JPS5849946B2 - トランスファ・イン・ゲ−ト - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気バブル素子において磁気バブルを書込み
転送路から記憶部であるマイナ・ループに導入するため
のトランスファ・イン・ゲートに関する。

磁気バブルの原理はＡｎｄｒｅｗ Ｈ． Ｂｏｂｅｃｋ
によって見出され、その詳細はＡ． Ｈ． Ｂｏｂｅｃ
ｋ ｅｔａｌ． ” Ｍａｇｎｅｔ ｉｃ Ｂｕｂｂｌ
ｅｓ″ＳＣｉｅｎｔｉｆｉＣＡｍｅｒｉｃａｎ，Ｖｏｗ
． ２ ２’４ ，Ｊｕｎｅ １ ９ ７ １ ， ｐ
ｐ７８〜９１に記載されている。

磁気バブルの存在または不存在を一つの信号に対応させ
た記憶装置が今日では広く利用されており、磁気バブル
技術の進歩とともに、そのような装置はますます大容量
かつ高速化している。

そのような装置は通常磁気バブルがその中を移動する磁
性体の板の上に絶縁層を介して設けられた適当なパター
ンを有する高透磁率の層を持ったチップと、それに垂直
方向にバイアス磁界をかけるための磁石と、チップに平
行な面内で回転する回転磁界をかけるためのコイルとか
ら成っている。

磁気バブルは通常チップ上に設けられたヘア・ピン形の
導体を流れる電流が作る磁界によって作り出され、回転
磁界の回転にしたがって書込み転送路に沿って移動させ
られ、トランスファ・イン・ゲートを通って記憶部であ
るマイナ・ループの中に蓄えられる。

ある種の装置においては、これから書き込もうとする新
しい情報に対応するバブルを転送路からマイナ・ループ
に移す操作と、マイナ・ループの中に存在している、消
却したい古い情報に対応するバブルをマイナ・ループか
ら転送路に移す操作を同時に行うことができる。

このようなゲートはスワツプ・ゲートと呼ばれる。

スワツプ・ゲート３５の新しい情報に対応するバブルの
通路はトランスファ・イン・ゲートの機能を果しており
、先に本願発明はトランスファ・イン・ゲートに関する
と書いたけれども、スワツプ・ゲートにも同様によく適
用される。

このようなスワツプ・ゲートが、例えば、米国特許明細
書第４，００７，４５３号に記載されている。

第１図はこのようなスワツプ・ゲートの一つの平面図を
示す。

図中、２，３，４，５および６はマイナ・ループ１の右
端の５個のパーマロイ要素である。

回転磁場の回転につれて、バブルは矢印７の方向に転送
される。

バブルは図には示されていないバブル発生器によって発
生させられ、転送路８に沿って矢印９の方向に転送され
る。

バブルがパーマロイ要素１０の上端に来たとき、コンダ
クタ・ループ１１に矢印１２の方向に電流が流れると、
バブルは転送路８から逸れ、パーマロイ要素１３を通っ
てマイナ・ループ１の中に移される。

トランスファ・イン専用ゲー１・では、バブルをマイナ
・ループ１から転送路８に送るためのパーマロイ要素１
４，１５がないだけで、原理は上記と全Ｘ同じである。

従来、マイナ゜ループのトランスファ・イン・ゲート側
の端のパーマロイ要素、一般には高透磁率物質の要素（
第１図の４）とトランスファ・イン・ゲートのマイナ・
ループ側の端のパーマロイ要素、一般には高透磁率物質
の要素（第１図の１３）のマイナ・ループ側の端は互い
に平行に設けられ、隣接するパーマロイ要素が接近して
いる。

このため、相互の干渉が大きく、この部分でバブルが消
滅したり、転送路外へ出たりしやすく、許容されるバイ
アス磁界の上限が低いという欠点があった。

本発明の目的は、したがって、大きなバイアス磁界マー
ジンを有する磁気バブル素子、特にトランスファ・イン
・ゲートを提供するにある。

上記目的を達戒するために、本発明によるトランスファ
イン・ゲートは、マイナ・ループのトランスファ・イ
ン・ゲート側の端の高透磁率物質の要素のトランスファ
・イン・ゲートに面する分岐とトランスファ・イン・ゲ
ートのマイナ・ループ側の端の高透磁率物質の要素のマ
イナ・ループに面する分岐が互いに傾斜して設けられる
ことを要旨とする。

