JPH07113773B2 - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPH07113773B2 JPH07113773B2 JP61156098A JP15609886A JPH07113773B2 JP H07113773 B2 JPH07113773 B2 JP H07113773B2 JP 61156098 A JP61156098 A JP 61156098A JP 15609886 A JP15609886 A JP 15609886A JP H07113773 B2 JPH07113773 B2 JP H07113773B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/016—Diazonium salts or compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Structural Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、集積回路（IC）、大規模集積回路（LSI）な
どの半導体微細加工に用いるパターン形成方法に係り、
特に簡略化したレジスト構成で、高感度、高コントラス
トの耐ドライエッチング被膜を形成させるパターン形成
方法に関する。
どの半導体微細加工に用いるパターン形成方法に係り、
特に簡略化したレジスト構成で、高感度、高コントラス
トの耐ドライエッチング被膜を形成させるパターン形成
方法に関する。
現在フォトリソグラフィー（光蝕刻法）では、主に投影
露光装置が用いられている。しかし、得ようとするパタ
ーンがサブミクロン領域になると、マスクパターンのコ
ントラストが高くてもレンズ光学系を通ってきた光の像
イメージのコントラストが低下する。ことに、半導体の
微細加工に伴ってパターンサイズが小さくなるにつれて
この影響は顕著になる。この低コントラスト化を防ぐ技
術として、応用物理第50巻第11号（1981）第1118頁から
第1130頁に記載のようなカルコゲナイドガラス薄膜によ
る無機フォトレジスト法がある。この無機フォトレジス
ト法の中の一例として、カルコゲナイド（Se-Ge）層の
上層として銀の薄層を蒸着法または無電解メッキ法を用
いて形成し、放射線照射により銀をカルコゲナイド層に
ドーピングさせ、カルコゲナイド層のアルカリ溶解性ま
たはプラズマエッチング耐性の変化を利用して、パター
ンを形成させる方法がある。このパターン形成方法は、
コントラストエンハンスメントの効果があり、極めて高
コントラストを有するパターン形成が可能であるという
特徴がある。しかし、このパターン形成方法が実用化さ
れるためには、以下の課題を解決する必要がある。まず
溶解性または耐エッチング性を変化させるに要するエネ
ルギー照射量を、約１桁下げること、また膜形成が、よ
り簡便な方法、例えばスピン塗布で行なえるようにする
こと、さらにはカルコゲナイドの熱安定性を高めること
である。
露光装置が用いられている。しかし、得ようとするパタ
ーンがサブミクロン領域になると、マスクパターンのコ
ントラストが高くてもレンズ光学系を通ってきた光の像
イメージのコントラストが低下する。ことに、半導体の
微細加工に伴ってパターンサイズが小さくなるにつれて
この影響は顕著になる。この低コントラスト化を防ぐ技
術として、応用物理第50巻第11号（1981）第1118頁から
第1130頁に記載のようなカルコゲナイドガラス薄膜によ
る無機フォトレジスト法がある。この無機フォトレジス
ト法の中の一例として、カルコゲナイド（Se-Ge）層の
上層として銀の薄層を蒸着法または無電解メッキ法を用
いて形成し、放射線照射により銀をカルコゲナイド層に
ドーピングさせ、カルコゲナイド層のアルカリ溶解性ま
たはプラズマエッチング耐性の変化を利用して、パター
ンを形成させる方法がある。このパターン形成方法は、
コントラストエンハンスメントの効果があり、極めて高
コントラストを有するパターン形成が可能であるという
特徴がある。しかし、このパターン形成方法が実用化さ
れるためには、以下の課題を解決する必要がある。まず
溶解性または耐エッチング性を変化させるに要するエネ
ルギー照射量を、約１桁下げること、また膜形成が、よ
り簡便な方法、例えばスピン塗布で行なえるようにする
こと、さらにはカルコゲナイドの熱安定性を高めること
である。
一方、現在半導体微細加工に実用化されているレジスト
は、感光剤と高分子化合物の混合層であるので、感光剤
がレジスト層中に均一に分散している。このため放射線
照射による溶媒に対する可溶化または不溶化反応は、膜
中でほぼ均一に起こるので、このままではコントラスト
