JPS6347345B2 - - Google Patents

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JPS6347345B2
JPS6347345B2 JP57160198A JP16019882A JPS6347345B2 JP S6347345 B2 JPS6347345 B2 JP S6347345B2 JP 57160198 A JP57160198 A JP 57160198A JP 16019882 A JP16019882 A JP 16019882A JP S6347345 B2 JPS6347345 B2 JP S6347345B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
metal strip
composite metal
aluminum
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP57160198A
Other languages
Japanese (ja)
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JPS5948945A (en
Inventor
Yoshihiro Matsuyama
Masaru Watanabe
Mitsuhiko Sugyama
Kenji Konishi
Mamoru Onda
Takashi Suzumura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5948945A publication Critical patent/JPS5948945A/en
Publication of JPS6347345B2 publication Critical patent/JPS6347345B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/01Manufacture or treatment
    • H10W70/04Manufacture or treatment of leadframes
    • H10W70/042Etching

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はアルミニウムを蒸着あるいはクラツド
した複合金属条からなる半導体用リードフレーム
の製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor lead frame made of a composite metal strip on which aluminum is vapor-deposited or clad.

従来、トランジスタ集積回路(IC)などの半
導体装置の製造に用いられるリードフレームに
は、ベース金属条の一部に異種金属をクラツドあ
るいは蒸着した複合金属条が用いられる。異種金
属としては、主に金、銀、銅、アルミ等の金属が
用いられるが、これらは貴金属高騰の折から金、
銀から銅、アルミ等へと安いものに変わる傾向に
あり、その被覆部位も半導体の機能部位に限られ
る傾向ある。
BACKGROUND ART Conventionally, lead frames used in the manufacture of semiconductor devices such as transistor integrated circuits (ICs) use composite metal strips in which a portion of a base metal strip is clad or vapor-deposited with a different metal. Metals such as gold, silver, copper, and aluminum are mainly used as dissimilar metals, but due to the rise in the price of precious metals, gold,
There is a tendency to change from silver to cheaper materials such as copper and aluminum, and the areas covered by these materials tend to be limited to functional parts of semiconductors.

その結果として、この種複合金属条としては、
ベース金属条に異種金属をストライプあるいはス
ポツト状に被覆したものが多く用いられ、しかも
この場合被覆された異種金属の寸法精度について
は、厚さを含めてきわめてシビアな値が要求され
る状況にある。
As a result, this kind of composite metal strip is
Base metal strips are often coated with dissimilar metals in the form of stripes or spots, and in this case, extremely strict values are required for the dimensional accuracy of the coated dissimilar metals, including the thickness. .

しかるに、ベース金属条に異種金属を高精度に
スポツト状に被覆することは、メツキの場合はと
もかく、クラツドあるいは蒸着等の場合は困難で
あり、したがつてクラツドあるいは蒸着等の場合
はベース金属条に異種金属を全面被覆した後、し
かもこれをプレスにより所定のパターン形状に打
抜き後、印刷、エツチング法により、異種金属の
不要部を除去することが行なわれる。
However, it is difficult to coat a base metal strip with a dissimilar metal in spots with high precision, not only in the case of plating but also in the case of cladding or vapor deposition. After the entire surface is coated with dissimilar metals and this is punched out into a predetermined pattern shape using a press, unnecessary portions of the dissimilar metals are removed by printing and etching methods.

印刷、エツチング法では、印刷及びエツチング
工程と共に印刷塗料の塗布、焼付けさらには剥離
工程が必要であり、工程が複雑となると共に、印
刷に使用される塗料にもよるがマスクが不完全で
あり、しかも印刷境界が不鮮明であることから、
異種金属の被覆の寸法精度をシビアにコントロー
ルすることは一般に困難である。
The printing and etching method requires the printing and etching steps as well as the coating, baking, and peeling steps of printing paint, which makes the process complicated and, depending on the paint used for printing, the mask may be incomplete. Moreover, since the printing boundaries are unclear,
It is generally difficult to strictly control the dimensional accuracy of coatings of dissimilar metals.

