JPS6350832A - 光記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ジアセチレン誘導体化合物を含有する光記録
媒体への光記録方法に関し、特に光書き込み手段として
８００〜９００ｎｍの赤外線レーザーを用いた光記録方
法に関する。

〔従来の技術〕

最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスクが注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大量の文書、文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文書等の整理、管理が効率よ〈実施で
きる。この光デイスク用の記録媒体としては、各種のも
のが検討されているが、価格、製造の容易さから有機材
料を用いたものが注目されている。

このような記録媒体用の有機材料として、ジアセチレン
誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録媒体として用いる記録技術が特開昭
５６−１４７８０７号公報に開示されている。しかし、
こ°の明細書中には、どのようなレーザーを用いたか、
あるいは用いるべきかの記載がなく、単にレーザーを用
いて記録を実施したとの記載に留まっている。

本発明者らは、種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー（波長８００〜９００ｎＩ１１）を使用し
た場合にはレーザー記録が実施できないことを確認した
。しがし、光ディスク等の実用的な記録媒体としては、
小型で低出力の半導体レーザーにより光書き込みが可能
なことが要請される。

一方、特開昭５８−１８１０５２号および特開昭５９−
６０４４３号公報には、各種のスクェアリリウム染料が
開示され、これら染料を含有する有機被膜が半導体レー
ザーの輻射波長領域の輻射線を吸収し発熱するので、レ
ーザーエネルギーによりピットを形成するいわゆるヒー
トモード記録が実施できることを開示している。しかし
、記録媒体の表面に物理的なピットを形成して記録を実
施する場合には、比較的大きなエネルギーを必要とし、
特に、高密度、高感度で高速の記録を実施することは比
較的困難であった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は小型軽量な半導体レー
ザーにより光書き込みが可能てあり、まず記録情報を記
録媒体に潜像として記録し、その後必要に応じて任意に
記録情報を顕像化して読み取ることのできる光記録方法
を提供することにある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度で高速記録の可能
な光記録方法を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録画像を得ることのできる光記録方法を提供することに
ある。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち、本発明の光記録方法は、ジアセチレン誘導体
化合物と、スクェアリリウム染料とを含有する記録層を
有する光記録媒体に、　８００〜９００ｎｍの赤外線を
記録情報に応じて照射して潜像を形成する工程と；該潜
像が形成された光記録媒体に紫外線を照射して、該潜像
を顕像化させる工程とを有することを特徴とする。

本発明の方法に用いる光記録媒体に含有されるジアセチ
レン誘導体化合物（以下、ＤＡ化合物と略称する）とは
、下記一般式 ％式％ （式中、ＲおよびＲ′は、極性基：極性基で置換されて
もよい、アルキル基、シクロヘキシル基のような飽和脂
肪族化水素基；極性基で置換されてもよい、ビニル基、
プロペニル基のようなオレフィン系炭化水素！；または
極性基で置換されてもよい、フェニル基、ナフチル基、
アルキルフェニル基のような芳香族炭化水素基であり、
ここでいう極性基としては、例えばカルボキシル基また
はその金属若しくはアミン塩、スルホン酸基またはその
金属若しくはアミン塩、スルホアミド基、アミド基、ア
ミノ基、イミノ基、ヒドロキシ基、オキシアミノ基、ジ
アゾニウム基、グアニジン基、ヒドラジン基、リン酸基
、ケイ酸基、アルミン酸基、ニトリル基、チオアルコー
ル基、ニトロ基およびハロゲン原子が挙げられる。） で表わされる化合物である。

一方、本発明で用いるスクェアリリウム染料とは、下記
基本構造式； （Ｍ：後述、Ａ１、Ａ２　　、芳香環及び／または複素
環を含む置換基） を有する化合物（分子内塩をも含む）であって、８００
〜９００ｎｍに吸収ピークを有し、この波長の赤外光に
より発熱する化合物である。このスクェアリリウム染料
としては、代表的には下記一般式［Ｉ］〜［ＩＶ］で示
される染料が例示される。

