JPS635032B2 - - Google Patents
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Landscapes
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明はイミダゾール誘導体が配位したヘム
錯体およびガス吸脱着剤に関する。 酸素、一酸化炭素、窒素酸化物等のガス分子を
可逆的に吸脱着する能力を持つ物質としてヘム錯
体は、従来、数多く知られている。しかしなが
ら、一般に、既知のヘム錯体はその構成成分が生
体適合性の乏しい材料例えば生体内ポルフイリン
とはかけはなれた構造を持つ合成ポルフイリンや
塩基性配位子等である場合が多く、しかも水溶液
中でガス吸脱着能を保持できるものは少ない。 したがつて、この発明の目的は生体適合性があ
り、より優れたガス分子吸脱着能を持ち、水溶液
中でもその機能を保持できるイミダゾール誘導体
配位ヘム錯体を提供することにある。 この発明の錯体は、シクロデキストリンに包接
されたイミダゾール誘導体であつてシクロデキス
トリンの空洞内の包接される大きさおよび疎水性
を有する置換基を１位の窒素原子上に有するもの
の３位の窒素原子にヘムが配位結合により結合し
たシクロデキストリン包接イミダゾール配位ヘム
錯体である。 上記シクロデキストリンは６個、７個または８
個のＤ―グルコピラノース単位が環状にグルコシ
ド結合したもので、Ｄ―グルコピラノース単位の
数によつてα―シクロデキストリン（６個）、β
―シクロデキストリン（７個）およびγ―シクロ
デキストリン（８個）と呼ばれている。このシク
ロデキストリンはほぼ円筒状構造をなし、その空
洞内は疎水場となつている。この発明では、α―
シクロデキストリンが好ましい。 このようなシクロデキストリンに包接されるイ
ミダゾール誘導体は脂溶性のもので、シクロデキ
ストリンの空洞内に包接され得る大きさと疎水性
を有する、すなわち、該空洞内に安定に存在し得
る置換基を１位の窒素原子上に有するものであ
る。このようなイミダゾール誘導体は好ましく
は、式 （ここで、R1はメチル基、R2およびR3はそれ
ぞれ独立に水素またはメチル基、Ａは―（CH2―）o
または【式】ｎは０ないし３の整数、および Ｂは炭素数１〜10の炭化水素基またはその末端水
素原子１個がカルボン酸のC1〜C3炭化水素エス
テルもしくはフタルイミドで置換された基）で示
されるものである。その具体例を挙げると、１―
フエネチル―２―メチルイミダゾール、１―シク
ロヘキシル―２―メチルイミダゾール、１―ベン
ジル―２―メチルイミダゾール、１―トシル―２
―メチルイミダゾール、１―（２―エトキシカル
ボニル）エチル―２―メチルイミダゾール、Ｎ―
｛１―（４，５―ジメチル）イミダゾリル｝ペン
チルフタルイミド、11―｛１―（２―メチル）イ
ミダゾリル｝ウンデカノエイト、または１，２―
ジメチルイミダゾールである。 なお、この明細書で用いている「包接」という
語はイミダゾール誘導体全体あるいはその１位置
換基がシクロデキストリンの空洞内に比較的安定
に存在することを意味する。 この発明の錯体において、上記イミダゾールと
配位結合しているヘムはポルフイリンとFe（）
またはFe（）との錯体であり、ガス吸脱着剤と
してはFe（）との錯体が好ましい。このような
ヘムはその中心鉄が前記イミダゾール誘導体の３
位の窒素原子と配位結合している。このヘムには
各種ヘミン等生体内ポルフイリンと鉄との錯体が
ある。 以上述べたとおり、この発明のシクロデキスト
リン包接イミダゾール配位ヘム錯体は、生体成分
であるポルフイリンの鉄錯体、生体内で安全性の
高い多糖類であるシクロデキストリン（ラツト、
生体内投与によるLD501.00ｇ／Kg（α―シクロデ
キストリン）、0.788ｇ／Kg（β―シクロデキスト
リン）；D.W.Frenk他、American Journal of
Pathogy83(2)，367（1976））、及び脂溶性のイミダ
ゾール誘導体からなる。脂溶性イミダゾールは薬
理作用を持つものが有り、広く毒性試験がおこな
われた結果から一般に高毒性とされているが、シ
クロデキストリンへの包接により水溶化できるば
かりでなく、見かけの毒性の低減化が期待され
る。 一般にイミダゾールとヘムの錯体は式 （ここで、【式】はポルフイリン平面構 造、【式】はこれの鉄（）錯体）で表わさ れ、低スピン型六配位構造を有する。 一方、立体障害基を有するイミダゾール誘導体
例えば２―メチルイミダゾールとヘムの錯体は式 （ここで、【式】は中心部が上方に浮き出 た形のポルフイリン構造、【式】はこれの鉄 （）錯体）で表わされ、高スピン型五配位構造
を有する。 式（）の低スピン型六配位構造を有するヘム
錯体では酸素と接触した場合、酸素が配位するた
めには中心鉄の第六配位座に配位したイミダゾー
ルを押し退けなければならないという不都合があ
るが、後者の式（）の高スピン型五配位構造を
有するヘム錯体においては中心鉄の第六配位座が
空になつており、速かに酸素などガス分子が結合
し得る。さらに式（）の低スピン型六配位構造
ヘムでは、酸素分子の接近により外圏型の酸化劣
化も起こり易いことが一般に言われており、これ
らの点を考慮すればヘム錯体が安定に酸素などガ
ス分子との可逆的結合をし得るためには後者の高
スピン型五配位構造が好ましく、このことは、生
体内へモグロビン、ミオグロビンにおいてヘムが
唯一個の軸塩基と結合し高スピン型五配位構造を
持ち、安定に酸素分子を捕捉する機能を備えてい
る所以でもある。 ところで、立体障害基を有するイミダゾール誘
導体は、立体障害基を持たないイミダゾールと比
較して、一般に、ヘムとの配位結合力が著しく弱
く、これを用いて五配位構造のヘムを安定に形成
させるためにはヘムに対して大過剰モルを用いる
必要がある。これ故、式（）の構造の錯体は、
イミダゾール自体の毒性面だけから考えても生体
への適用は極めて困難である。 これに対し、この発明の錯体の構成成分である
シクロデキストリン包接イミダゾール誘導体にお
いてはそのイミダゾール誘導体が立体障害基を有
する場合であつても、シクロデキストリンによる
包接の結果その配位結合力が著しく改善される。
すなわち、式（）で示される低スピン型五配位
構造をとるヘムに対して、例えば、式 （ここで、【式】はシクロデキストリン、 ＡおよびＢは既述のとおり）で示されるシクロデ