このことから、出願人は先に特願昭57−99763
号公報に見られるように、アルミニウムを蒸着あ
るいはクラツドした複合金属条から、同公報第4
図のような機械的マスクを用いたエツチング法に
より不要なアルミニウム部を除去してリードフレ
ームを製造する方法を提案した。このような機械
的マスクを用いたエツチング法は、印刷工程を省
略できる有利な方法であるが、この場合すなわち
プレスによる打抜き後のエツチングでは、必要な
アルミニウム部に当接されるマスクによつては、
エツチングに際しエツチング液が必要なアルミニ
ウム部の先の打抜きにより形成された側面(切断
面)及びエツチングにより形成された側面を侵食
し、エツチング後における必要なアルミニウム部
の形状及び寸法精度を悪くするという問題があ
る。
For this reason, the applicant first applied for patent application No. 57-99763.
As seen in Publication No. 4, composite metal strips made of vapor-deposited or clad aluminum are used.
We proposed a method for manufacturing lead frames by removing unnecessary aluminum parts using an etching method using a mechanical mask as shown in the figure. The etching method using such a mechanical mask is an advantageous method that can omit the printing process, but in this case, in the etching after punching with a press, depending on the mask that is in contact with the required aluminum part, ,
The problem is that during etching, the etching liquid erodes the side surface (cut surface) formed by punching the tip of the aluminum part that requires it, as well as the side surface formed by etching, impairing the shape and dimensional accuracy of the necessary aluminum part after etching. There is.

本発明の目的は、上記問題を解消し、複合金属
条の打ち抜き後のエツチングにおいて、必要なア
ルミニウム部の側面を侵食させることなく、その
形状及び寸法精度において優れたリードフレーム
を得ることができる、機械的マスクを用いたエツ
チング法による半導体用リードフレームの製造方
法を提供することにある。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and to obtain a lead frame with excellent shape and dimensional accuracy without eroding the necessary side surfaces of the aluminum part during etching after punching the composite metal strip. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor lead frame by an etching method using a mechanical mask.

すなわち、本発明の要旨は、Fe−Ni合金をベ
ース金属条とし、その一部もしくは全面にアルミ
ニウムを蒸着あるいはクラツドした複合金属条を
用意し、その複合金属条から不要のアルミニウム
部をエツチング液の浸蝕作用によるエツチングに
より除去する、半導体用リードフレームの製造方
法において、前記複合金属条をプレスにより所定
のパターン形状に打ち抜き後前記エツチングを行
うに際し、その複合金属条における必要なアルミ
ニウム部に耐薬品性の軟質弾性体からなる機械的
マスクを所定の押圧力をもつて当接し、それによ
りエツチング進行時にはそのマスク先端部がその
当接下にある前記必要なアルミニウム部の前記打
ち抜きにより形成された側面及びエツチング液に
よる浸蝕作用により形成された側面を食い込むよ
うにすることを特徴とする半導体用リードフレー
ムの製造方法にある。
In other words, the gist of the present invention is to prepare a composite metal strip in which Fe-Ni alloy is used as a base metal strip, and aluminum is deposited or clad on a part or the entire surface of the composite metal strip, and unnecessary aluminum parts are removed from the composite metal strip using an etching solution. In a manufacturing method for a semiconductor lead frame in which the etching is removed by etching using an erosive action, when performing the etching after punching out the composite metal strip into a predetermined pattern shape using a press, chemical-resistant aluminum is added to the required aluminum portion of the composite metal strip. A mechanical mask made of a soft elastic material is brought into contact with a predetermined pressing force, so that when etching progresses, the tip of the mask is placed under the contact with the side surface formed by the punching of the necessary aluminum part. A method of manufacturing a lead frame for a semiconductor is characterized in that the side surface formed by the erosive action of an etching liquid is bitten into the side surface.

本発明において、耐薬品性の軟質弾性体として
は、例えばシリコーンゴム、テフロン、ポリエチ
レン、軟質塩化ビニル等が使用される。これらは
一種もしくは数種組み合わせて使用することがで
きる。
In the present invention, as the chemical-resistant soft elastic body, for example, silicone rubber, Teflon, polyethylene, soft vinyl chloride, etc. are used. These can be used alone or in combination.

以下、本発明を図面に示す実施例にしたがつて
さらに説明する。
The present invention will be further described below with reference to embodiments shown in the drawings.

