JPS6350001A - サ−ミスタの製造方法 - Google Patents
サ−ミスタの製造方法Info
- Publication number
- JPS6350001A JPS6350001A JP19264586A JP19264586A JPS6350001A JP S6350001 A JPS6350001 A JP S6350001A JP 19264586 A JP19264586 A JP 19264586A JP 19264586 A JP19264586 A JP 19264586A JP S6350001 A JPS6350001 A JP S6350001A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- sintered body
- thermistor sintered
- inert gas
- manufacturing
- Prior art date
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- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明はガラスにより封入されるサーミスタの製造方法
に関する。
に関する。
（従来の技術）
従来、負の温度係数を有するＮＴＣサーミスタ素子を製
造する場合１次の様に行なわれていた。
造する場合１次の様に行なわれていた。
即ち、ＮＴＣ素子の素材を成形、焼成して先ずサーミス
タ焼結体を作成する。次にこのサーミスタ焼結体の経時
変化等を低減するため１例えばガラス等の封止材料によ
り封止され完成されるものである。
タ焼結体を作成する。次にこのサーミスタ焼結体の経時
変化等を低減するため１例えばガラス等の封止材料によ
り封止され完成されるものである。
ここで、従来のガラス封入されるサーミスタは。
ガラス封入時のリード線の酸化を防止するために。
例えば窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン等の不活性ガ
ス雰囲気中で封止されている（特開昭６１−４６００１
号公報）。
ス雰囲気中で封止されている（特開昭６１−４６００１
号公報）。
しかしながら、上記の様な方法を採った場合。
サーミスタのＢ定数及び体積抵抗値を安定化させること
は困難であった。これは１本発明者らの推察に依れば、
サーミスタ焼結体の表面に酸素が吸着されていると、ガ
ラス封止の際にこれらの酸素が抜けきれず、そのため、
サーミスタ焼結体表面と、内部との酸素濃度の不均一が
生じ、その結果。
は困難であった。これは１本発明者らの推察に依れば、
サーミスタ焼結体の表面に酸素が吸着されていると、ガ
ラス封止の際にこれらの酸素が抜けきれず、そのため、
サーミスタ焼結体表面と、内部との酸素濃度の不均一が
生じ、その結果。
Ｂ定数や抵抗値に変動を与えると考えられる。
したがって、これらの問題点を解消する技術が求められ
ていた。
ていた。
（発明が解決しようとする問題点）
上記の様に従来のサーミスタの製造方法では。
サーミスタのＢ定数や抵抗値が変動が生じる。
そこで本発明は以上の問題点を解決するもので。
する。
（問題点を解決するための手段）
本発明のサーミスタの製造方法では、サーミスタ焼結体
を不活性ガス雰囲気中でエージングするエージング工程
と、このエージング工程の後、この不活性ガス雰囲気中
で、サーミスタ焼結体を封止する封止工程を備えてるこ
とにより構成される。
を不活性ガス雰囲気中でエージングするエージング工程
と、このエージング工程の後、この不活性ガス雰囲気中
で、サーミスタ焼結体を封止する封止工程を備えてるこ
とにより構成される。
（作用）
本発明のサーミスタの製造方法のエージング工程におい
て、サーミスタ焼結体の表面に吸着されていた酸素が除
かれる。
て、サーミスタ焼結体の表面に吸着されていた酸素が除
かれる。
したがって、高温中で行なう封止工程に際して生ずるサ
ーミスタ焼結体の酸化が大幅に低減されると共に、サー
ミスタ焼結体表面と、内部との酸素濃度の均一性が向上
するので、製造時のＢ定数及び抵抗値の変動が低減でき
る。
ーミスタ焼結体の酸化が大幅に低減されると共に、サー
ミスタ焼結体表面と、内部との酸素濃度の均一性が向上
するので、製造時のＢ定数及び抵抗値の変動が低減でき
る。
（実施例）
第１図は本発明の方法により得られたサーミスタの断面
図を示すものである。このサーミスタ１は２例えば、内
面に白金電極（図示せず）が形成された平板形または円
板形などのサーミスタ焼結体２が内装され、さらにこの
サーミスタ焼結体２は両側からリード線３によって保持
され、そのリード線３の一部を除く全体を例えばガラス
管４によって気密状に封止された構造となっている。
図を示すものである。このサーミスタ１は２例えば、内
面に白金電極（図示せず）が形成された平板形または円
板形などのサーミスタ焼結体２が内装され、さらにこの
サーミスタ焼結体２は両側からリード線３によって保持
され、そのリード線３の一部を除く全体を例えばガラス
管４によって気密状に封止された構造となっている。
以下２本発明のサーミスタの製造方法に係る実施例を詳
細に説明する。
細に説明する。
先づサーミスタ焼結体２ば１次の様な工程を経て得られ
る。
る。
例えば＋ Ｍｎ０２８０％ｗｔ 、 ＮｉＯ２０％ｗｔ
を硝酸塩分解法により配合し、９００℃の温度下で約２
時間仮焼結する。次に、この仮焼結で得られた材料を例
えばボールミル等で粉砕した後、プレス成形を行ない１
４００℃の温度下で再度焼結し、サーミスタ焼結体を得
る。
を硝酸塩分解法により配合し、９００℃の温度下で約２
時間仮焼結する。次に、この仮焼結で得られた材料を例
えばボールミル等で粉砕した後、プレス成形を行ない１
４００℃の温度下で再度焼結し、サーミスタ焼結体を得
る。
次に、前記の様な焼結工程で得られたサーミスタ焼結体
を、不活性ガス雰囲気９例えば窒素ガス中で、エージン
グを行なう。このエージングは。
を、不活性ガス雰囲気９例えば窒素ガス中で、エージン
グを行なう。このエージングは。
例えば１時間の間８００℃を保ち、その後１時間６５０
