JPS63500616A - コントラスト強化層 - Google Patents
コントラスト強化層Info
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- JPS63500616A JPS63500616A JP61503323A JP50332386A JPS63500616A JP S63500616 A JPS63500616 A JP S63500616A JP 61503323 A JP61503323 A JP 61503323A JP 50332386 A JP50332386 A JP 50332386A JP S63500616 A JPS63500616 A JP S63500616A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
コン1−ラスト強化層
技術の分野
本発明は写真用マスクのような物体像のコントラストをたかめるための組成物と
その方法に向けられている。本発明は特に集積回路及びその素子の半導体装置の
製造に効果的である。
技 術 の 背 景
この出願はアメリカ合衆国に1985年6月3日出願したN。
06/740,369の係属出願番号の一部継続出願である。
集積回路製造における写真術は光学的手段により行われ、その写真術は多くの方
法において微細電子技術の鍵である。写真術はどんな装置の製造工程においても
最終構造の各層ですくなくともだ−びたび繰返し行われる。リトグラフィプロセ
スの重要な必要性は各回路パターンがそれの下の層に関して正確に置かれること
である。
型板として役立つマスクを表面に保持すること及びウェファにつけたパターンに
マスクを目視的に一直線に合せることは一つの技術である。完全な位置合せが達
成された後にマスクはウェファに圧せられる。マスクは、そこでホトレジストを
露光するために紫外線の照射を受ける。ウェファとマスクとの間の空間は本質的
な接触を達するためにしばしば真空にされる。
マスク位置合せの方法の問題はパターンに欠陥のない非常に微細な回路特徴を印
刷する必要から生じる。もしもマスクが表面から非常に離れて置かれねばならな
いとすると紫外線照射の回折がマスクを通して通過するときに生じて、より小さ
い特徴の輪郭がぼけてしまう。他方、ウェファまたはマスクの上の小さな粒子は
マスクをウェファに対して圧迫するときにマスクを摩滅する。それ故に摩滅がそ
の我慢できない水準に蓄積するために欠陥を生じる前ごく僅かの露光のみにマス
クは使用できるのである。
最近、投影位置合せとして知られている技術を使用する傾向にあり、その技術に
おいてマスクの像は光学系を通してウェファに投影される。この場合、マスクの
寿命はほとんど無制限である。今や投影位置合せは半導体の光リトグラフイク製
造に使用される広く行きわたった方法である。しかしながら、投影位置合せリト
グラフイク基の像解度は波長及び数値開口に関する実際の束縛によって押し付【
プられる物理的限界に近づきつつある。
さらに進歩がリトグラフイク技術において予想されるが、固有なレンズにおける
像解度の劇的な改良はない。光学的技術にことに対して改良のためにリトグラフ
イク方法をある他の観点にかえる必要がある。ホトレジスト露光及び現像方法は
更に改良が可能である1つの領域である。
ホトレジストは基板の上に塗装され、像が露光され、露光されたレジスト材料を
選択的に除去するかまたは残すかの方法によって現像される。例えばネガホトレ
ジストは、紫外線または他の型の照射の露光で架橋及び重合することができる。
かくしてネガホトレジストの露光はマスクを通して行い、そのあとつづいて現像
工程によって非架橋材料を選択的溶剤により洗い落す、マスクが不透明になった
としてもホトレジストの除去が生じる。
ホトレジストの上に集積回路技術で用いられる像パターンを形成するには高いコ
ントラストが必要である。照明に必要とされる最小のコントラストはレジストの
[コントラストしきい値」として参照される。基板の性質、必要なパターンの厚
さ及びレジストの端断面に依存して通常なポジホトレジストは約85%及び90
%の間のコントラストしきい値を有している。最近、大抵の製造は90%のコン
トラストまたはそれ以上で行われている。もしもレジストのコントラストしきい
値が減少するならば与えられた光学系で得られる解像度は像のコントラストが像
に生じる空間振動数の減少関数であるという事実により改善される。
投影リトグラフィは一般的にホトレジストを露光するためにマスクのエリアルな
像(aerial image)を使用する。しかしコントラストが減少するに
つれてより明るい@域からより暗い領域の識別がますます困難になる。低いコン
トラストのエリアルな像のためマスクの暗領域に相当する像のこれらの部分でさ
えも可成りの強度を持っている。それ故、不十分なコントラストのマスクを使用
してホトレジストを露光することは無視できない程度に露光されるべき暗領域を
生じる。現像すると輪郭のぼやけた、貧弱な解像のホトレジストを得る。
同様な問題はマスク像の光学的投影においても生起する。投影された照射は像の
明/暗領域の端のまわりでの回折により散乱する傾向がある。像がレジストから
もっと遠くにあればあるほど、照射散乱のMがレジストの意図された暗領域下で
はさらに大きくなる。
コントラストを改良するためにコントラスト強化ffJ (contrast
enhancement 1ayer以下GELと略す)が下層のポジまたはネ
