JPS63474A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPS63474A JPS63474A JP61143250A JP14325086A JPS63474A JP S63474 A JPS63474 A JP S63474A JP 61143250 A JP61143250 A JP 61143250A JP 14325086 A JP14325086 A JP 14325086A JP S63474 A JPS63474 A JP S63474A
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- refractive index
- substrate
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、形成する薄膜の組成制御を可能にする薄膜形
成方法に関するものである。
成方法に関するものである。
従来の技術
近年、真空蒸着法やスパッタリング法は薄膜形成の主た
る方法として位置付けられ、半導体、光メモリディスク
、薄膜磁気ヘッド等の薄膜形成に欠くべからざる技術と
なっている。
る方法として位置付けられ、半導体、光メモリディスク
、薄膜磁気ヘッド等の薄膜形成に欠くべからざる技術と
なっている。
ここで薄膜形成の一例を光メモリディスクの代表的な記
録膜であるＴｏ○工（０＜Ｘ＜２ ）について説明する
。第４図はＴｅＯエ 薄膜を基板４０８に反応性スパッ
タリング法で形成する際の構成図を示している。同図に
おいて４０１はスノ＜、ツタガンであり、スパッタター
ゲット４０２と支持金属板４０３とマグネット４０４に
よって主に構成される。スパッタターゲット４０２をＴ
ｅとし、減圧状態にあるチャンバ４０５内に不活性ガス
であるＡｒ と反応性ガスである０２の分圧比率を例え
ば３／２ としてガス導入管４０６，４０７から流入さ
せて回転する基板４０８に薄膜ＴｅＯｘを形成する。こ
の際のスパッタ速度は水晶振動子板４１１を収納した水
晶振動子モニタヘッド４１０からの信号に基づいて制御
をかける水晶振動子法にて行う。記録膜であるＴｅ○工
はその組成により、ディスク特性が大きく変化する。そ
のため、形成される薄膜の組成をチェックし、所望の組
成に導くことが重要である。
録膜であるＴｏ○工（０＜Ｘ＜２ ）について説明する
。第４図はＴｅＯエ 薄膜を基板４０８に反応性スパッ
タリング法で形成する際の構成図を示している。同図に
おいて４０１はスノ＜、ツタガンであり、スパッタター
ゲット４０２と支持金属板４０３とマグネット４０４に
よって主に構成される。スパッタターゲット４０２をＴ
ｅとし、減圧状態にあるチャンバ４０５内に不活性ガス
であるＡｒ と反応性ガスである０２の分圧比率を例え
ば３／２ としてガス導入管４０６，４０７から流入さ
せて回転する基板４０８に薄膜ＴｅＯｘを形成する。こ
の際のスパッタ速度は水晶振動子板４１１を収納した水
晶振動子モニタヘッド４１０からの信号に基づいて制御
をかける水晶振動子法にて行う。記録膜であるＴｅ○工
はその組成により、ディスク特性が大きく変化する。そ
のため、形成される薄膜の組成をチェックし、所望の組
成に導くことが重要である。
発明が解決しようとする問題点
ところが組成を定量化するためには、オージェ電子分光
法などの分析法を採る必要があるが、結果がでるまでに
は多大の時間を要する問題点がある。また、ディスクを
完成させて、そのディスク特性を測定することにより、
組成が所望のものであるかどうかを判定する方法もある
が、ディスクを完成させ、特性を測定するまでには、や
はり多くの時間を要する。また、ディスク特性だけでは
、組成がどちらにずれているかを判定することが困難な