キストリン包接イミダゾール誘導体を微小量作用
させると、優先的に高スピン型五配位ヘム錯体が
生成する。したがつて、イミダゾール誘導体自体
の量が少なくてすむとともに、イミダゾール誘導
体はシクロデキストリンに包接されているのでそ
の毒性も低く、生体適合性も有することとなる。 このような特徴を有するこの発明のシクロデキ
ストリン包接イミダゾール配位ヘム錯体を得るに
は、例えばＸ―Ａ―Ｂ（ここで、Ｘはハロゲン、
ＡおよびＢは既述のとおり）で示されるハロゲン
化物と式 （ここで、R1，R2およびR3は既述のとおり）
で示されるイミダゾールとを、それ自体公知のイ
ミダゾール１位―置換基導入反応（脱ハロゲン化
水素反応）によつて結合させて、前記式(A)のイミ
ダゾール誘導体をまず得る。ついでこの誘導体を
シクロデキストリンに対して等モル量以上、２倍
モル量以下の割合で、シクロデキストリンの飽和
濃度以下の適当な濃度の水溶液に添加して、室温
付近で数時間混合撹拌した後凍結乾燥する。50℃
付近で加熱減圧乾燥をさらにおこなつた後、未包
接イミダゾール誘導体を溶解するが包接イミダゾ
ール誘導体は溶解させないような適当な低沸点有
機溶媒（例えばジエチルエーテル等）で洗浄した
未包接イミダゾールを除去する。得られた包接イ
ミダゾールを一定重量になるまで50℃で減圧乾燥
して所望のシクロデキストリン包接イミダゾール
誘導体を得る。最後に、この包接イミダゾール誘
導体を水中または極性非プロトン溶媒（例えば
Ｎ，Ｎ―ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ―ジメチ
ルアセトアミド等）と水との混合溶媒中でヘムに
対して等モル量以上の割合でヘムと混合すること
によつて、この発明のシクロデキストリン包接イ
ミダゾール配位ヘム錯体が得られる。 この発明の錯体はその溶液に酸素、一酸化炭
素、窒素酸化物等のガスを通じるとこれらガスを
吸着・捕捉し、これに不活性ガスを通じるか減圧
下におくと吸着したガスを直ちに放出する。これ
は繰返しおこなえる。この発明はこのような能力
を持ち、また生体適合性が高いので例えば人工血
液用材料として応用できる。また、酸化還元反
応、酸素添加反応などの種々の化学反応の触媒特
に均一水相触媒として利用できる。 以下、この発明を実施例により詳細に説明す
る。 実施例 １ フエネチルクロリド28.1ｇ（0.2モル）、２―
メチルイミダゾール32.8ｇ（0.4モル）を混合
して200℃で５時間反応する。放冷後、反応物
を200mlのクロロホルムに溶解する。これを同
量の10％―Na2CO3水溶液、同量の水で順次洗
浄後無水炭酸ナトリウム上で静置乾燥し、溶媒
を減圧留去。残渣の油状物を窒素気流下で減圧
蒸留（bp159〜160℃（５mmHg））して、１―
フエネチル―２―メチルイミダゾールを15.3ｇ
（収率41.0％）得る。 NMR（TMS，CDCl3）、2.10（一重線、
3H、―CH3）、2.80（三重線、2H、Ｊ＝７Hz、
ＣＨ 2φ）、3.97（三重線、2H、Ｊ＝７Hz、Ｃ
Ｈ2CH2φ）、6.64（二重線、1H、Ｊ＝１Hz、
イミダゾール環５位プロトン）、6.79（二重
線、1H、Ｊ＝１Hz、イミダゾール環４位プ
ロトン）、6.84〜7.22（多重線、5H、φ―Ｈ）
ppm。 MSm／e186（M+.） α―シクロデキストリン2.92ｇ（３×10-3モ
ル）を25mlの水に溶解した後、１―フエネチル
―２―メチルイミダゾール1.12ｇ（６×10-3モ
ル）を添加する。３時間室温撹拌した後凍結乾
燥し、さらに50℃で８時間減圧乾燥する。得ら
れた粉末を50mlのジエチルエーテルで２回洗浄
した後、50℃でさらに12時間減圧乾燥すること
により、白色粉末として、１―フエネチル―２
―メチルイミダゾールとα―シクロデキストリ
ンの分子比１：１包接化合物4.00ｇ（定量的収
率）を得る。 重水溶媒（D2O）中、テトラメチルシラン
（TMS）を外部標準として上記の包接体、α―
シクロデキストリン（CD）及び１―フエネチ
ル―２―メチルイミダゾール（PMI）をNMR
測定した結果から次の２つの表を得た。 【表】 （上記表中において、α―CDはα―シクロ
デキストリンを、PMIは１―フエネチル―２
―メチルイミダゾールを表わす。） 【表】 表１において、１―フエネチル―２―メチル
イミダゾールのフエニル基、及びメチル基プロ
トンは包接体の場合で高磁場シフトしており、
これらの基が疎水空洞内におさまつていること
が窺えた。また表２において、α―シクロデキ
ストリンの空洞内面にある３位及び５位プロト
ンは包接体の場合で高磁場シフトしており、こ
れらのプロトンが、フエニル基、メチル基と疎
水性相互作用していることが推察された。さら
に包接体のNMRスペクトルにおいて、例えば
α―シクロデキストリンの１位プロトンシグナ
ル（5.065ppm）と１―フエネチル―２―メチ
ルイミダゾールのメチル基プロトンシグナル
（1.909ppm）の積分強度比が６対３であること
から包接比が１対１であることも確認された。 ヘミンをＭ／５―Na2CO3―NaHCO3緩衝溶
液（PH＝10.0）に溶解し、10-5Mのヘマチン水
溶液を調製した。得られた溶液に窒素雰囲気下
Na2S2O4をヘマチンに対して20倍モル量添加
し、波長範囲350〜700nmの可視吸収スペクト
ルを測定した。次にヘマチンに対して各々50，
100，200，500，1000倍モル量のα―シクロデ
キストリン包接１―フエネチル―２―メチルイ
ミダゾールを共存させた後同上条件での
Na2S2O4還元をおこない、スペクトル測定し
た。得られた連続変化スペクトルからMiller―
Doroughの式により、ヘムと包接配位子とで形
成する錯体の錯平衡定数Ｋ＝7.64×102l・
mol-1が求められた。この値は、1.2―ジメチル
イミダゾールを配位子に用いた場合のＫ＝2.8
×101l・mol-1と比較すると、ヘムへの配位能
は著しく改善されている。 前記の操作に従つてヘマチン10-5M、イミダ
ゾール10-2MのＭ／５―Na2CO3―NaHCO3溶
液（PH＝10.0）を調製し、窒素ガス雰囲気下亜
ニチオン酸を添加して還元することによりλnax
426，528，558nmの低スピン型六配位構造の可
視吸収スペクトルが観測された。得られた溶液
にイミダゾールの1/5量のα―シクロデキスト
