JPS63500975A - Ic用の静電荷保安器 - Google Patents

Ic用の静電荷保安器

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JPS63500975A JP61505088A JP50508886A JPS63500975A JP S63500975 A JPS63500975 A JP S63500975A JP 61505088 A JP61505088 A JP 61505088A JP 50508886 A JP50508886 A JP 50508886A JP S63500975 A JPS63500975 A JP S63500975A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 IC用の静電荷保安器 発明の背景 本発明は、過電圧保護装置に関するものである。
より詳しく言うと、静電荷や、それに関連する場からIC等を保護するための装 置であり、チャンバを画定する電気絶縁材のハウジングで構成され、がつイオン 化可能なガスがチャンバに内包され、複数の電気導線が、互いに接触することな くハウジングに支持され、一端ではチャンバとガスに接続し、他端では保護すべ き回路の電気導線と接触しているものである。
電気及び電子回路を過電圧から保護する必要があることは、長い間知られていた 。しかし、電子回路が小型化されるにつれて「過電圧」を構成する原因と動力が 急速に減少した。一方、光の照射の度合は、研究中だったのだが、最近ICの寸 法は、じゅうたんを歩く時の静電放電が大問題となる程度まで小さくなった。
電子産業界では、静電放電によって引き起こされる問題は、ICの予期せぬ故障 が主要因であることは公知である。摩擦電荷は、2つの表面が離れている時はい つでも発生する。もし1つもしくは複数の表面が非伝導体ならば、静電荷が発生 する。
これは自然な現象であり、静電荷がICに放電されたり誘導されたりした時に限 り問題となる。このように静電放電現象は、数千ボルトの電位に対して広汎に起 こりうる。放電は急速に起こり、通常の故障や性能の低下は、装置内部の金属の ガス化によりひき起こされ、ガス化した金属は、放電通路跡に沿ってたまってい く。
ICがさらされるこのような静電放電現象の後では、故障は、即座に重大事とな るか、あるいは装置の耐用年数が問題となりうる。
このような静電放電現象の後では、ICが完全に故障することはないが、潜在的 な欠陥を含んでいるので、故障の原因となることがよくある。このような現像は また、ICの動作特性を変え、不適格で、しかも予期しない動作をまねく。
回路を通過する高電圧電荷によりもたらされる前述の金属ガス化問題以外に、装 置にきわめて近い所の高電圧放電が、破壊電圧を回路に誘導するような起電力場 を作ってしまう。
前述のように、過電圧保安回路は、この分野では新規ではない、この分野で公知 の各種装置のいくつかの具体例が、米国特許第1,656,956号、2620 .453号、2,967.256号、3,934,175号、4,037,13 9号、4,105,929号2.4.207,603号、 4,293,887 号、4,318,149号及び4,438,477号の明細書に記載されている 。
ICや他の同様の小型低過電圧装置の分野では、装置の製造、輸送及び組立の際 の保護に重点がおかれた。
このような装置の典型的な具体例が、米国特許第3.638,071号及び4, 084,210号明細書に記載されている。
最初の目的は、装置が作動していない時に、装置のすべての導線を出荷及び組立 の際に電気的に接続することである。保護装置は、ICを実際に使用するのに先 だって取りはずす。