場合が多い。
法などの分析法を採る必要があるが、結果がでるまでに
は多大の時間を要する問題点がある。また、ディスクを
完成させて、そのディスク特性を測定することにより、
組成が所望のものであるかどうかを判定する方法もある
が、ディスクを完成させ、特性を測定するまでには、や
はり多くの時間を要する。また、ディスク特性だけでは
、組成がどちらにずれているかを判定することが困難な
場合が多い。
本発明は上記問題点を解消するものであり、形成する薄
膜の組成制御を短時間で可能にし、所望の薄膜組成を実
現する薄膜形成方法を提供することを目的とするもので
ある。
膜の組成制御を短時間で可能にし、所望の薄膜組成を実
現する薄膜形成方法を提供することを目的とするもので
ある。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、基板に薄膜を形成するに際して、基板に形成
される薄膜の膜厚と、薄膜と基板を総合した反射率をイ
ンプロセスでａ’ｌｔｌ定し、これによって得られる膜
厚の関数としての反射率に基づき、薄膜の屈折率ｎと消
衰係数ｋを算出したる後、この算出値ｎ、にのうち少な
くとも一つを予め設定した屈折率ｎ 消衰係数ｋ。に近
づけるように薄○ツ 膜形成条件を制御するものである。
される薄膜の膜厚と、薄膜と基板を総合した反射率をイ
ンプロセスでａ’ｌｔｌ定し、これによって得られる膜
厚の関数としての反射率に基づき、薄膜の屈折率ｎと消
衰係数ｋを算出したる後、この算出値ｎ、にのうち少な
くとも一つを予め設定した屈折率ｎ 消衰係数ｋ。に近
づけるように薄○ツ 膜形成条件を制御するものである。
作 用
薄膜において、その組成が異なれば、薄膜の光学定数す
なわち屈折率ｎ、消衰係数にも異なる。
なわち屈折率ｎ、消衰係数にも異なる。
すなわち、ｎ、には薄膜の組成を示す指針となるもので
ある。本発明では基板への薄膜形成のインプロセスにお
いて、測定した反射率と薄膜の膜厚の関係より、薄膜の
ｎ、ｋを算出し、組成制御を実施するものである。第２
図は薄膜形成のインプロセスにおいて、反射率を構成す
る因子を模式的に示したものである。基板２０８側から
光を照射した時の反射率Ｒは式（１）に示すように基板
表面における反射率Ｒ０と記録膜表裏の多重干渉によっ
て得られる反射率Ｒ１の和で示される。Ｒｏは薄膜形成
の雰囲気の屈折率ｎ′（真空中の場合、ｎ’＝１）と基
板２０Ｂの屈折率ｎｓ とで簡単に決定される。
ある。本発明では基板への薄膜形成のインプロセスにお
いて、測定した反射率と薄膜の膜厚の関係より、薄膜の
ｎ、ｋを算出し、組成制御を実施するものである。第２
図は薄膜形成のインプロセスにおいて、反射率を構成す
る因子を模式的に示したものである。基板２０８側から
光を照射した時の反射率Ｒは式（１）に示すように基板
表面における反射率Ｒ０と記録膜表裏の多重干渉によっ
て得られる反射率Ｒ１の和で示される。Ｒｏは薄膜形成
の雰囲気の屈折率ｎ′（真空中の場合、ｎ’＝１）と基
板２０Ｂの屈折率ｎｓ とで簡単に決定される。
これに対し、Ｒ１は薄膜のｎ、ｋ、基板の屈折率ｎ５．
雰囲気の屈折率ｎ′、光の波長λ、薄膜の膜厚ｄの関数
である。
雰囲気の屈折率ｎ′、光の波長λ、薄膜の膜厚ｄの関数
である。
Ｒ＝Ｒ＋Ｒ
＝ Ｒｏ（ｎ’、 ｎ１ｌ） ＋Ｒ１（ｎ 、 ｋ 、
ｎ、 、ｎ’、λ、ｄ）・・・・・・・・・・・・・・
・（１）このうち、ｎｓ、ｎ’、λは予め決定される値
のため、反射率Ｒは結局式（２）に示すように薄膜の屈
折率ｎ。
ｎ、 、ｎ’、λ、ｄ）・・・・・・・・・・・・・・
・（１）このうち、ｎｓ、ｎ’、λは予め決定される値
のため、反射率Ｒは結局式（２）に示すように薄膜の屈
折率ｎ。
消衰係数に、膜厚ｄの関数となる。