一般式［Ｉ］ ｎ ろｅ 一般式［！Ｉ］ ｏｅＭ■　　　　　　　　Ｘｅ 一般式［ｍ］ 一般式［１”／］ 一般式〔工〕　〔■〕中、Ｒ１およびＲ２は、アルキル
基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、１
ｓｏ−プロピル基、ローブチル基、５ｅｃ−ブチル基、
１ｓｏ−ブチル基、し−ブチル基、ｎ−アミル基、ｔ−
アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｔ−オク
チル基など）、置換アルキル基（例えば２−とドロキシ
エチル基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロキシ
ブチル基、２−アセトキシエチル基、カルボキシメチル
基、２−カルボキシエチル基、３−カルボキシプロピル
基、２−スルホエチル基、３−スルホプロピル基、４−
スルホブチル基、３−スルフェートプロピル基、４−ス
ルフェートブチル基、　Ｎ−（メチルスルホニル）−カ
ルバミルメチル基、　３−（アセチルスルファミル）プ
ロピル基、　４−（アセチルスルファミル）ブチル基な
ど）、環式アルキル基（例えば、シクロヘキシル基など
）、アリル基、アラルキル基（例えば、ベンジル基、フ
ェネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチ
ル基など）、置換アラルキル基（例えば、カルボキシベ
ンジル基、スルホベンジル基、ヒドロキシベンジル基な
ど）、アリール基（例えば、フェニル基など）または置
換アリール基（例えば、カルボキシフェニル基、スルホ
フェニル基、ヒドロキシフェニル基など）を示す。特に
、本発明においては、これらの有機残基のうち、疎水性
のものが好ましい。

置換または未置換の複素環、例えば、チアゾール系列の
核（例えばチアゾール、４−メチルチアゾール、４−フ
ェニルチアゾール、５−メチルチアゾール、５−フェニ
ルチアゾール、４，５−ジメチルチアゾール、４．５−
ジフェニルチアゾール、４−（２−チェニル）−チアゾ
ールなど）、ベンゾチアゾール系列の核（例えばベンゾ
チアゾール、５−クロロベンゾチアゾール、５−メチル
ベンゾチアゾール、６−メチルベンゾチアゾール、５．
６−シメチルベンゾチアゾール、５−ブロモベンゾチア
ゾール、５−フェニルベンゾチアゾール、５−メトキシ
ベンゾチアゾール、６−メトキシベンゾチアゾール、５
．６−ジメトキ゛ジベンゾチアゾール、５，６−シオキ
シメチレンベンゾチアゾール、５−ヒドロキシベンゾチ
アゾール、６−ヒドロキシベンゾチアゾール、４．５，
６．７−チトラヒドロペンゾチアゾールなど）、ナフト
チアゾール系列の核（例えばナフト［２，１−ｄ］チア
ゾール、ナフト［１，２−ｄ］チアゾール、５−メトキ
シナフト［１，２−ｄ］チアゾール、５−エトキシナフ
ト［１，２−ｄ］チアゾール、８−メトキシナフト［２
，１−ｄ］チアゾール、７−メトキシナフト［２，１−
ｄ］チアゾールなど）、チオナフテン［７，６−ｄ］チ
アゾール系列の核（例えば７−メドキシチオナフテン［
７，６−ｄ］チアゾール）、オキサゾール系列の核（例
えば４−メチルオキサゾール、５−メチルオキサゾール
、４−フェニルオキサゾール、４．５−ジフェニルオキ
サゾール、４−エチルオキサゾール、４．５−ジメチル
オキサゾール、５−フェニルオキサゾール）、ベンゾオ
キサゾール系列の核（例えばベンゾオキサゾール、５−
クロロベンゾオキサゾール、５−メチルベンゾオキサゾ
ール、５−フェニルベンゾオキサゾール、６−メチルベ
ンゾオキサゾール、５．６−ジメチルベンゾオキサゾー
ル、５−メトキシベンゾオキサゾール、６−メトキシベ
ンゾオキサゾール、５−ヒドロキシベンゾオキサゾール
、６−ヒドロキシベンゾオキサゾールなど）、ナフトオ
キサゾール系列の核（例えばナフト［２，１−ｄ］オキ
サゾール、ナフト［１，２−ｄ］オキサゾールなど）、