リン包接１―フエネチル―２―メチルイミダゾ
ール配位子を添加したところ、先のスペクトル
は速やかにλnax432，557nmに移行し、高スピ
ン型五配位錯体の生成が認められた。この結果
はα―シクロデキストリンに包接した１―フエ
ネチル―２―メチルイミダゾールのヘムへの配
位能が、立体障害基のないイミダゾールよりも
さらに優れていることを示しており、従来の低
分子配位子とは全く異なつた特徴を持つ。 ヘミン1.2×10-4M、α―シクロデキストリ
ン包接１―フエネチル―２―メチルイミダゾー
ル2.4×10-2MのＮ，Ｎ―ジメチルホルムアミ
ド／水（PH＝７）＝9/1（ｖ／ｖ）溶液に窒素雰
囲気下ヘミンに対して６倍モルのNa2S2O4を添
加して還元した。得られたヘム錯体溶液を−30
℃に冷却し、１気圧の酸素を導入したところ、
速やかに可視スペクトル変化が生起し、λnax
410，545，577の酸素錯体スペクトルを得た。
これに窒素ガスを吹込んだところ、可視スペク
トルは元の還元型（λnax432，557nm）に戻つ
た。得られたヘム錯体に一酸化炭素を吹込んだ
ところλnax418，538，566の一酸化炭素錯体ス
ペクトルを認めた。これらの可視スペクトル挙
動は室温、水中でのヘモグロビンのガス吸脱着
に伴うスペクトル変化に匹敵している（表３）。 【表】 イミダゾール、２―メチルイミダゾールなど、
従来の低分子配位子を用いた系では同上条件下全
く酸素錯体を生成せず迅速に酸化されてしまう
か、酸素錯体半寿命が数分以下である事実と比較
すると、その半寿命は長く、酸素結合の安定性が
頗る改良されたヘム錯体である。 実施例 ２〜８ 疎水性置換基を有する幾つかのイミダゾール誘
導体を調製し、実施例１の方法に従つてシクロデ
キストリンに包接させた。調製された包接イミダ
ゾールのヘムへの配位能（錯安定度定数）、及び
包接イミダゾール配位ヘム錯体のガス吸着特性に
ついても実施例１で用いたと全く同じ手法で調べ
た。詳細を表４に示す。 表中、No.４とNo.６のイミダゾールは少量の酢酸
添加下で包接させた。生成した酸素錯体の安定性
は錯安定度定数Ｋの大きいもの程高く、これらの
値の小さいNo.４とNo.８のイミダゾール包接体を用
いた場合では不安定であつた。 【表】 なお実施例２〜７のイミダゾール誘導体の合成
はそれぞれ以下のようにおこなつた。 (2) シクロヘキシルメチルブロミド35.4ｇ（0.2
モル）、２―メチルイミダゾール32.8ｇ（0.4モ
ル）を混合して200℃で８時間反応した後、実施
例１と全く同じ操作で１―シクロヘキシル―２―
メチルイミダゾール25.0ｇ（収率70.0％）を得
た。 NMR（TMS、CDCl3）、0.6〜2.0（幅広多重線、
11H、【式】）、2.35（一重線、3H、― CH3）、3.61（二重線、2H、Ｊ＝７Hz、―CH2
―）、6.69（一重線、Ｈ、イミダゾール環５位プロ
トン）、6.81（一重線、Ｈ、イミダゾール環４位プ
ロトン）ppmMSm／e178（M+.） (3) ベンジルクロリド25.3ｇ（0.2モル）、２―メ
チルイミダゾール16.4ｇ（0.2モル）をｎ―ブ
タノール100ml中に加え、水酸化ナトリウム9.6
ｇ存在下３時間沸点還流した後減圧蒸留
（bp146〜153℃（９mmHg））し、１―ベンジル
―２―メチルイミダゾール17.7ｇ（収率51.5
％）を得た。 NMR（TMS、CDCl3）、2.31（一重線、3H、
―CH3）、5.00（一重線、2H、―CH2―）、6.82
（二重線、1H、イミダゾール環５位プロトン）、
6.93（二重線、1H、イミダゾール環４位プロト
ン）、6.9〜7.4（多重線、5H、φ―Ｈ）ppm MSm／e172（M+.） (4) 無水ピリジン100ml中に２―メチルイミダゾ
ール16.4ｇ（0.2ｇ）、ｐ―トルエンスルホニルク
ロリド38.1ｇを添加し、一夜室温撹拌。溶媒を減
圧留去後常法処理し、ジエチルエーテル―石油エ
ーテルから再結晶することにより１―トシル―２
―メチルイミダゾール36.8ｇ（収率78％）を得
る。 IR（KBr）1375，1200〜1155cm-1（νSO2） NMR（TMS，CDCl3）、2.40（一重線、3H、イ
ミダゾール環―CH3）、2.48（一重線、3H、フエ
ニル環―CH3）、6.79（二重線、Ｈ、イミダゾール
環５位プロトン）、7.23（二重線、2H、
【式】）、7.30（二重線、Ｈ、 イミダゾール環４位プロトン）、7.66（二重線、
2H、【式】）ppmM Sm／ e236（M+.） (5) ２―メチルイミダゾール16.4ｇ（0.2モル）、
アクリロニトリル21.3ｇ（0.4モル）を混合し、
３時間沸点還流した後過剰のアクリロニトリル
を減圧留去する。残渣を95％―エタノール中に
溶かし、濃塩酸20mlを添加して４時間沸点還流
する。氷冷下10％―Na2CO3水溶液を加えて中
和する。クロロホルム300mlで３回抽出した後
Na2CO3上乾燥し、過する。液を減圧留去
後残渣をドライアイス―ムタノール温度で結晶
化させて、得られた淡黄色結晶をジエチルエー
テル中粉砕して集する。P2O5上、室温で減
圧乾燥して１―（２―エトキシカルボニル）エ
チル―２―メチルイミダゾールを16.8ｇ（収率
46％）得る。 IR（KBr）1740（νC=O，エステル）1185（νC-O，
エステル）cm-1 NMR（TMS，CDCl3）1.20（三重線、3H、
―CH2CH3）2.31（―重線、3H、イミダゾール
環―CH3）、2.64（三重線、2H、―ＣＨ
2CH2CO2―）、4.06（四重線、2H、―ＣＨ
2CH3）、4.11（三重線、2H、CH2CＨ 2CO2―）、
6.87，6.85（各一重線、2H、イミダゾール環プ
ロトン）ppm MSm／e182（M+.） (6) (i) アセトイン25ｇ、ホルムアミド125mlを
混合して４時間沸点還流操作。冷後減圧分留
し、bp165℃（11mmｇ）を集めた後ジエチル
エーテル―メタノールから再結晶して４，５
―ジメチルイミダゾール13.5ｇ（収率49.5
％）を得た。 MSm／e96（M+.） NMR（TMS，CDCl3）1.82（一重線、6H、
―CH3）、6.74（一重線、Ｈ、イミダゾール環
２位プロトン）、11.04（幅広線、Ｈ、NH）
ppm。 (ii) フタルイミドカリウム60ｇをペンタメチレ
ンブロマイド250ｇ中に懸濁し、200℃で12時
