JPS6348902A - Matching type diode circuit - Google Patents
Matching type diode circuitInfo
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- JPS6348902A JPS6348902A JP19319086A JP19319086A JPS6348902A JP S6348902 A JPS6348902 A JP S6348902A JP 19319086 A JP19319086 A JP 19319086A JP 19319086 A JP19319086 A JP 19319086A JP S6348902 A JPS6348902 A JP S6348902A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Abstract] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、マイクロ波帯で逆バイアスで動作するピン
ダイオードを備えた整合型ダイオード回路に関するもの
である。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a matched diode circuit including a pin diode that operates with reverse bias in a microwave band.
第2図は例えばアルファカタログP3−18に記載され
た、ピンダイオードを並列に接続して逆バーイアスで動
作させる整合型ダイオード回路を示し、(a)は等価回
路図、(b)は実装例を示す図、tc)は整合状態を示
すスミスチャート図である。図において、工はキャリア
、2はマイクロストリップ線路、3はキャリア1の上に
装着されたピンダイオード、4はマイクロストリップ線
路2とピンダイオード3とを接続する金ワイヤである。Figure 2 shows a matching diode circuit, described in Alpha Catalog P3-18, for example, in which pin diodes are connected in parallel and operated in reverse bias, where (a) is an equivalent circuit diagram and (b) is an implementation example. The figure shown, tc) is a Smith chart diagram showing a matching state. In the figure, numeral 1 is a carrier, 2 is a microstrip line, 3 is a pin diode mounted on the carrier 1, and 4 is a gold wire connecting the microstrip line 2 and the pin diode 3.
この整合型ダイオード回路では、ピンダイオード3は逆
バイアスで動作させる時、容量性となり、またマイクロ
ストリップ線路2とピンダイオード3とを接続する金ワ
イヤ4はマイクロ波帯ではインダクタンス成分を有する
。従って、50Ωマイクロストリツプ線路2を伝播して
きた電波は、第2図(C1のスミスチャート図に示すよ
うに、金ワイヤ4のインダクタンス成分によりA点→B
点に、次にピンダイオード3の容量成分によりB点=C
点に、そして金ワイヤ4のインダクタンス成分によりc
点−A点に戻り、金ワイヤ4のインダクタンスとピン
ダイオード3の容量とにより整合回路が形成されること
となる。In this matching diode circuit, the pin diode 3 becomes capacitive when operated with a reverse bias, and the gold wire 4 connecting the microstrip line 2 and the pin diode 3 has an inductance component in the microwave band. Therefore, as shown in the Smith chart diagram in FIG.
Then, due to the capacitance component of pin diode 3, point B = C
point, and due to the inductance component of the gold wire 4, c
Returning to point -A, a matching circuit is formed by the inductance of the gold wire 4 and the capacitance of the pin diode 3.
従来の整合型ダイオード回路は以上のように構成されて
いるので、高周波になるほど金ワイヤのインダクタンス
が増し、ピンダイオードの容量が足りない場合には整合
がずれてしまう。またピンダイオードの容量が異なれば
、その都度、金ワイヤの容量を変えなければならず、ま
た金ワイヤの張り方のバラツキやピンダイオードの容量
のバラツキによって、整合がずれ、ロスが増大し、電圧
定在波比(V、S、W、R1)が悪くなるなどの問題点
があった。Since the conventional matching diode circuit is constructed as described above, the inductance of the gold wire increases as the frequency increases, and if the capacitance of the pin diode is insufficient, the matching will shift. Furthermore, if the capacitance of the pin diode differs, the capacitance of the gold wire must be changed each time, and variations in the way the gold wire is stretched and variations in the capacitance of the pin diode cause mismatching, increased loss, and voltage There were problems such as poor standing wave ratio (V, S, W, R1).
