JPS6347345B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6347345B2 JPS6347345B2 JP57160198A JP16019882A JPS6347345B2 JP S6347345 B2 JPS6347345 B2 JP S6347345B2 JP 57160198 A JP57160198 A JP 57160198A JP 16019882 A JP16019882 A JP 16019882A JP S6347345 B2 JPS6347345 B2 JP S6347345B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- metal strip
- composite metal
- aluminum
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/04—Manufacture or treatment of leadframes
- H10W70/042—Etching
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアルミニウムを蒸着あるいはクラツド
した複合金属条からなる半導体用リードフレーム
の製造方法に関する。
した複合金属条からなる半導体用リードフレーム
の製造方法に関する。
従来、トランジスタ集積回路（IC）などの半
導体装置の製造に用いられるリードフレームに
は、ベース金属条の一部に異種金属をクラツドあ
るいは蒸着した複合金属条が用いられる。異種金
属としては、主に金、銀、銅、アルミ等の金属が
用いられるが、これらは貴金属高騰の折から金、
銀から銅、アルミ等へと安いものに変わる傾向に
あり、その被覆部位も半導体の機能部位に限られ
る傾向ある。
導体装置の製造に用いられるリードフレームに
は、ベース金属条の一部に異種金属をクラツドあ
るいは蒸着した複合金属条が用いられる。異種金
属としては、主に金、銀、銅、アルミ等の金属が
用いられるが、これらは貴金属高騰の折から金、
銀から銅、アルミ等へと安いものに変わる傾向に
あり、その被覆部位も半導体の機能部位に限られ
る傾向ある。
その結果として、この種複合金属条としては、
ベース金属条に異種金属をストライプあるいはス
ポツト状に被覆したものが多く用いられ、しかも
この場合被覆された異種金属の寸法精度について
は、厚さを含めてきわめてシビアな値が要求され
る状況にある。
ベース金属条に異種金属をストライプあるいはス
ポツト状に被覆したものが多く用いられ、しかも
この場合被覆された異種金属の寸法精度について
は、厚さを含めてきわめてシビアな値が要求され
る状況にある。
しかるに、ベース金属条に異種金属を高精度に
スポツト状に被覆することは、メツキの場合はと
もかく、クラツドあるいは蒸着等の場合は困難で
あり、したがつてクラツドあるいは蒸着等の場合
はベース金属条に異種金属を全面被覆した後、し
かもこれをプレスにより所定のパターン形状に打
抜き後、印刷、エツチング法により、異種金属の
不要部を除去することが行なわれる。
スポツト状に被覆することは、メツキの場合はと
もかく、クラツドあるいは蒸着等の場合は困難で
あり、したがつてクラツドあるいは蒸着等の場合
はベース金属条に異種金属を全面被覆した後、し
かもこれをプレスにより所定のパターン形状に打
抜き後、印刷、エツチング法により、異種金属の
不要部を除去することが行なわれる。
印刷、エツチング法では、印刷及びエツチング
工程と共に印刷塗料の塗布、焼付けさらには剥離
工程が必要であり、工程が複雑となると共に、印
刷に使用される塗料にもよるがマスクが不完全で
あり、しかも印刷境界が不鮮明であることから、
異種金属の被覆の寸法精度をシビアにコントロー
ルすることは一般に困難である。
工程と共に印刷塗料の塗布、焼付けさらには剥離
工程が必要であり、工程が複雑となると共に、印
刷に使用される塗料にもよるがマスクが不完全で
あり、しかも印刷境界が不鮮明であることから、
異種金属の被覆の寸法精度をシビアにコントロー
ルすることは一般に困難である。
このことから、出願人は先に特願昭57−99763
号公報に見られるように、アルミニウムを蒸着あ
るいはクラツドした複合金属条から、同公報第４
図のような機械的マスクを用いたエツチング法に
より不要なアルミニウム部を除去してリードフレ
ームを製造する方法を提案した。このような機械
的マスクを用いたエツチング法は、印刷工程を省
略できる有利な方法であるが、この場合すなわち