の向上は期待できない。コントラストを改善するための
方法として、特開昭59-104642に記載のように、油溶性
のポリマーとアリールニトロンからなる層をホトレジス
トの上層として形成し、レジストに照射される像のイメ
ージコントラストを改善するコントラストエンハンスメ
ントリソグラフィー法（CEL法）がある。
は、感光剤と高分子化合物の混合層であるので、感光剤
がレジスト層中に均一に分散している。このため放射線
照射による溶媒に対する可溶化または不溶化反応は、膜
中でほぼ均一に起こるので、このままではコントラスト
の向上は期待できない。コントラストを改善するための
方法として、特開昭59-104642に記載のように、油溶性
のポリマーとアリールニトロンからなる層をホトレジス
トの上層として形成し、レジストに照射される像のイメ
ージコントラストを改善するコントラストエンハンスメ
ントリソグラフィー法（CEL法）がある。
しかし、このCEL法においては、コントラストを改善し
ようとすると露光量が増大するという問題がある。
ようとすると露光量が増大するという問題がある。
また、フォトリソグラフィー用のマスク製造に用いられ
ているEB（電子線）リソグラフィーレジストプロセスに
おいては、電子線の散乱による近接効果防止のために、
複雑な三層レジストが適用されているという問題があ
る。
ているEB（電子線）リソグラフィーレジストプロセスに
おいては、電子線の散乱による近接効果防止のために、
複雑な三層レジストが適用されているという問題があ
る。
上述した従来技術である無機フォトレジストプロセスに
おいては、感度が低いこと、レジスト膜の形成が複雑で
あること、カルコゲナイドの熱安定性が低いことなどが
問題となっている。また、現在実用化されているフォト
レジストプロセスにおいては、感度を低下させることな
く高コントラスト化することはほとんど期待できないと
いう問題がある。さらにEBレジストプロセスでは、レジ
スト構成の簡略化を実現することが要望されている。
おいては、感度が低いこと、レジスト膜の形成が複雑で
あること、カルコゲナイドの熱安定性が低いことなどが
問題となっている。また、現在実用化されているフォト
レジストプロセスにおいては、感度を低下させることな
く高コントラスト化することはほとんど期待できないと
いう問題がある。さらにEBレジストプロセスでは、レジ
スト構成の簡略化を実現することが要望されている。
本発明の目的は、高感度で高コントラストの微細パター
ンを形成するに適したパターン形成方法を提供すること
にある。
ンを形成するに適したパターン形成方法を提供すること
にある。
上記の目的は、基板上に、アルカリ可溶性高分子化合物
からなる第１の層を形成する第１の工程、第１の層の上
に、第１の層に接してジアゾニウム塩と水溶性有機高分
子化合物からなる第２の層を形成する第２の工程、第１
の層と第２の層に所望のパターンの放射線を照射し、照
射された部分の第１の層と第２の層の界面付近の溶解性
を減少させる第３の工程及びアルカリ性水溶液により現
像し、パターンを形成する第４の工程を有するパターン
形成方法により達成される。
からなる第１の層を形成する第１の工程、第１の層の上
に、第１の層に接してジアゾニウム塩と水溶性有機高分
子化合物からなる第２の層を形成する第２の工程、第１
の層と第２の層に所望のパターンの放射線を照射し、照
射された部分の第１の層と第２の層の界面付近の溶解性
を減少させる第３の工程及びアルカリ性水溶液により現
像し、パターンを形成する第４の工程を有するパターン
形成方法により達成される。
上記第３の工程の後、第４の工程の前に、水洗により上
記第２の層を除去を行うことが現像時間を短縮できるこ
とから好ましい。
記第２の層を除去を行うことが現像時間を短縮できるこ
とから好ましい。
アルカリ可溶性高分子化合物は、アルカリ可溶性フェノ
ール樹脂、例えば、ポリ（ビニルフェノール）、ノボラ
ック樹脂、クレゾールノボラック樹脂若しくはこれらの
ハロゲン化物又はビニルフェノールの共重合体等を用い
ることが好ましい。これらの高分子化合物を２種以上同
時に用いてもよい。
ール樹脂、例えば、ポリ（ビニルフェノール）、ノボラ
ック樹脂、クレゾールノボラック樹脂若しくはこれらの
ハロゲン化物又はビニルフェノールの共重合体等を用い
ることが好ましい。これらの高分子化合物を２種以上同
時に用いてもよい。
ジアゾニウム塩は、芳香族ジアゾニウム塩、例えば、塩
化ジアゾニウム・塩化亜鉛複塩、ジアゾニウムフッ化ホ
ウ素酸塩、ジアゾニウムスルフォン酸塩、ジアゾニウム
硫酸塩等を用いることが好ましい。これらのジアゾニウ
ム塩を２種以上同時に用いてもよい。
化ジアゾニウム・塩化亜鉛複塩、ジアゾニウムフッ化ホ
ウ素酸塩、ジアゾニウムスルフォン酸塩、ジアゾニウム