Ｒ＝Ｒ（ｎ、に、ｄ）・・・・・・・・・・・・町・・
（２）そこで、反射率Ｒと薄膜の膜厚ｄを薄膜形成のイ
ンプロセスにおいて測定し、反射率Ｒを膜厚ｄの関数と
することにより、形成されている薄膜の屈折率ｎと消衰
係数ｋを導くことができる。そして導いたｎ、ｋを基準
となる薄膜の屈折率ｎ。と消衰係数に０に近づけるよう
に薄膜形成条件を制御することによって、所望の薄膜組
成を実現し、維持することが可能となる。
（２）そこで、反射率Ｒと薄膜の膜厚ｄを薄膜形成のイ
ンプロセスにおいて測定し、反射率Ｒを膜厚ｄの関数と
することにより、形成されている薄膜の屈折率ｎと消衰
係数ｋを導くことができる。そして導いたｎ、ｋを基準
となる薄膜の屈折率ｎ。と消衰係数に０に近づけるよう
に薄膜形成条件を制御することによって、所望の薄膜組
成を実現し、維持することが可能となる。
実施例
以下に本発明の実施例をＴｅＯｘ薄膜の作製を一例とし
て説明する。
て説明する。
（実施例１）
第１図は本発明に基づき、Ｔｅｏｚ薄膜を反応性スパッ
タリング法で作製する際の構成図である。
タリング法で作製する際の構成図である。
同図において１０１はスパッタガンであり、このスパッ
タガンはＴｅより成るスパッタターゲット１０２、スパ
ッタターゲット１０２をロウ付けした支持金属板１０３
、支持金属板１０３の下に収納され、回転するマグネッ
）１０４より主に構成される。減圧状態にあるチャンバ
１０５内にガス導入管１０６，１０７から０２およびＡ
ｒを導入する。Ｔｅ より成るスパッタターゲット１０
２からスパッタされたＴｏ厚子あるいは分子はチャンバ
１０５内のｏ２と結びつき、回転する基板１０ＢにＴｅ
Ｏｘ（ｏ（ｘ （２）薄膜を形成する。なお、スパッタ
ガン１０１と基板１０８との間にシャッタ１０９を介し
、その開閉によって基板１０８への薄膜の堆積開始、終
了を規制する。スパッタ速度は水晶振動子法によって行
う。すなわち水晶振動子モニタヘッド１１ｏに納められ
た水晶振励子板１１１に薄膜を堆積させ、その固有振動
数の変化の信号を水晶振動子スパッタ速度制御器１１２
に送り、水晶振動子スパッタ速度制御器１１２をで設定
したスパッタ速度Ｖｃと実際のスパッタ速度Ｖが一致す
るようにスパッタパワー電源１１３をフィードバック制
御するとともに、スパッタ速度Ｖを時ｔａ’ｌｔで積分
して膜厚信号ｄも出力できるようにしておく。基板１０
８の上方ては発光部１１５と受光部１１６を備えだ反射
率測定器１１４を設置し、薄膜の形成に伴ない、刻々と
変動する反射率Ｒを測定できるようにする。そして、シ
ャッタ１０９が開き、基板への薄膜の形成が開始された
時点からの膜厚を水晶振動子スパッタ速度制御器１１２
から得るとともに、基板と薄膜を総合した反射率を反射
率測定器１１４から得て膜厚の関数としての反射率信号
を作成する。この膜厚の関数としての反射率信号をｎ、
に演算回路１１７に入力し、薄膜の屈折率ｎと消衰係数
ｋを演出する。
タガンはＴｅより成るスパッタターゲット１０２、スパ
ッタターゲット１０２をロウ付けした支持金属板１０３
、支持金属板１０３の下に収納され、回転するマグネッ
）１０４より主に構成される。減圧状態にあるチャンバ
１０５内にガス導入管１０６，１０７から０２およびＡ
ｒを導入する。Ｔｅ より成るスパッタターゲット１０
２からスパッタされたＴｏ厚子あるいは分子はチャンバ
１０５内のｏ２と結びつき、回転する基板１０ＢにＴｅ
Ｏｘ（ｏ（ｘ （２）薄膜を形成する。なお、スパッタ
ガン１０１と基板１０８との間にシャッタ１０９を介し
、その開閉によって基板１０８への薄膜の堆積開始、終
了を規制する。スパッタ速度は水晶振動子法によって行
う。すなわち水晶振動子モニタヘッド１１ｏに納められ
た水晶振励子板１１１に薄膜を堆積させ、その固有振動