第1図は、厚さ0.2517、幅3017のFe−42%Niに
合金からなるベース金属条1の片側全面にアルミ
をクラツドすることにより厚さ0.0117の被覆金属
層2を設けてなる複合金属条3の一部を示すもの
である。第2図は、前記複合金属条3をプレスに
より所定のパターン形状5に打抜いた後状況を示
す。すなわち、点線枠6内はリードフレームの半
導体装置としての機能部である。
Fig. 1 shows a base metal strip 1 made of Fe-42%Ni alloy with a thickness of 0.25 17 and a width of 30 17 , and a coating metal layer 2 of 0.01 17 in thickness provided by cladding aluminum on one side of the entire base metal strip 1. A part of the composite metal strip 3 is shown. FIG. 2 shows the state after the composite metal strip 3 is punched into a predetermined pattern shape 5 using a press. That is, the area within the dotted line frame 6 is a functional portion of the lead frame as a semiconductor device.

4は以後の工程において複合金属条3の位置決
めを行なうために設けられたピン孔である。
Reference numeral 4 denotes a pin hole provided for positioning the composite metal strip 3 in subsequent steps.

つぎに第3図は連続の機械的マスクエツチング
装置7を示し、この中にかかる複合金属条3を7
本並列配置して間欠移動により通過させ、夫々複
合金属条3の被覆金属層2における不要なアルミ
ニウム部に対するエツチングを行なう。この場合
複合金属条3の移動間隔及びエツチング位置の設
定はピン孔4にもとづいて行われる。ステージ8
上に設置された7本の複合金属条3は、ピン孔4
にピン9を設置しさらに端面ガイド10をもつて
位置決めされる。なお、11は機械的マスク、1
2は内部にエツチング液を満たした中空の圧力
室、13は噴射口、14はエツチング液導入口、
15はエアーシリンダである。
Next, FIG. 3 shows a continuous mechanical mask etching device 7 in which the composite metal strip 3 is etched into 7 layers.
They are arranged in parallel and passed through by intermittent movement, thereby etching unnecessary aluminum portions in the coating metal layer 2 of the composite metal strip 3, respectively. In this case, the movement interval and etching position of the composite metal strip 3 are set based on the pin hole 4. stage 8
The seven composite metal strips 3 installed on the top are connected to the pin holes 4.
A pin 9 is installed at the end, and the end face guide 10 is used for positioning. In addition, 11 is a mechanical mask, 1
2 is a hollow pressure chamber filled with etching liquid, 13 is an injection port, 14 is an etching liquid introduction port,
15 is an air cylinder.

この機械的マスキング装置によるエツチング状
況の概略を第4図により説明すると、エツチング
液導入口14から送られたエツチング液16は中
空の圧力室17を満たし、噴射口13を通つて被
覆金属層の不要なアルミニウム部18に衝突し、
不要なアルミニウム部18をエツチングにより除
去する。ここで、マスク11は、シリコーンゴム
11′及びテフロン11″を組み合わせた耐薬品性
の軟質弾性体からなる。このようなマスク11を
被覆金属層の必要なアルミニウム層に所定の押圧
力をもつて当接する。その結果、エツチング進行
時には、第5図のようにマスク先端部がその当接
下にある必要なアルミニウム部の側面19に食い
込むことになる。
An outline of the etching situation by this mechanical masking device will be explained with reference to FIG. 4. The etching liquid 16 sent from the etching liquid inlet 14 fills the hollow pressure chamber 17 and passes through the injection port 13, eliminating the need for a coating metal layer. collided with the aluminum part 18,
Unnecessary aluminum portion 18 is removed by etching. Here, the mask 11 is made of a chemical-resistant soft elastic material that is a combination of silicone rubber 11' and Teflon 11''. Such a mask 11 is applied to a necessary aluminum layer of the covering metal layer with a predetermined pressing force. As a result, as etching progresses, the tip of the mask bites into the side surface 19 of the necessary aluminum part under the contact, as shown in FIG.

このようにすることによつて、前記側面19の
エツチング液16による侵食は防止され、この結
果第6図にみられるように、機能部6に相当する
必要な被覆金属層を寸法精度よろしく十分に残存
させ、高品質の部分被覆複合金属条からなるリー
ドフレーム20を得ることができた。
By doing this, the side surface 19 is prevented from being eroded by the etching liquid 16, and as a result, as shown in FIG. It was possible to obtain a lead frame 20 made of a high quality partially coated composite metal strip.

因みに、従来の機械的マスクエツチング法で
は、マスク体が剛体でできていることから、第7
図のように被覆金属層の必要なアルミニウム部の
側面がエツチング液により侵食され、所望の形状
及び寸法精度を確保することができない。
Incidentally, in the conventional mechanical mask etching method, since the mask body is made of a rigid body, the seventh
As shown in the figure, the side surface of the aluminum part where the coating metal layer is required is eroded by the etching solution, making it impossible to secure the desired shape and dimensional accuracy.