セレナゾール系列の核（例えば４−メチルセレナゾール
、４−フェニルセレナゾールなど）、ベンゾセレナゾー
ル系列の核（例えばベンゾセレナゾール、５−クロロベ
ンゾセレナゾール、５−メチルベンゾセレナゾール、５
．６−シメチルベンゾセレナゾール、５−メトキシベン
ゾセレナゾール、５−メチル−６−メトキシベンゾセレ
ナゾール、５，６−シオキシメチレンベンゾセレナゾー
ル、５−ヒドロキシベンゾセレナゾール、４．５，８．
７−チトラヒドロペンゾセレナゾールなど）、ナフトセ
レナゾール系列の核（例えばナフト［２，１−ｄコセレ
ナゾール、ナフト［１，２−ｄコセレナゾール）、チア
ゾリン系列の核（例えばチアゾリン、４−メチルチアゾ
リン、４−ヒドロキシメチル−４−メチルチアゾリン、
４，４−ビス−ヒドロキシメチルチアゾリンなど）、オ
キサゾリン系列の核（例えばオキサゾリン）、セレナゾ
リン系列の核（例えばセレナゾリン）、２−キノリン系
列の核（例えばキノリン、６−メチルキノリン、６−ク
ロロキノリン、６−メドキシキノリン、６−ニトキシキ
ノリン、６−ヒドロキシキノリン）、４−キノリン系列
の核（例えばキノリン、６−メドキシキノリン、７−メ
チルキノリン、８−メチルキノリン）、ｌ−イソキノリ
ン系列の核（例えばイソキノリン、３，４−ジヒドロイ
ソキノリン）、３−インキノリン系列の核（例えばイソ
キノリン）、３．３−ジアルキルインドレニン系列の核
（例えば３．３−ジメチルインドレニン、３．３−ジメ
チル−５−クロロインドレニン、３，３．５−トリメチ
ルインドレニン、３，３．７−トリメチルインドレニン
）、ピリジン系列の核（例えばピリジン、５−メチルビ
リジン）、ベンゾイミダゾール系列の核（例えば１−エ
チル−５，６−ジクロロベンゾイミダゾール、ｌ−とド
ロキシエチル−５，６−ジクロロベンゾイミダゾール、
１−エチル−５−クロロベンゾイミダゾール、１−エチ
ル−５，６−ジブロモベンゾイミダゾール、１−エチル
−５−フェニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−
フルオロベンゾイミダゾール、１−エチル−５−シアノ
ベンゾイミダゾール、１−（β−アセトキシエチル）−
５−シアノベンゾイミダゾール、１−エチル−５−クロ
ロ−６−シアノベンゾイミダゾール、１−エチル−５−
フルオロ−６−シアノベンゾイミダゾール、■−エチル
ー５−アセチルベンゾイミダゾール、■−エチルー５−
カルボキシベンゾイミダゾール、１−エチル−５−エト
キシカルボニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−
スルファミルヘンシイミダゾール、■−エチルー５−Ｎ
−エチルスルファミルベンゾイミダゾール、１−エチル
−５，６−ジフルオロベンゾイミダゾール、ｌ−エチル
−５，６−ジクロロベンゾイミダゾール、１−エチル−
５−エチルスルホニルベンゾイミダゾール、■−エチル
ー５−メチルスルホニルベンゾイミダゾール、ｌ−エチ
ル−５−トリフルオロメチルベンゾイミダゾール、１−
エチル−５−トリフルオロメチルスルホニルベンゾイミ
ダゾール、１−エチル−５−トリフルオロメチルスルフ
ィニルベンゾイミダゾールなど）を完成するに必要な非
金属原子群を表わす。Ｘ　は、塩化物イオン、臭化物イ
オン、ヨウ化物イオン、過塩素酸塩イオン、ベンゼンス
ルホン酸塩イオン、ｐ−トルエンスルホン酸塩イオン、
メチル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピル硫
酸塩イオンなどの陰イオンを表わし、　Ｘ　はＲ１およ
び／まｅ たはＲ２自体が陰イオン基、例えば−５○３、−０ＳＯ
３、■ 含むときには存在しない。Ｍ　は、例えば水素陽イオン
、ナトリウム陽イオン、アンモニウム陽イオン、カリウ
ム陽イオン、ピリジウム陽イオンなどの陽イオンを表わ
す。ｎおよびｍは、０又は１である。