数の変化の信号を水晶振動子スパッタ速度制御器１１２
に送り、水晶振動子スパッタ速度制御器１１２をで設定
したスパッタ速度Ｖｃと実際のスパッタ速度Ｖが一致す
るようにスパッタパワー電源１１３をフィードバック制
御するとともに、スパッタ速度Ｖを時ｔａ’ｌｔで積分
して膜厚信号ｄも出力できるようにしておく。基板１０
８の上方ては発光部１１５と受光部１１６を備えだ反射
率測定器１１４を設置し、薄膜の形成に伴ない、刻々と
変動する反射率Ｒを測定できるようにする。そして、シ
ャッタ１０９が開き、基板への薄膜の形成が開始された
時点からの膜厚を水晶振動子スパッタ速度制御器１１２
から得るとともに、基板と薄膜を総合した反射率を反射
率測定器１１４から得て膜厚の関数としての反射率信号
を作成する。この膜厚の関数としての反射率信号をｎ、
に演算回路１１７に入力し、薄膜の屈折率ｎと消衰係数
ｋを演出する。
表１ＫＴｅＯｘ薄膜のＸ値と屈折率ｎ、消衰係数にの関
係を示す。Ｘ値が大きくな９ 、Ｔｅａ２ｒｉｃｈにな
るに従い、屈折率ｎは小さくなり、また消衰係数にも小
さくなる関係を持っている。そこで、基準の組成の薄膜
において得られ、予め設定した屈折率ｎ０と、ｎ、に演
算回路１１７で演出された屈折率ｎとの比較対照を比較
器を比較器１１８で実施する。もし、算出した屈折率ｎ
が予め設定した屈折率ｎ。よりも大きな場合、表１の関
係より、形成されている薄膜は基準となる薄膜よりもＴ
ｅＯｘのＸ値が小さく 、 Ｔｏ ｒｉｃｈ となっ
ていることが判明する。そこでＡｒと０２の分圧比率に
おいて０２の比率が、よく大きくなるように分圧コント
ローラ１１９で流量制御弁１２０とＡ ｒ ａ 量制御
弁１２１をフィードバック制御し、薄膜組成をＴ ｅＯ
２ｒｉ（ｈ側ヘシフトさせ、薄膜の屈折率ｎを基準とな
る屈折率ｎ０に近づけるようにする。逆て、算出した屈
折率ｎが予め設定した屈折率ｎ０よシも小さな場合、’
ｒｅｏｘのＸ値が基準よシも大きく、Ｔｅ○２ｒｉｃｈ
Ｋなっていることより、０２の分圧比率を小さくするよ
うにフィードバノり制御を行い、薄膜組成をＴｅｒｉｃ
ｈ側ヘシフトさせるようにする。
係を示す。Ｘ値が大きくな９ 、Ｔｅａ２ｒｉｃｈにな
るに従い、屈折率ｎは小さくなり、また消衰係数にも小
さくなる関係を持っている。そこで、基準の組成の薄膜
において得られ、予め設定した屈折率ｎ０と、ｎ、に演
算回路１１７で演出された屈折率ｎとの比較対照を比較
器を比較器１１８で実施する。もし、算出した屈折率ｎ
が予め設定した屈折率ｎ。よりも大きな場合、表１の関
係より、形成されている薄膜は基準となる薄膜よりもＴ
ｅＯｘのＸ値が小さく 、 Ｔｏ ｒｉｃｈ となっ
ていることが判明する。そこでＡｒと０２の分圧比率に
おいて０２の比率が、よく大きくなるように分圧コント
ローラ１１９で流量制御弁１２０とＡ ｒ ａ 量制御
弁１２１をフィードバック制御し、薄膜組成をＴ ｅＯ
２ｒｉ（ｈ側ヘシフトさせ、薄膜の屈折率ｎを基準とな
る屈折率ｎ０に近づけるようにする。逆て、算出した屈
折率ｎが予め設定した屈折率ｎ０よシも小さな場合、’
ｒｅｏｘのＸ値が基準よシも大きく、Ｔｅ○２ｒｉｃｈ
Ｋなっていることより、０２の分圧比率を小さくするよ
うにフィードバノり制御を行い、薄膜組成をＴｅｒｉｃ
ｈ側ヘシフトさせるようにする。
ここで屈折率ｎに基づく薄膜組成の制御を説明したが、
薄膜の消衰係数ｋによっても同様にして薄膜組成を制御
することも可能である。すなわち、ｎ、に演算回路１１
７で算出された消衰係数ｋが予め設定した消衰係数ｋ。
薄膜の消衰係数ｋによっても同様にして薄膜組成を制御
することも可能である。すなわち、ｎ、に演算回路１１
７で算出された消衰係数ｋが予め設定した消衰係数ｋ。
よυも大きな場合、表１の関係より、形成されつつある