このような電気装置をもっと永続的に保護するための試みがあった。米国特許第 3,742,420号明細書に記載の具体例では、金属酸化物のバリスタ材のウ ェーハの中を電気装置の導線が通っている。電流は、標準の低動作電圧下では、 装置の導線間のウェーハ材の中はたいして流れない。しかし、高電圧下では、導 線は互いに電気的に接続される。このような方法は、各種導線間の弱い電流が装 置の通常の作動に影響を及ぼさないところでは、いくつかの装置に対して効果が ある。
もっと複雑な回路の場合は、導線をお互いに完全に絶縁することは、装置の正常 な作動にとって不可決である。
このような装置を保護するための方法が、効果を発揮する。
同様の方法が、米国特許第4,458,291号明細書に記載されているが、そ の目的は、装置のエツジが偶然接受する時に装置に生じる静電荷用の短絡路を提 供しているだけで、前述のような総合的な保護法は提供されていない。
それに加え、ICの通常の組立は、作業場における製造、出荷、処理場、組立及 びテスト時の伝導体及びあるいは非静電体の使用等の方法に左右されるというこ とは、当業者には公知である。ICを保護するには、伝導リストストラップやヒ ールストラップで作業者をアースする方法がある。
イオン化空気を作業場に放射して電荷を中性にする作業場もある。非伝導体、特 にプラスチックは、作業場での使用は避けており、非伝導体を使用しなければな らない作業場では多くの場合、非静電溶液でコーティングしている。
ICそのものの設計における静電放電を制御する試みでは、多くの進歩が得ら九 た。例えば、回路のレイアウト設計が進歩して電位放電通路と、それと同様のめ んどうな手段を講じて装置内に加えた絶縁材を急角度で配置せずに済んだ。
静電放電による損傷を防止するには、静電放電エネルギーを装置の重要な素子の 方へ行かないように阻止したり向きを変えたりする抵抗器、バリスタ及びゼナー ダイオード等の構成素子を加える方法もある。
本発明の第1の目的は、電荷を運ぶ複数の端子があるにも関わらず、静電放電に よる損傷を防止する方法を有するIC等を提供することである。
本発明の第2の目的は、誘導電圧及び静電放電現象時に保護装置が作動する時に 発生する磁界からICを保護するシールドを提供することである。
斐−一豊 前述の目的は、チャンバを画定する電気FA縁材のハウジングよりなる本発明の 複数の電気導線を有する低電圧電気装置用の過電圧保安器により達成された。イ オン化ガスがチャンバに内包され、複数の電気導線が、互いに接触することなく 、ハウジングに支持され、一端ではチャンバとガスに接続し、他端では電気導線 と電気、的に接触する。
好ましい実施例では、電気伝導体が電気導線の終端から等間隔でチャンバの中に 設けられ、電気装置が接続される伝導体と最低電位を電気的に接続する装置があ る。
所要のシールドを提供するために、過電圧保安器と電気装置を近接する位置に設 置し、更に過電圧保安器と電気装置の間に第2の電気伝導体を設置し、ハウジン グに支持された電気導線が、一端ではチャンバとガスに接続し、他端では電気伝 導体と電気的に接触し、電気伝導体に電圧を誘導することにより、電気装置に過 電圧を誘導する磁界のエネルギーを放出させ、ガスを介して放電させる。
図面の簡単な説明 第1図は、本発明の実施例の層の断面図である。
第2図は、第1図の上部層の底面図である。
第3図は、第1図の中間層の底面図である。
第4図は、第1図の下部層の平面図である。
第5図は、第1図の下部層の底面図である。
第6図は、普通のケースの中で第1回〜第5図の保安器とICを接続する方法を 示す簡略図である。
第7図は、第1図〜第6図の保安器のマウントピンの詳細図である。
第8図は、本発明の第2実施例の保安器の断面図である。
第9図は、第8図の保安器のもう1つの断面図であり、アースの方法を示す。
第10図は、第8図及び第9図のもう1つの断面図であり、保護シールドとイオ ン化ガスを内包するチャンバを接続する方法を示す。
第11図は、本発明の第3実施例の断面図である。
第12図〜第14図は、・第3図あるいは第11図の実施例を使用する際に、表 面を画定するチャンバ用の各種形状を簡略化して示す。