ガのホトレジスト層と連合して用いられる。
ヨーロッパ特許出願Nα110.165 (1983年10月29日出願)はグ
リフィック(Griffing)及びウェスト(すest )の名前でホト−ジ
ス1〜層と連合して使用されるコントラス1〜強化層を開示している。コントラ
スト強化層は樹脂性結合剤のなかの光により退色可能な化合物から成っている。
コントラスト強化層はホトレジスト層に塗装され、光の露光には第2のマスクを
形成している。光はマスクを通して進み、コントラスト強化層に含まれている光
により退色する染料に作用する。マスクのパターンに相当するコントラスト強化
層の領域は透明になる。
コントラスト強化層の下にあるホトレジスト層をしてマスクのパターンにより光
の露光を選択的に与えることになる。
光により退色する染料を透明にするのに酸量の光が必要となるのでホトレジスト
層は光により退色可能な染料が透明になつた後においてのみ露光される。マスク
の暗領域は光の透過を少なくするのでコン1へラスト強化層の光による退色可能
な染料を脱色するよりながくかかる。したがってコントラスト強化層の退色区域
を通して暗区域におけるホトレジスト層を露光するのに光が少くなる。それ故に
コントラス1−強化層は効果的にコントラストを増大し、正味の結果はホトレジ
ストのみに使用するときの解像度は改良される。コントラスト強化層とホトレジ
ストが露光された後にコントラスト強化層は有機溶剤をもって露光されたホトレ
ジスト層から露光されたホトレジストの現像の前に除去される。
グリフィックとウェスト両氏のコントラスト強化層はコントラストと解像度とを
増加する効果があるが、その層の使用はホトリトグラフィにおいて幾つかの特別
な工程すなわち効率及び収率を減少させ、処理時間を増加させることを必要とし
ている。
本 発 明 の 開 示
本発明の目的はホトレジストの現像の前にコントラスト強化層を除去する必要な
く標準的な水溶性のホ1〜レジスl〜現像工程が使用できるコン1−ラスト−強
化層(CEL)を提供することである。
本発明の他の目的は塗装されるホトレジストと内部混合することのないGELを
提供することである。
本発明の他の目的は280−450nmの波長で露光されるときに280−45
0nmで吸光度が大きく減少することを示すCE[を提供することである。
本発明の他の目的はさらにコントラストを高め、及び/または必要な露光時間を
より短くできる改良されたCELを提供することである。
本発明はすくなくとも1つの光−感光性化合物、それは化学線照射の露光により
酸性の光−生成物を形成する光−感光性化合物と、すくなくとも1つの酸の存在
で色を変化する指示薬染料とすくなくとも水または弱アルカリ性水溶液のいずれ
かに可溶である重合体の結合剤を含有するコントラスト強化組成物に向けられて
いる。
本発明の他の観点はホトレジスト層、上記組成物を含んだコントラスト強化層及
び基板からなる写真エレメントに関するものである。
本発明の他の観点は光学線照射にこのエレメントを描画的に露光することにより
写真エレメントに像を形成する方法に向けられている。その方法は化学線照射の
線源とホトレジスト材料との間に上記組成物を挿入するところのコントラスト強
化層を設ける工程及びコントラスト強化層を光により退色するのに十分な化学線
照射によってホトレジスト材料を露光し、下層ホトレジストを露光する工程から
成っている。
発明を実施するための最良の形態
本発明のコントラスト強化層(CEL)は次の特徴を有する化合物を含んでいる
。
化学線照射を露光するときに酸性の光生成物を生じる光感光性化合物と酸の存在
により色を変化する指示薬染料と水または弱アルカリ性水溶液のいずれかに溶け
るI) )−17またはそれ以上で溶けるすくなくとも1つの重合体の結合剤を
含んでいる。
CELに使用される光−感光性化合物は約280−450nmの波長の照射に感
光性でなければならない。照射露光時に生成する酸性の光−生成物の望ましい濃
度はpl−4の変化に対する指示薬染料の感度の関数である一般的には指示薬染
料が速かに色変化するようにでるかぎり、光感光性化合物は層のpHの減少を大
きくするのが望ましい。
酸性の光生成物を形成し、本発明に効果的である光−光感元化合物の例はナフト
キノン−1,2(ジアジド−2)−5−ズルホン酸ナトリウムおよびナフトキノ
ン−1,2(ジアジド−2)−4−ズルホン酸ナトリウムであり、これらは特に
好ましいものである。他の使用できる化合物は次のもののBFa−またはPFa
−の塩である。即ち
4−ジアゾ−N−エチル−N−ヒドロキシエチルアニリン;4−ジアゾ−N−メ
チル−N−ヒドロキシエチルアニリン;4−ジアゾ−2−クロロ−N−N’−ジ
エチルアニリン;4−ジアゾ−2−メチル−1−ピロリジンベンゼン:4−ジア
ゾ−2,5−ジブトキシ−N−ベンゾイルアニリン;4−ジアゾ−1−モルホリ
ンベンゼン:4−ジアゾ−N−エチル−2−トルイジン:4−ジアゾジエチルア
ニリン;
4−ジアゾジメチルアニリン:
4−ジアゾジフェニルアミン 硫酸塩:及び4−ジアゾ−2,5−ジェトキシフ
ェニルモルボリンである。
本発明の特に好ましい光−感光性の酸生成化合物は例えばナフトキノン−1,2
(ジアジド〜2)−5−ズルホン酸す1〜リウム及びナフトキノン−1,2(ジ
アジド−2’) −4−ズルボン酸す]〜リウムを含む水溶性芳香族ジアゾオキ
サイドである。
