JPS6351404B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6351404B2 JPS6351404B2 JP53149112A JP14911278A JPS6351404B2 JP S6351404 B2 JPS6351404 B2 JP S6351404B2 JP 53149112 A JP53149112 A JP 53149112A JP 14911278 A JP14911278 A JP 14911278A JP S6351404 B2 JPS6351404 B2 JP S6351404B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- center conductor
- oscillation
- case
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
- H03B9/14—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance
- H03B9/145—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance the frequency being determined by a cavity resonator, e.g. a hollow waveguide cavity or a coaxial cavity
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ガンダイオードやFET（電界効果ト
ランジスタ）等の固体素子を用い、同軸線路を発
振出力線路として発振したマイクロ波を、導波管
モードに変換して導波管出力とする小型で高性能
なマイクロ波発振器に関するものである。
ランジスタ）等の固体素子を用い、同軸線路を発
振出力線路として発振したマイクロ波を、導波管
モードに変換して導波管出力とする小型で高性能
なマイクロ波発振器に関するものである。
マイクロ波帯で直接発振する素子としては、ガ
ンダイオード、FET等が良く知られており、こ
れら素子を用いた発振器の構成として、従来第１
図および第２図に示す構成が用いられてきた。
ンダイオード、FET等が良く知られており、こ
れら素子を用いた発振器の構成として、従来第１
図および第２図に示す構成が用いられてきた。
第１図は、導波管内のガンダイオードで発振さ
せ、導波管を出力線路として発振出力を取り出す
ものである。方形導波管１の終端短絡面２から少
し離れた位置のＨ面から金属棒３を挿入し、金属
棒３はスタブ４と誘電体５と導波管壁により同軸
形の低域通過フイルタを形成し、この金属棒３の
導波管内の先端と他方の導波管Ｈ面との間にガン
ダイオード６を取り付け、金属棒３を通してガン
ダイオード６にバイアス電圧を供給し発振させ、
短絡面２と反対側の導波管から発振出力を取り出
す。ここで、出力の導波管には発振周波数の変動
を抑えるための安定化空胴共振器８が、結合窓７
によつて導波管と結合している。この安定化空胴
共振器８は回路のＱが高いため、ガンダイオード
の負性抵抗と空胴共振器８の反射波で発振ループ
が形成され発振周波数が空胴共振器８の共振周波
数に一致して、発振周波数の変動は小さくなる。
せ、導波管を出力線路として発振出力を取り出す
ものである。方形導波管１の終端短絡面２から少
し離れた位置のＨ面から金属棒３を挿入し、金属
棒３はスタブ４と誘電体５と導波管壁により同軸
形の低域通過フイルタを形成し、この金属棒３の
導波管内の先端と他方の導波管Ｈ面との間にガン
ダイオード６を取り付け、金属棒３を通してガン
ダイオード６にバイアス電圧を供給し発振させ、
短絡面２と反対側の導波管から発振出力を取り出
す。ここで、出力の導波管には発振周波数の変動
を抑えるための安定化空胴共振器８が、結合窓７
によつて導波管と結合している。この安定化空胴
共振器８は回路のＱが高いため、ガンダイオード
の負性抵抗と空胴共振器８の反射波で発振ループ
が形成され発振周波数が空胴共振器８の共振周波
数に一致して、発振周波数の変動は小さくなる。
上記構成のガン発振器の欠点は、(1)金属導体で
囲まれた導波管の中へガンダイオードを取り付け
るため、組立てや調整が困難であり、(2)安定化の
空胴共振器が大きく発振器全体が大形で重いこと
である。
囲まれた導波管の中へガンダイオードを取り付け
るため、組立てや調整が困難であり、(2)安定化の