第15図は、本発明の保安器の上部に設けられたICと、保安器を通り抜けるマ ウントピンを示す側面図である。
第16図は、第15図の保安器とICの結合を示す端面図である。
五1ス】L痕贋I駐 本発明の最も簡単な実施例は、イオン化可能なガスを内包するチャンバを画定す る電気絶縁材のハウジングで構成されている。複数の電気導線が、互いに接触す ることなくハウジングに支持され、一端ではチャンバとガスに接続し、他端では 、保護すべき装置の電気導線と接触する。数種類の実施例が説明される。
本発明の実施例は、単なる例示であり、本発明の主旨や精神の範囲を逸脱しない 限り、当業者により他の変更が可能であることがわかるであろう。
本発明の最初の実施例は、第1図〜第7図に示されている。最初の実施例に関し て説明される構造の特徴は、他の実施例に組み込まれるものもあることがわかる であろう。
第1図〜第7図では、本発明の保安器は、(10)で示されている6保安器(1 0)は、上部層(12)、中間層(13)及び下部N (16)で構成されてお り、これらの層(12) (14) (16)は、非伝導体である。上部層(1 2)と下部層(16)の上に伝導通路が設けられているので、印刷回路板や印刷 回路板製造技術を使用するのが最も便利である。当業者にとって公知の他の方法 も利用できる。
上部層(12)と下部JW (16)は、剛質であり、中間1 (14)には長 方形のスロット(18)が設けられている。第7図で示すように、3つの層(1 2) (14)(16)が組み合わさってスロット(18)と共にチャンバ(2 0)を画定する。もし3つのN (12) (14) (16)が、イオン化ガ スの中で組み合わされれば、チャンバ(20)がイオン化ガス(22) k内包 することがわかるであろう。
各種素子等の距離及びガス(22)の種類によって、保安器(10)のイオン化 電圧が決まる。これらの各種素子は、実験を待つまでもなく公知の技術情報から 当業者により容易に決定できる。
従って、各種の実施例の構造に重点が置かれるので、詳しい説明は省く。しかし 、簡単に例を述べると、各種ガスのイオン化電圧は、ネオンが100V、キセノ ンが200vそしてアルゴンが300vである。
第2図〜第5図でわかるように、3つのN (12) (14)(16)には、 外周部に複数の孔(24)が設けられており、これらの孔(24)は、3つのM  (12) (14)(16)が組み合わさった時に、−直線上に並ぶ。上部層 (12)の内向面(26)は、伝導体であり、公知の印刷回路板技術により製造 され。
電気導線(30)で各孔(24)に接続された等間隔の非接触のパッド(28) を提供する。
孔(24)の導線(30)の末端は、第7図に示すように孔(24)の中に挿入 されるピン(32)と電気的に触接するようになっている(これらのピン(32 )は、接点を介してめっきできる。これは、 P、C,B、技術の当業者には理 解されると思う)。
第6図に示すように、保安器(10)は、接触ピン(32)が。
ICのマウントピン(36)と接触するように、ICの上部あるいは下部に取り 付けることができる。必要に応じて。
保安器(10)とIC(34)は、鎖線(38)で示された普通のケースに収納 でき、IC(34)を通常の方法で印刷回路(図示せず)に接続するためのマウ ントピン(36)が設けられている。
第1図〜第7図における実施例に関わる構造によれば、下部層(]6)の平面図 と底面図が、第4図及び第5図としてそれぞれ示されている。
下部層(16)の上面(40)には、中間M (14)の長方形のスロットより やや大きい長方形の伝導体(42)が取り付けられている。上部/I(12)の 内向面(26)の材料としては、伝導体(42)が、公知の印刷回路技術を使う 場合は、一番製造し易い。保安器(10)が、組み立てられると、伝導体(42 )は、すべてのパッド(28)から等間隔に配置される。
底面(44)にも長方形の伝導体(46)が設けられ、同様の技術で製造される 。