これらの化合物により製造されるCEL組成物は、光感光性CEL剤としてジア
ゾニウム塩を使用する保存有効期間よりも優れた保存有効期間を持っている。
これらの材料はフェアセン1〜社より(Fairmount Chemical
Co、、 Inc、、 Newark、 New Jersey) @ること
かできる。
露光の間、ナフトキンジアジドズルホン酸塩または上に記載された他の化合物は
相当するインデンカルボン酸に変化する。
使用される指示薬染料はCELが露光されるまでずつと280及び450nmの
間の波長で高度に吸収されるのがよい。しかし、光感光性化合物の酸性の光分解
生成物の存在において指示薬染料はCEL及び下層のホ1〜レジストの露光に使
用される化学線照射の波長ですくなくとも透明になるように、実質的に吸光度を
示さないように色を変化する。本発明の特別な応用として指示薬染料の吸光度は
280−450nmの波長筒器以内で消失すべきである。しかしながら、染料の
吸光度が本発明に損害を与えないより大きな波長の範囲でも消失されることも理
解すべきである。さらに化学線照射が光感光性化合物を露光するのに使用され、
280−450nmより狭い範囲の波長であるならば、必要とする染料の吸光度
はその狭い波長範囲でのみ消失する。
本発明のCEL組成物の有利な点は露光の間色彩のある層の光により退色の速度
が増大することである。このことはコントラスト強化層の効果を増大する。
2つの明らかな、連続の色破壊反応は本組成物がコントラスト強化層に使用され
るときに生起すると考えられる。第1は、ナフトキノンジアジドの光による転換
はwo+rr転位反応によりケテン中間体になると思われる。例えばの反応であ
る。この反応はナフトキノンジアジドに帰せられるそのような吸光度である程度
に対して280−450nmの波長範囲内で吸光度の消失を生じると考えられる
。
第2はケテンと水との反応が行われ、インデンカルボン酸が次のように生成する
と考えられる。
その酸はこの波長で透明になり約280−450nmの範囲内で高度に吸収され
る指示薬染料を生じるであろう。
ナフトキノンジアジドの分解及び指示薬染料の色の変化との間に時間の遅れが存
在する。かくして開始時の光露光ではただナフトキノンジアジドからの色のみが
消失するであろう。しかし、ひきつづいての露光でさらに色の退色がナフトキノ
ンジアジドの光−反応と酸性光−生成物の存在に帰せられる指示薬染料との組み
合せ効果から生じるであろう。かくして、色の消失の速度は露光が続く限り増大
する。
色消失速度は、なお他の理由で連続露光につれてすみやかに増大する。露光の開
始でナフトキノンジアジドの光退色の速度はナフトキノンジアジドを退色するの
に他方利用できる入射光の成る部分を吸収する指示薬染料によっておそくなる。
露光の後期で指示薬染料の色は酸性生成物の形成に応じて消失し始める。結果と
して多聞の光はナフトキノンジアジドの退色に利用される。このことはまた金色
の消失をより速い速度で進行させることになる。
上記条件の下で露光領域は増大しコントラストはさらに高められる。
有効な指示薬染料の例は2,4−ジニトロフェノール、3−二1〜口すルシルア
ルデヒド、メタニリンイエロ、メチルオレンド、エチルオレンジ、プロピルレッ
ド、エチルレッド、メチルレッド、0−ニトロフェノール、m−ニトロフェノー
ル、ナトリウム−p−ニトロフェノオキサイド、及びピリジン−2−アゾ−ジメ
チルアニリンである。水に溶ける指示薬染料の型が好ましい。これらの染料は単
独または組み合せて使用できる。本発明に有効な染料はl1l−(が弱酸性で、
すなわち6.0から5゜0の間のpHで無色になる。温和な酸性pHで強く吸収
が停止して無色になる染料を使用するのが有利である。普通、ナトリウム−p−
ニトロフェノオキサイドはとくに405−436部mの領域の波長に強く吸収す
るが酸性媒体のなかではこれらの波長でその吸光度が消失するので好ましい。ナ
トリウム−p−二1〜ロフェノオキザイドはpH6,0またはそれ以下では強く
吸収しないが6.0の機能的なpHを持っている。
指示薬及び光により退色可能な化合物たとえばナフトキノンージアジドズルホン
酸は280−450部mでの照射に対して透明な重合体マトリックスに結合する
。重合体は水または、水と水に混合し得る有機溶剤どの混合物に溶けるのが良い
。また弱アルカリにも溶けるのが良い。さらに特別に重合体はホトレジスト材料
を現像する使用される現像液に溶けるのが良い。好ましい重合体の例はポリ(ビ
ニル アルコール)、ポリ(ごニル−ピロリドン)及びビニル−ピロリドン/酢
酸ビニル共重合体である。ポリ(ビニル ピロリドン)はゲルにならないのでマ
トリックス材料としては特に好ましい。かくして保存有効期間の長いCELを得
る。
重合体、指示染料及び光感光性の酸−生成化合物は水または水と水に混合する有
機溶剤とのU合物のような溶剤に溶(プる。
例えば有効な水に混合し得る有機溶剤はメタノール、エタノール、イソプロパツ
ール、2−メトオキシエタノール、ジメチルホルムアミド及びプロピレングリコ
ールメチルエーテルである。
溶剤混合物はレジスト層に作用しない方が良い。ピンホールの生成または界面層
の生成は内部混合の汀線である。それ故、塗装されたレジストはピンホールが無
いことを確認するため検査されるべきである。
光感光性の酸−生成化合物の間はCEL組成物において重合体の量を基にして約
5−90重量%の範囲を使用するのが好ましい。さらに好ましいのは約20−9
