JPS63473A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPS63473A JPS63473A JP61143245A JP14324586A JPS63473A JP S63473 A JPS63473 A JP S63473A JP 61143245 A JP61143245 A JP 61143245A JP 14324586 A JP14324586 A JP 14324586A JP S63473 A JPS63473 A JP S63473A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- refractive index
- substrate
- composition
- partial pressure
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
るいは０２のガス圧を高くシ、小さい場合、ｏ２の分圧
比率あるいは０２のガス圧を低くして薄膜の組成を制御
する特許請求の範囲第６項または第７項記載の薄膜形成
方法。
比率あるいは０２のガス圧を低くして薄膜の組成を制御
する特許請求の範囲第６項または第７項記載の薄膜形成
方法。
３、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は、形成する薄膜の組成制御を可能にする薄膜形
成方法に関するものである。
成方法に関するものである。
従来の技術
近年、真空蒸着法やスパッタリング法は薄膜形成の主た
る方法として位置付けられ、半導体、光メモリディスク
、薄膜磁気ヘッド等の薄膜形成に欠くべからざる技術と
なっている。ここで薄膜形成の一例を光メモリディスク
の代表的な記録膜であるＴｅＯ（ｏ＜ ｘ ＜ ２ ）
について説明する。第３図はＴｅ○工薄膜を基板３０８
に反応性スパッタリング法で形成する際の構成図を示し
ている。同図において３０１はスパッタガンであり、ス
パッタターゲット３０２と支持金属板３０３とマグネッ
ト３０４によって主に構成される。スパッタターゲット
３０２をＴｅ とし、減圧状態にあるチャンバ３０６内
に不活性ガスであるＡｒと反応性ガスである０２の分圧
比率を例えば３／２ としてガス導入管３０６．３０７
から流入させて回転する基板３０Ｂに薄膜ＴｅＯ工を形
成する。この際のスパッタ速度は水晶振動子板３１１を
収納した水晶振動子モニタヘッド３１０からの信号に基
づいて制御をかける水晶振動子法にて行う。記録膜であ
るＴｅＯ工はその組成により、ディスク特性が大きく変
化する。そのため、形成される薄膜の組成を子分光性な
どの分析法を採る必要があるが、結果がでるまでには多
大の時間を要する問題点がある。
る方法として位置付けられ、半導体、光メモリディスク
、薄膜磁気ヘッド等の薄膜形成に欠くべからざる技術と
なっている。ここで薄膜形成の一例を光メモリディスク
の代表的な記録膜であるＴｅＯ（ｏ＜ ｘ ＜ ２ ）
について説明する。第３図はＴｅ○工薄膜を基板３０８
に反応性スパッタリング法で形成する際の構成図を示し
ている。同図において３０１はスパッタガンであり、ス
パッタターゲット３０２と支持金属板３０３とマグネッ
ト３０４によって主に構成される。スパッタターゲット
３０２をＴｅ とし、減圧状態にあるチャンバ３０６内
に不活性ガスであるＡｒと反応性ガスである０２の分圧
比率を例えば３／２ としてガス導入管３０６．３０７
から流入させて回転する基板３０Ｂに薄膜ＴｅＯ工を形
成する。この際のスパッタ速度は水晶振動子板３１１を
収納した水晶振動子モニタヘッド３１０からの信号に基
