JPS6348502A - 反射鏡 - Google Patents
反射鏡Info
- Publication number
- JPS6348502A JPS6348502A JP61192241A JP19224186A JPS6348502A JP S6348502 A JPS6348502 A JP S6348502A JP 61192241 A JP61192241 A JP 61192241A JP 19224186 A JP19224186 A JP 19224186A JP S6348502 A JPS6348502 A JP S6348502A
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- Japan
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- film
- reflecting mirror
- substrate
- thin
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- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、反射鏡に関するものである。
(従来の技術)
従来、反射鏡例えばHe−Neレーザ用反射鏡はガラス
質基板上に、金属反射膜として、lの真空茎着膜を形成
し、その上に保護膜としてS io、 、S ios
TiO2等を形成したものである。
質基板上に、金属反射膜として、lの真空茎着膜を形成
し、その上に保護膜としてS io、 、S ios
TiO2等を形成したものである。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、この反射鏡は、湿度70%RH以上の環
境下で長期間使用すると、保護膜に微細なりラックが生
じ、そのため金属反射膜が腐食して反射率が低下してし
まうという問題点があった。
境下で長期間使用すると、保護膜に微細なりラックが生
じ、そのため金属反射膜が腐食して反射率が低下してし
まうという問題点があった。
(問題点を解決するだめの手段)
本発明者らは鋭意研究した結果、偶然にも保護膜として
SiOx薄膜(ただしl<x<2)を使用すると上記問
題点が解決されることを見い出し、本発明をなすに至っ
た。
SiOx薄膜(ただしl<x<2)を使用すると上記問
題点が解決されることを見い出し、本発明をなすに至っ
た。
従って、本発明は、「基板の上に金属反射膜とS io
x薄膜(ただしl<x<2)を順に形成したことを特徴
とする反射鏡」を提供する。
x薄膜(ただしl<x<2)を順に形成したことを特徴
とする反射鏡」を提供する。
(作用)
基板としては、ガラス質基板の他に、ファインセラミッ
ク715F2例えばアルミナ、炭化けい素、窒化けい素
、ジルコニアなどの粉末焼結体又は鎖結晶又は多結晶を
使用することができる。後者は前者に比べ、剛性、耐熱
性、耐湿性などに優れている。基板は予め鏡面に仕上げ
ておく。
ク715F2例えばアルミナ、炭化けい素、窒化けい素
、ジルコニアなどの粉末焼結体又は鎖結晶又は多結晶を
使用することができる。後者は前者に比べ、剛性、耐熱
性、耐湿性などに優れている。基板は予め鏡面に仕上げ
ておく。
次に基板上に金属反射膜を形成する。使用される金属と
してはA1、Agなどが挙げられる。形成法としては一
船には真空ブと着、イオンブレーティング、スパッタリ
ングなどの薄膜堆積技術が使用される。
してはA1、Agなどが挙げられる。形成法としては一
船には真空ブと着、イオンブレーティング、スパッタリ
ングなどの薄膜堆積技術が使用される。
次いで、本発明の特徴であるSiOx薄膜t膜を形成す
る。この膜自身は既知であり、一般には蒸着源としてS
iOを用い、少量の酸素ガスを導入した低真空中で茎着
することにより形成される。これによりx=l〜2 (
但し、両端を含まず)、好ましくはX= 1.3〜1.
9特に好ましくはX=1.4〜1.9の店開な薄膜が得
られる。この膜は、Xの値に応してn 、 = 1.4
5〜1.90の屈折率を示す。
る。この膜自身は既知であり、一般には蒸着源としてS
iOを用い、少量の酸素ガスを導入した低真空中で茎着
することにより形成される。これによりx=l〜2 (
但し、両端を含まず)、好ましくはX= 1.3〜1.