薄膜は基準となる薄膜よりもＴｏ○のＸ値が小さく 、
Ｔｅ ｒｉｃｈとなっていることが判明する。そこでＡ
ｒと０２の分圧比率において０２の比率がより大きくな
るように分圧コントローラ１１９で０２流量制御弁１２
０とＡｒ流量制御弁１２１をフィードバック制御し、薄
膜組成をＴｅａ２ｒｉｃｈ側ヘシフトさせる。逆に、算
出した消衰係数ｋが予め設定した消衰係数ｋ。よりも小
さな場合、ＴｅＯ工のＸ値が基準よりも大きく、Ｔｅａ
２ｒｉｃｈになっていることより、０２の分圧比率を小
さくするようにフィードバック制御を行い、薄膜組成を
Ｔｅ ｒｉｃｈ 側ヘシフトさせる。以上による本制
御により、薄膜形成ツインプロセスにおいて、形成され
る薄膜の組成を基準となる組成に近づくようにフィード
バック制御がかけられ、所望の薄膜組成を得ることが可
能となる。なお、本制御において、チャンバ１０５内の
全圧は常に同じになるようにチャンバ１０６と排気系１
２２を結ぶメインバルブ１２３を制御することが望まし
い。
薄膜は基準となる薄膜よりもＴｏ○のＸ値が小さく 、
Ｔｅ ｒｉｃｈとなっていることが判明する。そこでＡ
ｒと０２の分圧比率において０２の比率がより大きくな
るように分圧コントローラ１１９で０２流量制御弁１２
０とＡｒ流量制御弁１２１をフィードバック制御し、薄
膜組成をＴｅａ２ｒｉｃｈ側ヘシフトさせる。逆に、算
出した消衰係数ｋが予め設定した消衰係数ｋ。よりも小
さな場合、ＴｅＯ工のＸ値が基準よりも大きく、Ｔｅａ
２ｒｉｃｈになっていることより、０２の分圧比率を小
さくするようにフィードバック制御を行い、薄膜組成を
Ｔｅ ｒｉｃｈ 側ヘシフトさせる。以上による本制
御により、薄膜形成ツインプロセスにおいて、形成され
る薄膜の組成を基準となる組成に近づくようにフィード
バック制御がかけられ、所望の薄膜組成を得ることが可
能となる。なお、本制御において、チャンバ１０５内の
全圧は常に同じになるようにチャンバ１０６と排気系１
２２を結ぶメインバルブ１２３を制御することが望まし
い。
（実施例２）
第５図は本発明に基づき、ＴｅＯ工薄膜薄膜空蒸着法で
作製する際の構成図である。同図において３２４は、被
蒸発物３２５であるＴｅを収納した蒸発源であり、例え
ば被蒸発物３２５に電子ビームを当てることによって加
熱し、Ｔｏを蒸発させる。減圧状態にあるチャンバ３０
５内にはガス導入管３０６から０２を導入する。蒸発し
たＴｅはチャンバ３０５内の０２と結びつき、回転する
基板３０８にＴｅ０ｘ（０〈ｘく２）薄膜を形成する。
作製する際の構成図である。同図において３２４は、被
蒸発物３２５であるＴｅを収納した蒸発源であり、例え
ば被蒸発物３２５に電子ビームを当てることによって加
熱し、Ｔｏを蒸発させる。減圧状態にあるチャンバ３０
５内にはガス導入管３０６から０２を導入する。蒸発し
たＴｅはチャンバ３０５内の０２と結びつき、回転する
基板３０８にＴｅ０ｘ（０〈ｘく２）薄膜を形成する。
蒸着速度は実施例１と同様に水晶振動子法によって行い
、水晶振動子蒸着速度制御器３１２より、基板３０８へ
の薄膜の膜厚言置を得る。また反射率測定器３１４より
刻々と変動する反射率を測定し、実施例１と同様に反射
率信号を得る。そして膜厚の関数としての反射率信号を
ｎ、に演算回路３１７に入力し、薄膜の屈折率ｎと消衰
係数ｋを算出し、予め設定した基準となる薄膜の屈折率
ｎ。
、水晶振動子蒸着速度制御器３１２より、基板３０８へ
の薄膜の膜厚言置を得る。また反射率測定器３１４より
刻々と変動する反射率を測定し、実施例１と同様に反射
率信号を得る。そして膜厚の関数としての反射率信号を
ｎ、に演算回路３１７に入力し、薄膜の屈折率ｎと消衰
係数ｋを算出し、予め設定した基準となる薄膜の屈折率
ｎ。
あるいは消衰係数に０との比較対照を比較器３１８で開