以上説明したように、本発明によれば、機械的
マスクを用いたエツチング法による半導体用リー
ドフレームの製造方法において、マスクとして耐
薬品性の軟質弾性体からなるものを用い、これを
巧みに押圧してエツチングを行うことにより、エ
ツチングに際して被覆金属層の必要なアルミニウ
ム部をエツチング液による側面侵食から防止する
ことができ、その結果として、上記アルミニウム
部の形状及び寸法精度を著しく向上させることが
でき、製品として非常に優れた半導体用リードフ
レームを得ることができるという効果がある。
As explained above, according to the present invention, in a method for manufacturing a semiconductor lead frame by an etching method using a mechanical mask, a chemical-resistant soft elastic material is used as the mask, and the mask is skillfully pressed. By performing etching, it is possible to prevent the necessary aluminum part of the coated metal layer from being eroded by the etching liquid during etching, and as a result, the shape and dimensional accuracy of the aluminum part can be significantly improved. This has the effect that a very excellent semiconductor lead frame can be obtained as a product.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例に係る複合金属条の
一部斜視図、第2図は同プレスによりパターン形
状に打抜かれた複合金属条の一部正面図、第3図
は同連続機械的マスクエツチング装置の正面図、
第4図は同連続機械的マスクエツチング装置によ
るエツチング状況を示す概略図、第5図は同前記
第4図の要部拡大断面図、第6図は同エツチング
後の製品の断面図、第7図は従来例にかかるエツ
チング後の製品の断面図、である。 1:ベース金属条、2:被覆金属層、3:複合
金属条、5:パターン形状、6:機能部、7:機
械的マスクエツチング装置、11:機械的マス
ク、13:噴射口、16:エツチング液。
FIG. 1 is a partial perspective view of a composite metal strip according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partial front view of a composite metal strip punched into a pattern shape by the same press, and FIG. 3 is a partial front view of the composite metal strip punched into a pattern shape by the same press. Front view of target mask etching device,
FIG. 4 is a schematic diagram showing the etching process using the same continuous mechanical mask etching apparatus, FIG. 5 is an enlarged sectional view of the main part of FIG. 4, FIG. 6 is a sectional view of the product after etching, The figure is a sectional view of a product after etching according to a conventional example. 1: Base metal strip, 2: Coating metal layer, 3: Composite metal strip, 5: Pattern shape, 6: Functional part, 7: Mechanical mask etching device, 11: Mechanical mask, 13: Injection port, 16: Etching liquid.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 Fe−Ni合金をベース金属条とし、その一部
もしくは全面にアルミニウムを蒸着あるいはクラ
ツドした複合金属条を用意し、その複合金属条か
ら不要のアルミニウム部をエツチング液の浸蝕作
用によるエツチングにより除去する、半導体用リ
ードフレームの製造方法において、前記複合金属
条をプレスにより所定のパターン形状に打ち抜き
後前記エツチングを行うに際し、その複合金属条
における必要なアルミニウム部に耐薬品性の軟質
弾性体からなる機械的マスクを所定の押圧力をも
つて当接し、それによりエツチング進行時にはそ
のマスク先端部がその当接下にある前記必要なア
ルミニウム部の前記打ち抜きにより形成された側
面及びエツチング液による浸蝕作用により形成さ
れた側面を食い込むようにすることを特徴とする
半導体用リードフレームの製造方法。
1. A composite metal strip is prepared in which Fe-Ni alloy is used as a base metal strip and aluminum is vapor-deposited or clad on a part or the entire surface of the composite metal strip, and unnecessary aluminum parts are removed from the composite metal strip by etching using the corrosive action of an etching solution. In the method for manufacturing a lead frame for semiconductors, when performing the etching after punching the composite metal strip into a predetermined pattern shape using a press, a machine made of a chemical-resistant soft elastic material is used for the necessary aluminum portions of the composite metal strip. A target mask is brought into contact with a predetermined pressing force, so that when etching progresses, the tip of the mask is formed by the etching action of the etching solution on the side surface formed by the punching of the necessary aluminum part under the contact. A method for manufacturing a lead frame for a semiconductor, characterized in that the curved side surface is bitten into the lead frame.
JP57160198A 1982-09-14 1982-09-14 Manufacture of lead frame for semiconductor Granted JPS5948945A (en)

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JPS5948945A (en) 1984-03-21

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