づいて制御をかける水晶振動子法にて行う。記録膜であ
るＴｅＯ工はその組成により、ディスク特性が大きく変
化する。そのため、形成される薄膜の組成を子分光性な
どの分析法を採る必要があるが、結果がでるまでには多
大の時間を要する問題点がある。
また、ディスクを完成させて、そのディスク特性を測定
することにより、組成が所望のものであるかどうかを判
定する方法もあるが、ディスクを完成させ、特性を測定
するまでには、やはり多くの時間を要する。また、ディ
スク特性だけでは、組成がどちらにずれているかを判定
することが困難な場合が多い。
することにより、組成が所望のものであるかどうかを判
定する方法もあるが、ディスクを完成させ、特性を測定
するまでには、やはり多くの時間を要する。また、ディ
スク特性だけでは、組成がどちらにずれているかを判定
することが困難な場合が多い。
ノｌ＋息出
本発明は上記問題点を解消するものであり、形成する薄
膜の組成制御を短時間で可能にし、所望の薄膜形成を実
現する薄膜形成方法を提供することを目的とするもので
ある。
膜の組成制御を短時間で可能にし、所望の薄膜形成を実
現する薄膜形成方法を提供することを目的とするもので
ある。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、基板に薄膜を形成するに際して、基板へ形成
される薄膜の膜厚と、薄膜と基板を総合した反射率およ
び透過率をインプロセスで測定し、この３種の測定信号
により、薄膜の屈折率ｎと消衰係数ｋを算出したる後、
この算出＠ ｎ 、 ｋのうち少なくとも一つを予め設
定した屈折率ｎ。、消衰係数ｋ。に近づけるように薄膜
形成条件を制御するものである。
される薄膜の膜厚と、薄膜と基板を総合した反射率およ
び透過率をインプロセスで測定し、この３種の測定信号
により、薄膜の屈折率ｎと消衰係数ｋを算出したる後、
この算出＠ ｎ 、 ｋのうち少なくとも一つを予め設
定した屈折率ｎ。、消衰係数ｋ。に近づけるように薄膜
形成条件を制御するものである。
作 用
薄膜において、その組成が異なれば、薄膜の光学定数す
なわち屈折率ｎ、消衰係数にも異なる。
なわち屈折率ｎ、消衰係数にも異なる。
本発明は基板へ薄膜を形成するインプロセスにおいて、
薄膜の膜厚と、薄膜と基板を総合した反射率および透過
率を測定することにより、薄膜の屈折率ｎと消衰係数ｋ
を演算回路により算出し、このｎ、ｋを基準となる薄膜
の屈折率ｎ。と消衰係数ｋ。に近づけるように薄膜形成
条件を制御することによって所望の薄膜組成を実現し、
維持することができるようにするものである。
薄膜の膜厚と、薄膜と基板を総合した反射率および透過
率を測定することにより、薄膜の屈折率ｎと消衰係数ｋ
を演算回路により算出し、このｎ、ｋを基準となる薄膜
の屈折率ｎ。と消衰係数ｋ。に近づけるように薄膜形成
条件を制御することによって所望の薄膜組成を実現し、
維持することができるようにするものである。
実施例
以下に本発明の実施例をＴｅＯｘ薄膜の作製を一例とし
て説明する。
て説明する。
（実施例１）
第１図は本発明に基づき、ＴｅＯ工薄膜を反応性スパッ
タリング法で作製する際の構成図である。
タリング法で作製する際の構成図である。
同図において１０１はスパッタガンであり、このスパッ
タガンはＴｏ より成るスパッタターゲット１０２、ス
パッタターゲット１０２をロウ付けした支持金属板１０
３、支持金属板１０３の下知収納され、回転するマグネ
ット１０４より主に構成される。減圧状態にあるチャン
バ１０６内にガス導入管ｉｏｎ、１０７から０２および
Ａｒを導入する。Ｔｏより成るスパッタターゲット１０
