JPS635158B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS635158B2 JPS635158B2 JP55077432A JP7743280A JPS635158B2 JP S635158 B2 JPS635158 B2 JP S635158B2 JP 55077432 A JP55077432 A JP 55077432A JP 7743280 A JP7743280 A JP 7743280A JP S635158 B2 JPS635158 B2 JP S635158B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fluidized bed
- oxidation catalyst
- gas
- dust
- combustion gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Processing Of Solid Wastes (AREA)
- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はパルプ廃液焼却ダストのように塩化物
を含むダストを流動層炉内で加熱し、ダスト中に
含まれる塩化物を分解除去する流動層による塩化
物除去装置に関する。
を含むダストを流動層炉内で加熱し、ダスト中に
含まれる塩化物を分解除去する流動層による塩化
物除去装置に関する。
製紙工業において、パルプ廃液は廃液燃焼ボイ
ラ又は焼却炉等にて燃焼され、熱とともに薬品を
ダストとして回収している。このダスト中には、
パルプ製造工程にて木材チツプ等より侵入し、プ
ロセス内にて徐々にその量が上昇している。塩化
ナトリウム、塩化カリウム等の塩化物が含まれて
いる。このように塩化物を多く含むダストより薬
品を回収使用する場合は塩化物による種々の弊害
が発生する。この塩化物による弊害を除くため
に、ダストを流動層にて加熱し、塩化物を分解除
去する方法がある。この方法においては、流動層
は燃焼ガスによりダストの低融点以上（550℃〜
650℃）の温度に維持され、塩化物を除去すべき
ダストが流動層中に供給される。供給されたダス
トは流動層中で溶融し、流動媒体表面に付着し、
燃焼ガス中の水分及びSOxと接触し、下記の反応
式により塩化物が分解し、塩化水素として除去さ
れる。
ラ又は焼却炉等にて燃焼され、熱とともに薬品を
ダストとして回収している。このダスト中には、
パルプ製造工程にて木材チツプ等より侵入し、プ
ロセス内にて徐々にその量が上昇している。塩化
ナトリウム、塩化カリウム等の塩化物が含まれて
いる。このように塩化物を多く含むダストより薬
品を回収使用する場合は塩化物による種々の弊害
が発生する。この塩化物による弊害を除くため
に、ダストを流動層にて加熱し、塩化物を分解除
去する方法がある。この方法においては、流動層
は燃焼ガスによりダストの低融点以上（550℃〜
650℃）の温度に維持され、塩化物を除去すべき
ダストが流動層中に供給される。供給されたダス
トは流動層中で溶融し、流動媒体表面に付着し、
燃焼ガス中の水分及びSOxと接触し、下記の反応
式により塩化物が分解し、塩化水素として除去さ
れる。
2NaCl＋H2O＋SO2＋1/2O2
→Na2SO4＋2HCl↑
2NaCl＋H2O＋SO3→Na2SO4＋2HCl↑
上記反応式から明らかなように塩化物除去効率
はSO3濃度が増加するほど高くなる。そこで燃焼
ガス中のSO3濃度を増加させるために、本発明者
は第１図に示すように流動層１のガス分散板２の
下方（すなわち、風箱内）にV2O5等の酸化触媒
を充填した酸化触媒層３を設置し、燃焼ガス中の
SO2をSO3に転化させることを提案した。第２図
は酸化触媒充填によるダスト中の塩化物除去率を
示すもので、図中Ａは触媒層なし、Ｂは酸化触媒
層を設け、SO2のSO3への転化率50％の場合をそ
れぞれ示している。第２図から明らかなようにダ
スト中の塩化物除去率は酸化触媒層を設けたＢの
場合、Ａに比べて著しく向上している。これは燃
焼ガス中のSO3濃度が、増加するため、上記反応
式が効率よく進行するためである。ところで第１
図に示す装置では燃焼ガスは全て酸化触媒層３を
通過する構造となつており、また燃焼ガスは流動
層中のダストをその低融点以上（550〜650℃）の
温度に維持するに足りる温度（約600〜700℃）を