間加熱撹拌反応。冷後、水蒸気蒸留し、未反
応のペンタメチレンブロマイドを除去した。
残渣にジエチルエーテル及び水を加えて激し
く振とう。ジエチルエーテル層を分離。水層
からさらに２回ジエチルエーテル抽出をおこ
なつた後ジエチルエーテル溶液を集めて水
洗、続いて無水硫酸ナトリウム上で一夜静置
乾燥。過後溶媒成分を減圧留去し、残渣を
エタノールから再結晶してＮ―（５―ブロモ
ペンチル）フタルイミド48ｇ（収率50％）を
得た。 IR（KBr）1780，1720cm-1（νC=O，フタルイ
ミドカルボニル） NMR（TMS，CDCl3）2.1〜1.3（多重線、
ブロード、6H、NCH2（ＣＨ 2）3CH2Br）、
3.38（三重線、2H、―ＣＨ 2Br）、3.66（三重
線、2H、NCＨ 2―）、8.27（多重線、4H、
φ―Ｈ）ppm。 MSm／e296（M+.） (iii) ４，５―ジメチルイミダゾール10ｇをテト
ラヒドロフランに溶解し、窒素下50％―水素化ナ
トリウム6.4ｇを加えて１時間沸点還流する。Ｎ
―（５―ブロモペンチル）フタルイミド35.5ｇの
テトラヒドロフラン（150ml）溶液を室温で１時
間かけて滴下した後３時間沸点還流する。不溶成
分去、溶媒成分を減圧留去後シリカゲルカラム
（６cmφ×45cm、CHCl3／CH3OH＝20/1（ｖ／
ｖ）溶媒）を用いて精製し、Ｎ―｛１―（４，５
―ジメチル）イミダゾリル｝ペンチルフタルイミ
ド18ｇ（収率55.6％）を得た。 IR（KBr）1775，1720cm-1（νC=O，フタルイミド
カルボニル）NMR（TMS，CDCl3）1.3〜1.7（幅
広、多重線、6HNCH2（CH2）3CH2N）、2.11
（一重線、6H、―CH3）、3.62（三重線、2H、
【式】）、3.71（三重線、2H、 【式】）、7.27（一重線、Ｈ、イ ミダゾール環２位プロトン）、7.78（多重線、4H、
φ―Ｈ）ppm MSm／e311（M+.） (7) 11―ブロムウンデカン酸25ｇをベンゼン100
ml中塩化オキザリル13ml存在下に４時間室温撹
拌。次にメタノール50mlを加えて一夜放置後常
法処理して11―ブロムウンデカン酸メチルエス
テル23ｇ（収率87.5％）を得る。 ２―メチルイミダゾール8.2ｇをNaH2.4ｇ／
DMF200mlの懸濁溶液中にゆつくり加える。添
加後90℃で１時間加熱し、先に得た11―ブロム
ウンデカン酸メチルエステルを滴下する。続い
て２時間90℃加熱撹拌した後、常法操作。シリ
カゲルカラム（６cmφ×27cm，CHCl3／
CH3CH＝9/1（ｖ／ｖ）を用いて精製し、メチ
ル11―｛１―（２―メチル）イミダゾリル｝ウ
ンデカノイエイト9.5ｇ（収率41％）を得る。 IR（液膜）1740cm-1（νC=O，エステル） NMR（TMS，CDCl3）、1.28（一重線、12H、
NCH2CH2（ＣＨ 2）6CH2CH2CO2―）、1.68（多
重線、幅広、4H、NCH2CＨ 2（CH2）6CＨ
2CH2CO2―）、2.31（三重線、2H、―CH2CO2
―）、2.37（一重線、3H、イミダゾール環―
CH3）、3.66（一重線、3H、―COOCH3）、3.80
（三重線、2H、NCＨ 2―）、6.80（二重線、
Ｈ、イミダゾール環５位プロトン）、6.90（二重
線、Ｈ、イミダゾール環４位プロトン）ppm。 MSm／e280（M+.）。
錯体およびガス吸脱着剤に関する。 酸素、一酸化炭素、窒素酸化物等のガス分子を
可逆的に吸脱着する能力を持つ物質としてヘム錯
体は、従来、数多く知られている。しかしなが
ら、一般に、既知のヘム錯体はその構成成分が生
体適合性の乏しい材料例えば生体内ポルフイリン
とはかけはなれた構造を持つ合成ポルフイリンや
塩基性配位子等である場合が多く、しかも水溶液
中でガス吸脱着能を保持できるものは少ない。 したがつて、この発明の目的は生体適合性があ
り、より優れたガス分子吸脱着能を持ち、水溶液
中でもその機能を保持できるイミダゾール誘導体
配位ヘム錯体を提供することにある。 この発明の錯体は、シクロデキストリンに包接
されたイミダゾール誘導体であつてシクロデキス
トリンの空洞内の包接される大きさおよび疎水性
を有する置換基を１位の窒素原子上に有するもの
の３位の窒素原子にヘムが配位結合により結合し
たシクロデキストリン包接イミダゾール配位ヘム
錯体である。 上記シクロデキストリンは６個、７個または８
個のＤ―グルコピラノース単位が環状にグルコシ
ド結合したもので、Ｄ―グルコピラノース単位の
数によつてα―シクロデキストリン（６個）、β
―シクロデキストリン（７個）およびγ―シクロ
デキストリン（８個）と呼ばれている。このシク
ロデキストリンはほぼ円筒状構造をなし、その空
洞内は疎水場となつている。この発明では、α―
シクロデキストリンが好ましい。 このようなシクロデキストリンに包接されるイ
ミダゾール誘導体は脂溶性のもので、シクロデキ
ストリンの空洞内に包接され得る大きさと疎水性
を有する、すなわち、該空洞内に安定に存在し得
る置換基を１位の窒素原子上に有するものであ
る。このようなイミダゾール誘導体は好ましく
は、式 （ここで、R1はメチル基、R2およびR3はそれ
ぞれ独立に水素またはメチル基、Ａは―（CH2―）o
または【式】ｎは０ないし３の整数、および Ｂは炭素数１〜10の炭化水素基またはその末端水
素原子１個がカルボン酸のC1〜C3炭化水素エス
テルもしくはフタルイミドで置換された基）で示
されるものである。その具体例を挙げると、１―
フエネチル―２―メチルイミダゾール、１―シク
ロヘキシル―２―メチルイミダゾール、１―ベン
ジル―２―メチルイミダゾール、１―トシル―２
―メチルイミダゾール、１―（２―エトキシカル
ボニル）エチル―２―メチルイミダゾール、Ｎ―
｛１―（４，５―ジメチル）イミダゾリル｝ペン
チルフタルイミド、11―｛１―（２―メチル）イ
ミダゾリル｝ウンデカノエイト、または１，２―
ジメチルイミダゾールである。 なお、この明細書で用いている「包接」という
語はイミダゾール誘導体全体あるいはその１位置
換基がシクロデキストリンの空洞内に比較的安定
に存在することを意味する。 この発明の錯体において、上記イミダゾールと
配位結合しているヘムはポルフイリンとFe（）
またはFe（）との錯体であり、ガス吸脱着剤と
してはFe（）との錯体が好ましい。このような