一般式（ＩＩＩ）　　（ＴＶ）中、Ｒ３およびＲ４は、
メチル、エチル、プロピル、ブチルなどのアルキル基を
示す。またＲ３とＲ４で窒素原子とともにモルフォリノ
、ピペリジニル、ピロリジノなどの環を形成するとこと
も出来る。Ｒ５，Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は水素原子、ア
ルキル基（メチル、エチル、プロピル、ブチルなと）、
アルコキシ基（メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブト
キシなど）又はヒドロキシ基を示す。また、Ｒ５とＲ６
で結合してベンゼン環を形成することができ、さらにＲ
５およびＲ６とＲ７およびＲ８がそれぞれ結合してベン
ゼン環を形成することができる。

次に、本発明で用いるスクェアリリウム染料の代表例を
下記に列挙するが、便宜上、一般式［Ｉ］あるいは［Ｉ
［［］のベタイン構造の形で表わす。しかし、これらの
染料の調製においては、ベタイン形や塩の形にある染料
の混合物が得られるので、混合物として使用される。

一般式［１１，［ＩＩ］の代表例 （２）　　　　　　　　　　　。

■ （３）　　　　　　　　　　　。

（４）　　　　　　　　　　。

（７）。

（８）　　　　　　　　　　　。

（８）　　　　　　　　　　　。

（ｌＯ）　　　　　　　　　　。

（１１）　　　　　　　　　　。

（１３）　　　　　　　　　　　　。

バ （＋４）　　　　　　　　　　　０ （１５）　　　　　　　　　　　。

璽 （１６）　　　　　　　　　　　。

しｔ　　　　　　　　　　　　　　シｔ（１７）　　　
　　　　　　　　　　　Ｑ（１８）　　　　　　　　　
　　　　。

（１９）　　　　　　　　　　　　　Ｏ（２０）　　　
　　　　　　　　　　。

バ （２＋）　　　　　　　　　　　　　　　　０ＣＨＣＭ ＣＨ，ＣＨ２ ｅ 一般式［ｍ＋　、［ＩＶ］の代表例 （３ｆｌ）　　　　　　　　　　０ （３？）　　　　　　　　　　０ 四 （３８）　　　　　　　　　　　Ｏ にＨ３’（＝＞　　　［１；Ｈ２ Ｏ 上記（１）〜（４２）のスクェアリリウム染料は、１種
または２種以上を組合せて用いることができる。

本発明に用いる光記録媒体は前記ＤＡ化合物と前記スク
ェアリリウム染料とを含有してなり、−層混合系、二層
分離系または多層積層系のいずれの構成でも良い。

ここで、−層混合系とは、ＤＡ化合物とスクェアリリウ
ム染料との混合層からなるものを、二層分離系とは、Ｏ
Ａ化合物を含む層とスクェアリリウム染料を含む層とが
分！積層されているものを、更に多層積層系とは、例え
ばＤＡ化合物を含む層の１以上と、スクェアリリウム染
料を含む層の１以上が所定の層数及び順序で基板上に積
層された上記二層分離系を含まない構成のものをそれぞ
れいう。

本発明に用いる光記録媒体の代表的な構成を第１図（Ａ
）及び第１図（Ｂ）に示す。第１図（Ａ）は、−層混合
系の記録層２が基板１上に設けられているものであり、
第１図（Ｂ）は、二層分離系の、すなわちＤＡ化合物を
含む層２ａとスクェアリリウム染料を含む層２ｂとから
なる記録層２が基板１上に設けられているものである。

記録層２を形成するには、代表的には、−層混合系の場
合には、ＤＡ化合物の結晶微粉末およびスクェアリリウ
ム染料を適当な揮発性溶媒に混合して、塗布液を作成し
、この塗布液を基板１上に塗布して、また二層分離系若
しくは多層積層系の場合には、ＤＡ化合物の結晶微粉末
を含む塗布液と、スクェアリリウム染料を含む塗布液と
を別々に調製し、これらを基板１に所定の順序で塗布す
れば良い。

本発明に用いる光記録媒体の基板１としては、ガラス、
アクリル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプ
ラスチックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料が使
用できるが、基板側から輻射線を照射して記録を実施す
る場合には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを
用いる。

−層混合系の記録層の形成に用いる塗布液の溶媒は、使
用するバインダーの種類や、ＤＡ化合物およびスクェア
リリウム染料の種類によって適宜選択されるが、一般に
、メタノール、エタノール、インプロパツール等のアル
コール類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン等のケトン類；ｒｒ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド等のケトン類；ジメチ
ルスルホキシド等のスルホキシド類：テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル等のエーテル類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル等のエステル類；クロロホルム、塩化メチレン、ジク
ロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレン等の脂
肪族ハロゲン化炭化水素類；ベンゼン、トルエン、キシ
レン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼン等の芳香
族炭化水素類等が挙げられる。

また、二層分Ｉｌｌ系若しくは多層積層系の形成に用い
る塗布溶液の溶媒として、スクェアリリウム染料の好適
な溶媒としては、スクェアリリウム染料が非晶質状態の
場合には、メタノール、エタノール、インプロパツール
等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノン等のケトン類Ｊ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ。

Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類ニジメチルスル
ホキシド等のスルホキシド類；テトラヒドロフラン、ジ
オキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル等の
エーテル類；酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、
ベンゼン、トルエン、キシレン、リグロイン等の芳香族
類等が挙げられ、またスクェアリリウムが粒子状態の場
合には、ジクロルメタン、クロロホルム、四塩化炭素、
１．１−ジクロルメタン、■、２−ジクロルメタン、１
．１．２−トリクロルメタン、クロルベンゼン、ブロモ
ベンゼン、１．２−ジクロルベンゼン等のハロゲン化炭
化水素類等が挙げられる。