２からスパッタされたＴｏ原子あるいは分子はチャンバ
１０Ｂ内の０２と結びつき、回転する基板ｉｏｓにＴｅ
Ｏ（０＜ ｘ＜ ２ ）薄膜を形成する。なお、スパッ
タガン１０１と基板１０Ｂとの間にシャッタ１０９を介
し、その開閉によって基板１０８への薄膜の堆積開始、
終了を規制する。スパッタ速度は水晶振動子法によって
行う。すなわち水晶振動子モニタヘッド１１ｏに納めら
れた水晶振動子板１１１に薄膜を堆積させ、その固有振
動数の変化の信号を水晶振動子スパッタ速度制御器１１
２に送り、水晶振動子スパッタ速度制御器１１２に設定
したスパッタ速度ｖｃと実際のスパッタ速度■が一致す
るようにスパッタパワー電源１１３をフィードバック制
御するとともに、スパッタ速度Ｖを時間ｔで積分して膜
厚信号ｄも出力できるようにしておく。基板１０Ｂの上
方には発光部１１６と受光部１１６を備えた反射率測定
器１１４を、下方には受光部１１８を備えた透過率測定
器１１７を設置し、薄膜の形成に伴ない、刻々と変動す
る反射率Ｒおよび透過率Ｔを測定できるようにするそし
て薄膜形成途中の同時点における水晶振動子スパッタ速
度制御器１１２からの膜厚信号、反射率測定器１１４か
らの反射率信号、透過率測定器１１７からの透過率信号
の３信号を演算回路１１９に入力し、薄膜の屈折率ｎと
消衰係数ｋを算出する。
タガンはＴｏ より成るスパッタターゲット１０２、ス
パッタターゲット１０２をロウ付けした支持金属板１０
３、支持金属板１０３の下知収納され、回転するマグネ
ット１０４より主に構成される。減圧状態にあるチャン
バ１０６内にガス導入管ｉｏｎ、１０７から０２および
Ａｒを導入する。Ｔｏより成るスパッタターゲット１０
２からスパッタされたＴｏ原子あるいは分子はチャンバ
１０Ｂ内の０２と結びつき、回転する基板ｉｏｓにＴｅ
Ｏ（０＜ ｘ＜ ２ ）薄膜を形成する。なお、スパッ
タガン１０１と基板１０Ｂとの間にシャッタ１０９を介
し、その開閉によって基板１０８への薄膜の堆積開始、
終了を規制する。スパッタ速度は水晶振動子法によって
行う。すなわち水晶振動子モニタヘッド１１ｏに納めら
れた水晶振動子板１１１に薄膜を堆積させ、その固有振
動数の変化の信号を水晶振動子スパッタ速度制御器１１
２に送り、水晶振動子スパッタ速度制御器１１２に設定
したスパッタ速度ｖｃと実際のスパッタ速度■が一致す
るようにスパッタパワー電源１１３をフィードバック制
御するとともに、スパッタ速度Ｖを時間ｔで積分して膜
厚信号ｄも出力できるようにしておく。基板１０Ｂの上
方には発光部１１６と受光部１１６を備えた反射率測定
器１１４を、下方には受光部１１８を備えた透過率測定
器１１７を設置し、薄膜の形成に伴ない、刻々と変動す
る反射率Ｒおよび透過率Ｔを測定できるようにするそし
て薄膜形成途中の同時点における水晶振動子スパッタ速
度制御器１１２からの膜厚信号、反射率測定器１１４か
らの反射率信号、透過率測定器１１７からの透過率信号
の３信号を演算回路１１９に入力し、薄膜の屈折率ｎと
消衰係数ｋを算出する。
表１にＴｅＯ工薄膜薄膜値と屈折率ｎ、消衰係数にの関
係を示す。Ｘ値が大きくなり、Ｔｅａ２ｒｉｃｈになる
に従い、屈折率ｎは小さ′くな９、また消衰係数にも小
さくなる関係を持っている。そこで、基準の組成の薄膜
において得られ、予め設定した屈折率ｎ。と、演算回路
で算出された屈折率ｎとの比較対照を比較器１２８で実
施する。
係を示す。Ｘ値が大きくなり、Ｔｅａ２ｒｉｃｈになる
に従い、屈折率ｎは小さ′くな９、また消衰係数にも小
さくなる関係を持っている。そこで、基準の組成の薄膜
において得られ、予め設定した屈折率ｎ。と、演算回路
で算出された屈折率ｎとの比較対照を比較器１２８で実