保安器(10)を確実に保護するために、伝導体(46)は、伝導体(42)よ りほんの少し大きくなっている。伝導体(46)は、ライン(48)により電気 的に接続され、3つの層(12) (14)(16)を経て上部#(12)のス ペアパッド(28)と接続されている。このようにして、誘導シールドである伝 導体(46)は、チャンバ(20)とその中にあるイオン化ガス(22)の中の 接点と電気的に接続されている。
磁界の変化により生じ、伝導体(46)に誘導され、保安器(10)を伝導体シ ールド(46)にきわめて近いところに配置しなければ、ICを損傷させる電圧 は、いずれかの電気導線(30)でガス(22)を介して放電される静電放電と 同じ方法で、イオン化ガス(22)を介して放電される。
第4図かられかるように、伝導体(42)は、電線路(5o)によってピン(3 0)と接続され、このピン(3o)は、最低電位でIC(34)のマウントピン (36)と接続されている。すなわち、第4図の記号で示すようにアースされて いる。
IC(34)のような多マウントピン装置は、ガス(22)のイオン化の際は、 すべてのピン(32) (36)が、導線(30)とパッド(28)によってイ オン化ガス(22)と効果的に接触しているので、静電荷が、ガスをイオン化さ せる伝導体だけではなく、すべての伝導体の中で分離することが当業者によって 知覚されるはずである。
これは、非常に好ましい特徴である。というのは、静電現象が終了すると、すべ ての電気導線は1通常の状態に復帰しようとするからである。従って、もしガス (22)のイオン化電位より小さい電荷が他のピンに発生すると、静電放電現象 でこれらの電荷を中性にする。
電気導線の各種接点に、抵抗を加えることにより、明確な結果が得られる。例え ば、抵抗器は、いずれの接触ピン(32)とも一致するように製造するか、ある いは電気導線(30)の一部として製造することができる。
マウントピン(36)とパッド(28)の間の電気通路の抵抗を変化させて、ガ ス(22)のイオン化電圧に影響を及ぼさないようにする。しかし、放電曲線や 消イオン電圧は、変化させることが可能である。電流は、ガス(22)がイオン 化されるまで流れないので、引火点は、導線抵抗の影響はたいして受けない。
イオン化が起こると最大電流が流れ、電圧が、電流を通す導線の抵抗とぶつかる 。当業者にとって公知の技術により導線抵抗を選択することにより、放電曲線、 イオン化レベル及び無線周波数をコントロールすることができる。
第8図〜第10図に本発明の別の実施例を示してあり。
本発明の過電圧あるいは静電荷保安器(10)は、ICチップ等のためにケース あるいはハウジングの中に組み込まれる。・ この実施例の中では、ハウジング(52)は、上部NC54>、中間層(56) 及び下部層(58)で構成されている。下部層(58)は、その内部にICチッ プ(62)を収容するようになっている内部空間(60)を有する。下層部(5 8)は、外縁部にマウントピン(36)を受け入れ、等間隔に配置された複数の スロット(64)を有する。コネクテイングスロット(66)が、内部空間(6 0)と外縁スロット(64)の間に設けられている。ワイヤ(68)が、スロッ ト(66)の中に張られ、マウントピン(36)とICチップ(62)を電気的 に接続する。
中間層(56)が、下部層(58)の上部に取り付けられている。複数の伝導パ ッド(70)が、最初の実施例で説明した公知の印刷回路技術によって上面(7 2)に取り付けられて 。
いる。パッド(70)は、マウントピン(36)と接続するように取り付けられ 、第7図と同様の方法で接触ピン(32)によって、マウントピン(36)と電 気的に接続されている。
上部N (54)には、中間層(56)の上面(72)と対向する外面(76) にチャネル(74)が設けられている。中間1 (56)の上部に設けられた上 部層(54)のチャネル(74)は、第12図〜第13図に示す方法で形成され 、パッド(70)の通路に沿って伸び、パッド(70)の上方にチャンバ(20 )を形成する。
