順に示す平面図で、４１，４２は磁気バブ
ルの移動方向、４３，４４は磁気バブル、５０，
５３は制御導体への電流、７１，７２，８１，８
２は駆動導体シートへの電流、５１，５２，６
１，６２は磁気バブルの位置を表わす。
記憶ループの１部を示す平面図で、１１，１２，
１７，１８は駆動導体シート、１３，１４，１
９，２０は孔パターン、１５，１６，２１，２２
は導体シートへの駆動電流、２３，２４，２５，
２６は切欠きパターンを表わす。 第２図は従来の設計方式によるスワツプゲート
部を示す平面図で、２７，２８は制御導体、２
９，３０は磁気バブルを表わす。 第３図は本発明の一実施例における制御導体パ
ターンを示す平面図で、３１は制御導体、３２は
孔パターン、３３は切欠きパターンを表わす。 第４図〜第８図は本発明の一実施例のスワツプ
動作を順に示す平面図で、４１，４２は磁気バブ
ルの移動方向、４３，４４は磁気バブル、５０，
５３は制御導体への電流、７１，７２，８１，８
２は駆動導体シートへの電流、５１，５２，６
１，６２は磁気バブルの位置を表わす。
Claims (1)
- １ 磁気バブルを保有しうる磁性膜とその磁気バ
ブルを安定に存在させるための磁気的手段および
磁気バブルを移動させるための磁気的手段を有
し、その移動手段には、一の移動路と他の移動路
との間に導体パターンを有しこの導体パターンに
電流を通ずることにより前記移動路間で磁気バブ
ルの転移を行なわせる手段を含む磁気記憶装置に
おいて、前記導体パターンは帯状で、かつこの導
体パターンに電流を通じた時前記移動路間の所定
位置に磁気バブルを捕捉しうる磁場が発生するよ
うにこの導体パターンに孔、切欠きなどのパター
ンを設けたことを特徴とする磁気バブル素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5358081A JPS57169992A (en) | 1981-04-09 | 1981-04-09 | Magnetic bubble element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5358081A JPS57169992A (en) | 1981-04-09 | 1981-04-09 | Magnetic bubble element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57169992A JPS57169992A (en) | 1982-10-19 |
| JPS6346918B2 true JPS6346918B2 (ja) | 1988-09-19 |
Family
ID=12946770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5358081A Granted JPS57169992A (en) | 1981-04-09 | 1981-04-09 | Magnetic bubble element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57169992A (ja) |
-
1981
- 1981-04-09 JP JP5358081A patent/JPS57169992A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57169992A (en) | 1982-10-19 |
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