施する。
もし、算出した屈折率ｎが予め設定した屈折率ｎ０より
も大きな場合、表１の関係より、形成されつつある薄膜
は基準となる薄膜よりもＴｅＯ工のＸ値が小さく、Ｔｏ
ｒｉｃｈ となっていることが判明する。
も大きな場合、表１の関係より、形成されつつある薄膜
は基準となる薄膜よりもＴｅＯ工のＸ値が小さく、Ｔｏ
ｒｉｃｈ となっていることが判明する。
そこでＡｒと○の分圧比率において０２の比率が、より
大きくなるように分圧コントローラー２０で０２流量制
御弁１２１とＡｒ流量制御弁１２２をフィードバック制
御し、薄膜組成をＴｅ０３ｒｉｃｈ側ヘシフトさせ、薄
膜の屈折率ｎを基準となる屈折ｉｎ。に近づけるように
する。逆に、算出した屈折率ｎが予め設定した屈折率ｎ
０よりも小さな場合、ＴｅＯｘのＸ値が基準よりも大き
く、Ｔｅａ２ｒｉｃｈになっていることより、０２の分
圧比率を小さくするようにフィードバック制御を行い、
薄膜組成をＴｅ ｒｉｃｈ ｆＡ’ｌヘシフトさせるよ
うにする。
大きくなるように分圧コントローラー２０で０２流量制
御弁１２１とＡｒ流量制御弁１２２をフィードバック制
御し、薄膜組成をＴｅ０３ｒｉｃｈ側ヘシフトさせ、薄
膜の屈折率ｎを基準となる屈折ｉｎ。に近づけるように
する。逆に、算出した屈折率ｎが予め設定した屈折率ｎ
０よりも小さな場合、ＴｅＯｘのＸ値が基準よりも大き
く、Ｔｅａ２ｒｉｃｈになっていることより、０２の分
圧比率を小さくするようにフィードバック制御を行い、
薄膜組成をＴｅ ｒｉｃｈ ｆＡ’ｌヘシフトさせるよ
うにする。
ここで屈折率ｎに基づく薄膜組成の制御を説明したが、
薄膜の消衰係数ｋによっても同様にして薄膜組成を制御
することも可能である。すなわち、演算回路１１９で算
出された消衰係数ｋが予め設定した消衰係数に０よりも
大きな場合、表１の関係より、形成されつつある薄膜は
基準となる薄膜よりもＴｅｏ！のＸ値が小さく、’ｆ＠
ｒｉＣｈとなっていることが判明する。そこでＡｒと
０２の分圧比率において０２の比率がより大きくなるよ
うに分圧コントローラ１２０で０２流量制御弁１２１と
Ａｒ流量制御弁１２２をフィードバック制御し、薄膜組
成をＴｅ０２ｒｉｃｈ側ヘシフトさせる。逆に、算出し
た消衰係数ｋが予め設定した消衰係数ｋ。よりも小さな
場合、Ｔｅ０ｘＯＸ値が基準よりも大きく、Ｔｏｏ２ｒ
ｉｃｈになっていることより、０２の分圧比率を小さく
するようにフィードバック制御を行い、薄膜組成をＴｅ
ｒｉｃｈ側ヘシフトさせる。
薄膜の消衰係数ｋによっても同様にして薄膜組成を制御
することも可能である。すなわち、演算回路１１９で算
出された消衰係数ｋが予め設定した消衰係数に０よりも
大きな場合、表１の関係より、形成されつつある薄膜は
基準となる薄膜よりもＴｅｏ！のＸ値が小さく、’ｆ＠
ｒｉＣｈとなっていることが判明する。そこでＡｒと
０２の分圧比率において０２の比率がより大きくなるよ
うに分圧コントローラ１２０で０２流量制御弁１２１と
Ａｒ流量制御弁１２２をフィードバック制御し、薄膜組
成をＴｅ０２ｒｉｃｈ側ヘシフトさせる。逆に、算出し
た消衰係数ｋが予め設定した消衰係数ｋ。よりも小さな
場合、Ｔｅ０ｘＯＸ値が基準よりも大きく、Ｔｏｏ２ｒ
ｉｃｈになっていることより、０２の分圧比率を小さく
するようにフィードバック制御を行い、薄膜組成をＴｅ
ｒｉｃｈ側ヘシフトさせる。
以上による本制御により、薄膜形成のインプロセスにお
いて、形成される薄膜の組成を基準となる組成に近づく
ようにフィードバック制御がかけられ、所望の薄膜組成
を得ることが可能となる。なお、本制御において、チャ
ンバ１０５内の全圧は常に同じになるように、チャンバ