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、高周波帯においても整合のずれを少なくでき
、ピンダイオードの容量のバラツキや金ワイヤのインダ
クタンス成分のバラツキによる整合のずれを補正するこ
とのできる整合型ダイオード回路を得ることを目的とす
る。This invention was made to solve the above-mentioned problems, and can reduce mismatching even in high frequency bands, and correct mismatching caused by variations in the capacitance of pin diodes and variations in the inductance component of gold wires. The purpose of this invention is to obtain a matched diode circuit that can perform the following steps.
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る整合型ダイオード回路は、マイクロスト
リップ線路に、スタブ等からなる容量成分を付加し、低
域ろ波型整合回路を構成するようにしたものである。[Means for solving the problem] A matching diode circuit according to the present invention is configured by adding a capacitive component such as a stub to a microstrip line to configure a low-pass filter matching circuit. be.
この発明においては、マイクロストリップ線路にスタブ
等からなる容量成分を付加したので、該容量成分の容量
を変化させることにより、回路のインピーダンス整合を
とることができる。In this invention, since a capacitive component such as a stub is added to the microstrip line, impedance matching of the circuit can be achieved by changing the capacitance of the capacitive component.
以下、この発明の実施例を図について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図はこの発明の一実施例による整合型ダイオード回
路を示し、(a)は等価回路図、(blは実装例を示す
図、(C1は整合の状態を示すスミスチャート図である
。図において、1〜4は第2図と同じものを示す、5は
容量性スタブであり、これは整合回路の一部を形成して
いる。FIG. 1 shows a matched diode circuit according to an embodiment of the present invention, (a) is an equivalent circuit diagram, (bl is a diagram showing a mounting example, and (C1 is a Smith chart diagram showing a matching state. 1 to 4 are the same as in FIG. 2, and 5 is a capacitive stub, which forms part of the matching circuit.
このような構成になる整合型ダイオード回路では、50
Ωマイクロストリ・ノブ線路2を伝播してきた電波は、
第1図(C1のスミスチャート図に示すように、金ワイ
ヤ4のインダクタンス成分によりA点→B点に、ピンダ
イオード3の容量成分によりB点=C点に、金ワイヤ4
のインダクタンス成分により0点−0点に、そして容量
性スタブ5によりD点−B点に戻り、整合回路を形成し
ている。In a matched diode circuit configured like this, 50
The radio waves propagating through the Ω Microstri-Knob line 2 are
As shown in the Smith chart in Figure 1 (C1), the inductance component of the gold wire 4 causes the transition from point A to point B, and the capacitance component of the pin diode 3 causes the transition of the gold wire 4 from point A to point C.
The inductance component causes the 0 point to the 0 point, and the capacitive stub 5 returns to the D point to the B point, forming a matching circuit.
すなわち、周波数が高くなるほど金ワイヤ4のインダク
タンス成分は増大するので、従来回路では、直列のイン
ダクタンス成分によるA点−B点、C点=A点への回転
が著しくなって、最終的には第1図に示すD点にいるこ
ととなり整合のずれが著しくなるが、本実施例回路では
、容量性スタブ5を付加しているので、D点−B点へと
回転させることにより上述の整合のずれを補正して、整
合をとることができ、しかも上記容量性スタブ5の容量
を変化させることにより、ピンダイオード3の容量のバ
ラツキや金ワイヤ4のインダクタンス成分のバラツキが
あっても回路の整合を取ることができる。また、さらに
回路の挿入損失を減少させ、電圧定在波比を改善するこ
とができろ。That is, as the frequency increases, the inductance component of the gold wire 4 increases, so in the conventional circuit, the rotation from point A to point B and point C = point A becomes significant due to the series inductance component, and eventually Since the position is at point D shown in Figure 1, the misalignment in matching becomes significant, but in this example circuit, the capacitive stub 5 is added, so by rotating from point D to point B, the above-mentioned matching can be achieved. By correcting the deviation and achieving matching, and by changing the capacitance of the capacitive stub 5, the circuit can be matched even if there are variations in the capacitance of the pin diode 3 and variations in the inductance component of the gold wire 4. can be taken. It should also be possible to further reduce the insertion loss of the circuit and improve the voltage standing wave ratio.