上記傾斜の角度は３００から９０°までの間にあること
が望ましい。

以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明する。

第２図は本発明によるトランスファ・イン・ゲートのマ
イナ・ループ側の端のパーマロイ要素１６をマイナ・ル
ープのトランスファ・イン・ゲート側の端の３個のパー
マロイ要素１７，１８，１９とともに示す。

図には示されていないバブル発生器によって発生させら
れたバブルは転送路を経て矢印２０の方向に送られてき
て、矢印２１の方向にマイナ・ループの中を転送される
。

すなわち、第２図のパーマロイ要素１６，１７，１８，
１９は第１図のパーマロイ要素それぞれ１３，５，４，
３に対応する。

第２図のパターンを第１図のパターンと比較すると、第
１図では左右（第１図では」＝下）のパターンが中心線
に関して対称に形成されているのに対して、第２図では
左右のパターンか互いに半周期ずれたスタガ構成となっ
ているが、このこともまたバイアス磁界マージンを大き
くすることが知られている。

第３図は、第２図に示すパターンにおいてパーマロイ要
２１ ８の１ヘランスファ・イン・ゲートに面する分岐
の実質上の軸とパーマロイ要１６（７）マイナ・ループ
に面する分岐の実質上の軸が作る角をαとするとき、角
αの関数として百分率で表した転送バイアス磁界マージ
ンの変化を示す。

第３図に示す結果は第２図に示すパターン周期８μｍ１
回転磁界強度５５０ｅ，周波数１００ＫＨｚで得られた
ものである。

第３図から明らかなように、バイアス磁界マージンは最
初αが増大するとともに増大するが、αが３０°を越え
ると余り大きくは変化しなくなり、９００を越えると逆
に小さくなり始める。

これは、αが９０°よりも．大きくなると、パターン間
の接続が困難になるからであると考えられる。

許容されるバイアス磁界の下限はαに殆んど依存しない
。

したがって第３図に示されるマージンの増大は殆んど専
ら許容されるバイアス磁界の上限の上昇によって得られ
れたものである。

第３図から、αを３０°と９０°の間に選ぶのが有利で
あることは明らかである。

トランスファ・イン・ゲートのマイナ・ループ側の端の
パーマロイ要素の形は第２図において１６で示す形に限
らないことは言うまでもない。

αが大きいときは、それは第４図に示すような形状とな
り、またαがそれ程大きくないとき、第５図に示すよう
に、マイナ・ループに近い方の分岐は第２図のパーマロ
イ要素１６に似ており、マイナ・ループから遠い方の分
岐は第４図に似た形をとることも可能である。

以上説明したごとく、本発明によれば、転送バイアス磁
界マージンを従来のトランスファ・イン・ゲートを用い
る場合に較べてほゾ２倍に大きくすることかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のトランスファ・イン・ゲートのパターン
を示す図、第２図は本発明によるトランスファ・イン・
ゲートのパターンを示す図、第３図はマイナ・ループの
トランスファ・イン・ゲート側の端の高透磁率物質の要
素のトランスファ・イン・ゲートに面する分岐の実質上
の軸とトランスファ・イン・ゲートのマイナ・ループ側
の端の高透磁率物質の要素のマイナ・ループに面する分
岐の実質上の軸ｆＪｉ作る角と転送バイアス磁界マージ
ンの間の関係を示す図、第４図および第５図は本発明の
他の実施の態様を示す図である。 １６・・・・・・トランスファ・イン・ゲートのマイナ
・ループ側の端のパーマロイ要素、１７，１８，１９・
・・・・・マイナ・ループのトランスファ・イン・ゲー
ト側の３個のパーマロイ要素、２０・・・・・・トラン
スファ・イン・ゲート中のバブルの転送方向を示す矢印
、２１・・・・・・マイナ・ループ中のバブルの転送方
向を示す矢印。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ マイナ・ループのトランスファ・イン・ゲート側の
   端の高透磁率物質の要素のトランスファ・イン・ゲート
   に面する分岐とトランスファ・イン・ゲートのマイナ・
   ループ側の端の高透磁率物質の要素のマイナ・ループに
   面する分岐が互いに傾斜して設けられていることを特徴
   とするトランスファ・イン・ゲート。 ２ 上記傾斜の角度が３０’と９００の間にあることを
   特徴とする、特許請求範囲第１項によるトランスファ・
   イン・ゲート。