また、ＤＡ化合物の好適な分散媒としては、ｎ−ヘキサ
ン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、シクロヘキサン等の
脂肪族炭化水素類が挙げられる。しがし、ＤＡ化合物は
、結晶性が強い化合物なので、−旦溶媒に溶解し、この
溶液を基板上に塗布しても乾燥過程で再結晶化が進行し
、ダレインが得られる。

したがって、分散液だけでなく、ＤＡ化合物の溶液を使
用しても良い。この場合の溶媒としては、スクェアリリ
ウム染料の溶媒として先に挙げたものと同様なものが使
用できる。

なお、各塗布液には、基板１との、あるいは他の層との
密着性を向上させるために、適宜天然若しくは合成高分
子からなるバインダーを添加してもよい。また、記録層
２の安定性、品質向上を計るために各種の添加剤を加え
てもよい。

このような塗布液の基板１への塗工は、スピナー回転塗
布法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、
ピードコーティング法、ワイヤーバー、コーティング法
、ブレードコーティング法、ローラーコーティング法、
カーテンコーティング法等の手法が用いられる。

記録層２が一層混合系の場合は、その膜厚は、３００人
〜２ｕ１程度が適しており、特に４００〜５０００人の
範囲が好ましい。また二層分離系の場合の各層の膜厚は
、　１００人〜１μ程度が適しており、特に２００〜５
０００人の範囲が好ましい。更に、多層積層系の場合に
は、個々の品化合物を含む層の膜厚の総和及び個々のス
クェアリリウム染料を含む層の膜厚の総和がともに、　
１００人〜ＩＪＩＪ程度が適しており、特に２００〜５
０００人の範囲が好ましい。

記録層２内でのＤＡ化合物とスクェアリリウム染料との
配合割合は、１／１５〜１５／ｌ程度が好ましく、最適
には１／１０〜１０／ｌである。

なお、必要に応じてこのように構成される記録層２の上
に各種の保護層を設けてもよい。また、二層分離系や多
層積層系の場合の各層の積層順序には関係なく本発明は
実施可能である。

このようにして構成される光記録媒体を用いて本発明の
光記録方法を実施することができる。

この光記録媒体においては、ＤＡ化合物に光を加えるこ
とにより、記録層の吸収波長が変化して見掛けの色が変
化する。すなわち、Ｄへ化合物は、初期にはほぼ無色透
明であるが、紫外線を照射すると重合し、ポリジアセチ
レン誘導体化合物へと変化する。この重合は紫外線の照
射によってのみ起り、熱等の他の物理的エネルギーの印
加によっては生じない。この重合の結果、　６２０〜８
６０ｎｍに最大吸収波長を有するようになり、青色ない
し暗色へと変化する。この重合に基づく色相の変化は不
可逆変化であり、−度青色ないし暗色へ変化した記録層
は無色透明膜へとは戻らない。

また、この青色ないし暗色へ変化したポリジアセチレン
誘導体化合物を約５０℃以上に加熱すると今度は約５４
０ｎｍに最大吸収波長を有するようになり、赤色膜へと
変化する。この変化も不可逆変化である。

一方、本発明者らは、上記のような構成の記録層につい
て種々検討したところ、破壊若しくはその形状を変形さ
せないような適当な温度で加熱して、これを−度溶融状
態とする過程を経過させた記録層に、上記のような紫外
線照射を行なっても記録層の青色ないし暗色への変化が
起きないことを見い出した。

すなわち、これは、この紫外線照射によるＤＡ化合物の
重合の結果としての青色ないし暗色膜への変化が、主に
記録層２中に含まれたＤＡ化合物結晶体中でのＤＡ化合
物分子の高秩序分子配同性により得られるものであり、
上記のように記録層を加熱してＤＡ化合物を含む層を溶
融させるなどして、その部分に含まれていたＤ＾化合物
結晶体を溶融させ、これを非晶質状態として、その部分
のＤＡ化合物分子の配向の秩序を乱してやると、分子配
列レベルでの反応できる位置関係にあるＤＡ化合物分子
の数が大幅に減少するためであると考えられる。

本発明の光記録方法は、このようなりＡ化合物結晶体の
特性と、これとスクェアリリウム染料との組合せによっ
て得られる機能を利用して記録を実施するものである。

以下、本発明の光記録方法の一例について述べる。

まず、記録情報は、適当な制御回路を経て半導体レーザ
ーにより光信号に変換される。この光信号は光学系を経
て、例えば光記録媒体載買手股上に載置され、同期回転
している一層混合系の記録層を有する円盤状の光記録媒
体の所定の位置に第２図（Ａ）に示すように結像され、
半導体レーザーによる記録情報の光書き込みが実施され
る。