始する。もし、算出したｎが予め設定したｎ。
始する。もし、算出したｎが予め設定したｎ。
よりも大きいか、あるいは算出したｋが予め設定したｋ
。よりも大きい場合、チャンバ内の０２ガス圧を大きく
するようにガス圧コントローラ３１９で０２流量制御弁
３２０をフィードバック制御し、薄膜の組成をＴｅ○２
ｒｉＣｈ側にシフトさせ、基準の組成に近づける。逆に
ｎがｎｏよりも小さいか、あるいはｋがｋ。よりも小さ
い場合、０２ガス圧を小さくするように？２流量制御弁
３２０を制御し、Ｔｅ ｒｉｃｈ 側へ組成をシフト
させ、基準となる組成に近づける。
。よりも大きい場合、チャンバ内の０２ガス圧を大きく
するようにガス圧コントローラ３１９で０２流量制御弁
３２０をフィードバック制御し、薄膜の組成をＴｅ○２
ｒｉＣｈ側にシフトさせ、基準の組成に近づける。逆に
ｎがｎｏよりも小さいか、あるいはｋがｋ。よりも小さ
い場合、０２ガス圧を小さくするように？２流量制御弁
３２０を制御し、Ｔｅ ｒｉｃｈ 側へ組成をシフト
させ、基準となる組成に近づける。
なお実施例では、Ｔ ｅ Ｏｘ薄膜について説明したが
、Ｔ ｅ Ｏｘにある特定元素を含有した薄膜を作製す
る場合についてもＴｅて特定元素を含有さぞだスパッタ
ターゲットあるいは蒸発源を用いることによって、本発
明の適用は可能である。また、スパッタターゲットある
いは蒸発源を、作製しようとするＴｅＯ工のＸ値よりも
低いＴｅＯｘで構成しても同様にして、組成制御するこ
とが可能である。
、Ｔ ｅ Ｏｘにある特定元素を含有した薄膜を作製す
る場合についてもＴｅて特定元素を含有さぞだスパッタ
ターゲットあるいは蒸発源を用いることによって、本発
明の適用は可能である。また、スパッタターゲットある
いは蒸発源を、作製しようとするＴｅＯ工のＸ値よりも
低いＴｅＯｘで構成しても同様にして、組成制御するこ
とが可能である。
また本発明に適用できる形成薄膜材料はＴｏに限るもの
でも、またガスも０２に限るものでもなく、本発明は他
の材料２元素を用いた反応性スパッタリング法２反応性
蒸着法、あるいはイオンブレーティング法等においても
その形成薄膜の組成制御に有効に適用できる。
でも、またガスも０２に限るものでもなく、本発明は他
の材料２元素を用いた反応性スパッタリング法２反応性
蒸着法、あるいはイオンブレーティング法等においても
その形成薄膜の組成制御に有効に適用できる。
なお本発明では反射率を膜厚の関数として得るため、例
えば光ディスクの記録膜の形成のように、一枚のディス
クに薄膜を形成した結果に基づいて以降を基準の薄膜組
成に制御するような場合に啄めて有効である。
えば光ディスクの記録膜の形成のように、一枚のディス
クに薄膜を形成した結果に基づいて以降を基準の薄膜組
成に制御するような場合に啄めて有効である。
発明の効果
以上のように本発明によれば、薄膜形成において、基板
へ形成される薄膜の膜厚と、薄膜と基板を総合した反射
率をインプロセスで測定し、これによって得られる膜厚
の関数としての反射率に基づき、薄膜の屈折率ｎと消衰
係数ｋを算出したる後、この算出値ｎ、にのうち少なく
とも一つを予め設定した屈折率ｎ０、消衰係数ｋ。に近
づけるように薄膜形成条件を制御することにより、組成
制御を実現し、所望の薄膜組成を得ることができるもの
であり、その工業的価値は極めて高い。
へ形成される薄膜の膜厚と、薄膜と基板を総合した反射
率をインプロセスで測定し、これによって得られる膜厚
の関数としての反射率に基づき、薄膜の屈折率ｎと消衰
係数ｋを算出したる後、この算出値ｎ、にのうち少なく
とも一つを予め設定した屈折率ｎ０、消衰係数ｋ。に近
づけるように薄膜形成条件を制御することにより、組成
制御を実現し、所望の薄膜組成を得ることができるもの
であり、その工業的価値は極めて高い。