１０６と排気系１２３を結ぶメインバルブ１２４を制御
することが望ましい。
いて、形成される薄膜の組成を基準となる組成に近づく
ようにフィードバック制御がかけられ、所望の薄膜組成
を得ることが可能となる。なお、本制御において、チャ
ンバ１０５内の全圧は常に同じになるように、チャンバ
１０６と排気系１２３を結ぶメインバルブ１２４を制御
することが望ましい。
（実施例２）
第２図は本発明に基づき、ＴｅＯ工薄膜薄膜空蒸着法で
作製する際の構成図である。同図において２２６は、被
蒸発物２２６であるＴｏを収納した蒸発源であり、例え
ば被蒸発物２２６に電子ビームを当てることによって加
熱し、Ｔｅ を蒸発させる。減圧状態にあるチャンバ２
０５内にはガス導入管２０６からＱ２を導入する。蒸発
したＴｅはチャンバ２０ａ内の０２ と結びつき、回転
する基板２０８にＴｏｏ （０＜ｘ＜２）薄膜を形成す
る。
作製する際の構成図である。同図において２２６は、被
蒸発物２２６であるＴｏを収納した蒸発源であり、例え
ば被蒸発物２２６に電子ビームを当てることによって加
熱し、Ｔｅ を蒸発させる。減圧状態にあるチャンバ２
０５内にはガス導入管２０６からＱ２を導入する。蒸発
したＴｅはチャンバ２０ａ内の０２ と結びつき、回転
する基板２０８にＴｏｏ （０＜ｘ＜２）薄膜を形成す
る。
蒸着速度は実施例１と同様に水晶振動子法によって行い
、水晶撮動子蒸着速度制御器２１２より、基板２０８へ
の薄膜の膜厚信号を得る。また反射率測定器２１４と透
過率測定器２１７より刻々と変動する反射率、透過率を
測定し、実施例１と同様に反射率信号、透過率信号を得
る。そして薄膜形成途中の同時点における上記３信号を
演算回路２１９に入力し、薄膜の屈折率ｎと消衰係数ｋ
を算出し、予め設定した基準となる薄膜の屈折率ｎ。
、水晶撮動子蒸着速度制御器２１２より、基板２０８へ
の薄膜の膜厚信号を得る。また反射率測定器２１４と透
過率測定器２１７より刻々と変動する反射率、透過率を
測定し、実施例１と同様に反射率信号、透過率信号を得
る。そして薄膜形成途中の同時点における上記３信号を
演算回路２１９に入力し、薄膜の屈折率ｎと消衰係数ｋ
を算出し、予め設定した基準となる薄膜の屈折率ｎ。
あるいは消衰係数ｋ。との比較対照を比較器２２８で開
始する。もし、算出したｎが予め設定したｎ。
始する。もし、算出したｎが予め設定したｎ。
よりも大きいか、あるいは算出したｋが予め設定したに
０よりも大きい場合、チャンバ内のｏ２ガス圧を大きく
するようにガス圧コントローラ２２７で０２流量制御弁
２２１をフィードバック制御し、薄膜の組成をＴｏｏ２
ｒｉｃｈ側にシフトさせ、基準の組成に近づける。逆に
ｎがｎ。よりも小さいか、あるいはｋがｋ。よりも小さ
い場合、０２ガス圧を小さくするように０２流量制御弁
２２１を制御し、Ｔｏ ｒｉｃｈ 但’Ｉｐ組成をシフ
トさせ、基準となる組成に近づける。
０よりも大きい場合、チャンバ内のｏ２ガス圧を大きく
するようにガス圧コントローラ２２７で０２流量制御弁
２２１をフィードバック制御し、薄膜の組成をＴｏｏ２
ｒｉｃｈ側にシフトさせ、基準の組成に近づける。逆に
ｎがｎ。よりも小さいか、あるいはｋがｋ。よりも小さ
い場合、０２ガス圧を小さくするように０２流量制御弁
２２１を制御し、Ｔｏ ｒｉｃｈ 但’Ｉｐ組成をシフ
トさせ、基準となる組成に近づける。
なお実施例では、ＴｅＯｘ薄膜について説明したが、Ｔ
ｏｏｘにある特定元素を含有した薄膜を作製する場合に
ついてもＴｅに特定元素を含有させたスパッタターゲッ
トあるいは蒸発源を用いることによって、本発明の適用
は可能である。また、スパッタターゲットあるいは蒸発
源を、作製しようとするＴｏｏ のｘ垣よりも低いＴ