このとき用いる半導体レーザーとしては、出力波長８Ｑ
Ｑ　〜８５（ｌｎｍのＧａＡｓ接合レーザーを使用する
のが特に好適である。

このとき、結像点（光照射部位）３には、変色等のみか
けの変化は生じないが、この部分にあるスクェアリリウ
ム染料が光を吸収して発熱し、この発熱によって、光照
射部位３に含まれた微粉末状のＤＡ化合物結晶体が溶融
し、この部分は非晶質状態となり、Ｄへ化合物分子の高
秩序配向性が乱される。その結果、光照射部位３は、後
に行なう顕像化処理において変色しない部分となる。

なお、この書き込み時のレーザービームの照射条件は、
用いる光記録媒体の構成に応じて適宜選択すれば良いが
、少なくとも光照射部位３の温度が、ＤＡ化合物結晶微
粉末を溶融させてＤＡ化合物分子の配向の秩序を乱すの
に十分であり、かつ記録層を破壊若しくはその形状を変
形させないような温度となるようにする必要がある。

このようにして、記録層に分子配向性のレベルでの状態
の差による、すなわち微粉末状のＤ＾化合物結晶体中で
［ｌＡ化合物分子の高秩序配向性が維持されている（光
照射されなかった）部分５ｂ中に形成された、ＤＡ化合
物分子の高秩序配向性が乱された（光照射された）部分
５ａからなる潜像が第２図（Ｂ）に示したように形成さ
れて記録情報の書き込みが行なわれる。

なお、ＤＡ化合物は上記の半導体レーザーに対して感能
性を有さず、従来のＤＡ化合物のみからなる光記録媒体
ではこのような光書き込みは不可能である。

ここで、上述したように、記録層２には光学的に検知可
能゛な像として記録情報が記録されていないので、この
段階では、書き込んだ記録情報を読み取ることはできな
い。

そこで、記録情報の読み取りを行ないたい場合には、記
録層２に形成された潜像を顕像化する必要がある。

この潜像の顕像化は、光記録媒体に一様に紫外線を照射
することによって実施される。

この紫外線の照射により、記録層２の先の書き込み時に
おいて光照射されなかった部分５ｂにあるＯＡ化合物結
晶体中のその高秩序配向性が維持されている県北合物が
重合してポリジアセチレン誘導体化合物へ変化し、記録
層のこの部分は第２図（Ｃ）に示すように６２０〜６６
０ｎｍに最大吸収波長を有する青色ないし暗色の膜６ｂ
へと変色する。−方、先の光書き込み時において赤外線
照射された部分５ａでは、前述したように、Ｄへ化合物
の高秩序配向性が乱されているので、ＤＡ化合物の重合
反応が起きにくく、この部分では、非照射部５ｂにおけ
るような青色ないし暗色膜への変色は起こらない。従っ
て、先の書き込み時に形成された潜像部分５ａはほぼ無
色透明な当初の記録層の色のままでこの紫外線照射処理
によって青色ないし暗色化した膜６ｂ中に残され、青色
ないし暗色膜６ｂと光学的に識別可能な白ぬき部６ａと
して顕像化される。

なお、この紫外線の照射による処理が終了した後に、必
要に応じて記録層２を約５０℃以上に加熱してやれば、
青色ないし暗色膜６ｂ中のポリジアセチレン誘導体化合
物が先に述べたように赤色へ変色するので、潜像として
記録層２に書込まれた記録情報を赤色膜中の白ぬき部６
ａとして顕像化することができる。

この記録層の加熱処理には、ヒーター等の加熱手段を用
いて、あるいは記録層には輻射線を吸収して発熱するス
クェアリリウム染料が含有されているので赤外線等の輻
射線を記録層に照射するなどして実施することができる
。

以上、−層混合系の記録層を有する記録媒体を用いた場
合の本発明の光記録方法について説明したが、第１図（
Ｂ）に示したような二層分離系の記録層を有した記録媒
体を用いる場合には、レーザービームの結像点３は、第
３図（Ａ）に示すようにスクェアリリウム染料を含む層
２ｂとされる。このようにレーザービーム４が照射され
ると、層２ｂに含まれたスクェアリリウム染料がレーザ
ービーム４を吸収して発熱し、この発熱によってＤＡ化
合物を合む層２ａの結像点３の上の部分が溶融し、上述
した過程に従って第３図（Ｂ）に示すように潜像５ａが
形成される。この潜像は上述した紫外線の照射処理によ
って、また更に必要に応じた加熱処理によって、第３図
（Ｃ）に示すような青色ないし暗色、若しくは赤色の膜
６ｂと光学的に識別可能な白ぬき部６ａとして顕像化す
ることができる。