0重固気である。使用される指示薬染料の1はすべての指示薬染料が色を変化す
るように酸−生成化合物の光退色により生成する酸により調節されるのが良い。
指示薬/光感光性化合物の比は1:1よりもわずかに小さい方がよい。指示薬は
光感光性化合物の量を基にして約20−80重量%の範囲に在るのが好ましく、
さらに好ましいのは約20−60重量%の範囲である。
固体の成分、光感光性化合物、指示薬染料及び重合体は溶剤の重量100部を基
にして約3−30重笛部に溶解する。最終のCELの固体溶液の百分率は望む塗
装厚さ及び使用されるスピン速度に依存するであろう。
1つまたはそれ以上の非イオン性表面活性剤たとえばFC−4,31゜Zony
l FSN 、または5urfynol 485 (それらは3M、 St、P
aul 、 HN;[、r、 oupont De Nem0urS &Co、
、 Wilmington、 DE:及びAir−Products Co、、
Allentown 、 Pa、、から得られた)が溶液の表面の性質を改良
するために約0.01−1.0Lfi1%がCELに加えられる。
本発明のCELの保存有効期間は室温に貯蔵すると約1年1ス上長くなる。
調製されたCELは通常のホトレジストを塗装したシリコンウェファの表面にス
ピンコーティングされる。溶剤は約60−90℃の対流炉のなかで約5−15分
間の蒸発によってCELから除去される。マスクを通して280−450部mで
、(単色光投影ではG−ラインー−436部m、)−(−ラインー−405r+
+n。
■−ラインーー367nm)で投影により光を露光するとぎにはCELはマスク
の光領域に相当するパターンが選択的に相対的になる。レジスト層が十分に長い
時間のあいだ露光されると光をマスクした領域のみがCELを透明にする露光時
間は線源に依存するが、しかし一般的に非塗装レジストに必要とされる約2倍で
ある、マスクの暗領域は相当するCEL領域を暗に留める。CELとホトレジス
トを有するウェファは更に詳しく後はど説明するが、標準現像法により現像され
る。現像のあいだCELは完全にホトレジスト層から除去され、高い解像度のホ
トレジスト画像を得る。ネガレジストの画像は同じ方法でもし適切なネガホトレ
ジストを使用により、公知の技術のように得ることができる。
指示薬染料の成分を含まないGEL組成物は本発明の目的にまた好都合である。
染料成分が挿入されているところのC,ELは中−紫外線(Hid−UV)範囲
で化学線光の露光で下図をつくるときには好ましく消去される。換言すれば30
0−340r+mの中−紫外線波長において吸収しない染料を見いだすことは困
難である。そのような染料の不在においてCEL組成物から構成される染料を消
去することが最善である。中−紫外線領域で吸収する染料の使用はコントラスト
強化を減少することができる。
染料−指示薬成分が組成物のなかに含まれない時にはナフトキン1,2(ジアジ
ド−2)−4ズルホン酸ナトリウム及びナフトキノン1,2(ジアジド−2)−
5ズルホン酸ナトリウムの混合物の光感光性化合物を使用するのが好都合である
。染料指示薬なしのCELを有する光生成物の露光は280−360nrQのL
IV領域で最大になる。光−感光性の酸−生成化合物の聞は使用される重合体の
1を基にして20−90重俵%の範囲にあるのが良い、コントラス1−強化層の
この実施例における固体の足は溶剤の重量で100部を基にして約5−30重積
部が好ましい。
本発明の詳細な説明するがその範囲を何ら限定するものではない。多くの変形、
付加または省略は本発明の範囲内で行うことができ、本発明はそのような変形の
すべてを含むものである。
実施例エ
ポリビニルピロリドン(NP−K 30 GAF Corp)の2.4重量部、
犬フトキノン−1,2−(ジアジド−2)−5−ズルホン酸ナトリウム、(Fa
irmount Chem、 Co、、)の2.0重量部、ナトリウム−p−ニ
トロフェノオキサイドの0.4重量部、Zonyl FSN (Du Pont
) 0.2重6部の混合物を61.2重M部の蒸留水と33.8重量部のプロ
ピレングリコール メチルエーテル(Dow chemical Co、、Mi
dland旧)の混合物に溶解してCEL溶液を得る。
その溶液は0.2ミクロン膜のフィルタ(Hi l I 1poreから得られ
る)を通して濃過された。ECL溶液はあらかじめ酸化されたシリコーンウェフ
ァの上に塗装されたFairmountから得られる通常のポジレジスト119
の表面上にスピン法により塗装された。溶剤は塗装のあと90℃で10分間ウェ
ファを焼付【プづることによりCELから除去された。ウェファは22℃で30
秒間、メタ珪酸ナトリウムの3.5%水溶液の浴のなかに浸漬し、そのあと水で
洗い乾燥した。アルカリ溶液中の現像によりCEL層は完全に除去され、例えば
ピンホールや界面層の内部混合の証慝はポジレジスト層について観察されなかっ
た。
実施例■
実施例■のCEL溶液はポリエステルフィルム(ICI 、 Wilmingt
on 、 DelaWareからの)0.3ゲージのHe1inex 516の
シートの上に塗装された。フィルムの1部分は200ワツトの高圧水銀灯を用い
て5秒間露光した。未露光塗膜対露光塗膜の吸光度は405 nmと436nm
で測定された。非露光吸光度/露光吸光度の比は各波長について決定された。4
36nmでその比は13.5,405nmでその比は29.5であった。これら
の値はCELが光の露光により405及び436nm両方で吸光度消失に関して