硫酸塩等を用いることが好ましい。これらのジアゾニウ
ム塩を２種以上同時に用いてもよい。
本発明の特徴の１つである高コントラスト化は、本発明
の特徴の１つである高コントラストは、耐エッチング層
である第１の層と感放射線組成物層である第２の層を分
離し、この２層の界面で放射線誘起化学反応を起こさせ
ることによって得られるものである。以下、放射線とし
て紫外線を用い、第１の層、第２の層にそれぞれ下記の
具体的な物質を用いた例によって、本発明の作用をより
詳しく説明する。
の特徴の１つである高コントラストは、耐エッチング層
である第１の層と感放射線組成物層である第２の層を分
離し、この２層の界面で放射線誘起化学反応を起こさせ
ることによって得られるものである。以下、放射線とし
て紫外線を用い、第１の層、第２の層にそれぞれ下記の
具体的な物質を用いた例によって、本発明の作用をより
詳しく説明する。
アルカリ可溶性高分子化合物として、アルカリ可溶性フ
ェノール樹脂を用い、この層の上に、下記の一般式
（Ｉ）で示される芳香族ジアゾニウム塩を含む感放射線
組成物層を設けた。
ェノール樹脂を用い、この層の上に、下記の一般式
（Ｉ）で示される芳香族ジアゾニウム塩を含む感放射線
組成物層を設けた。
（式中、R1、R2、R3、R4は水素、アルキル基、アルコキ
シ基、アリール基を表わし、これらの基の１部がヒドロ
キシアルキル基に置換されていてもよい。Ｘはアニオン
を表わし、Cl-、BF4 -、SO3H-、SO4 2-、などである。ま
た、Ｎ、Ｎ−ジアルキルアミノ基 の代わりに、メトキシ基〔CH3O−〕、エトキシ基〔C2H5
O−〕などのアルコキシ基であってもよい。） そして、上記の露光試料に紫外線を照射すると、ジアゾ
ニウム塩を含む感放射線組成物層とアルカリ可溶性フェ
ノール樹脂層との界面で、露光部はアルカリ水溶液に対
する著しい溶解性の低下が生ずる。このため、アルカリ
水溶液で現像すればネガのパターンが形成されることに
なる。この露光部のアルカリ水溶液に対する溶解性の低
下のメカニズムは現在よく判っていないが、その原因の
一つとして、紫外線照射によってジアゾニウム塩の分解
生成物である有機アミンと、フェノール樹脂からなるア
ルカリ不溶化層が形成されるものと考えられる。なお、
生成した有機アミンのフェノール樹脂層への拡散現象の
有無については現在のところ判明していない。
シ基、アリール基を表わし、これらの基の１部がヒドロ
キシアルキル基に置換されていてもよい。Ｘはアニオン
を表わし、Cl-、BF4 -、SO3H-、SO4 2-、などである。ま
た、Ｎ、Ｎ−ジアルキルアミノ基 の代わりに、メトキシ基〔CH3O−〕、エトキシ基〔C2H5
O−〕などのアルコキシ基であってもよい。） そして、上記の露光試料に紫外線を照射すると、ジアゾ
ニウム塩を含む感放射線組成物層とアルカリ可溶性フェ
ノール樹脂層との界面で、露光部はアルカリ水溶液に対
する著しい溶解性の低下が生ずる。このため、アルカリ
水溶液で現像すればネガのパターンが形成されることに
なる。この露光部のアルカリ水溶液に対する溶解性の低
下のメカニズムは現在よく判っていないが、その原因の
一つとして、紫外線照射によってジアゾニウム塩の分解
生成物である有機アミンと、フェノール樹脂からなるア
ルカリ不溶化層が形成されるものと考えられる。なお、
生成した有機アミンのフェノール樹脂層への拡散現象の
有無については現在のところ判明していない。
上述したごとく、本発明の特徴は、膜厚の薄い感放射線
組成物層を用い、界面での露光部と未露光部との著しい
溶解性の差を利用することと、放射線に対して極めて高
い感度を有するジアゾニウム塩を用いているところにあ
る。このため、本発明の二層構造レジストプロセスを基
本とするパターン形成方法によると、従来の無機レジス
トプロセス、および実用化されているフォトレジストプ
ロセスの両方の長所を兼ね備えた微細パターンの形成に
適したレジストプロセスが可能となる。
組成物層を用い、界面での露光部と未露光部との著しい
溶解性の差を利用することと、放射線に対して極めて高
い感度を有するジアゾニウム塩を用いているところにあ
る。このため、本発明の二層構造レジストプロセスを基
本とするパターン形成方法によると、従来の無機レジス
トプロセス、および実用化されているフォトレジストプ
ロセスの両方の長所を兼ね備えた微細パターンの形成に
適したレジストプロセスが可能となる。
そして、EBレジストプロセスに本発明を適用すると、感
電子線組成物層が薄く基板から離れているので、レジス
ト内での散乱および基板からの散乱電子線による近接効
果の影響を受けにくく、このため高コントラストを有す
る微細パターンの形成が可能となる。
電子線組成物層が薄く基板から離れているので、レジス