有している。このため酸化触媒層３は約600〜700
℃の温度に達する。しかし酸化触媒の転化効率は
第３図に示す通り、500〜550℃付近にて最大とな
り、600〜700℃付近では急激に低下する。したが
つてダスト中の塩化物除去率を高めるためには酸
化触媒層および流動層の各温度をそれぞれ適正な
温度範囲に維持することが必要となる。
はSO3濃度が増加するほど高くなる。そこで燃焼
ガス中のSO3濃度を増加させるために、本発明者
は第１図に示すように流動層１のガス分散板２の
下方（すなわち、風箱内）にV2O5等の酸化触媒
を充填した酸化触媒層３を設置し、燃焼ガス中の
SO2をSO3に転化させることを提案した。第２図
は酸化触媒充填によるダスト中の塩化物除去率を
示すもので、図中Ａは触媒層なし、Ｂは酸化触媒
層を設け、SO2のSO3への転化率50％の場合をそ
れぞれ示している。第２図から明らかなようにダ
スト中の塩化物除去率は酸化触媒層を設けたＢの
場合、Ａに比べて著しく向上している。これは燃
焼ガス中のSO3濃度が、増加するため、上記反応
式が効率よく進行するためである。ところで第１
図に示す装置では燃焼ガスは全て酸化触媒層３を
通過する構造となつており、また燃焼ガスは流動
層中のダストをその低融点以上（550〜650℃）の
温度に維持するに足りる温度（約600〜700℃）を
有している。このため酸化触媒層３は約600〜700
℃の温度に達する。しかし酸化触媒の転化効率は
第３図に示す通り、500〜550℃付近にて最大とな
り、600〜700℃付近では急激に低下する。したが
つてダスト中の塩化物除去率を高めるためには酸
化触媒層および流動層の各温度をそれぞれ適正な
温度範囲に維持することが必要となる。
本発明の目的は、酸化触媒層および流動層の各
温度をそれぞれ適正な温度範囲に維持することに
よつて、酸化触媒の転化効率を向上させ、ダスト
中の塩化物を効率的に除去することができる流動
層による塩化物除去装置を提供することにある。
温度をそれぞれ適正な温度範囲に維持することに
よつて、酸化触媒の転化効率を向上させ、ダスト
中の塩化物を効率的に除去することができる流動
層による塩化物除去装置を提供することにある。
本発明は、流動層炉外周壁に流動層炉に連通す
るとともにSO2ガスをSO3ガスに酸化しうる酸化
触媒を充填した酸化触媒充填室を設け、流動層炉
に燃焼ガスを導入する主ダクトより分岐させたバ
イパスダクトを前記酸化触媒充填室と連結し、燃
焼ガスを主ダクトより直接流動層に導入し、一方
燃焼ガスの一部をバイパスダクトより酸化触媒充
填室に導入しながら、これに二次空気を供給する
ことによつて流動層および酸化触媒充填層をそれ
ぞれ適正な温度に維持できるようにしたものであ
る。
るとともにSO2ガスをSO3ガスに酸化しうる酸化
触媒を充填した酸化触媒充填室を設け、流動層炉
に燃焼ガスを導入する主ダクトより分岐させたバ
イパスダクトを前記酸化触媒充填室と連結し、燃
焼ガスを主ダクトより直接流動層に導入し、一方
燃焼ガスの一部をバイパスダクトより酸化触媒充
填室に導入しながら、これに二次空気を供給する
ことによつて流動層および酸化触媒充填層をそれ
ぞれ適正な温度に維持できるようにしたものであ
る。
以下、本発明の一実施例を第４図によつて説明
する。
する。
第４図において、流動層１の形成域炉壁部は多
数の透孔が、形成された多孔壁からなり、この多
孔壁の外周側面に沿つてSO2ガスをSO3ガスに酸
化できる酸化触媒を充填した酸化触媒充填室４が
設けられている。ガス分散板２の下方に形成され
る風箱５と連通する主ダクト６にはダンパ７が設
けられ、主ダクト６と酸化触媒充填室４とはバイ
パスダクト８によつて連結されている。第４図
中、９は二次空気供給ライン、１０は燃料供給ラ
イン、１１は一次空気供給ライン、１２はダスト
供給ラインを示している。
数の透孔が、形成された多孔壁からなり、この多
孔壁の外周側面に沿つてSO2ガスをSO3ガスに酸
化できる酸化触媒を充填した酸化触媒充填室４が
設けられている。ガス分散板２の下方に形成され
る風箱５と連通する主ダクト６にはダンパ７が設
けられ、主ダクト６と酸化触媒充填室４とはバイ
パスダクト８によつて連結されている。第４図
中、９は二次空気供給ライン、１０は燃料供給ラ
イン、１１は一次空気供給ライン、１２はダスト
供給ラインを示している。
このような流動層による塩化物除去装置におい