吸光度変化を受けることを示している。
実施例■
実施例工のCEL溶液は通常のポジレジスト(ポジレジスト119)の表面上に
3000 rpIOで30秒間塗装された。第2のポジレジスト−塗装ウェファ
が比較量として塗装されないでそのままにして残した。
CEI−を塗装した°ウェファ及び比較量は90℃で10分間炉のなかに置いた
。2つのウェファは200ワット高圧Hgランプ及び21一工程感度ガイドを用
いて2及び3秒の間露光した。
現像条件はメタ珪酸ナトリウム3.5%水溶液のなかで30秒間であり、その復
水で洗浄した。結果は第1表に集約した。21一工程感度ガイドの工程は増加す
るa度の増分を徐々にゼロからプラス4まで変化させる。
達成された第1のオーブンステップは、この濃度で完全な光の露光が起ったこと
を示している。第1のソリッドステップはこの濃度は光に対して不透明であった
ことを示している。この基礎において比較量の露光は約2倍でコン1〜ラスト強
化試料が同じ露光で再現される(すなわちオーブンステップ3である)。
ステップ4を露光するのに充分であるものより低い強度での露光において光はC
ELにより吸収された。このことはコントラストがたかめられた証撞である。
表 1
2秒 4秒
比 較 品 オーブン3、 オーブン4−5、ソリッド7 ソリッド9
コントラスト強化試料 行わない オーブン3−4、ソリッド5
実施例■
4インチ直径の酸化されたシリコンウェファをSVG 8032(CTDスピン
ナ(シリコン バレー グループからの)上に置いた。
ヘキサメチルジシラザンの約2−3rdをウェファの中央に置いた。ウェファは
最初500 ppmで20秒間回転させ、つづいて5000 rpmで30秒間
スピン法により回転させた。ヘキサメチルジシラザンは酸化されたシリコンウェ
ファと後はど塗装されるポジティブな光レジストとの間の接着を促進するために
使用された。5electtlux P−ZLI−2692(Ft録商標)がそ
のあとへキサメチルジシラザン層の表面にスピン速度5000 rpmで30秒
塗装された。100℃で1分間真空熱板上でソフト焼成した後、塗膜の厚さは1
.2ミクロンであった。塗装されたウェファはクロムマスクを通してパーキンエ
ルマ(Norwalk、Conn、)から名称として登録商標Hicralig
n 300HTとして入手できる投影走査系で描画した。開口1が用いられ、5
ミクロンラインアンドスペースから1.5ミクロンラインアンドスペースまでの
等しいラインアンドスペースを有している。走査の設定は520であった。露光
の後レジストはテトラメチレンアンモニウムハイドロオキサイドの2.1%水溶
液のなかで22℃、60秒現像した。画像の走査形電子顕微鏡試験は2.25ミ
クロン像が頂上で丸くなり、側壁角度は約60°であることを示した。
実施例V
実施例■の実験はCEL−1と名付けられるコントラスト強化層がスピン速度3
000rp+nでホトレジスト塗膜の表面に塗装されたこと以外は同様に繰返さ
れた。塗膜は真空熱板の上で1分間100℃でソフト焼成した。登録商標Hic
ralignの上で走査設定が440であったことを除きすでに記載したように
して露光した後、塗膜は実施例■により現像した。
コントラスト強化層の塗装の間ホトレジスト及びコントラスト強化層との間に内
部混合は行われなかった。コントラスト強化層は非常に均一な塗膜であると思わ
れる。
CEI−は亦現像液により容易に除去された。像の走査形電子顕微鏡評価はコン
トラスト強化層が解像度を改良することを示している。コントラスト強化でつく
った2、0ミクロン像は頂上表面から平らで側壁角度が約70−75°であった
。コントラスト強化層による解像度は2.0から2.25ミクロン笥回転あるが
、すくなくとも0.25ミクロンだけ改良されている。
実施例■
ポリビニルピロリドン(NP−に−30GAF Corp、)の7.0重分部と
ナフトキノン−1,2−(ジアジド−2−)−5−ズルホン酸す1〜リウムの3
.0重量部、ナフトキノン−1,2−(ジアジド−2−)−4−ズルホン酸ナト
リウムの3.0型組部、Zonyl FSHの0.188重(4)部の混合物を
蒸留水の90.6重量部とプロピレングリコールメチルエーテルの3.0重が部
との混合物に溶解してCEL溶液を(ワだ。
酸化されたシリコンウェファにあらかじめヘキサメチレンジシラザンを塗装し、
スピン速度5000 rpmで30秒間Fa i rm。
unt Chemical Co’、、Inc″!AのポジレジストF305を
塗装した。
100℃で1分間、真空熱板の上でソフト焼成した後に、塗膜の厚さは1.0ミ
クロンであった。塗装ウェファは280−3500111でクロムマスクを通し
てパーキンエルマーの登録商標Hicralign 500投影走査形で描画し
た。開口1を用い、露光1ネルギは200 mj/ ciであった。露光後、レ
ジストは0,25NのNaOHのなかで120秒間現像した。像は走査形電子顕
微鏡を用いて試験した。即ち1.0ミクロンのラインアンドスペースは凹凸のあ
る大きさだった。0.75ミクロンのラインアンドスペースは解像できなかった
。
実施例■の実験はこの実施例のコントラスト強化層が3000rpl′Dのスピ
ン速度でホトレジスト塗膜の表面に塗装された以外は同様繰返された。5rcr
a+ian 500による露光は600+nj/ciであった。塗膜は実施例■
により現像した。CELは現像液に全く除去された。像の走査形電子顕微鏡評価