空胴共振器が大きく発振器全体が大形で重いこと
である。
これに対し、最近小形で高Ｑの誘電体共振器が
開発され市販されているが、この誘電体の共振器
は導波管回路に実装するには、導波管内に誘電体
共振器を置くと結合が強すぎて出力が低下するこ
とと、窓を使つて結合させるには誘電体共振器が
小さすぎるとの理由からあまり用いられない。第
２図構成のガン発振器は誘電体共振器を用いた安
定化発振器の代表例であり、金属ケース９と空中
に浮かした金属棒の中心導体１０の１端との間に
ガンダイオード１１を取り付け、中心導体１０の
傍に誘電体共振器１２を置いて、中心導体１０を
中心導体、金属ケース９を接地導体とする線路に
結合させる。ガンダイオード１１は高Ｑの誘電体
共振器１２の共振周波数で発振し、発振出力は中
心導体１０に沿つて同軸コネクタ１３から取り出
される。ここで、ガンダイオード１１へのバイア
ス電圧は、バイアス端子１４からチヨークコイル
１５を通して供給され、出力コネクタ１３と中心
導体１０の間にはこのバイアス電圧の出力側漏れ
を防止するため直流阻止用のコンデンサ１６が取
り付けられる。
開発され市販されているが、この誘電体の共振器
は導波管回路に実装するには、導波管内に誘電体
共振器を置くと結合が強すぎて出力が低下するこ
とと、窓を使つて結合させるには誘電体共振器が
小さすぎるとの理由からあまり用いられない。第
２図構成のガン発振器は誘電体共振器を用いた安
定化発振器の代表例であり、金属ケース９と空中
に浮かした金属棒の中心導体１０の１端との間に
ガンダイオード１１を取り付け、中心導体１０の
傍に誘電体共振器１２を置いて、中心導体１０を
中心導体、金属ケース９を接地導体とする線路に
結合させる。ガンダイオード１１は高Ｑの誘電体
共振器１２の共振周波数で発振し、発振出力は中
心導体１０に沿つて同軸コネクタ１３から取り出
される。ここで、ガンダイオード１１へのバイア
ス電圧は、バイアス端子１４からチヨークコイル
１５を通して供給され、出力コネクタ１３と中心
導体１０の間にはこのバイアス電圧の出力側漏れ
を防止するため直流阻止用のコンデンサ１６が取
り付けられる。
この構成のガン発振器は小形で調整も容易であ
るが、(1)マイクロ波帯でのチヨークコイル１５と
コンデンサ１６の特性が悪いことと、(2)コンデン
サ１６を空中に浮かして構成しなければならない
こと、さらに、(3)マイクロ波帯でよく用いられる
導波管回路に接続するには、同軸−導波管の変換
器を必要とする欠点を持つている。
るが、(1)マイクロ波帯でのチヨークコイル１５と
コンデンサ１６の特性が悪いことと、(2)コンデン
サ１６を空中に浮かして構成しなければならない
こと、さらに、(3)マイクロ波帯でよく用いられる
導波管回路に接続するには、同軸−導波管の変換
器を必要とする欠点を持つている。
以上、従来回路の欠点をまとめると、発振回路
の構成を容易に、しかも小形にするには、誘電体
共振器を用いるのがよいが、誘電体共振器は同軸
形構成に適合するため、マイクロ波帯で特性の悪
いチヨークコイルやコンデンサを使用しなければ
ならず、しかも導波管回路との接続には同軸−導
波管の変換器を必要とした。
の構成を容易に、しかも小形にするには、誘電体
共振器を用いるのがよいが、誘電体共振器は同軸
形構成に適合するため、マイクロ波帯で特性の悪
いチヨークコイルやコンデンサを使用しなければ
ならず、しかも導波管回路との接続には同軸−導
波管の変換器を必要とした。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を解
消し、小形で、調整が容易で、かつ高性能を得る
マイクロ波発振器を提供するにある。
消し、小形で、調整が容易で、かつ高性能を得る
マイクロ波発振器を提供するにある。
本発明は、マイクロ波発振用の固体素子を用い
た同軸形発振部の中心導体を方形導波管のＨ面に
直角に貫通させ、貫通後中心導体が方形導波管の
外部に現われる直前の導波管の壁面内で中心導体
に低域通過フイルタを形成し、導波管の外部に現
われた中心導体端末を前記固体素子のバイアス電
圧供給端子とし、導波管内を貫通した中心導体で
発振出力を導波管モードに変換して導波管出力と
するものである。
た同軸形発振部の中心導体を方形導波管のＨ面に
直角に貫通させ、貫通後中心導体が方形導波管の
外部に現われる直前の導波管の壁面内で中心導体
に低域通過フイルタを形成し、導波管の外部に現
われた中心導体端末を前記固体素子のバイアス電
圧供給端子とし、導波管内を貫通した中心導体で
発振出力を導波管モードに変換して導波管出力と