9特に好ましくはX=1.4〜1.9の店開な薄膜が得
られる。この膜は、Xの値に応してn 、 = 1.4
5〜1.90の屈折率を示す。
蒸着に代えて高周波マグネトロン・スパッタリングを用
いてもよい。
いてもよい。
SiOx薄膜の膜厚としては、単に保護のためだけなら
ば、一般に0.1〜1.0 mμ好ましくは0.2〜0
.5mμ程度でよい。5iOxi膜は他の機能膜例えば
隼層又は多層反射増加膜の全部又は一部の層を兼用して
いてもよい、その場合、SiOx薄膜は金属反射膜と直
接に接触していることが好ましい。
ば、一般に0.1〜1.0 mμ好ましくは0.2〜0
.5mμ程度でよい。5iOxi膜は他の機能膜例えば
隼層又は多層反射増加膜の全部又は一部の層を兼用して
いてもよい、その場合、SiOx薄膜は金属反射膜と直
接に接触していることが好ましい。
また、5ioXi膜の上に他の保護膜、機能膜などを形
成してもよい。
成してもよい。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。
明はこれに限定されるものではない。
(実施例1)
鏡面研磨したアルミナ・ファインセラミック基板上に、
真空度I X 10−’〜5 X 10−’Torrで
Alを0.2μm蒸着することにより金属反射膜を形成
した。
真空度I X 10−’〜5 X 10−’Torrで
Alを0.2μm蒸着することにより金属反射膜を形成
した。
次にチャンバー内を一旦真空度5 Xl0−6Torr
まで排気したあと、酸素を導入して真空度を3 X 1
0−’〜6 X 10−’Torrにした後、蒸着源に
SiOをセントして蒸着を行ない、膜厚:A波長(基準
波長λ。−632,8nm)のSiOx膜(na=1.
50)を形成することにより反射鏡を作成した。
まで排気したあと、酸素を導入して真空度を3 X 1
0−’〜6 X 10−’Torrにした後、蒸着源に
SiOをセントして蒸着を行ない、膜厚:A波長(基準
波長λ。−632,8nm)のSiOx膜(na=1.
50)を形成することにより反射鏡を作成した。
(実施例2)
実施例1と同様にS iox膜(n、 =1.50)を
形成した後、更にその上に真空度lXl0−’〜5 X
10− ’Torrで膜厚:一り波長(基準波長λ。
形成した後、更にその上に真空度lXl0−’〜5 X
10− ’Torrで膜厚:一り波長(基準波長λ。
−632,8nm)のCe 02(ni =2.10)
膜を形成した。
膜を形成した。
ここでは、SiOxとCe O2の2層膜は、反射増加
膜を構成し、SiOxは保護膜と反射増加膜の一部を兼
用する。
膜を構成し、SiOxは保護膜と反射増加膜の一部を兼
用する。
(実施例3)”
実施例2に於いて、Ceo!の代わりにTi 01(n
、 =2.60)を使用した外は、全く同様にして反射
鏡を作成した。
、 =2.60)を使用した外は、全く同様にして反射
鏡を作成した。
(実施例4)
実施例2に於いて、Ce O,の代わりにZr OH(
n、 =2.15)を使用した外は、全く同様にして反
射鏡を作成した。
n、 =2.15)を使用した外は、全く同様にして反
射鏡を作成した。
(比較例1)
比較のために、実施例1と同様にして金属反射膜を形成
した後、蒸着源にSin、をセ−/ トし真空度I X
10−’〜5 X 10−’Torrで膜厚:A波長
(基土波長λ。=632.8 nm)のSin、膜(n