ｅｏｘで構成しても同様にして、組成制御することが可
能である。
ｏｏｘにある特定元素を含有した薄膜を作製する場合に
ついてもＴｅに特定元素を含有させたスパッタターゲッ
トあるいは蒸発源を用いることによって、本発明の適用
は可能である。また、スパッタターゲットあるいは蒸発
源を、作製しようとするＴｏｏ のｘ垣よりも低いＴ
ｅｏｘで構成しても同様にして、組成制御することが可
能である。
また本発明に適用できる形成薄膜材料はＴｅに限るもの
でも、またガスも０２に限るものでもなく、本発明は他
の材料１元素を用いた反応性スパッタリング法、反応性
蒸着法、あるいはイオンブレーティング法等においても
その形成薄膜の組成制御に有効に適用できる。
でも、またガスも０２に限るものでもなく、本発明は他
の材料１元素を用いた反応性スパッタリング法、反応性
蒸着法、あるいはイオンブレーティング法等においても
その形成薄膜の組成制御に有効に適用できる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、薄膜形成において、基板
へ形成される薄膜の膜厚と、薄膜と基板を総合した反射
率および透過率をインプロセスで測定し、この３種の測
定信号により、薄膜の屈折率ｎと消衰係数ｋを算出した
る後、この算出値ｎ。
へ形成される薄膜の膜厚と、薄膜と基板を総合した反射
率および透過率をインプロセスで測定し、この３種の測
定信号により、薄膜の屈折率ｎと消衰係数ｋを算出した
る後、この算出値ｎ。
ｋのうち少なくとも一つを予め設定した屈折率５゜消衰
係数ｋ。に近づけるように薄膜形成条件を制御すること
により、インプロセスによる組成制御を実現し、所望の
薄膜組成を得ることができるものであり、その工業的価
値は極めて高い。
係数ｋ。に近づけるように薄膜形成条件を制御すること
により、インプロセスによる組成制御を実現し、所望の
薄膜組成を得ることができるものであり、その工業的価
値は極めて高い。
第１図および第２図は本発明の薄膜形成方法の実施例を
説明する装置の構成図、第３図は従来の薄、膜形成方法
を説明する装置の構成図である。 １０８．２０８．３０８・・・・・・基板、１１４．２
１４・・・・・・反射率測定器、１１７，２１７・・・
・・・透過率測定器、１１１．２１１．３１１・・・・
・・水晶撮動子板、１０６ 、２０５，３０５・・・・
・・チャンバ、１１９，２１９・・・・・・演算回路、
１２０・・・・・・分圧コントローラ、２２７・・・・
・・ガス圧コントローラ、１０２，３０２−・・・・・
・スパッタターゲット、２２６・・・・・・蒸発源。
説明する装置の構成図、第３図は従来の薄、膜形成方法
を説明する装置の構成図である。 １０８．２０８．３０８・・・・・・基板、１１４．２
１４・・・・・・反射率測定器、１１７，２１７・・・
・・・透過率測定器、１１１．２１１．３１１・・・・
・・水晶撮動子板、１０６ 、２０５，３０５・・・・
・・チャンバ、１１９，２１９・・・・・・演算回路、
１２０・・・・・・分圧コントローラ、２２７・・・・
・・ガス圧コントローラ、１０２，３０２−・・・・・
・スパッタターゲット、２２６・・・・・・蒸発源。
Claims (9)
- （１）基板に薄膜を形成するに際して、基板へ形成され
る薄膜の膜厚と、薄膜と基板を総合した反射率および透
過率をインプロセスで測定し、この３種の測定信号によ
り、薄膜の屈折率ｎと消衰係数ｋを算出し、この算出値
ｎ、ｋのうち少なくとも一つを予め設定した屈折率ｎ＿
０、消衰係数ｋ＿０に近づけるように薄膜形成条件を制
御する薄膜形成方法。 - （２）予め設定する屈折率ｎ＿０、消衰係数ｋ＿０は、