プレスによる打抜き後のエツチングでは、必要な
アルミニウム部に当接されるマスクによつては、
エツチングに際しエツチング液が必要なアルミニ
ウム部の先の打抜きにより形成された側面（切断
面）及びエツチングにより形成された側面を侵食
し、エツチング後における必要なアルミニウム部
の形状及び寸法精度を悪くするという問題があ
る。
号公報に見られるように、アルミニウムを蒸着あ
るいはクラツドした複合金属条から、同公報第４
図のような機械的マスクを用いたエツチング法に
より不要なアルミニウム部を除去してリードフレ
ームを製造する方法を提案した。このような機械
的マスクを用いたエツチング法は、印刷工程を省
略できる有利な方法であるが、この場合すなわち
プレスによる打抜き後のエツチングでは、必要な
アルミニウム部に当接されるマスクによつては、
エツチングに際しエツチング液が必要なアルミニ
ウム部の先の打抜きにより形成された側面（切断
面）及びエツチングにより形成された側面を侵食
し、エツチング後における必要なアルミニウム部
の形状及び寸法精度を悪くするという問題があ
る。
本発明の目的は、上記問題を解消し、複合金属
条の打ち抜き後のエツチングにおいて、必要なア
ルミニウム部の側面を侵食させることなく、その
形状及び寸法精度において優れたリードフレーム
を得ることができる、機械的マスクを用いたエツ
チング法による半導体用リードフレームの製造方
法を提供することにある。
条の打ち抜き後のエツチングにおいて、必要なア
ルミニウム部の側面を侵食させることなく、その
形状及び寸法精度において優れたリードフレーム
を得ることができる、機械的マスクを用いたエツ
チング法による半導体用リードフレームの製造方
法を提供することにある。
すなわち、本発明の要旨は、Fe−Ni合金をベ
ース金属条とし、その一部もしくは全面にアルミ
ニウムを蒸着あるいはクラツドした複合金属条を
用意し、その複合金属条から不要のアルミニウム
部をエツチング液の浸蝕作用によるエツチングに
より除去する、半導体用リードフレームの製造方
法において、前記複合金属条をプレスにより所定
のパターン形状に打ち抜き後前記エツチングを行
うに際し、その複合金属条における必要なアルミ
ニウム部に耐薬品性の軟質弾性体からなる機械的
マスクを所定の押圧力をもつて当接し、それによ
りエツチング進行時にはそのマスク先端部がその
当接下にある前記必要なアルミニウム部の前記打
ち抜きにより形成された側面及びエツチング液に
よる浸蝕作用により形成された側面を食い込むよ
うにすることを特徴とする半導体用リードフレー
ムの製造方法にある。
ース金属条とし、その一部もしくは全面にアルミ
ニウムを蒸着あるいはクラツドした複合金属条を
用意し、その複合金属条から不要のアルミニウム
部をエツチング液の浸蝕作用によるエツチングに
より除去する、半導体用リードフレームの製造方
法において、前記複合金属条をプレスにより所定
のパターン形状に打ち抜き後前記エツチングを行
うに際し、その複合金属条における必要なアルミ
ニウム部に耐薬品性の軟質弾性体からなる機械的
マスクを所定の押圧力をもつて当接し、それによ
りエツチング進行時にはそのマスク先端部がその
当接下にある前記必要なアルミニウム部の前記打
ち抜きにより形成された側面及びエツチング液に
よる浸蝕作用により形成された側面を食い込むよ
うにすることを特徴とする半導体用リードフレー
ムの製造方法にある。
本発明において、耐薬品性の軟質弾性体として
は、例えばシリコーンゴム、テフロン、ポリエチ
レン、軟質塩化ビニル等が使用される。これらは
一種もしくは数種組み合わせて使用することがで
きる。
は、例えばシリコーンゴム、テフロン、ポリエチ
レン、軟質塩化ビニル等が使用される。これらは
一種もしくは数種組み合わせて使用することがで
きる。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがつて
さらに説明する。
さらに説明する。
第１図は、厚さ0.2517、幅3017のFe−42％Niに
合金からなるベース金属条１の片側全面にアルミ
をクラツドすることにより厚さ0.0117の被覆金属
層２を設けてなる複合金属条３の一部を示すもの
である。第２図は、前記複合金属条３をプレスに
より所定のパターン形状５に打抜いた後状況を示
す。すなわち、点線枠６内はリードフレームの半
導体装置としての機能部である。
合金からなるベース金属条１の片側全面にアルミ
をクラツドすることにより厚さ0.0117の被覆金属
層２を設けてなる複合金属条３の一部を示すもの
である。第２図は、前記複合金属条３をプレスに