なお、光記録媒体としては、上述の例では円盤状のディ
スク（光ディスク）が用いられたが、もちろん、ＤＡ化
合物およびスクェアリリウム染料を含有する記録層を支
持する基板の種類により、光テープ、光カード等も使用
できる。

〔発明の効果〕

本発明の光記録方法の効果を以下に列挙する。

（１）記録層にスクェアリリウム染料とジアセチレン誘
導体化合物とが組合わされて用いられているので、小型
軽量の半導体レーザーを用いて光書き込みが可能であり
、高密度、高感度での高速記録が可能である。しかも記
録情報は記録媒体に潜像として記録され、その後必要に
応じて任意に記録情報を顕像化して読み取ることができ
る。

（２）記録層が均質かつ表面性良く形成されているので
、安定性に優れた高品質な光記録が実施できる。

（３）高度に均質な大面積の記録層を有する安価な記録
媒体を用いた光記録が可能となる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例に基づきより詳細に説明する。

実施例１ 一般式Ｃ１２Ｈ２Ｓ”’ＣミＣ−ＣＥＣ−Ｃ３Ｈ１６−
ＧＯＯＨで表わされるジアセチレン誘導体化合物結晶微
粉末１重量部と前記の染料ＡＩｆＬ１で表わされるスク
ェアリリウム染料１５重量部とを塩化メチレン３０重量
部中に添加し、十分撹拌したものを塗布液として準備し
た。

次にガラス製のディスク基板（厚さ１．５ａｕｎ、直径
２００　ｍｍ）をスピナー塗布機に装着し、前記塗布液
をディスク基板の中央部に少量滴下した後、所定の回転
数で所定の時間スピナーを回転させ塗布し、常温で乾燥
して、基板上の乾燥後の塗膜の厚みが５００人、１００
０人および２０００人である光記録媒体をそれぞれ作成
した。

このようにして得た光記録媒体を用いて、以下のように
して本発明の光記録方法を実施した。

まず、上記の光記録媒体のそれぞれに、８３０ｎｍの波
長の半導体レーザー（レーザービーム径；１鱗、照射時
間；　　２００ｎｓ／　１ドツト、出力５ｍＷ）を入力
情報にしたがい照射し、潜像を形成した。その際、各光
記録媒体の光照射部には見掛は上の変化は認められなか
った。

次に、この半導体レーザーによる書き込みが終了した後
、各光記録媒体に２５４ｎｍの波長の紫外線を均一かつ
十分に照射した。すると、各光記録媒体の記録層の先の
書き込み時に半導体レーザーが照射された部分以外の部
分が青色に変色し、先に形成した潜像、すなわち半導体
レーザーの照射部が白ぬきどなったネガ像が顕像化され
た。

この記録結果の評価を、第１表に示した。評価は、感度
、画像解像度及び白ぬき部と周辺とのコントラストの良
否の総合評価により判定し、特に良好なものを◎、良好
なものをＯ１記録ができないまたは不良なものを×とし
た。

実施例２ ジアセチレン誘導体化合物の量を１重量部、スクェアリ
リウム染料の量を１０重量部、塩化メチレンの量を２０
重量部とした混合溶液を塗布液として使用し、実施例１
と同様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を顕
像化し、これを評価した。その結果を第１表に示す。

実施例３ ジアセチレン誘導体化合物の量を１重量部、スクェアリ
リウム染料の量を５重量部、塩化メチレンの量を１２重
量部とした混合溶液を塗布液として使用し、実施例１と
同様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｒ＋ｍの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を
顕像化し、これを評価した。その結果を第１表に示す。

実施例４ ジアセチレン誘導体化合物の量を１重量部、スクェアリ
リウム染料の量を１重量部、塩化メチレンの量を４重量
部とした混合溶液を塗布液として使用し、実施例１と同
様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｎｒｎの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を
顕像化し、これを評価した。その結果を第１表に示す。

実施例５ ジアセチレン誘導体化合物の量を５重量部、スクェアリ
リウム染料の量を１重量部、塩化メチレンの量を１２重
量部とした混合溶液を塗布液として使用し、実施例１と
同様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を顕
像化し、こわを評価した。その結果を第１表に示す。