ト内での散乱および基板からの散乱電子線による近接効
果の影響を受けにくく、このため高コントラストを有す
る微細パターンの形成が可能となる。
以下に本発明の一実施例を挙げ、図面に基づいてさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
（実施例１） 第１図に示すように、シリコンウェハからなる基板３の
上に、ポリビニルフェノール（丸善石油社製マルゼンレ
ジンＭ）の15wt％シクロヘキサノン溶液を回転塗布し、
厚さ約１μｍのポリビニルフェノール層２を形成し、14
0℃の温度で20分間ベークした。次に、下記の組成１を
有する水溶液を用いて、膜厚が0.25μｍの芳香族ジアゾ
ニウム塩を含む感放射線組成物層１を形成し、露光試料
とした。
上に、ポリビニルフェノール（丸善石油社製マルゼンレ
ジンＭ）の15wt％シクロヘキサノン溶液を回転塗布し、
厚さ約１μｍのポリビニルフェノール層２を形成し、14
0℃の温度で20分間ベークした。次に、下記の組成１を
有する水溶液を用いて、膜厚が0.25μｍの芳香族ジアゾ
ニウム塩を含む感放射線組成物層１を形成し、露光試料
とした。
この第１図に示す露光試料に、ハノビア社製Xe-Hg灯を
用い、東芝製VY-43フィルタ（ｇ線）またはUVD2フィル
タ（ｉ線）を介して、露光時間を変えた露光を行ない、
水洗により、感放射線層を除去後、水酸化テトラメチル
アンモニウム1wt％を含む水溶液に、45秒間浸漬するこ
とにより現像した。現像後、試料の各露光時間での残膜
厚を測定し、感光特性を評価した。この感度曲線を第３
図に示す。図から明らかなごとく、コントラストが高
く、感度もAZ系ポジ型ホトレジスト（東京応化工業社製
OFPR800）と同程度であり、良好な感光特性を有してい
ることが判る。また、上記露光試料に、日立製ｇ線縮小
投影露光装置RA501を用いて、微細パターンを転写した
ところ高解像度のパターンが形成できた。
用い、東芝製VY-43フィルタ（ｇ線）またはUVD2フィル
タ（ｉ線）を介して、露光時間を変えた露光を行ない、
水洗により、感放射線層を除去後、水酸化テトラメチル
アンモニウム1wt％を含む水溶液に、45秒間浸漬するこ
とにより現像した。現像後、試料の各露光時間での残膜
厚を測定し、感光特性を評価した。この感度曲線を第３
図に示す。図から明らかなごとく、コントラストが高
く、感度もAZ系ポジ型ホトレジスト（東京応化工業社製
OFPR800）と同程度であり、良好な感光特性を有してい
ることが判る。また、上記露光試料に、日立製ｇ線縮小
投影露光装置RA501を用いて、微細パターンを転写した
ところ高解像度のパターンが形成できた。
さらに、上記組成１において、芳香族ジアゾニウム塩N
o.6の代りに、第１表に示すNo.1〜No.13のジアゾニウム
塩を用いた場合においても、良好な感光特性を示した。
第１表において、コントラスト値（γ値）の欄に、ｉ線
（UVD2フィルタを用いた場合）とｇ線（VY43フィルタを
用いた場合）での露光におけるγ値を示す。
o.6の代りに、第１表に示すNo.1〜No.13のジアゾニウム
塩を用いた場合においても、良好な感光特性を示した。
第１表において、コントラスト値（γ値）の欄に、ｉ線
（UVD2フィルタを用いた場合）とｇ線（VY43フィルタを
用いた場合）での露光におけるγ値を示す。
（実施例２） 実施例１の組成１のＮ−ビニルピロリドン−酢酸ビニル
共重合体の代わりに、下記の組成２〜組成５に示すよう
な水溶性高分子を用いた場合にも実施例１と同等の感光
特性を有することが判った。
共重合体の代わりに、下記の組成２〜組成５に示すよう
な水溶性高分子を用いた場合にも実施例１と同等の感光
特性を有することが判った。
（実施例３） 実施例１のマルゼンレジンＭの代わりに、マルゼンレジ
ンＭ−ヒドロキシエチルメタアクリレート共重合体を用
いた以外は、実施例１と同様の条件で感光特性の評価を
行なったところ良好な感光特性を有していることが判っ
た。
ンＭ−ヒドロキシエチルメタアクリレート共重合体を用
いた以外は、実施例１と同様の条件で感光特性の評価を
行なったところ良好な感光特性を有していることが判っ
た。
（実施例４） シリコンウェハ上に、クレゾールノボラック樹脂の20wt
％エチルセルソルブアセテート溶液を回転塗布し、厚さ
約0.6μｍのクレゾールノボラック樹脂層を形成し、温
度80℃で１分間ベークした。次に下記組成６を有する水
溶液を用いてジアゾニウム塩を含む、膜厚が0.35μｍの
感放射線組成物層をクレゾールノボラック樹脂層の上層
として形成させ、これを露光試料とした。
％エチルセルソルブアセテート溶液を回転塗布し、厚さ
約0.6μｍのクレゾールノボラック樹脂層を形成し、温
度80℃で１分間ベークした。次に下記組成６を有する水