4=1.46)を形成することにより反射鏡を作成した
。
した後、蒸着源にSin、をセ−/ トし真空度I X
10−’〜5 X 10−’Torrで膜厚:A波長
(基土波長λ。=632.8 nm)のSin、膜(n
4=1.46)を形成することにより反射鏡を作成した
。
(試験例1)
実施例および比較例で作成した反射鏡について、波長λ
−632,8nmの測定光を用いて反射率(%)を測定
した後、耐熱性、耐湿性を調べるため、温Y品度す・イ
クルシ式験(温度ニー40〜↓150℃、ン兄度:20
〜95%RH)を30サイクル行ない、その後再び反射
率(%)を同様に測定した。この結果を次の第1表に示
す。
−632,8nmの測定光を用いて反射率(%)を測定
した後、耐熱性、耐湿性を調べるため、温Y品度す・イ
クルシ式験(温度ニー40〜↓150℃、ン兄度:20
〜95%RH)を30サイクル行ない、その後再び反射
率(%)を同様に測定した。この結果を次の第1表に示
す。
第 1 表 (真空蒸着法)
*実=実施例 比−比較例
次に金属反射膜及びSi Ox保護膜を高周波マグネト
ロン・スパッタリング法によって形成した反射鏡の実施
例を示す。
ロン・スパッタリング法によって形成した反射鏡の実施
例を示す。
(実施例5)
スパックリング装置に、鏡面1:1+磨したアルミナ・
ファインセラミック基)反とAβクーゲットをセットし
、チャンバー内布一旦真空度; 5 XIO−6Tor
rまで排気した後、Arガスを導入してArガス圧lX
l0−3〜4 X 10−’Torrに保ってスパック
リングを行ない、基板上に厚さ0.2μmのAff(金
属反射膜)を形成させた。
ファインセラミック基)反とAβクーゲットをセットし
、チャンバー内布一旦真空度; 5 XIO−6Tor
rまで排気した後、Arガスを導入してArガス圧lX
l0−3〜4 X 10−’Torrに保ってスパック
リングを行ない、基板上に厚さ0.2μmのAff(金
属反射膜)を形成させた。
次にターゲットをSiOに取替え、Ar分圧:I X
10−” 4 X 10−’Torr、酸素分圧: 5
Xl0−’〜2 X 1O−3Torrの混合ガスを
導入してスパッタリングを行ない、基板上に厚さ:′A
波長(基準波長λo ””632.8 nm)のS i
Ox Cn、 =1.48)を形成させることにより
反射鏡を作成した。
10−” 4 X 10−’Torr、酸素分圧: 5
Xl0−’〜2 X 1O−3Torrの混合ガスを
導入してスパッタリングを行ない、基板上に厚さ:′A
波長(基準波長λo ””632.8 nm)のS i
Ox Cn、 =1.48)を形成させることにより
反射鏡を作成した。
(実施例6)
実施例5と同様にS i Ox (n a = 1,4
8)を形成させた後、ターゲットをCeO2に取替え、
A、rガス圧: 1 xlo−3〜6 Xl0−3To
rrの条件でスパッタリングを行ない、厚さ:A彼長(
基準波長λ。
8)を形成させた後、ターゲットをCeO2に取替え、
A、rガス圧: 1 xlo−3〜6 Xl0−3To
rrの条件でスパッタリングを行ない、厚さ:A彼長(
基準波長λ。
=632.8 nm)のCe Ozを堆積させ、これ↓
こより反射鏡を完成させた。
こより反射鏡を完成させた。
(実施例7)
実施例6に於いて、CeO,ターゲットの代わりにTi
O□ターゲットを使用した外は全(同様にして反射鏡を