より所定のパターン形状５に打抜いた後状況を示
す。すなわち、点線枠６内はリードフレームの半
導体装置としての機能部である。
４は以後の工程において複合金属条３の位置決
めを行なうために設けられたピン孔である。
めを行なうために設けられたピン孔である。
つぎに第３図は連続の機械的マスクエツチング
装置７を示し、この中にかかる複合金属条３を７
本並列配置して間欠移動により通過させ、夫々複
合金属条３の被覆金属層２における不要なアルミ
ニウム部に対するエツチングを行なう。この場合
複合金属条３の移動間隔及びエツチング位置の設
定はピン孔４にもとづいて行われる。ステージ８
上に設置された７本の複合金属条３は、ピン孔４
にピン９を設置しさらに端面ガイド１０をもつて
位置決めされる。なお、１１は機械的マスク、１
２は内部にエツチング液を満たした中空の圧力
室、１３は噴射口、１４はエツチング液導入口、
１５はエアーシリンダである。
装置７を示し、この中にかかる複合金属条３を７
本並列配置して間欠移動により通過させ、夫々複
合金属条３の被覆金属層２における不要なアルミ
ニウム部に対するエツチングを行なう。この場合
複合金属条３の移動間隔及びエツチング位置の設
定はピン孔４にもとづいて行われる。ステージ８
上に設置された７本の複合金属条３は、ピン孔４
にピン９を設置しさらに端面ガイド１０をもつて
位置決めされる。なお、１１は機械的マスク、１
２は内部にエツチング液を満たした中空の圧力
室、１３は噴射口、１４はエツチング液導入口、
１５はエアーシリンダである。
この機械的マスキング装置によるエツチング状
況の概略を第４図により説明すると、エツチング
液導入口１４から送られたエツチング液１６は中
空の圧力室１７を満たし、噴射口１３を通つて被
覆金属層の不要なアルミニウム部１８に衝突し、
不要なアルミニウム部１８をエツチングにより除
去する。ここで、マスク１１は、シリコーンゴム
１１′及びテフロン１１″を組み合わせた耐薬品性
の軟質弾性体からなる。このようなマスク１１を
被覆金属層の必要なアルミニウム層に所定の押圧
力をもつて当接する。その結果、エツチング進行
時には、第５図のようにマスク先端部がその当接
下にある必要なアルミニウム部の側面１９に食い
込むことになる。
況の概略を第４図により説明すると、エツチング
液導入口１４から送られたエツチング液１６は中
空の圧力室１７を満たし、噴射口１３を通つて被
覆金属層の不要なアルミニウム部１８に衝突し、
不要なアルミニウム部１８をエツチングにより除
去する。ここで、マスク１１は、シリコーンゴム
１１′及びテフロン１１″を組み合わせた耐薬品性
の軟質弾性体からなる。このようなマスク１１を
被覆金属層の必要なアルミニウム層に所定の押圧
力をもつて当接する。その結果、エツチング進行
時には、第５図のようにマスク先端部がその当接
下にある必要なアルミニウム部の側面１９に食い
込むことになる。
このようにすることによつて、前記側面１９の
エツチング液１６による侵食は防止され、この結
果第６図にみられるように、機能部６に相当する
必要な被覆金属層を寸法精度よろしく十分に残存
させ、高品質の部分被覆複合金属条からなるリー
ドフレーム２０を得ることができた。
エツチング液１６による侵食は防止され、この結
果第６図にみられるように、機能部６に相当する
必要な被覆金属層を寸法精度よろしく十分に残存
させ、高品質の部分被覆複合金属条からなるリー
ドフレーム２０を得ることができた。
因みに、従来の機械的マスクエツチング法で
は、マスク体が剛体でできていることから、第７
図のように被覆金属層の必要なアルミニウム部の
側面がエツチング液により侵食され、所望の形状
及び寸法精度を確保することができない。
は、マスク体が剛体でできていることから、第７
図のように被覆金属層の必要なアルミニウム部の
側面がエツチング液により侵食され、所望の形状
及び寸法精度を確保することができない。
以上説明したように、本発明によれば、機械的
マスクを用いたエツチング法による半導体用リー
ドフレームの製造方法において、マスクとして耐
薬品性の軟質弾性体からなるものを用い、これを
巧みに押圧してエツチングを行うことにより、エ
ツチングに際して被覆金属層の必要なアルミニウ
ム部をエツチング液による側面侵食から防止する
ことができ、その結果として、上記アルミニウム
部の形状及び寸法精度を著しく向上させることが
でき、製品として非常に優れた半導体用リードフ
レームを得ることができるという効果がある。
マスクを用いたエツチング法による半導体用リー
ドフレームの製造方法において、マスクとして耐
薬品性の軟質弾性体からなるものを用い、これを