ヘムはその中心鉄が前記イミダゾール誘導体の３
位の窒素原子と配位結合している。このヘムには
各種ヘミン等生体内ポルフイリンと鉄との錯体が
ある。 以上述べたとおり、この発明のシクロデキスト
リン包接イミダゾール配位ヘム錯体は、生体成分
であるポルフイリンの鉄錯体、生体内で安全性の
高い多糖類であるシクロデキストリン（ラツト、
生体内投与によるLD501.00ｇ／Kg（α―シクロデ
キストリン）、0.788ｇ／Kg（β―シクロデキスト
リン）；D.W.Frenk他、American Journal of
Pathogy83(2)，367（1976））、及び脂溶性のイミダ
ゾール誘導体からなる。脂溶性イミダゾールは薬
理作用を持つものが有り、広く毒性試験がおこな
われた結果から一般に高毒性とされているが、シ
クロデキストリンへの包接により水溶化できるば
かりでなく、見かけの毒性の低減化が期待され
る。 一般にイミダゾールとヘムの錯体は式 （ここで、【式】はポルフイリン平面構 造、【式】はこれの鉄（）錯体）で表わさ れ、低スピン型六配位構造を有する。 一方、立体障害基を有するイミダゾール誘導体
例えば２―メチルイミダゾールとヘムの錯体は式 （ここで、【式】は中心部が上方に浮き出 た形のポルフイリン構造、【式】はこれの鉄 （）錯体）で表わされ、高スピン型五配位構造
を有する。 式（）の低スピン型六配位構造を有するヘム
錯体では酸素と接触した場合、酸素が配位するた
めには中心鉄の第六配位座に配位したイミダゾー
ルを押し退けなければならないという不都合があ
るが、後者の式（）の高スピン型五配位構造を
有するヘム錯体においては中心鉄の第六配位座が
空になつており、速かに酸素などガス分子が結合
し得る。さらに式（）の低スピン型六配位構造
ヘムでは、酸素分子の接近により外圏型の酸化劣
化も起こり易いことが一般に言われており、これ
らの点を考慮すればヘム錯体が安定に酸素などガ
ス分子との可逆的結合をし得るためには後者の高
スピン型五配位構造が好ましく、このことは、生
体内へモグロビン、ミオグロビンにおいてヘムが
唯一個の軸塩基と結合し高スピン型五配位構造を
持ち、安定に酸素分子を捕捉する機能を備えてい
る所以でもある。 ところで、立体障害基を有するイミダゾール誘
導体は、立体障害基を持たないイミダゾールと比
較して、一般に、ヘムとの配位結合力が著しく弱
く、これを用いて五配位構造のヘムを安定に形成
させるためにはヘムに対して大過剰モルを用いる
必要がある。これ故、式（）の構造の錯体は、
イミダゾール自体の毒性面だけから考えても生体
への適用は極めて困難である。 これに対し、この発明の錯体の構成成分である
シクロデキストリン包接イミダゾール誘導体にお
いてはそのイミダゾール誘導体が立体障害基を有
する場合であつても、シクロデキストリンによる
包接の結果その配位結合力が著しく改善される。
すなわち、式（）で示される低スピン型五配位
構造をとるヘムに対して、例えば、式 （ここで、【式】はシクロデキストリン、 ＡおよびＢは既述のとおり）で示されるシクロデ
キストリン包接イミダゾール誘導体を微小量作用
させると、優先的に高スピン型五配位ヘム錯体が
生成する。したがつて、イミダゾール誘導体自体
の量が少なくてすむとともに、イミダゾール誘導
体はシクロデキストリンに包接されているのでそ
の毒性も低く、生体適合性も有することとなる。 このような特徴を有するこの発明のシクロデキ
ストリン包接イミダゾール配位ヘム錯体を得るに
は、例えばＸ―Ａ―Ｂ（ここで、Ｘはハロゲン、
ＡおよびＢは既述のとおり）で示されるハロゲン
化物と式 （ここで、R1，R2およびR3は既述のとおり）
で示されるイミダゾールとを、それ自体公知のイ
ミダゾール１位―置換基導入反応（脱ハロゲン化
水素反応）によつて結合させて、前記式(A)のイミ
ダゾール誘導体をまず得る。ついでこの誘導体を
シクロデキストリンに対して等モル量以上、２倍
モル量以下の割合で、シクロデキストリンの飽和
濃度以下の適当な濃度の水溶液に添加して、室温
付近で数時間混合撹拌した後凍結乾燥する。50℃
付近で加熱減圧乾燥をさらにおこなつた後、未包
接イミダゾール誘導体を溶解するが包接イミダゾ
ール誘導体は溶解させないような適当な低沸点有
機溶媒（例えばジエチルエーテル等）で洗浄した
未包接イミダゾールを除去する。得られた包接イ
ミダゾールを一定重量になるまで50℃で減圧乾燥
して所望のシクロデキストリン包接イミダゾール
誘導体を得る。最後に、この包接イミダゾール誘
導体を水中または極性非プロトン溶媒（例えば
Ｎ，Ｎ―ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ―ジメチ
ルアセトアミド等）と水との混合溶媒中でヘムに
対して等モル量以上の割合でヘムと混合すること
によつて、この発明のシクロデキストリン包接イ
ミダゾール配位ヘム錯体が得られる。 この発明の錯体はその溶液に酸素、一酸化炭
素、窒素酸化物等のガスを通じるとこれらガスを
吸着・捕捉し、これに不活性ガスを通じるか減圧
下におくと吸着したガスを直ちに放出する。これ
は繰返しおこなえる。この発明はこのような能力
を持ち、また生体適合性が高いので例えば人工血
液用材料として応用できる。また、酸化還元反
応、酸素添加反応などの種々の化学反応の触媒特
に均一水相触媒として利用できる。 以下、この発明を実施例により詳細に説明す
る。 実施例 １ フエネチルクロリド28.1ｇ（0.2モル）、２―
メチルイミダゾール32.8ｇ（0.4モル）を混合
して200℃で５時間反応する。放冷後、反応物
を200mlのクロロホルムに溶解する。これを同
量の10％―Na2CO3水溶液、同量の水で順次洗
浄後無水炭酸ナトリウム上で静置乾燥し、溶媒
を減圧留去。残渣の油状物を窒素気流下で減圧
蒸留（bp159〜160℃（５mmHg））して、１―
フエネチル―２―メチルイミダゾールを15.3ｇ
（収率41.0％）得る。 NMR（TMS，CDCl3）、2.10（一重線、
3H、―CH3）、2.80（三重線、2H、Ｊ＝７Hz、
ＣＨ 2φ）、3.97（三重線、2H、Ｊ＝７Hz、Ｃ
Ｈ2CH2φ）、6.64（二重線、1H、Ｊ＝１Hz、
イミダゾール環５位プロトン）、6.79（二重
線、1H、Ｊ＝１Hz、イミダゾール環４位プ
ロトン）、6.84〜7.22（多重線、5H、φ―Ｈ）
ppm。 MSm／e186（M+.） α―シクロデキストリン2.92ｇ（３×10-3モ