は1ミクロンのラインアンドスペースと等しい大きさであった。0.75ミクロ
ンのラインアンドスペースは解像された。CELによる解像度はすくなくとも0
.25ミクロンだけ改良された。
国際調査報告
八−・−ケ″〔門聴、待”°・・・“・” ” KT/l;S86/。1□。。
Imm+alk−^”−”” ”’ t)r’F /n< Rg /n+ ’)
A nTe1ephone Approval :Reasons for
Ho1d’ Lack of Uni of Invention:Time
Lim1t for Filo a Protest
Claims (43)
- 1.下層のホトグラフ層のコントラストを強化するのに使用する組成物は、化学 的照射の露光により酸性の光生成物を形成する能力のあるすくなくとも1つの水 溶性光感光性化合物と、前記化学的照射の波長に対して透明になり、PH6また はそれ以下での酸性条件での露光の際色を変化するすくなくとも1つの水溶性指 示薬染料と、水及び弱アルカリ性水溶液からなる群の1員であるすくなくとも1 つの可溶性の重合体の結合剤とからなり、前記指示薬染料が前記光感光性化合物 の重量を基にして20から80重量%の範囲で存在することを特徴とするコント ラスト強化組成物。
- 2.前記光感光性化合物は置換芳香族ジアゾオキサイドであることを特徴とする 請求の範囲第1項記載による組成物。
- 3.前記光感光性化合物の280−450nmでの吸光度が実質的に光の露光に より消失し、前記指示薬の吸光度がpH6またはそれ以下での酸性条件で露光す ることにより消失することを特徴とする請求の範囲第1項記載による組成物。
- 4.前記光感光性化合物がナフトキノン−1,2−(ジアジド−2−)−5−ズ ルホン酸ナトリウム、ナフトキノン−1,2−(ジアジド−2−)−4−スルホ ン酸ナトリウムからなる群より選ばれた1員であることを特徴とする請求の範囲 第3項記載による組成物。
- 5.前記指示薬染料が2,4−ジニトロフエノール、3−ニトロサルシルアルデ ヒド、メタニリンイエロー、メチルオレンジ、エチルオレンジ、プロピルレッド 、エチルレッド、メチルレッド、o−ニトロフエノール、m−ニトロフエノール 、ナトリウム−p−ニトロフエノオキサイド及びビリジン−2−アゾジメチルア ニリンからなる群より選ばれたものであることを特徴とする請求の範囲第3項記 載による組成物。
- 6.前記重合体の結合剤がポリ(ビニルアルコール),ポリ(ビニルピロリドン )及びビニルピロリドン/酢酸ビニル共重合体からなる群から選ばれたものであ ることを特徴とする請求の範囲第3項記載による組成物。
- 7.前記指示薬染料がナトリウム−p−ニトロフエノオキサイドであることを特 徴とする請求の範囲第4項記載による組成物。
- 8.前記重合体の結合剤がポリ(ビニルピロリドン)であることを特徴とする請 求の範囲第7項記載の組成物。
- 9.さらに水,水に混合する有機溶剤及びその混合物からなる群より選ばれた溶 剤からなることを特徴とする請求の範囲第8項記載による組成物。
- 10.前記光−感光性化合物はナフトキンジアジドスルホン酸塩からなる群より 選ばれたものであることを特徴とする請求の範囲第8項記載による組成物。
- 11.1つの基板に塗装されたホトレジスト層と、前記ホトレジスト層に塗装さ れたコントラスト強化層とからなり、前記コントラスト強化層は化学線照射の露 光により酸性光生成物を形成する能力のあるすくなくとも1つの水に可溶性の光 感光性化合物と前活性照射の波長に対して透明になりpH6.0又はそれ以下で 色を変化するすくなくとも1つの水溶性指示薬染料及び水及び弱アルカリ性水溶 液からなる群の一員であるすくなくとも1つの重合体の結合剤とを含有すること を特徴とする写真エレメント。
- 12.前記結合剤が前記ホトレジスト層の現像に使用する現像液に溶けることを 特徴とする特許請求の範囲第11項記載によるエレメント。
- 13.前記光−感光性化合物の280−450nmでの吸光度が光の露光により 実質的に消失し、前記指示薬の吸光度がPH6.0又はそれ以下の酸性条件での 露光により実質的に消失することを特徴とする特許請求の範囲第11項記載によ るエレメント。
- 14.前記光−感光性化合物が ナフトキノン−1,2−(ジアジド−2−)一5−ズルホン酸ナトリウム、 ナフトキノン−1,2−(ジアジド−2−)−4−ズルホン酸ナトリウム 4−ジアゾ−N−エチル−N−ハイドロキシエチルアニリン;4−ジアゾ−N− メチル−N−ハイドロキシエチルアニリン;4−ジアゾ−2−クロロ−N−N′ −ジエチルアニリン;4−ジアゾ−2−メチル−1−ビロリジンベンゼン;4− ジアゾ−2,5−ジブトキシ−N−ベンゾイルアニリン;4−ジアゾ−1−モル ホリンベンゼン;4−ジアゾ−N−エチル−2−トルイジン;4−ジアゾジエチ ルアニリン; 4−ジアゾジメチルアニリン; 4−ジアゾジフエニルアミン硫酸塩;及び4−ジアゾ−2,5−ジエトキシフエ ニルモルホリンからなる群より選ばれるものであることを特徴とする特許請求の 範囲第13項記載によるエレメント。
- 15.前記指示薬染料が2,4−ジニトロフエノール、3−ニトロサリシルアル デヒド、メタニリンイエロ、メチルオレンジ、エチルオレンジ、プロピルレッド 、エチルレッド、メチルレッド、o−ニトロフエノール、p−ニトロフエノール 、ナトリウム−P−ニトロフエノオキサイド及びピリジン−2−アゾジメチルア ニリンからなる群より選ばれたものであることを特徴とする特許請求の範囲第1 3項記載によるエレメント。