て、燃料供給ライン１０より供給された燃料は一
次空気供給ライン１１より供給された一次空気に
より燃焼せしめられ、その一部はバイパスダクト
８を通過して酸化触媒充填室４に導入される。残
りの燃焼ガスは主ダクト６を経て風箱５内に供給
され、ガス分散板２を経て流動層１内に入る。こ
れによつて流動層１内の流動媒体は流動化され、
流動層中にダスト供給ライン１２より塩化物を含
むダストが供給される。ダスト中の塩化物は上述
した反応によつて分解除去され、生成した排ガス
１３は炉外に排出される。
て、燃料供給ライン１０より供給された燃料は一
次空気供給ライン１１より供給された一次空気に
より燃焼せしめられ、その一部はバイパスダクト
８を通過して酸化触媒充填室４に導入される。残
りの燃焼ガスは主ダクト６を経て風箱５内に供給
され、ガス分散板２を経て流動層１内に入る。こ
れによつて流動層１内の流動媒体は流動化され、
流動層中にダスト供給ライン１２より塩化物を含
むダストが供給される。ダスト中の塩化物は上述
した反応によつて分解除去され、生成した排ガス
１３は炉外に排出される。
このようなダスト中の塩化物除去操作上、流動
層１における塩化物の分解率を高めるために流動
層１の温度をダストの低融点（550〜650℃）以上
にしなければならない。このため主ダクト６から
風箱５およびガス分散板２を経て流動層１中に導
入される燃焼ガスの温度は600〜700℃に維持され
ている。したがつて主ダクト６からバイパスダク
ト８に導入される燃焼ガスの温度も約600〜700℃
である。このような温度条件下の燃焼ガスに対
し、二次空気供給ライン９より供給された二次空
気が混合され、酸化触媒充填室４に導入される燃
焼ガスは500℃付近に調整される。この燃焼ガス
中のSO2ガスは酸化触媒によつてSO3ガスに高効
率に転化され、SO3ガスに富む燃焼ガスは流動層
炉に形成された多孔壁を通つて流動層１に導入さ
れる。
層１における塩化物の分解率を高めるために流動
層１の温度をダストの低融点（550〜650℃）以上
にしなければならない。このため主ダクト６から
風箱５およびガス分散板２を経て流動層１中に導
入される燃焼ガスの温度は600〜700℃に維持され
ている。したがつて主ダクト６からバイパスダク
ト８に導入される燃焼ガスの温度も約600〜700℃
である。このような温度条件下の燃焼ガスに対
し、二次空気供給ライン９より供給された二次空
気が混合され、酸化触媒充填室４に導入される燃
焼ガスは500℃付近に調整される。この燃焼ガス
中のSO2ガスは酸化触媒によつてSO3ガスに高効
率に転化され、SO3ガスに富む燃焼ガスは流動層
炉に形成された多孔壁を通つて流動層１に導入さ
れる。
なお流動層１および酸化触媒充填室４をそれぞ
れ550〜650℃および500℃付近の温度条件に常時
維持するために、酸化触媒充填室４内に供給され
る二次空気量が調整されるとともにダンパ７の調
整によつて風箱５を経て直接流動層１に供給され
る燃焼ガス量およびバイパスダクト８を経て酸化
触媒充填室４に供給される燃焼ガス量が調整され
る。また酸化触媒充填室４は高温状態の流動層１
に隣接されているが、酸化触媒充填室４には常
時、二次空気が混合された燃焼ガスが導入されて
いるので酸化触媒の転化率に適正な温度に維持さ
れ、かつ触媒の割れおよび劣化を防ぐことができ
る。さらに酸化触媒充填室４において、SO2ガス
はSO3ガスに転化され、このSO3ガスに富む燃焼
ガスは流動層炉に形成された多孔壁全域から均一
に流動層１内に導入される。したがつてSO3ガス
に富む燃焼ガスの流動層における拡散が極めて良
好である。
れ550〜650℃および500℃付近の温度条件に常時
維持するために、酸化触媒充填室４内に供給され
る二次空気量が調整されるとともにダンパ７の調
整によつて風箱５を経て直接流動層１に供給され
る燃焼ガス量およびバイパスダクト８を経て酸化
触媒充填室４に供給される燃焼ガス量が調整され
る。また酸化触媒充填室４は高温状態の流動層１
に隣接されているが、酸化触媒充填室４には常
時、二次空気が混合された燃焼ガスが導入されて
いるので酸化触媒の転化率に適正な温度に維持さ
れ、かつ触媒の割れおよび劣化を防ぐことができ
る。さらに酸化触媒充填室４において、SO2ガス
はSO3ガスに転化され、このSO3ガスに富む燃焼
ガスは流動層炉に形成された多孔壁全域から均一