基準となる組成の薄膜によって得られる値である特許請
求の範囲第１項記載の薄膜形成方法。 - （３）基板へ形成される薄膜の膜厚を水晶振動子法にて
測定する特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成方法。 - （４）スパッタリング法にて薄膜を基板に形成し、その
薄膜形成条件の制御を減圧状態にあるチャンバ内の不活
性ガスと反応性ガスの分圧比率によって行う特許請求の
範囲第１項記載の薄膜形成方法。 - （５）真空蒸着法にて薄膜を基板に形成し、その薄膜形
成条件の制御を、減圧状態にあるチャンバ内の反応性ガ
スのガス圧によって行う特許請求の範囲第１項記載の薄
膜形成方法。 - （６）ＴｅあるいはＴｅＯ＿ｘ（０＜ｘ＜２）を主体と
するスパッタターゲットを用い、不活性ガスであるＡｒ
と反応性ガスであるＯ＿２との分圧比率によって、形成
するＴｅＯ＿ｘ（０＜ｘ＜２）を主体とする薄膜の組成
を制御する特許請求の範囲第４項記載の薄膜形成方法。 - （７）ＴｅあるいはＴｅＯ＿ｘ（０＜ｘ＜２）を主体と
する蒸発源を用い、反応性ガスであるＯ＿２のガス圧に
よって、形成するＴｅＯ＿ｘ（０＜ｘ＜２）を主体とす
る薄膜の組成を制御する特許請求の範囲第５項記載の薄
膜形成方法。 - （８）算出した薄膜の屈折率ｎが予め設定した屈折率ｎ
＿０よりも大きな場合、Ｏ＿２の分圧比率あるいはＯ＿
２のガス圧を高くし、小さい場合、Ｏ＿２の分圧比率ま
たはＯ＿２のガス圧を低くして薄膜の組成を制御する特
許請求の範囲第６項または第７項記載の薄膜形成方法。 - （９）算出した薄膜の消衰係数ｋが予め設定した消衰係
数ｋ＿０よりも大きな場合、Ｏ＿２の分圧比率あるいは
Ｏ＿２のガス圧を高くし、小さい場合、Ｏ＿２の分圧比
率あるいはＯ＿２のガス圧を低くして薄膜の組成を制御
する特許請求の範囲第６項または第７項記載の薄膜形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61143245A JPS63473A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61143245A JPS63473A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63473A true JPS63473A (ja) | 1988-01-05 |
Family
ID=15334265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61143245A Pending JPS63473A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63473A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018031031A (ja) * | 2016-08-22 | 2018-03-01 | 株式会社アルバック | 成膜方法 |
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1986
- 1986-06-19 JP JP61143245A patent/JPS63473A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018031031A (ja) * | 2016-08-22 | 2018-03-01 | 株式会社アルバック | 成膜方法 |
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