- 16.前記重合体の結合剤がポリ(ビニルアルコール),ポリ(ビニルピロリド ン)及びビニルピロリドン/酢酸ビニル共重合体からなる群から選ばれたもので あることを特徴とする請求の範囲第13項記載によるエレメント。
- 17.前記指示薬染料が2.4−ジニトロフエノール、3−ニトロサリシルアル デヒド、メタニリンイエロ、メチルオレンジ、エチルオレンジ、プロピルレッド 、エチルレッド、メチルレッド、o−ニトロフエノール、m−ニトロフエノール 、ナトリウム−p−ニトロフエノオキサイド及びビリジン−2−アゾジメチルア ニリンからなる群より選ばれたものであることを特徴とする特許請求の範囲第1 4項記載によるエレメント。
- 18.前記重合体の結合剤がポリ(ビニルアルコール),ポリ(ビニルピロリド ン)及びビニルピロリドン/酢酸ビニル共重合体からなる群から選ばれるもので あることを特徴とする請求の範囲第17項記載によるエレメント。
- 19.光学線照射の線源に写真エレメントを描画的に露光することにより写真エ レメントに画像を形成する方法は1つの基板に塗装されたホトレジストを含む写 真エレメントを設ける工程と; 化学線照射の露光により酸柱光生成物を形成する能力のあるすくなくとも1つの 光−感光性化合物と水または弱アルカリ性水溶液に可溶なすくなくとも1つの重 合体の結合剤を含有するコントラスト強化層を前記ホトレジスト層に塗装する工 程と;前記ホトレジスト層の露光及び前記コントラスト強化層の光−脱色を生じ させるのに充分な化学線照射をその上に塗装した前記コントラスト強化層を有す る前記写真エレメントを露光する工程と;及び 前記写真エレメントを水溶性ホトレジスト現像液のなかで現像する工程とからな り、その際に前記コントラスト強化層が前記現像液により前記ホトレジスト層か ら除去されることを特徴とする写真エレメントに画像形成方法。
- 20.前記重合体の結合剤が前記ホトレジスト層の現像に使用する現像溶液に溶 解することを特徴とする請求の範囲第19項記載による方法。
- 21.前記光−感光性化合物の280−450nmでの吸光度が光の露光により 消失し、前記指示薬の吸光度が実質的に酸性条件で露光により消失することを特 徴とする特許請求の範囲第19項記載による方法。
- 22.前記光−感光性化合物が ナフトキノン−1.2−(ジアジド−2−)−5−ズルホン酸ナトリウム、 ナフトキノン−1,2−(ジアジド−2−)−4−ズルホン酸ナトリウム 4−ジアゾ−N−エチル−N−ハイドロキシエチルアニリン;4−ジアゾ−N− メチル−N−ハイドロキシエチルアニリン;4−ジアゾ−2−クロロ−N−N′ −ジエチルアニリン;4−ジアゾ−2−メチル−1−ビロリジンベンゼン;4− ジアゾ−2,5−ジブトキシ−N−ベンゾイルアニリン;4−ジアゾ−1−モル ホリンベンゼン;4−ジアゾ−N−エチル−2−トルイジン;4−ジアゾジエチ ルアニリン; 4−ジアゾジメチルアニリン; 4−ジアゾジフエニルアミン硫酸塩;及び4−ジアゾ−2,5−ジエトキシフエ ニルモルホリンからなる群より選ばれるものであることを特徴とする特許請求の 範囲第21項記載による方法。
- 23.前記指示薬染料が2,4−ジニトロフエノール、3−ニトロサリシルアル デヒド、メタニリンイエロ、メチルオレンジ、エチルオレンジ、プロピルレッド 、エチルレッド、メチルレッド、o−ニトロフエノール、m−ニトロフエノール 、ナトリウム−p−ニトロフエノオキサイド及びピリジン−2−アゾジメチルア ニリンからなる群より選ばれたものであることを特徴とする特許請求の範囲第2 1項記載による方法。
- 24.前記重合体の結合剤はポリ(ビニルアルコール),ポリ(ビニルピロリド ン)及びビニルピロリドン/酢酸ビニル共重合体からなる群から選ばれたもので あることを特徴とする請求の範囲第21項記載によるエレメント。
- 25.前記指示薬染料が2,4−ジニトロフエノール、3−ニトロサリシルアル デヒド、メタアニリンイエロ、メチルオレンジ、エチルオレンジ、プロピルレッ ド、エチルレッド、メチルレッド、o−ニトロフエノール、m−ニトロフエノー ル、ナトリウム−p−ニトロフエノオキサイド及びピリジン−2−アゾジメチル アニリンからなる群より選ばれたものであることを特徴とする特許請求の範囲第 22項記載による方法。
- 26.前記重合体の結合剤がポリ(ビニルアルニール),ポリ(ビニルピロリド ン)及びビニルピロリドン/酢酸ビニル共重合体からなる群から選ばれたもので あることを特徴とする請求の範囲第25項記載による方法。
- 27.前記化学線照射が約280nmと約450nmとの間の範囲にあることを 特徴とする特許請求の範囲第26項記載による方法。
- 28.前記露光を非塗装ホトレジスト材料の露光時間の約2倍続けることを特徴 とする特許請求の範囲第27項記載による方法。
- 29.化学線照射の露光により酸性光生成物を生成する能力のあるすくなくとも 1つの水溶性光−感光性化合物と;水および弱アルカリ性水溶液からなる群より の1つに溶けるすくなくとも1つの重合体の結合剤とから実質的になることを特 徴とするコントラスト強化組成物。
- 30.前記重合体の結合剤がホトレジスト材料の現像に用いられる現像溶液に溶 けることを特徴とする特許請求の範囲第29項記載による組成物。
- 31.前記光−感光性化合物の280−360nmの吸光度が実質的に光の露光 により消失しすることを特徴とする特許請求の範囲第29項記載による組成物。