最初の実施例のように、チャンバ(20)の中にはイオン化ガス(22)を注入 する。公知の技術を使って、伝導体(78)をチャネル(74)の長軸方向に沿 って続くすべてのパッド(70)から等間隔に配置されるようにチャネル(74 )の下部面に取り付ける。第9図に示すように、伝導体(78)は。
結線(80)によってパッド(70)にアースされており(あるいは前述のよう に最低電位と接続されていて)、ICチップ(62)のピン(36)と電気的に 接続されている。伝導体(78)は、前述の実施例の伝導体(42)と同じ機能 を果す。
伝導体(82)は、中間M (56)の下部面(84)に設けられており、IC チップ(62)用の保護シールドとなる。第10図に示すように、伝導体(82 )は、ある個所でワイヤ(86)と支柱(88)によりパッド(70)と接続さ れており、チャンパ(20)の中の目的に使用される6本実施例の伝導体(82 )は。
前述の実施例の伝導体(46)と同様の働きをする。
第11図には1本発明の非常に簡単な実施例を示している。第8図〜第10図に 示す実施例と同様に第11図に示す実施例も、通常の方法で取り付けられるIC チップを支持するように設計されているハウジング(90)の形状をしている。
ハウジング(90)は、上部層(92)と前述の実施例の下部/# (5g)と 同一の下部層(58)で構成されている。下部M (58)は、チップ(62) 用の内部空間(60)、マウントピン(36)を取り付けるための外縁スロット (64)及びチップ(62)とマウントピン(36)を結ぶワイヤ(68)の通 路となるコネクティングスロット(66)を有する。上部層(92)は、特定の 接着剤(96)によって下部M (58)とマウントピン(36)の上面(98 )に接着された外縁リッジ(94)を有し、マウントピン(36)、ワイヤ(6 8)及びチップ(62)の露出部の上方に耐ガス構造のチャンバ(20)を形成 する。ワイヤ(68)やチップ(62)は1図示のボッティング材(102)等 でチャンバ(20)の中のイオン化ガスから隔離密閉するのが望ましい、外縁り ッジ(94)の内側のチャンバ(20)の上部の内部面(104)は、伝導体( 106)でコーティングされ特定のコネクタ(図示せず)によって前述の実施例 の最低電位のマウントピン(36)に接続されている0本実施例では、露出部( 100)は、イオン化ガス(22)にさらされており。
前述の実施例のパッド(28) (70)の機能を果す。
第15図及び第16図は、外部かつ下方へ伸びるマウントピン(36)を保持す るハウジング(108)を有する公知のIC,に保安器(10)を取り付ける別 の方法を示す。この実施例では、保安器(10)からピン(32)をはずし、孔 (24)が3つのM (12) (14) (16)を完全に貫通するようにな っている。電気導線(30)が、接触子(110)の孔(24)で終端し、図示 のようにマウントピン(36)が、孔(24)を通過する時に、マウントピン( 36)と電気的に接触し締めっけるようになっている。ハウジング(ioa)の 底部に設置された保安器(10)と、その中を通過するマウントピン(36)と 共に、ICを公知の方法で印刷回路板に取り付けることができる。
従って、各種の実施例の前述の説明から本発明は、静電放電現象と誘導電圧のよ うな直流電圧からIC等を保護する過電圧あるいは静電荷保安器を提供すること により前述の目的を達成することがわかる。

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.複数の電気導線を有する低電圧電気装置用の過電圧保安器であって、 (a)チャンバを画定する電気絶縁体のハウジング、(b)前記チャンバの中に 内包されるイオン化可能なガス及び (c)互いに接触することなく、前記ハウジングに支持され、一端では前記チャ ンバと前記ガスに接続し、他端では装置の電気結線と電気的に接触する複数の電 気導線よりなる低電圧電気装置用の過電圧保安器。