なお、上記実施例では、容量性スタブ5をオーブンスタ
ブで実現した場合を示したが、この容量性スタブをλ/
4以上の長さとしてショートスタブで実現しても同様の
効果を奏する。この場合には、ピンダイオード3をコン
デンサでDC的に浮かし、ショートスタブにDCリター
ンの役割をさせることとなり、このような回路構成とし
た場合には、信号ライン上のDCブロックコンデンサが
不要となって、なお−層、回路のロスを減少させること
ができる効果がある。In the above embodiment, the case where the capacitive stub 5 is realized by an oven stub is shown, but this capacitive stub is
A similar effect can be obtained even if the length is 4 or more and a short stub is used. In this case, the pin diode 3 is floated in a DC manner with a capacitor, and the short stub is used as a DC return. With this circuit configuration, there is no need for a DC block capacitor on the signal line. However, there is an effect that loss in layers and circuits can be reduced.
以上のようにこの発明の整合型ダイオード回路によれば
、マイクロストリップ線路に容量性回路を付加したので
、高周波における整合のずれを少なくでき、しかもピン
ダイオードの容量や金ワイヤのインダクタンス成分のバ
ラツキをおさえて整合をとることができる効果がある。As described above, according to the matched diode circuit of the present invention, since a capacitive circuit is added to the microstrip line, it is possible to reduce mismatching at high frequencies, and also to reduce variations in the capacitance of the pin diode and the inductance component of the gold wire. It has the effect of being able to control and achieve consistency.
第1図(a)及び(ト))はこの発明の一実施例による
整合型ダイオード回路の等価回路図及び実装例を示す図
、第1図(C)は上記実施例の整合状態を示すスミスチ
ャート図、第2図(a)及び山)は従来の整合型ダイオ
ード回路の等価回路図及び実装例を示す図、第2図(C
1は従来例の整合状態を示すスミスチャート図である。
図において、1はキャリア、2はマイクロストリップ線
路、3はピンダイオード、4は金ワイヤ、5は容量性ス
タブである。
なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。FIGS. 1(a) and (g)) are diagrams showing an equivalent circuit diagram and a mounting example of a matched diode circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1(C) is a Smith's circuit diagram showing a matching state of the above embodiment. Chart diagram, Figure 2 (a) and crest) are diagrams showing an equivalent circuit diagram and mounting example of a conventional matched diode circuit, Figure 2 (C
1 is a Smith chart diagram showing a matching state in a conventional example. In the figure, 1 is a carrier, 2 is a microstrip line, 3 is a pin diode, 4 is a gold wire, and 5 is a capacitive stub. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts.
Claims (1)
リップ線路に接続してなる整合型ダイオード回路におい
て、 上記マイクロストリップ線路に付加された、該線路材料
を用いて構成された容量性回路を備えたことを特徴とす
る整合型ダイオード回路。(1) A matching diode circuit comprising a pin diode connected to a microstrip line via a gold wire, including a capacitive circuit added to the microstrip line and constructed using the line material. A matched diode circuit featuring:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19319086A JPS6348902A (en) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | Matching type diode circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19319086A JPS6348902A (en) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | Matching type diode circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6348902A true JPS6348902A (en) | 1988-03-01 |
Family
ID=16303800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19319086A Pending JPS6348902A (en) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | Matching type diode circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6348902A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104679923A (en) * | 2013-11-27 | 2015-06-03 | 中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所 | Micro-strip board matching circuit of reflow soldering device based on low-pass filter theory and design method of circuit |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP19319086A patent/JPS6348902A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104679923A (en) * | 2013-11-27 | 2015-06-03 | 中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所 | Micro-strip board matching circuit of reflow soldering device based on low-pass filter theory and design method of circuit |
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