℃を保つ様な温度プロファイルを有する。
℃を保つ様な温度プロファイルを有する。
このようなエージング工程では、サーミスタ焼結体の表
面が吸着されていた酸素の濃度が大幅に低減され表面と
内部との酸素濃度の均一性が図れるので、特に周囲の酸
素濃度によって大きく電気特性が変化する非化学量論的
な結晶構造を有するＭｎ、 Ｃｏ、 Ｎｉ、 Ｃｕ等の
金属材料の特性の変動が防止されるものと推察される。
面が吸着されていた酸素の濃度が大幅に低減され表面と
内部との酸素濃度の均一性が図れるので、特に周囲の酸
素濃度によって大きく電気特性が変化する非化学量論的
な結晶構造を有するＭｎ、 Ｃｏ、 Ｎｉ、 Ｃｕ等の
金属材料の特性の変動が防止されるものと推察される。
下記の第１表に、３００℃、５００時間の高温放置試験
前後の抵抗値変化率Ｂ定数の変化率の比較衣を示す。
前後の抵抗値変化率Ｂ定数の変化率の比較衣を示す。
第１表
一−−−二二２−−−丁
次にエージング工程を経たサーミスタ焼結体は。
前述のエージング工程と同じ雰囲気中、換言すれば本実
施例では窒素ガス中でガラス封止される。
施例では窒素ガス中でガラス封止される。
このガラス封止は、サーミスタ焼結体２にリード線３を
接続した後１例えばガラス管４に挿入し。
接続した後１例えばガラス管４に挿入し。
約６５０℃で溶融させることにより成される。
以上説明した様に１本実施例によれば第１表に示す如く
、抵抗値及びＢ定数の変動が大幅に低減できる。
、抵抗値及びＢ定数の変動が大幅に低減できる。
またさらに本発明者らは、実験を重ねたところ。
不活性ガス雰囲気中でＮＴＣ素子の素材を焼成すれば、
さらに、抵抗値の変動が低減されることを確認した。即
ち、大気中で焼成したサーミスタは３００℃、５時間の
高温放置試験前後の抵抗値の変動は１２％であったのに
対し１例えば窒素中で焼成すればその変動は１％であり
、抵抗値の変動が飛躍的に改善される。
さらに、抵抗値の変動が低減されることを確認した。即
ち、大気中で焼成したサーミスタは３００℃、５時間の
高温放置試験前後の抵抗値の変動は１２％であったのに
対し１例えば窒素中で焼成すればその変動は１％であり
、抵抗値の変動が飛躍的に改善される。
以上の実施例においては、ＮＴＣ素子の素材として＋
Ｍｎ０ｚ、 ＮｉＯを選択しているが９本発明はこれに
限られるものではなく１例えば、Ｃｏｄ。
Ｍｎ０ｚ、 ＮｉＯを選択しているが９本発明はこれに
限られるものではなく１例えば、Ｃｏｄ。
Ｃｕ２Ｏ，Ｃｒ２Ｏ３，酸化鉄等１通常用いられている
材料を用いても良い。
材料を用いても良い。
また、不活性ガスとして、窒素ガスを用いているが１例
えばアルゴン、ヘリウム、ネオン等の不活性ガスを選択
しても良い。
えばアルゴン、ヘリウム、ネオン等の不活性ガスを選択
しても良い。
以上述べた様に本発明は、焼結工程の後に、エージング
工程を行なうので、サーミスタのＢ定数及び抵抗値の変
動が低減できる。
工程を行なうので、サーミスタのＢ定数及び抵抗値の変
動が低減できる。
図面は本発明により得られるサーミスタの一実施例を示
す断面図である。 １・・・・・・サーミスタ。 ２・・・・・・サーミスタ焼結体。 ３・・・・・・リード線。 ４・・・・・・ガラス管
す断面図である。 １・・・・・・サーミスタ。 ２・・・・・・サーミスタ焼結体。 ３・・・・・・リード線。 ４・・・・・・ガラス管
Claims (2)
- （１）ＮＴＣ素子の素材を成形、焼成することによりサ
ーミスタ焼結体を形成する焼結工程と、前記焼結工程の
後、不活性ガス雰囲気中で前記サーミスタ焼結体をエー
ジングするエージング工程と、 前記エージング工程の後、前記不活性ガス雰囲気中で、
前記サーミスタ焼結体を気密に封止する封止工程とを備
えたことを特徴とするサーミスタの製造方法。 - （２）サーミスタ焼結体は不活性ガス雰囲気中で焼成さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のサー
ミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19264586A JPS6350001A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | サ−ミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19264586A JPS6350001A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | サ−ミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350001A true JPS6350001A (ja) | 1988-03-02 |
Family
ID=16294694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19264586A Pending JPS6350001A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | サ−ミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6350001A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02121303A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-09 | Tdk Corp | Ｎｔｃサーミスタ素子の製造方法 |
-
1986
- 1986-08-20 JP JP19264586A patent/JPS6350001A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02121303A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-09 | Tdk Corp | Ｎｔｃサーミスタ素子の製造方法 |
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