するものである。
このような構成とすることにより、従来技術の
欠点である、チヨークコイルやコンデンサを使わ
ずに性能を向上させ、小形で調整容易な導波管出
力のマイクロ波発振器を得ることができる。
欠点である、チヨークコイルやコンデンサを使わ
ずに性能を向上させ、小形で調整容易な導波管出
力のマイクロ波発振器を得ることができる。
以下、本発明を図に示す実施例に従つて詳細に
説明する。
説明する。
第３図は本発明のマイクロ波発振器の一実施例
を示す断面図である。図において、１７は導波
管、１８は発振部ケースであつて、両者は一体構
造になつている。発振部ケース１８の底面内部壁
と中心導体１９の間にガンダイオード２０を取り
付け、中心導体１９の他端を延ばして、導波管１
７のＨ面を直角に貫通させる。この時、中心導体
１９と導波管１７の壁が直接触れないように誘電
体２１と２２をつめる。また、中心導体１９が導
波管１７の外部に現われる直前の導波管壁の内部
で、中心導体１９のスタブ２３と誘電体２２およ
び導波管１７の壁で同軸の低域通過フイルタを形
成し端子２４から中心導体１９を通してガンダイ
オード２０にバイアス電圧が加えられる。
を示す断面図である。図において、１７は導波
管、１８は発振部ケースであつて、両者は一体構
造になつている。発振部ケース１８の底面内部壁
と中心導体１９の間にガンダイオード２０を取り
付け、中心導体１９の他端を延ばして、導波管１
７のＨ面を直角に貫通させる。この時、中心導体
１９と導波管１７の壁が直接触れないように誘電
体２１と２２をつめる。また、中心導体１９が導
波管１７の外部に現われる直前の導波管壁の内部
で、中心導体１９のスタブ２３と誘電体２２およ
び導波管１７の壁で同軸の低域通過フイルタを形
成し端子２４から中心導体１９を通してガンダイ
オード２０にバイアス電圧が加えられる。
第３図の左側面図及び右側面図を第４図及び第
５図に示す。ここで第５図は側面のフタを除いた
時の図であり、中心導体１９の傍には、発振周波
数安定化の誘電体共振器２５が置かれる。端子２
４から加えられたバイアス電圧でガンダイオード
２０は励起され、誘電体共振器２５の共振周波数
で発振する。発振出力は中心導体１９と導波管１
７の壁との間に電磁界を形成し、同軸モードで中
心導体１９を伝ぱんし、導波管１７に運ばれる。
この中心導体１９は導波管１７のＨ面に直角に貫
通しており、しかも貫通後の中心導体１９は低域
通過フイルタで遮断されているため、発振電力は
導波管モードとなつて導波管１７の出力端１７ａ
から出力される。この時中心導体１９に設けた低
域通過フイルタの発振波に対する短絡面の位置
が、導波管空間の中央から発振波のほぼ1/4波長
の距離にくるように低域通過フイルタを形成する
と、中心導体１９から導波管１７の変換はさらに
効率良くなる。
５図に示す。ここで第５図は側面のフタを除いた
時の図であり、中心導体１９の傍には、発振周波
数安定化の誘電体共振器２５が置かれる。端子２
４から加えられたバイアス電圧でガンダイオード
２０は励起され、誘電体共振器２５の共振周波数
で発振する。発振出力は中心導体１９と導波管１
７の壁との間に電磁界を形成し、同軸モードで中
心導体１９を伝ぱんし、導波管１７に運ばれる。
この中心導体１９は導波管１７のＨ面に直角に貫
通しており、しかも貫通後の中心導体１９は低域
通過フイルタで遮断されているため、発振電力は
導波管モードとなつて導波管１７の出力端１７ａ
から出力される。この時中心導体１９に設けた低
域通過フイルタの発振波に対する短絡面の位置
が、導波管空間の中央から発振波のほぼ1/4波長
の距離にくるように低域通過フイルタを形成する
と、中心導体１９から導波管１７の変換はさらに
効率良くなる。
このように、本発明の構成を用いると、マイク
ロ波帯で特性の悪いチヨークコイルが直流カツト
のコンデンサを使用することなく、簡単な構成に
より小形で、調整が容易にでき、しかも性能のす
ぐれたマイクロ波発振器を実現させることができ
る。
ロ波帯で特性の悪いチヨークコイルが直流カツト
のコンデンサを使用することなく、簡単な構成に
より小形で、調整が容易にでき、しかも性能のす
ぐれたマイクロ波発振器を実現させることができ
る。
また、第５図に示す発振部は中心導体１９が中
央にあるが、これに限るものでなく、第６図のよ
うに電磁界の集中を良くするため、この発振部ケ
ース１８の側壁２６を中心導体１９に接近させて
も効果は同じであることは明らかである。
央にあるが、これに限るものでなく、第６図のよ
うに電磁界の集中を良くするため、この発振部ケ