- 32.前記光−感光性化合物が ナフトキノン−1,2−(ジアジド−2−)−5−スルホン酸ナトリウム、 ナフトキノン−1,2−(ジアジド−2−)−4−ズルホン酸ナトリウム 4−ジアゾ−N−エチル−N−ハイドロキシエチルアニリン:4−ジアゾ−N− メチル−N−ハイドロキシエチルアニリン;4−ジアゾ−2−クロロ−N−N′ −ジエチルアニリン;4−ジアゾ−2−メチル−1−ビロリジンベンゼン;4− ジアゾ−2,5−ジブトキシ−N−ベンゾイルアニリン;4−ジアゾ−1−モル ホリンベンゼン;4−ジアゾ−N−エチル−2−トルイジン;4−ジアゾジエチ ルアユリン; 4−ジアゾジメチルアニリン; 4−ジアゾジフエニルアミン硫酸塩;及び4−ジアゾ−2,5−ジエトキシフエ ニルモルホリン及びその混合物からなる群より選ばれるものであることを特徴と する特許請求の範囲第31項記載による組成物。
- 33.前記重合体の結合剤はポリ(ビニルアルコール),ポリ(ビニルピロリド ン)及びビニルピロリドン/酢酸ビニル共重合体からなる群から選ばれたもので あることを特徴とする請求の範囲第31項記載による組成物。
- 34.さらに水,水に可溶な有機溶剤及びその混合物からなる群より選ばれた溶 剤からなることを特徴とする請求の範囲第33項記載による組成物。
- 35.前記光−感光性化合物がナフトキンジアジドスルホン酸塩からなる群より 選ばれたものであることを特徴とする請求の範囲第34項記載による組成物。
- 36.基板上に塗装された1つのホトレジスト層と;前記ホトレジスト層に塗装 されたコントラスト強化層と、前記コントラスト強化層はすくなくとも化学線照 射の露光により酸性光生成物を形成する能力のある1つの光−感光性化合物及び すくなくとも水及び弱アルカリ性水溶液からなる群の1つに可溶な重合体の結合 剤を含むことからなることを特徴とする写真エレメント。
- 37.前記結合剤が前記ホトレジスト層の現像に使用される現像液に溶けること を特徴とする特許請求の範囲第36項記載によるエレメント。
- 38.前記光−感光性化合物の280−360nmの吸光度が実質的に光の露光 により消失することを特徴とする特許請求の範囲第36項記載によるエレメント 。
- 39.前記光−感光性化合物が ナフトキノン−1,2−(ジアジド−2−)−5−ズルホン酸ナトリウム、 ナフトキノン−1,2−(ジアジド−2−)−4−ズルホン酸ナトリウム 4−ジアゾ−N−エチル−N−ハイドロキシエチルアニリン;4−ジアゾ−N− メチル−N−ハイドロキシエチルアニリン;4−ジアゾ−2−クロロ−N−N′ −ジエチルアニリン;4−ジアゾ−2−メチル−1−ビロリジンベンゼン;4− ジアゾ−2,5−ジブトキシ−N−ベンゾイルアニリン;4−ジアゾ−1−モル ホリンベンゼン;4−ジアゾ−N−エチル−2−トルイジン;4−ジアゾジエチ ルアニリン; 4−ジアゾジメチルアニリン; 4−ジアゾジフエニルアミン硫酸塩;及び4−ジアゾ−2,5−ジエトキシフエ ニルモルホリン及びその混合物からなる群より選ばれるものであることを特徴と する特許請求の範囲第38項記載によるエレメント。
- 40.化学線照射の線源に写真エレメントを描画的に露光することにより前記写 真エレメントに画像を形成する方法は1つの基板上に塗装されたホトレジスト層 を含む写真エレメントを設ける工程と、 化学線照射の露光により酸性光生成物を生成する能力を有するすくなくとも1つ の光感光性化合物、及び水又は弱アルカリ水溶液に可溶であるすくなくとも1つ の重合体の結合剤を含むコントラスト強化層を前記ホトレジスト層に塗装する工 程と;前記ホトレジスト層の露光及び前記コントラスト強化層の光−退色を十分 に生ずるために化学線照射をその上に塗装した前記コントラスト強化層を有する 前記写真エレメントを露光する工程と;及び 水溶液ホトレジスト現像液のなかで前記写真エレメントを現像する工程からなり 、その際前記現像液により前記ホトレジスト層から前記コントラスト強化層が取 りのぞかれることを特徴とする写真エレメントに画像を形成する方法。
- 41.前記重合体の結合剤は前記ホトレジスト層の現像に使用される現像液のな かに溶解することを特徴とする特許請求の範囲第40項記載による方法。
- 42.前記光−感光性化合物の280−360nmの吸光度が実質的に光の露光 により消失することを特徴とする特許請求の範囲第40項記載による方法。
- 43.前記光−感光性化合物が ナフトキノン−1,2−(ジアジド−2−)−5−ズルホン酸ナトリウム、 ナフトキノン−1,2−(ジアジド−2−)−4−ズルホン酸ナトリウム 4−ジアゾ−N−エチル−N−ハイドロキシエチルアニリン;4−ジアゾ−N− メチル−N−ハイドロキシエチルアニリン;4−ジアゾ−2−クロロ−N−N′ −ジエチルアニリン;4−ジアゾ−2−メチル−1−ピロリジンベンゼン;4− ジアゾ−2,5−ジブトキシ−N−ベンソイルアニリン;4−ジアゾ−1−モル ホリンベンゼン;4−ジアゾ−N−エチル−2−トルイジン;4−ジアゾジエチ ルアニリン; 4−ジアゾジメチルアニリン; 4−ジアゾジフエニルアミン硫酸塩;及び4−ジアゾ−2,5−ジエトキシフエ ニルモルホリン及びその混合物からなる群より選はれるものであることを特徴と する特許請求の範囲第42項記載による方法。
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