溶液を用いてジアゾニウム塩を含む、膜厚が0.35μｍの
感放射線組成物層をクレゾールノボラック樹脂層の上層
として形成させ、これを露光試料とした。
露光時にUVD2フィルタを用いたこと、現像液として、2.
38wt％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いた
以外は、実施例１と同様にして感光特性を評価した。そ
の結果、良好な感光特性を有していることが判った。
38wt％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いた
以外は、実施例１と同様にして感光特性を評価した。そ
の結果、良好な感光特性を有していることが判った。
また上記組成６において、第１表に示すNo.4のジアゾニ
ウム塩の代わりにNo.1からNo.13のジアゾニウム塩を用
いても、良好な感光特性を示した。
ウム塩の代わりにNo.1からNo.13のジアゾニウム塩を用
いても、良好な感光特性を示した。
（実施例５） 実施例５のクレゾールノボラック樹脂の代わりにノボラ
ック樹脂を用いて、実施例５を同じ方法で感光特性を評
価したところ、良好な感光特性を示すことが判った。
ック樹脂を用いて、実施例５を同じ方法で感光特性を評
価したところ、良好な感光特性を示すことが判った。
（実施例６） 実施例１で述べた露光試料に、日立製EB描画装置を用い
て、電子線を照射量を変えて照射し、照射後0.8wt％水
酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で４分間現像し
た。現像後各照射量における残膜厚を測定し、電子線感
度曲線を作成し、感電子線特性を評価したところ良好な
感電子線特性を有することが判った。
て、電子線を照射量を変えて照射し、照射後0.8wt％水
酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で４分間現像し
た。現像後各照射量における残膜厚を測定し、電子線感
度曲線を作成し、感電子線特性を評価したところ良好な
感電子線特性を有することが判った。
（実施例７） 実施例１〜６において、露光後に感放射線組成物層を除
去せずに、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で現
像したところ、除去してから現像したものと同様に、良
好な感光特性を示した。
去せずに、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で現
像したところ、除去してから現像したものと同様に、良
好な感光特性を示した。
なお、以上の実施例においては、アルカリ可溶性高分子
化合物層と感放射線組成物層との２層構造のレジストを
用いたが、第２図に示すように、上記の２層構造を基本
単位として、これを繰り返した多層構造のレジストとす
ることもできる。
化合物層と感放射線組成物層との２層構造のレジストを
用いたが、第２図に示すように、上記の２層構造を基本
単位として、これを繰り返した多層構造のレジストとす
ることもできる。
以上詳細に説明したごとく、本発明の二層構造を基本と
する簡略化したレジストプロセスによって、高感度で高
コントラストを有する微細パターンの形成が可能となる
ので、半導体素子の製造における微細加工の精度の向
上、および製造効率の向上が実現できる効果がある。
する簡略化したレジストプロセスによって、高感度で高
コントラストを有する微細パターンの形成が可能となる
ので、半導体素子の製造における微細加工の精度の向
上、および製造効率の向上が実現できる効果がある。
第１図は本発明の実施例１における二層レジストの断面
構造を示す模式図、第２図が第１図に示した二層レジス
トを基本とする多層レジストの断面構造を示す模式図、
第３図は実施例１における二層レジストのｇ線（436n
m）による感光特性を示すグラフである。 １……芳香族ジアゾニウム塩を含む感放射線組成物層 ２……ポリビニルフェノール層 ３……基板
構造を示す模式図、第２図が第１図に示した二層レジス
トを基本とする多層レジストの断面構造を示す模式図、
第３図は実施例１における二層レジストのｇ線（436n
m）による感光特性を示すグラフである。 １……芳香族ジアゾニウム塩を含む感放射線組成物層 ２……ポリビニルフェノール層 ３……基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野々垣 三郎 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 橋本 通晰 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−65432（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−238829（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】基板上に、実質的にアルカリ可溶性フェノ