に流動層１内に導入される。したがつてSO3ガス
に富む燃焼ガスの流動層における拡散が極めて良
好である。
以上のように本発明によれば、酸化触媒層およ
び流動層の各温度をそれぞれ適正な温度範囲に維
持することができるため、酸化触媒によつて燃焼
ガス中のSO2ガスを高効率にSO3ガスに転化で
き、かつダスト中の塩化物を高効率に分解除去す
ることができる。
び流動層の各温度をそれぞれ適正な温度範囲に維
持することができるため、酸化触媒によつて燃焼
ガス中のSO2ガスを高効率にSO3ガスに転化で
き、かつダスト中の塩化物を高効率に分解除去す
ることができる。
第１図は酸化触媒充填層を設けた塩化物除去装
置を示す部分構成図、第２図は触媒層の有無と塩
化物除去率との関係を示す図、第３図は酸化触媒
の温度による転化効率の変化を示す図、第４図は
本発明の一例を示す概略的構成図である。 １…流動層、２…ガス分散板、３…酸化触媒充
填層、４…酸化触媒充填室、５…風箱、６…主ダ
クト、７…ダンパ、８…バイパスダクト、９…二
次空気供給ライン、１０…燃料供給ライン、１１
…一次空気供給ライン、１２…ダスト供給ライ
ン。
置を示す部分構成図、第２図は触媒層の有無と塩
化物除去率との関係を示す図、第３図は酸化触媒
の温度による転化効率の変化を示す図、第４図は
本発明の一例を示す概略的構成図である。 １…流動層、２…ガス分散板、３…酸化触媒充
填層、４…酸化触媒充填室、５…風箱、６…主ダ
クト、７…ダンパ、８…バイパスダクト、９…二
次空気供給ライン、１０…燃料供給ライン、１１
…一次空気供給ライン、１２…ダスト供給ライ
ン。
Claims (1)
- １ 塩化物を含むダストを流動層炉内で加熱し、
ダスト中に含まれる塩化物を分解除去する流動層
による塩化物除去装置において、前記流動層炉外
周壁に流動層炉に連通するとともにSO2ガスを
SO3ガスに酸化しうる酸化触媒を充填した酸化触
媒充填室を設け、流動層炉に燃焼ガスを導入する
主ダクトより分岐させたバイパスダクトを前記酸
化触媒充填室と連結し、バイパスダクトまたは酸
化触媒充填室に二次空気供給ラインを設けたこと
を特徴とする流動層による塩化物除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7743280A JPS574277A (en) | 1980-06-09 | 1980-06-09 | Chloride removing device by fluidized bed |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7743280A JPS574277A (en) | 1980-06-09 | 1980-06-09 | Chloride removing device by fluidized bed |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS574277A JPS574277A (en) | 1982-01-09 |
| JPS635158B2 true JPS635158B2 (ja) | 1988-02-02 |
Family
ID=13633836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7743280A Granted JPS574277A (en) | 1980-06-09 | 1980-06-09 | Chloride removing device by fluidized bed |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS574277A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6032982U (ja) * | 1983-08-13 | 1985-03-06 | 株式会社エーアイ | スロットルマシンにおける絵柄ドラム駆動停止装置 |
-
1980
- 1980-06-09 JP JP7743280A patent/JPS574277A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS574277A (en) | 1982-01-09 |
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