ル）を25mlの水に溶解した後、１―フエネチル
―２―メチルイミダゾール1.12ｇ（６×10-3モ
ル）を添加する。３時間室温撹拌した後凍結乾
燥し、さらに50℃で８時間減圧乾燥する。得ら
れた粉末を50mlのジエチルエーテルで２回洗浄
した後、50℃でさらに12時間減圧乾燥すること
により、白色粉末として、１―フエネチル―２
―メチルイミダゾールとα―シクロデキストリ
ンの分子比１：１包接化合物4.00ｇ（定量的収
率）を得る。 重水溶媒（D2O）中、テトラメチルシラン
（TMS）を外部標準として上記の包接体、α―
シクロデキストリン（CD）及び１―フエネチ
ル―２―メチルイミダゾール（PMI）をNMR
測定した結果から次の２つの表を得た。 【表】 （上記表中において、α―CDはα―シクロ
デキストリンを、PMIは１―フエネチル―２
―メチルイミダゾールを表わす。） 【表】 表１において、１―フエネチル―２―メチル
イミダゾールのフエニル基、及びメチル基プロ
トンは包接体の場合で高磁場シフトしており、
これらの基が疎水空洞内におさまつていること
が窺えた。また表２において、α―シクロデキ
ストリンの空洞内面にある３位及び５位プロト
ンは包接体の場合で高磁場シフトしており、こ
れらのプロトンが、フエニル基、メチル基と疎
水性相互作用していることが推察された。さら
に包接体のNMRスペクトルにおいて、例えば
α―シクロデキストリンの１位プロトンシグナ
ル（5.065ppm）と１―フエネチル―２―メチ
ルイミダゾールのメチル基プロトンシグナル
（1.909ppm）の積分強度比が６対３であること
から包接比が１対１であることも確認された。 ヘミンをＭ／５―Na2CO3―NaHCO3緩衝溶
液（PH＝10.0）に溶解し、10-5Mのヘマチン水
溶液を調製した。得られた溶液に窒素雰囲気下
Na2S2O4をヘマチンに対して20倍モル量添加
し、波長範囲350〜700nmの可視吸収スペクト
ルを測定した。次にヘマチンに対して各々50，
100，200，500，1000倍モル量のα―シクロデ
キストリン包接１―フエネチル―２―メチルイ
ミダゾールを共存させた後同上条件での
Na2S2O4還元をおこない、スペクトル測定し
た。得られた連続変化スペクトルからMiller―
Doroughの式により、ヘムと包接配位子とで形
成する錯体の錯平衡定数Ｋ＝7.64×102l・
mol-1が求められた。この値は、1.2―ジメチル
イミダゾールを配位子に用いた場合のＫ＝2.8
×101l・mol-1と比較すると、ヘムへの配位能
は著しく改善されている。 前記の操作に従つてヘマチン10-5M、イミダ
ゾール10-2MのＭ／５―Na2CO3―NaHCO3溶
液（PH＝10.0）を調製し、窒素ガス雰囲気下亜
ニチオン酸を添加して還元することによりλnax
426，528，558nmの低スピン型六配位構造の可
視吸収スペクトルが観測された。得られた溶液
にイミダゾールの1/5量のα―シクロデキスト
リン包接１―フエネチル―２―メチルイミダゾ
ール配位子を添加したところ、先のスペクトル
は速やかにλnax432，557nmに移行し、高スピ
ン型五配位錯体の生成が認められた。この結果
はα―シクロデキストリンに包接した１―フエ
ネチル―２―メチルイミダゾールのヘムへの配
位能が、立体障害基のないイミダゾールよりも
さらに優れていることを示しており、従来の低
分子配位子とは全く異なつた特徴を持つ。 ヘミン1.2×10-4M、α―シクロデキストリ
ン包接１―フエネチル―２―メチルイミダゾー
ル2.4×10-2MのＮ，Ｎ―ジメチルホルムアミ
ド／水（PH＝７）＝9/1（ｖ／ｖ）溶液に窒素雰
囲気下ヘミンに対して６倍モルのNa2S2O4を添
加して還元した。得られたヘム錯体溶液を−30
℃に冷却し、１気圧の酸素を導入したところ、
速やかに可視スペクトル変化が生起し、λnax
410，545，577の酸素錯体スペクトルを得た。
これに窒素ガスを吹込んだところ、可視スペク
トルは元の還元型（λnax432，557nm）に戻つ
た。得られたヘム錯体に一酸化炭素を吹込んだ
ところλnax418，538，566の一酸化炭素錯体ス
ペクトルを認めた。これらの可視スペクトル挙
動は室温、水中でのヘモグロビンのガス吸脱着
に伴うスペクトル変化に匹敵している（表３）。 【表】 イミダゾール、２―メチルイミダゾールなど、
従来の低分子配位子を用いた系では同上条件下全
く酸素錯体を生成せず迅速に酸化されてしまう
か、酸素錯体半寿命が数分以下である事実と比較
すると、その半寿命は長く、酸素結合の安定性が
頗る改良されたヘム錯体である。 実施例 ２〜８ 疎水性置換基を有する幾つかのイミダゾール誘
導体を調製し、実施例１の方法に従つてシクロデ
キストリンに包接させた。調製された包接イミダ
ゾールのヘムへの配位能（錯安定度定数）、及び
包接イミダゾール配位ヘム錯体のガス吸着特性に
ついても実施例１で用いたと全く同じ手法で調べ
た。詳細を表４に示す。 表中、No.４とNo.６のイミダゾールは少量の酢酸
添加下で包接させた。生成した酸素錯体の安定性
は錯安定度定数Ｋの大きいもの程高く、これらの
値の小さいNo.４とNo.８のイミダゾール包接体を用
いた場合では不安定であつた。 【表】 なお実施例２〜７のイミダゾール誘導体の合成
はそれぞれ以下のようにおこなつた。 (2) シクロヘキシルメチルブロミド35.4ｇ（0.2
モル）、２―メチルイミダゾール32.8ｇ（0.4モ
ル）を混合して200℃で８時間反応した後、実施
例１と全く同じ操作で１―シクロヘキシル―２―
メチルイミダゾール25.0ｇ（収率70.0％）を得
た。 NMR（TMS、CDCl3）、0.6〜2.0（幅広多重線、
11H、【式】）、2.35（一重線、3H、― CH3）、3.61（二重線、2H、Ｊ＝７Hz、―CH2
―）、6.69（一重線、Ｈ、イミダゾール環５位プロ
トン）、6.81（一重線、Ｈ、イミダゾール環４位プ
ロトン）ppmMSm／e178（M+.） (3) ベンジルクロリド25.3ｇ（0.2モル）、２―メ
チルイミダゾール16.4ｇ（0.2モル）をｎ―ブ
タノール100ml中に加え、水酸化ナトリウム9.6
ｇ存在下３時間沸点還流した後減圧蒸留
（bp146〜153℃（９mmHg））し、１―ベンジル
―２―メチルイミダゾール17.7ｇ（収率51.5