ール樹脂及びビニルフェノールの共重合体からなる群か
ら選ばれた少なくとも一種のアルカリ可溶性高分子化合
物からなる第１の層を形成する第１の工程、該第１の層
の上に、第１の層に接して芳香族ジアゾニウム塩と水溶
性有機高分子化合物からなる第２の層を形成する第２の
工程、第１の層と第２の層に所望のパターンの放射線を
照射し、照射された部分の第１の層と第２の層の界面付
近のアルカリ性水溶液に対する溶解性を減少させる第３
の工程及びアルカリ性水溶液により現像し、パターンを
形成する第４の工程を有することを特徴とするパターン
形成方法。 - 【請求項２】上記第３の工程の後、第４の工程の前に、
水洗により上記第２の層を除去する工程を有することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のパターン形成方
法。 - 【請求項３】上記アルカリ可溶性高分子化合物は、アル
カリ可溶性フェノール樹脂であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項又は第２項記載のパターン形成方法。 - 【請求項４】上記アルカリ可溶性フェノール樹脂は、ポ
リ（ビニルフェノール）、ビニルフェノールの共重合
体、ノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂から
なる群から選ばれた少なくとも１種の高分子化合物であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のパター
ン形成方法。 - 【請求項５】上記放射線は、紫外線であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項から第４項のいずれか一に記
載のパターン形成方法。 - 【請求項６】上記芳香族ジアゾニウム塩は、塩化ジアゾ
ニウム・塩化亜鉛複塩及びジアゾニウムフッ化ホウ素酸
塩からなる群から選ばれた少なくとも１種の芳香族ジア
ゾニウム塩であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項から第５項のいずれか一に記載のパターン形成方法。
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| JP61156098A JPH07113773B2 (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | パタ−ン形成方法 |
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| US4554236A (en) * | 1982-03-18 | 1985-11-19 | American Hoechst Corporation | Amino acid stabilizers for water soluble diazonium compound condensation products |
| NL8203521A (nl) * | 1982-09-10 | 1984-04-02 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting. |
| US4499170A (en) * | 1983-06-17 | 1985-02-12 | Richardson Graphics Company | Lithographic plates and photoresists having stabilized photosensitive diazo resin with theophylline derivative |
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| US4804614A (en) * | 1984-10-01 | 1989-02-14 | The Aerospace Corporation | Photoresist process of fabricating microelectronic circuits using water processable diazonium compound containing contrast enhancement layer |
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