  2. 2.(a)電気導線の終端から等間隔でチャンバの中に設けられた電気伝導体と (b)電気装置が接続される前記伝導体と最低電位を電気的に接続する装置で構 成されている請求の範囲第1項に記載の過電圧保安器。
  3. 3.(a)過電圧保安器と電気装置が近接して設置され、かつ (b)過電圧保安器と電気装置の間に設置された電気伝導体と (c)ハウジングに支持され、一端ではチャンバとガスに接続し、他端では電気 伝導体と電気的に接触し、前記電気伝導体に電圧を誘導することにより、電気装 置に過電圧を誘導する磁界のエネルギーを放出させ、前記ガスを介して放電させ る電気導線によって構成される請求の範囲第1項に記載の過電圧保安器。
  4. 4.過電圧保安器と電気装置が、普通のケースの中に近接して設置される請求の 範囲第1項に記載の過電圧保安器。
  5. 5.電気装置が、ハウジングの中に設置される請求の範囲第1項に記載の過電圧 保安器。
  6. 6.電気装置が、チャンバの中に設置される請求の範囲第1項に記載の過電圧保 安器。
  7. 7.チャンバを画定するハウジングが、(a)前記チャンバと電気導線の中で電 気にさらされる複数の接触点を画定する第1の電気伝導面を有する第1の印刷回 路板、 (b)前記第1伝導面に、さし込まれるように設置されかつ前記接触点の上方に 設けられる穴を有する第2の印刷回路板及び (c)第2の印刷回路板にさし込まれるように設置される第3の印刷回路板によ り構成され、前記チャンバが前記第1及び第3の印刷回路板と前記第2印刷回路 板の穴により画定される請求の範囲第1項に記載の過電圧保安器。
  8. 8.(a)第3の印刷回路板が、第2の印刷回路板とチャンバに近接する第2の 電気伝導面を有し、かつ(b)電気装置が接続される前記第2の伝導面と最低電 位を電気的に接続する装置で構成される請求の範囲第7項に記載の適電圧保安器 。
  9. 9.(a)ハウジングと電気装置が、近接して設置され、かつ (b)前記ハウジング及び電気装置の間に設置される第3の電気伝導面を有する 第4の印刷回路板、(c)接触点と電気通路を画定する第1の印刷回路板の第1 の伝導面、 (d)前記ハウジングに支持され、一端ではチヤンバとガスに接続し、他端では 前記第3の電気伝導面と電気的に接触し、前記第3の電気伝導面に電圧を誘導す ることにより、電気装置に過電圧を誘導する磁界のエネルギーを放出させ、前記 ガスを介して放電させる電気導線によって構成される請求の範囲第8項に記載の 過電圧保安器。
  10. 10.(a)ハウジングが、ICモジュールのマウントピンを通過させるための 複数の孔を有し、その結果ICモジュールが前記ハウジングに嵌合し、かつIC のマウントピンが、ICを通常の方法で印刷回路板に取り付けるために、前記ハ ウジングの下方に突き出ており、 (b)電気導線が、前記孔の中で終端しかつ接触し、前記孔がマウントピンを締 めつけ電気的に結合するようになっている請求の範囲第1項に記載の過電圧保安 器。
  11. 11.(a)ICチップを保持するための内部空間を有する電気絶縁体の基礎部 、 (b)前記基礎部に支持され、かつ電気回路盤のソケットと結合するようになっ ている複数の電気伝導体よりなるマウントピン、 (c)チップと前記マウントピンを接続する複数の電気伝導ワイヤ、 (d)チャンバを画定するために前記基礎部に支持される装置、 (e)前記チャンバの中に内包されるイオン化可能なガス及び (f)前記チヤンバの中の前記マウントピンと複数の接触点の間にお互いに絶縁 された複数の電気通路を提供する接続装置で構成されているICチップ用のケー スあるいは類似のチップ保護用ケース。
  12. 12.(a)すべての接触点から等間隔にチャンバの中に設けちれた電気伝導体 と、 (b)装置が接続される前記電気伝導体と最低電位を電気的に接続する装置で構 成される請求の範囲第11項に記載のケース。