第１図は本発明の薄膜形成方法の実施例を説明する装置
の構成図、第２図は同発明の反射率を構成する因子を説
明する模式図、第３図は本発明の薄膜形成方法の実施例
を説明する装置の構成図、第４図は従来の薄膜形成方法
を説明する装置の構成図である。 １０８．２０８，３０８，４０８・・・・・・基板、１
１４゜３１４・・・・・・反射率測定器、１１１．３１
１．４１１・・・・・・水晶振動子板、１０５，３０６
，４０５・・・・・・チャンバ、１１７，３１７・・・
・・・ｎ、に演算回路、１１９・・・・・・分圧コント
ローラ、３１９・・・・・・ガス圧コントローラ、１０
２．４０２・・・・・・スパッタターゲット、３２４・
・・・・・蒸発源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
区 第２図 ｎ′ １ ！ ！ 、珠積 第３図 第４図
の構成図、第２図は同発明の反射率を構成する因子を説
明する模式図、第３図は本発明の薄膜形成方法の実施例
を説明する装置の構成図、第４図は従来の薄膜形成方法
を説明する装置の構成図である。 １０８．２０８，３０８，４０８・・・・・・基板、１
１４゜３１４・・・・・・反射率測定器、１１１．３１
１．４１１・・・・・・水晶振動子板、１０５，３０６
，４０５・・・・・・チャンバ、１１７，３１７・・・
・・・ｎ、に演算回路、１１９・・・・・・分圧コント
ローラ、３１９・・・・・・ガス圧コントローラ、１０
２．４０２・・・・・・スパッタターゲット、３２４・
・・・・・蒸発源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
区 第２図 ｎ′ １ ！ ！ 、珠積 第３図 第４図
Claims (9)
- （１）基板に薄膜を形成するに際して、基板へ形成され
る薄膜の膜厚と、薄膜と基板を総合した反射率をインプ
ロセスで測定し、これによって得られる膜厚の関数とし
ての反射率に基づき、薄膜の屈折率ｎと消衰係数ｋを算
出し、この算出値ｎ、ｋのうち少なくとも一つを予め設
定した屈折率ｎ＿０、消衰係数ｋ＿０に近づけるように
薄膜形成条件を制御する薄膜形成方法。 - （２）予め設定する屈折率ｎ＿０、消衰係数ｋ＿０は基
準となる組成の薄膜によって得られる値である特許請求
の範囲第１項記載の薄膜形成方法。 - （３）基板に形成される薄膜の膜厚を水晶振動子法にて
測定する特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成方法。 - （４）スパッタリング法にて薄膜を基板に形処し、その
薄膜形成条件の制御を減圧状態にあるチャンバ内の不活
性テスと反応性ガスの分圧比率によって行う特許請求の
範囲第１項記載の薄膜形成方法。 - （５）真空蒸着法にて薄膜を基板に形成し、その薄膜形
成条件の制御を、減圧状態にあるチャンバ内の反応性ガ
スのガス圧によって行う特許請求の範囲第１項記載の薄
膜形成方法。 - （６）ＴｅあるいはＴｅＯ＿ｘ（０＜ｘ＜２）を主体と
するスパッタターゲットを用い、不活性ガスであるＡｒ
と反応性ガスであるＯ＿２との分圧比率によって、形成
するＴｅＯ＿ｘ（０＜ｘ＜２）を主体とする薄膜の組成
を制御する特許請求の範囲第４項記載の薄膜形成方法。 - （７）ＴｅあるいはＴｅＯ＿ｘ（０＜ｘ＜２）を主体と
する蒸発源を用い、反応性ガスであるＯ＿２のガス圧に
よって、形成するＴｅＯ＿ｘ（０＜ｘ＜２）を主体とす
る薄膜の組成を制御する特許請求の範囲第５項記載の薄
膜形成方法。 - （８）算出した薄膜の屈折率ｎが予め設定した屈折率ｎ
＿０よりも大きな場合、Ｏ＿２の分圧比率あるいはＯ＿
２のガス圧を高くし、小さい場合、Ｏ＿２の分圧比率あ
るいはＯ＿２のガス圧を低くして薄膜の組成を制御する