作成した。
O□ターゲットを使用した外は全(同様にして反射鏡を
作成した。
(実施例8)
実施例6に於いて、Ce Ozターゲットの代わりにZ
r○2ターゲットを使用した外は全く同様にして反射鏡
を作成した。
r○2ターゲットを使用した外は全く同様にして反射鏡
を作成した。
(比較例2)
比較のために、実施例5と同様にして金属反射膜を形成
した後、ターゲットにSiO□をセントしArガス圧:
I Xl0−’〜6 Xl0−’Torrでスパッタ
リングを行ない、膜Pi : ’A波長(基準波長λ。
した後、ターゲットにSiO□をセントしArガス圧:
I Xl0−’〜6 Xl0−’Torrでスパッタ
リングを行ない、膜Pi : ’A波長(基準波長λ。
=632.8 nm)のSin、膜(n、 =1.45
1を形成することにより反射鏡を作成した。
1を形成することにより反射鏡を作成した。
(比較例3a)
比較のために、実施例6に於いてSiOの代わりに、タ
ーゲットとしてAltOyを用いArガス圧: 1 x
lo−3〜6 Xl0−’Torrの条件でスバ・ツタ
リングしてA6zOiFjE膜(n、 =1.60)を
形成した外は実施例6と同様にして反射鏡を作成した。
ーゲットとしてAltOyを用いArガス圧: 1 x
lo−3〜6 Xl0−’Torrの条件でスバ・ツタ
リングしてA6zOiFjE膜(n、 =1.60)を
形成した外は実施例6と同様にして反射鏡を作成した。
(比較例3b)
比較のために、実施例6に於いてSiOの代わりに、タ
ーゲットとしてMgFzを用いArガス圧: I X
10−3〜6 X 1O−3Torrの条件でスパッタ
リングしてMgF、薄膜(na =1.38)を形成し
た外は実施例6と同様にして反射鏡を作成した。
ーゲットとしてMgFzを用いArガス圧: I X
10−3〜6 X 1O−3Torrの条件でスパッタ
リングしてMgF、薄膜(na =1.38)を形成し
た外は実施例6と同様にして反射鏡を作成した。
(比較例4)
比1!2のために、実施例7に於いてSiOの代わりに
、ターゲットとしてMgFZを用いArガス圧: I
Xl0−’〜6 Xl0−’Torrの条件でスパック
リングしてMgF、薄膜(na =1.38)を形成し
た外は実施例7と同様にして反射鏡を作成した。
、ターゲットとしてMgFZを用いArガス圧: I
Xl0−’〜6 Xl0−’Torrの条件でスパック
リングしてMgF、薄膜(na =1.38)を形成し
た外は実施例7と同様にして反射鏡を作成した。
(比較例5)
比較のために、実施例8に於いて5iOO代わりに、タ
ーゲットとしてMgF2を用いArガス圧: I X
10−3〜6 X 10−’Torrの条件でスパッタ
リングしてMgF2薄膜(na =1.38)を形成し
た外は実施例8と同様にして反射鏡を作成した。
ーゲットとしてMgF2を用いArガス圧: I X
10−3〜6 X 10−’Torrの条件でスパッタ
リングしてMgF2薄膜(na =1.38)を形成し
た外は実施例8と同様にして反射鏡を作成した。
(試験例2)
実施例および比較例で作成した反射鏡について試験例1
と同様に試験に供し、試験前後の反射率を測定した。こ
の結果を次の第2表に示す。
と同様に試験に供し、試験前後の反射率を測定した。こ
の結果を次の第2表に示す。
第2 表(高周波マクネトロンスバフタリンク ?