％）を得た。 NMR（TMS、CDCl3）、2.31（一重線、3H、
―CH3）、5.00（一重線、2H、―CH2―）、6.82
（二重線、1H、イミダゾール環５位プロトン）、
6.93（二重線、1H、イミダゾール環４位プロト
ン）、6.9〜7.4（多重線、5H、φ―Ｈ）ppm MSm／e172（M+.） (4) 無水ピリジン100ml中に２―メチルイミダゾ
ール16.4ｇ（0.2ｇ）、ｐ―トルエンスルホニルク
ロリド38.1ｇを添加し、一夜室温撹拌。溶媒を減
圧留去後常法処理し、ジエチルエーテル―石油エ
ーテルから再結晶することにより１―トシル―２
―メチルイミダゾール36.8ｇ（収率78％）を得
る。 IR（KBr）1375，1200〜1155cm-1（νSO2） NMR（TMS，CDCl3）、2.40（一重線、3H、イ
ミダゾール環―CH3）、2.48（一重線、3H、フエ
ニル環―CH3）、6.79（二重線、Ｈ、イミダゾール
環５位プロトン）、7.23（二重線、2H、
【式】）、7.30（二重線、Ｈ、 イミダゾール環４位プロトン）、7.66（二重線、
2H、【式】）ppmM Sm／ e236（M+.） (5) ２―メチルイミダゾール16.4ｇ（0.2モル）、
アクリロニトリル21.3ｇ（0.4モル）を混合し、
３時間沸点還流した後過剰のアクリロニトリル
を減圧留去する。残渣を95％―エタノール中に
溶かし、濃塩酸20mlを添加して４時間沸点還流
する。氷冷下10％―Na2CO3水溶液を加えて中
和する。クロロホルム300mlで３回抽出した後
Na2CO3上乾燥し、過する。液を減圧留去
後残渣をドライアイス―ムタノール温度で結晶
化させて、得られた淡黄色結晶をジエチルエー
テル中粉砕して集する。P2O5上、室温で減
圧乾燥して１―（２―エトキシカルボニル）エ
チル―２―メチルイミダゾールを16.8ｇ（収率
46％）得る。 IR（KBr）1740（νC=O，エステル）1185（νC-O，
エステル）cm-1 NMR（TMS，CDCl3）1.20（三重線、3H、
―CH2CH3）2.31（―重線、3H、イミダゾール
環―CH3）、2.64（三重線、2H、―ＣＨ
2CH2CO2―）、4.06（四重線、2H、―ＣＨ
2CH3）、4.11（三重線、2H、CH2CＨ 2CO2―）、
6.87，6.85（各一重線、2H、イミダゾール環プ
ロトン）ppm MSm／e182（M+.） (6) (i) アセトイン25ｇ、ホルムアミド125mlを
混合して４時間沸点還流操作。冷後減圧分留
し、bp165℃（11mmｇ）を集めた後ジエチル
エーテル―メタノールから再結晶して４，５
―ジメチルイミダゾール13.5ｇ（収率49.5
％）を得た。 MSm／e96（M+.） NMR（TMS，CDCl3）1.82（一重線、6H、
―CH3）、6.74（一重線、Ｈ、イミダゾール環
２位プロトン）、11.04（幅広線、Ｈ、NH）
ppm。 (ii) フタルイミドカリウム60ｇをペンタメチレ
ンブロマイド250ｇ中に懸濁し、200℃で12時
間加熱撹拌反応。冷後、水蒸気蒸留し、未反
応のペンタメチレンブロマイドを除去した。
残渣にジエチルエーテル及び水を加えて激し
く振とう。ジエチルエーテル層を分離。水層
からさらに２回ジエチルエーテル抽出をおこ
なつた後ジエチルエーテル溶液を集めて水
洗、続いて無水硫酸ナトリウム上で一夜静置
乾燥。過後溶媒成分を減圧留去し、残渣を
エタノールから再結晶してＮ―（５―ブロモ
ペンチル）フタルイミド48ｇ（収率50％）を
得た。 IR（KBr）1780，1720cm-1（νC=O，フタルイ
ミドカルボニル） NMR（TMS，CDCl3）2.1〜1.3（多重線、
ブロード、6H、NCH2（ＣＨ 2）3CH2Br）、
3.38（三重線、2H、―ＣＨ 2Br）、3.66（三重
線、2H、NCＨ 2―）、8.27（多重線、4H、
φ―Ｈ）ppm。 MSm／e296（M+.） (iii) ４，５―ジメチルイミダゾール10ｇをテト
ラヒドロフランに溶解し、窒素下50％―水素化ナ
トリウム6.4ｇを加えて１時間沸点還流する。Ｎ
―（５―ブロモペンチル）フタルイミド35.5ｇの
テトラヒドロフラン（150ml）溶液を室温で１時
間かけて滴下した後３時間沸点還流する。不溶成
分去、溶媒成分を減圧留去後シリカゲルカラム
（６cmφ×45cm、CHCl3／CH3OH＝20/1（ｖ／
ｖ）溶媒）を用いて精製し、Ｎ―｛１―（４，５
―ジメチル）イミダゾリル｝ペンチルフタルイミ
ド18ｇ（収率55.6％）を得た。 IR（KBr）1775，1720cm-1（νC=O，フタルイミド
カルボニル）NMR（TMS，CDCl3）1.3〜1.7（幅
広、多重線、6HNCH2（CH2）3CH2N）、2.11
（一重線、6H、―CH3）、3.62（三重線、2H、
【式】）、3.71（三重線、2H、 【式】）、7.27（一重線、Ｈ、イ ミダゾール環２位プロトン）、7.78（多重線、4H、
φ―Ｈ）ppm MSm／e311（M+.） (7) 11―ブロムウンデカン酸25ｇをベンゼン100
ml中塩化オキザリル13ml存在下に４時間室温撹
拌。次にメタノール50mlを加えて一夜放置後常
法処理して11―ブロムウンデカン酸メチルエス
テル23ｇ（収率87.5％）を得る。 ２―メチルイミダゾール8.2ｇをNaH2.4ｇ／
DMF200mlの懸濁溶液中にゆつくり加える。添
加後90℃で１時間加熱し、先に得た11―ブロム
ウンデカン酸メチルエステルを滴下する。続い
て２時間90℃加熱撹拌した後、常法操作。シリ
カゲルカラム（６cmφ×27cm，CHCl3／
CH3CH＝9/1（ｖ／ｖ）を用いて精製し、メチ
ル11―｛１―（２―メチル）イミダゾリル｝ウ
ンデカノイエイト9.5ｇ（収率41％）を得る。 IR（液膜）1740cm-1（νC=O，エステル） NMR（TMS，CDCl3）、1.28（一重線、12H、
NCH2CH2（ＣＨ 2）6CH2CH2CO2―）、1.68（多
重線、幅広、4H、NCH2CＨ 2（CH2）6CＨ
2CH2CO2―）、2.31（三重線、2H、―CH2CO2
―）、2.37（一重線、3H、イミダゾール環―
CH3）、3.66（一重線、3H、―COOCH3）、3.80
（三重線、2H、NCＨ 2―）、6.80（二重線、
Ｈ、イミダゾール環５位プロトン）、6.90（二重