特許請求の範囲第６項または第７項記載の薄膜形成方法
。 - （９）算出した薄膜の消衰係数ｋが予め設定した消衰係
数ｋ＿０よりも大きな場合、Ｏ＿２の分圧比率あるいは
Ｏ＿２のガス圧を高くし、小さい場合、Ｏ＿２の分圧比
率あるいはＯ＿２のガス圧を低くして薄膜の組成を制御
する特許請求の範囲第６項または第７項記載の薄膜形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61143250A JPH0730447B2 (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61143250A JPH0730447B2 (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63474A true JPS63474A (ja) | 1988-01-05 |
| JPH0730447B2 JPH0730447B2 (ja) | 1995-04-05 |
Family
ID=15334375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61143250A Expired - Fee Related JPH0730447B2 (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0730447B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6338579A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| US6387292B1 (en) | 1999-08-03 | 2002-05-14 | Nippon Mektron, Limited | Process for producing anti-soil finishing agent |
| AT514342A1 (de) * | 2013-05-17 | 2014-12-15 | Asamer Basaltic Fibers Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Bewehrungsstabes |
-
1986
- 1986-06-19 JP JP61143250A patent/JPH0730447B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6338579A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| US6387292B1 (en) | 1999-08-03 | 2002-05-14 | Nippon Mektron, Limited | Process for producing anti-soil finishing agent |
| AT514342A1 (de) * | 2013-05-17 | 2014-12-15 | Asamer Basaltic Fibers Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Bewehrungsstabes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0730447B2 (ja) | 1995-04-05 |
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|---|---|---|---|
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