ース１８の側壁２６を中心導体１９に接近させて
も効果は同じであることは明らかである。
以上述べたように、導波管と同軸形の発振器と
同軸−導波管変換器を一体で形成し、発振器の中
心導体を導波管のＨ面に直角に導波管を貫通して
延ばし、この中心導体体に励起した発振波を上記
中心導体が貫通した導波管部で導波管モードに変
換して出力し、導波管を貫通し外部に現われた中
心導体から発振固体素子のバイアス電圧を供給す
る構成の本発明により、誘電体共振器を用いた導
波管出力の小形な発振器を簡単な構成で得ること
ができ、従来欠点であつた、チヨークコイルやコ
ンデンサを用いることなく、調整が容易で、性能
の良いマイクロ波発振器を得ることができる。
同軸−導波管変換器を一体で形成し、発振器の中
心導体を導波管のＨ面に直角に導波管を貫通して
延ばし、この中心導体体に励起した発振波を上記
中心導体が貫通した導波管部で導波管モードに変
換して出力し、導波管を貫通し外部に現われた中
心導体から発振固体素子のバイアス電圧を供給す
る構成の本発明により、誘電体共振器を用いた導
波管出力の小形な発振器を簡単な構成で得ること
ができ、従来欠点であつた、チヨークコイルやコ
ンデンサを用いることなく、調整が容易で、性能
の良いマイクロ波発振器を得ることができる。
第１図は導波管構成のマイクロ波発振器の従来
例を示す一部断面で表わした斜視図、第２図は同
軸形のマイクロ波発振器の従来例を示す斜視図、
第３図は本発明のマイクロ波発振器の一実施例を
示す断面図、第４図及び第５図は、第３図の左側
面図及び右側面図、第６図は本発明の他の実施例
の要部を示す図である。 １７……導波管、１８……発振部ケース、１９
……中心導体、２０……ガンダイオード、２３…
…低域通過フイルタスタブ、２４……バイアス電
圧供給端子、２５……誘電体共振器。
例を示す一部断面で表わした斜視図、第２図は同
軸形のマイクロ波発振器の従来例を示す斜視図、
第３図は本発明のマイクロ波発振器の一実施例を
示す断面図、第４図及び第５図は、第３図の左側
面図及び右側面図、第６図は本発明の他の実施例
の要部を示す図である。 １７……導波管、１８……発振部ケース、１９
……中心導体、２０……ガンダイオード、２３…
…低域通過フイルタスタブ、２４……バイアス電
圧供給端子、２５……誘電体共振器。
Claims (1)
- １ 終端が塞がれた方形の導波管と、この導波管
のＨ面に平行して該導波管と一体的に形成され、
導体で囲まれた直方体状のケースと、該ケースか
ら該導波管に渡つて該導波管のＨ面に直角に貫通
し、一端が該導波管の管壁より外に延長され、貫
通部を誘電体で保持した棒状の中心導体と、該導
波管の外部に貫通する中心導体の貫通部管壁内に
形成された低域通過フイルタと、該ケース内に延
長された該中心導体の端部と該ケースの導波管側
の反対面との間に接続された発振用の固体素子
と、該ケース内の中心導体に結合された誘電体共
振器とを備え、該導波管の管壁より外に延長され
た中心導体の端部より固体素子のバイアスを供給
するとともに、上記低域通過フイルタが上記導波
管の中心部から発振周波数のほぼ1/4波長の長さ
となるよう設定し、該導波管から導波管モードで
発振出力を出力することを特徴とするマイクロ波
発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14911278A JPS5575310A (en) | 1978-12-04 | 1978-12-04 | Microwave oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14911278A JPS5575310A (en) | 1978-12-04 | 1978-12-04 | Microwave oscillator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5575310A JPS5575310A (en) | 1980-06-06 |
| JPS6351404B2 true JPS6351404B2 (ja) | 1988-10-13 |
Family