実施例６ ジアセチレン誘導体化合物の量を１０重量部、スクェア
リリウム染料の量を１重１部、塩化メチレンの量を２０
重量部とした混合溶液を塗布液として使用し、実施例１
と同様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を顕
像化し、これを評価した。その結果を第１表に示す。

実施例７ ジアセチレン誘導体化合物の量を１５重量部、スクェア
リリウム染料の量を１重量部、塩化メチレンの量を３０
重量部とした混合溶液を塗布液とじて使用し、実施例１
と同様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を顕
像化し、これを評価した。その結果を第１表に示す。

第　　１　　表 実施例８〜１４ 光記録及びネガ像の顕像化までは、実施例１〜７までと
同様に行なった後、光記録媒体のそれぞれを約８０℃に
加熱して背景の青色を赤色に変化させたネガ像を得た。

このネガ像について実施例Ｉと同様の基準により評価し
た結果を第２表に示す。

第　　２　　表 実施例１５ 一般式Ｃｌ２Ｈ２Ｓ−ＣミＣ−ＣＥＣ−Ｃ，Ｈ１６−Ｃ
ＯＯＨで表わさねるジアセチレン話導体化合物に代え、
一般式〇８Ｈ，フー（ｊＣ−ＣミＣ−Ｃ，Ｈ４−（：Ｏ
ＯＨで表わされた化合物を用いたことを除いては実施例
４と同様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｒ＋ｍの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を
顕像化し、これを評価した。その結果を第３表に示す。

実施例１６〜１９ 染料／Ｌｌで表わされるスクェアリリウム染料に代え、
染料Ａ５．１６．２３．３１で表わされるスクェアリリ
ウム染料を個々に用いたことを除いては実施例１５と同
様の方法により光記録媒体を作成した。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を顕
像化し、これを評価した。その結果を第３表に示す。

第３表 実施例２０ 染料Ａ３で表わされるスクェアリリウム染料１重量部を
ジクロロメタン１０重量部に溶解し、塗布液Ａとした。

これとは別にＣ，２Ｈ２５−ＣＥＣ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ８Ｈ，
６−Ｃ０ＯＨで表わされるジアセチレン誘導体化合物結
晶微粉末１重量部をベンザ２１０重量部に添加し十分攪
拌して塗布液Ｂとした。

次にガラス製のディスク基板（厚さ　１．５ｍｍ、直径
２００　ｍｍ）をスピナー塗布機に装着し、最初に前記
塗布液Ａをディスク基板の中央部に少量滴下した後、所
定の回転数で所定の時間スピナーを回転させて塗布し、
常温で乾燥し、基板上にスクェアリリウム染料を含む層
を形成した。次に、スクェアリリウム染料を含む層を形
成した基板を再びスピナー塗布機に装着し、先に形成し
たディスク基板上のスクェアリリウム染料を含む層の表
面の中央部に前記塗布液Ｂを少量滴下した後、所定の回
転数で所定の時間スピナーを回転させて塗布し、常温で
乾燥し、スクェアリリウム染料を含む層上にＤ式化合物
を含む層を積層し記録層とした。

なお、スクェアリリウム染料を含む層と、ＤＡ化合物を
含む層との膜厚を、第４Ａ表に示すように種々変化させ
、試料誠２０−１〜２０−２５の２５種の光記録媒体を
得た。

このようにして得た光記録媒体のそれぞれに、実施例１
と同様にして、光記録を実施した後、各光記録媒体に２
５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射してネガ像を顕
像化し、これを評価した。その結果を第４Ｂ表に示す。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）及び第１図（Ｂ）は本発明の方法に用いる
光記録媒体の構成の一憇様を例示する模式断面図、第２
図（Ａ）〜第２図（Ｃ）並びに第３図（八）〜第３図（
Ｃ）は本発明の光記録の過程を示す光記録媒体の模式断
面図である。 １：基板　　　　　　２：記録層 ２ａ：ＤＡ化合物を含む層 ２ｂ：スクェアリリウム染料を含む層 ３：光照射部位 ４：レーザービーム ５ａ：潜像 ５ｂ：非照射部 ６ａ：白ぬき部 ６ｂ：変色部

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）ジアセチレン誘導体化合物と、スクエアリリウム染
   料とを含有する記録層を有する光記録媒体に、８００〜
   ９００ｎｍの赤外線を記録情報に応じて照射して潜像を
   形成する工程と；該潜像が形成された光記録媒体に紫外
   線を照射して、該潜像を顕像化させる工程とを有するこ
   とを特徴とする光記録方法。 ２）前記光記録媒体の紫外線照射処理工程後に、光記録
   媒体の加熱処理工程を有する特許請求の範囲第１項記載
   の光記録方法。