線、Ｈ、イミダゾール環４位プロトン）ppm。 MSm／e280（M+.）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シクロデキストリンに包接されたイミダゾー
ル誘導体であつてシクロデキストリンの空洞内に
包接される大きさおよび疎水性を有する置換基を
１位の窒素原子上に有するものの３位の窒素原子
にヘムが配位結合により結合したシクロデキスト
リン包接イミダゾール配位ヘム錯体。 ２ シクロデキストリンがα―シクロデキストリ
ンである特許請求の範囲第１項記載の錯体。 ３ イミダゾール誘導体が式 （ここで、R1はメチル基、R2およびR3はそれ
ぞれ独立に水素またはメチル基、Ａは―（CH2―）o
または【式】ｎは０ないし３の整数、および Ｂは炭素数１〜10の炭化水素基またはその末端水
素原子１個がカルボン酸のC1〜C3炭化水素エス
テルもしくはフタルイミドで置換された基）で示
される特許請求の範囲第１項または第２項記載の
錯体。 ４ イミダゾール誘導体が１―フエネチル―２―
メチルイミダゾール、１―シクロヘキシル―２―
メチルイミダゾール、１―ベンジル―２―メチル
イミダゾール、１―トシル―２―メチルイミダゾ
ール、１―（２―エトキシカルボニル）エチル―
２―メチルイミダゾール、Ｎ―｛１―（４，５―
ジメチル）イミダゾリル｝ペンチルフタルイミ
ド、11―｛１―（２―メチル）イミダゾリル｝ウ
ンデカノエイト、または１，２―ジメチルイミダ
ゾールである特許請求の範囲第３項記載の錯体。 ５ ヘムが生体成分であるポルフイリンの鉄
（）もしくは鉄（）錯体である特許請求の範
囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の錯体。 ６ シクロデキストリンに包接されたイミダゾー
ル誘導体であつてシクロデキストリンの空洞内に
包接される大きさおよび疎水性を有する置換基を
１位の窒素原子上に有するものの３位の窒素原子
にヘムが配位結合により結合したシクロデキスト
リン包接イミダゾール配位ヘム錯体よりなるガス
吸脱着剤。 ７ シクロデキストリンがα―シクロデキストリ
ンである特許請求の範囲第６項記載のガス吸脱着
剤。 ８ イミダゾール誘導体が式 （ここで、R1はメチル基、R2およびR3はそれ
ぞれ独立に水素またはメチル基、Ａは―（CH2―）o
または【式】ｎは０ないし３の整数、および Ｂは炭素数１〜10の炭化水素基またはその末端水
素原子１個がカルボン酸のC1〜C3炭化水素エス
テルもしくはフタルイミドで置換された基）で示
される特許請求の範囲第６項または第７項記載の
ガス吸脱着剤。 ９ イミダゾール誘導体が１―フエネチル―２―
メチルイミダゾール、１―シクロヘキシル―２―
メチルイミダゾール、１―ベンジル―２―メチル
イミダゾール、１―トシル―２―メチルイミダゾ
ール、１―（２―エトキシカルボニル）エチル―
２―メチルイミダゾール、Ｎ―｛１―（４，５―
ジメチル）イミダゾリル｝ペンチルフタルイミ
ド、11―｛１―（２―メチル）イミダゾリル｝ウ
ンデカノエイト、または１，２―ジメチルイミダ
ゾールである特許請求の範囲第８項記載のガス吸
脱着剤。 １０ ヘムが生体成分であるポルフイリンの鉄
（）もしくは鉄（）錯体である特許請求の範
囲第６項ないし第９項のいずれかに記載のガス吸
脱着剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5513982A JPS58172392A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | シクロデキストリン包接イミダゾ−ル配位ヘム錯体およびガス吸脱着剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5513982A JPS58172392A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | シクロデキストリン包接イミダゾ−ル配位ヘム錯体およびガス吸脱着剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58172392A JPS58172392A (ja) | 1983-10-11 |
| JPS635032B2 true JPS635032B2 (ja) | 1988-02-01 |
Family
ID=12990440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5513982A Granted JPS58172392A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | シクロデキストリン包接イミダゾ−ル配位ヘム錯体およびガス吸脱着剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58172392A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MXPA02005894A (es) * | 1999-12-17 | 2003-10-14 | Agrofresh Inc | Compuestos y complejos para la inhibicion de respuesta al etileno en plantas. |
| JP2018145248A (ja) * | 2017-03-02 | 2018-09-20 | 国立大学法人京都大学 | 無限配位高分子（ＩＣＰｓ）を用いた一酸化炭素放出材料 |
| CN109158087B (zh) * | 2018-09-21 | 2021-03-12 | 天津科技大学 | 一种基于微孔结构的环糊精构筑吸附材料的制备方法 |
| JP7751894B2 (ja) * | 2021-03-30 | 2025-10-09 | ナミックス株式会社 | 硬化触媒、樹脂組成物、封止材、接着剤、及び硬化物 |
-
1982
- 1982-04-02 JP JP5513982A patent/JPS58172392A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58172392A (ja) | 1983-10-11 |
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