  13. 13.(a)前記チャンバとICチップの間に設けられた電気伝導体と、 (b)一端では前記チャンバとガスに接続し、他端では接触点と前記伝導体が電 気的に接触し、前記電気伝導体に電圧を誘導することにより、ICチップに過電 圧を誘導する磁界のエネルギーを放出させ、ガスを介して放電させる電気導線で 構成される請求の範囲第11項1に記載のケース。
  14. 14.チャンバを画定する装置が、 (a)複数の接触点及び電気通路を画定する第1の電気伝導面を有する第1の印 刷回路板、 (b)前記第1伝導面に、さし込まれるように設置されかつ前記複数の接触点の 上方に設けられた穴を有する第2の印刷回路板及び (c)前記第2の印刷回路板にさし込まれるように設置される第3の印刷回路板 により構成され、前記チャンバが前記第1及び第3の印刷回路板と前記第2の印 刷回路板の穴により画定される請求の範囲第11項に記載のケース。
  15. 15.(a)第3の印刷回路板が、第2の印刷回路板とチャンバに近接する第2 の電気伝導面を有し、かつ(b)ICチップを接続する伝導体と最低電位を電気 的に接続する装置で構成される請求の範囲第14項に記載のケース。
  16. 16.(a)ICチップとチャンバが近接して設置され、かつ、 (b)前記チャンバとICチップの間に設置される第3の電気伝導面を有する第 4の印刷回路板、(c)接触点と電気通路を画定する第1の印刷回路板の第1の 伝導面、 (b)一端では前記チャンバとガスに接続し、他端では接触点と前記第3の電気 伝導面と電気的に接触し、前記第3の電気伝導面に電圧を誘導することにより、 ICチップに過電圧を誘導する磁界のエネルギーを放出させ、前記ガスを介して 放電させる電気導線で構成される請求の範囲第15項に記載のケース。
  17. 17.チャンバを画定する装置が、 (a)第1伝導面に形成されたチャネルを有する第1の印刷回路板、かつ (b)第2の印刷回路板が、前記第1伝導面に、さし込まれるように設置されか つ複数の接触点を画定する前記チャネルに近接する第1の電気伝導面を有し、前 記チャンバが、前記第2の印刷回路板と前記チャネルで画定され、前記第1及び 第2の印刷回路板は、前記チャネルと共にマウントピンの上方に設けられ、(c )接続装置が、前記第2の印刷回路板を介して設置される複数の接触部材を有し 、前記第1伝導面の前記接触点と前記マウントピンが、電気的に接続することに より構成される請求の範囲第11項に記載のケース。
  18. 18.チャネルの底の長軸方向に沿って設けられ、チップが接続される最低電位 と接続される伝導体で構成される請求の範囲第11項に記載のケース。
  19. 19.第2の印刷回路板が、第1伝導面に対向する面に第2伝導面を有し、前記 第2伝導面がチップの上方に設置され、絶縁され、チャンバ内の前記第1伝導面 の接触点と密に接続しており、前記第2伝導面に電圧を誘導することにより、前 記チップに過電圧を誘導するシールのエネルギーを放出させ、ガスを介して放電 させる請求の範囲第17項に記載のケース。
  20. 20.チャンバを画定する装置が、 (a)第1印刷回路板が、基礎部にさし込まれるようになっている第1伝導面に 形成されるチャネルを有し、前記チャンバが、前記チャネルと前記基礎部により 画定され、各マウントピンの一部のような寸法及び配置の前記チャネルが、前記 チャンバの中で電気にさらされており、 (b)伝導体が、前記チャネルの底の長軸方向に沿って設けられ、チップが接続 される最低電位と接続されることにより構成される請求の範囲第11項に記載の ケース。
  21. 21.(a)電気伝導体が、内部空間に設けられ、(b)電気導線で、前記電気 伝導体とチャンバ内の複数の接触点を個別に接続し、前記の電気伝導体の中に電 圧を誘導し、チップに過電圧を誘導する磁界のエネルギーを放出させ、ガスを介 して放電させる請求の範囲第20項に記載のケース。
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