去)次に、各種のファインセラミック凸仮に反射膜を形
成した実施例を示す。
去)次に、各種のファインセラミック凸仮に反射膜を形
成した実施例を示す。
(実施例9)
鏡面研磨したジルコニア・ファインセラミツ’)基冬反
を用い、実、5(例6と同様に反射鏡を作成した。
を用い、実、5(例6と同様に反射鏡を作成した。
この反射鏡の反射率を測定したところ95%(測定波長
λ。−632,8nm)であった。
λ。−632,8nm)であった。
次に、試験例1に従って試験を行なった後、反射率を測
定したところ933石であった。
定したところ933石であった。
(実施例10)
鏡面研磨した炭化けい素・ファインセラミンク基板を用
い、実施例2と同様に反射鏡を作成した。
い、実施例2と同様に反射鏡を作成した。
この反射鏡の反射率を測定したところ93%(測定波長
λ。−632,8nm)であった。
λ。−632,8nm)であった。
次に、試験例1に従って試験を行なった後、反射ぶを測
定したところ92%であった。
定したところ92%であった。
(実施例11)
鏡面研磨したマグネシア・ファインセラミック基板を用
い、実施例3と同様に反射鏡を作成した。
い、実施例3と同様に反射鏡を作成した。
この反射鏡の反射率を測定したところ92%(測定波長
λ6”’632.8 nm)であった・次に試験例1に
従って試験を行なったが、反射率は変化しなかった。
λ6”’632.8 nm)であった・次に試験例1に
従って試験を行なったが、反射率は変化しなかった。
(発明の効果)
以上のように本発明によれば、耐熱性、耐湿性に優れた
反射鏡が得られる。本発明の反射鏡は、特に基板として
ファインセラミックを用いた場合にはHe−Neレーザ
用反射鏡として有用である。
反射鏡が得られる。本発明の反射鏡は、特に基板として
ファインセラミックを用いた場合にはHe−Neレーザ
用反射鏡として有用である。
Claims (1)
- 基板の上に金属反射膜とSiOx薄膜(ただし1<x<
2)を順に形成したことを特徴とする反射鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61192241A JPS6348502A (ja) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | 反射鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61192241A JPS6348502A (ja) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | 反射鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6348502A true JPS6348502A (ja) | 1988-03-01 |
Family
ID=16288004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61192241A Pending JPS6348502A (ja) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | 反射鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6348502A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6211416A (ja) * | 1986-07-16 | 1987-01-20 | 株式会社ヰセキエンジニアリング | 蒸煮炊飯装置 |
| JPS6211417A (ja) * | 1986-07-16 | 1987-01-20 | 株式会社ヰセキエンジニアリング | 蒸煮炊飯装置 |
| JPS6211420A (ja) * | 1986-07-16 | 1987-01-20 | 株式会社ヰセキエンジニアリング | 蒸煮炊飯装置 |
| JPS6211419A (ja) * | 1986-07-16 | 1987-01-20 | アイセック株式会社 | 蒸煮炊飯装置 |
| JPS6211415A (ja) * | 1986-07-16 | 1987-01-20 | 株式会社ヰセキエンジニアリング | 蒸煮炊飯装置 |
| JPH02185076A (ja) * | 1988-12-17 | 1990-07-19 | Samsung Electron Co Ltd | 発光装置 |
| JPH0469603A (ja) * | 1990-07-10 | 1992-03-04 | Copal Co Ltd | 多層膜反射鏡 |
| JP2007017610A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Shimadzu Corp | 耐フッ酸性保護膜及び光学素子 |
-
1986
- 1986-08-18 JP JP61192241A patent/JPS6348502A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6211416A (ja) * | 1986-07-16 | 1987-01-20 | 株式会社ヰセキエンジニアリング | 蒸煮炊飯装置 |
| JPS6211417A (ja) * | 1986-07-16 | 1987-01-20 | 株式会社ヰセキエンジニアリング | 蒸煮炊飯装置 |
| JPS6211420A (ja) * | 1986-07-16 | 1987-01-20 | 株式会社ヰセキエンジニアリング | 蒸煮炊飯装置 |
| JPS6211419A (ja) * | 1986-07-16 | 1987-01-20 | アイセック株式会社 | 蒸煮炊飯装置 |
| JPS6211415A (ja) * | 1986-07-16 | 1987-01-20 | 株式会社ヰセキエンジニアリング | 蒸煮炊飯装置 |
| JPH02185076A (ja) * | 1988-12-17 | 1990-07-19 | Samsung Electron Co Ltd | 発光装置 |
| JPH0469603A (ja) * | 1990-07-10 | 1992-03-04 | Copal Co Ltd | 多層膜反射鏡 |
| JP2007017610A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Shimadzu Corp | 耐フッ酸性保護膜及び光学素子 |
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