ID=15467963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14911278A Granted JPS5575310A (en) | 1978-12-04 | 1978-12-04 | Microwave oscillator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5575310A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5797709A (en) * | 1980-12-10 | 1982-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid oscillating device with stabilized frequency |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50131957U (ja) * | 1974-04-13 | 1975-10-30 |
-
1978
- 1978-12-04 JP JP14911278A patent/JPS5575310A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5575310A (en) | 1980-06-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3913035A (en) | Negative resistance high-q-microwave oscillator | |
| US4521746A (en) | Microwave oscillator with TM01δ dielectric resonator | |
| JPH0434842B2 (ja) | ||
| US3510800A (en) | Negative resistance oscillator stabilized with fundamental and harmonic frequency cavity resonators | |
| US4325035A (en) | Oscillator using dielectric resonator | |
| US4488124A (en) | Resonant cavity with dielectric resonator for frequency stabilization | |
| US3271698A (en) | Oscillator with resonant circuit connected to transistor housing | |
| JP3848860B2 (ja) | 空胴共振器を有する平面回路 | |
| US4386326A (en) | Dielectric-resonator-tuned microwave solid state oscillator | |
| US7049897B2 (en) | High frequency band oscillator | |
| US4494087A (en) | Combiner probe providing power flatness and wide locking bandwidth | |
| US3810045A (en) | Push-pull transferred-electron device circuit | |
| US4567450A (en) | Fin-line oscillator | |
| RU1718679C (ru) | Усилительный клистрон | |
| RU2727277C1 (ru) | Транзисторный генератор СВЧ с электронной перестройкой частоты | |
| SU710083A1 (ru) | Электродинамическа система свч прибора | |
| EP1093218B1 (en) | Oscillator and radio equipment | |
| RU2007841C1 (ru) | Свч-делитель | |
| JPH0160964B2 (ja) | ||
| JPS5813606Y2 (ja) | 固体発振器 | |
| JPS59133712A (ja) | マイクロ波発振装置 | |
| US4429287A (en) | Coaxially coupled tunable oscillator using a ridge waveguide | |
| JPS5810704B2 (ja) | マイクロハソウジユシンソウチ | |
| JPS5938728Y2 (ja) | 誘電体共振器を用いた発振器 | |
| JPS60242702A (ja) | マイクロ波共振回路 |