巧みに押圧してエツチングを行うことにより、エ
ツチングに際して被覆金属層の必要なアルミニウ
ム部をエツチング液による側面侵食から防止する
ことができ、その結果として、上記アルミニウム
部の形状及び寸法精度を著しく向上させることが
でき、製品として非常に優れた半導体用リードフ
レームを得ることができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例に係る複合金属条の
一部斜視図、第２図は同プレスによりパターン形
状に打抜かれた複合金属条の一部正面図、第３図
は同連続機械的マスクエツチング装置の正面図、
第４図は同連続機械的マスクエツチング装置によ
るエツチング状況を示す概略図、第５図は同前記
第４図の要部拡大断面図、第６図は同エツチング
後の製品の断面図、第７図は従来例にかかるエツ
チング後の製品の断面図、である。 １：ベース金属条、２：被覆金属層、３：複合
金属条、５：パターン形状、６：機能部、７：機
械的マスクエツチング装置、１１：機械的マス
ク、１３：噴射口、１６：エツチング液。
一部斜視図、第２図は同プレスによりパターン形
状に打抜かれた複合金属条の一部正面図、第３図
は同連続機械的マスクエツチング装置の正面図、
第４図は同連続機械的マスクエツチング装置によ
るエツチング状況を示す概略図、第５図は同前記
第４図の要部拡大断面図、第６図は同エツチング
後の製品の断面図、第７図は従来例にかかるエツ
チング後の製品の断面図、である。 １：ベース金属条、２：被覆金属層、３：複合
金属条、５：パターン形状、６：機能部、７：機
械的マスクエツチング装置、１１：機械的マス
ク、１３：噴射口、１６：エツチング液。
Claims (1)
- １ Fe−Ni合金をベース金属条とし、その一部
もしくは全面にアルミニウムを蒸着あるいはクラ
ツドした複合金属条を用意し、その複合金属条か
ら不要のアルミニウム部をエツチング液の浸蝕作
用によるエツチングにより除去する、半導体用リ
ードフレームの製造方法において、前記複合金属
条をプレスにより所定のパターン形状に打ち抜き
後前記エツチングを行うに際し、その複合金属条
における必要なアルミニウム部に耐薬品性の軟質
弾性体からなる機械的マスクを所定の押圧力をも
つて当接し、それによりエツチング進行時にはそ
のマスク先端部がその当接下にある前記必要なア
ルミニウム部の前記打ち抜きにより形成された側
面及びエツチング液による浸蝕作用により形成さ
れた側面を食い込むようにすることを特徴とする
半導体用リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57160198A JPS5948945A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57160198A JPS5948945A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5948945A JPS5948945A (ja) | 1984-03-21 |
| JPS6347345B2 true JPS6347345B2 (ja) | 1988-09-21 |
Family
ID=15709922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57160198A Granted JPS5948945A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 半導体用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5948945A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2867606B1 (fr) | 2004-03-10 | 2006-06-02 | Soitec Silicon On Insulator | Procede et dispositif de traitement de la couche utile d'une structure multicouche |
-
1982
- 1982-09-14 JP JP57160198A patent/JPS5948945A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5948945A (ja) | 1984-03-21 |
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