JPS6352776B2 - - Google Patents
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- JPS6352776B2 JPS6352776B2 JP57159722A JP15972282A JPS6352776B2 JP S6352776 B2 JPS6352776 B2 JP S6352776B2 JP 57159722 A JP57159722 A JP 57159722A JP 15972282 A JP15972282 A JP 15972282A JP S6352776 B2 JPS6352776 B2 JP S6352776B2
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- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明の分野
半導体チツプのパツケージングにおける主要な
技術は、チツプを装着するために用いられるセラ
ミツク又はプラスチツクの基板上にチツプを装着
しそして必要なピンの入出力(I/O)接続を設
けることである。基板は又、キヤパシタ及び抵抗
の如き回路構成素子を含み得る。多くの場合にお
いて、所与の基板上に1種以上のチツプをパッケ
ージングし、又は単一のチツプに種々の型の接続
を設けることが必要とされる。従つて、必要な相
互接続路と同様に、各チツプのための装着パツド
が設けられねばならない。
技術は、チツプを装着するために用いられるセラ
ミツク又はプラスチツクの基板上にチツプを装着
しそして必要なピンの入出力(I/O)接続を設
けることである。基板は又、キヤパシタ及び抵抗
の如き回路構成素子を含み得る。多くの場合にお
いて、所与の基板上に1種以上のチツプをパッケ
ージングし、又は単一のチツプに種々の型の接続
を設けることが必要とされる。従つて、必要な相
互接続路と同様に、各チツプのための装着パツド
が設けられねばならない。
基板にチツプを接続するために、2つの主なシ
ステムが用いられている。その1つのシステムは
いわゆるフリツプ・チツプはんだボンデイング・
システムであり、この場合にはチツプ表面上のは
んだ接続体が基板上に形成されたはんだパツドに
はんだ付けされる。その結果、チツプと基板との
間に機械的接着(bonding)及び電気的接続が得
られる。もう1つのシステムはワイヤ・ボンデイ
ング・システムであり、この場合には典型的には
アルミニウム又は金から成るワイヤが超音波溶接
の如き方法によりチツプ上及び基板上のアルミニ
ウム、金又は他の適合する金属に接続される。チ
ツプは又、機械的強度を増すために、接着剤を用
いて接着されてもよい。しかしながら、アルミニ
ウム及び金はいずれもはんだと適合しないので相
互に接続され得ず、即ち金のワイヤ及びアルミニ
ウムのワイヤはいずれも従来のPb/Snはんだに
良好に接着され得ない。従つて、従来において
は、単一の基板上に上記2つのシステムによる接
続を併用することは不可能であり、即ち、多数の
チツプを含む基板はすべてフリツプ・チツプはん
だボンデイング・システム又はワイヤ・ボンデイ
ング・システムのいずれかにより接着されねばな
らず、又1つのチツプは1つの型の接続しか有す
ることができなかつた。
ステムが用いられている。その1つのシステムは
いわゆるフリツプ・チツプはんだボンデイング・
システムであり、この場合にはチツプ表面上のは
んだ接続体が基板上に形成されたはんだパツドに
はんだ付けされる。その結果、チツプと基板との
間に機械的接着(bonding)及び電気的接続が得
られる。もう1つのシステムはワイヤ・ボンデイ
ング・システムであり、この場合には典型的には
アルミニウム又は金から成るワイヤが超音波溶接
の如き方法によりチツプ上及び基板上のアルミニ
ウム、金又は他の適合する金属に接続される。チ
ツプは又、機械的強度を増すために、接着剤を用
いて接着されてもよい。しかしながら、アルミニ
ウム及び金はいずれもはんだと適合しないので相
互に接続され得ず、即ち金のワイヤ及びアルミニ
ウムのワイヤはいずれも従来のPb/Snはんだに
良好に接着され得ない。従つて、従来において
は、単一の基板上に上記2つのシステムによる接
続を併用することは不可能であり、即ち、多数の
チツプを含む基板はすべてフリツプ・チツプはん
だボンデイング・システム又はワイヤ・ボンデイ
ング・システムのいずれかにより接着されねばな
らず、又1つのチツプは1つの型の接続しか有す
ることができなかつた。
本発明の要旨
本発明に従つて、はんだボンデイング及びワイ
ヤ・ボンデイングの両方が同一の基板上に施され
得る技術が達成される。そのためには、はんだパ
ツドの配列体が基板上に設けられる。ワイヤ・ボ
ンデイングが施されるべき各パツトには、多層金
属パツドがはんだ付けされている。各金属パツド
は、その対応するパツドにはんだ付けされている
はんだの下層と、ワイヤ・ボンデイングされるチ
ツプのワイヤに接着される金属の上層と、それら
の2つの層の間に挿入されてそれらの各層に接着
される、上記下層のはんだ及び上記上層の金属に
対して不浸透性の金属の障壁層とを有する。これ
は、ワイヤに不適合なはんだパツドを、ワイヤ・
ボンデイングされ得るパツドに変化させる。この
技術は、所望であれば、所与のチツプがフリツ
プ・チツプはんだ接着部およびワイヤ接着部を有
することを可能にし、又所与の基板がそれらの両
システムにより装着されたチツプを有することを
可能にする。
ヤ・ボンデイングの両方が同一の基板上に施され
得る技術が達成される。そのためには、はんだパ
ツドの配列体が基板上に設けられる。ワイヤ・ボ
ンデイングが施されるべき各パツトには、多層金
属パツドがはんだ付けされている。各金属パツド
は、その対応するパツドにはんだ付けされている
はんだの下層と、ワイヤ・ボンデイングされるチ
ツプのワイヤに接着される金属の上層と、それら
の2つの層の間に挿入されてそれらの各層に接着
される、上記下層のはんだ及び上記上層の金属に
対して不浸透性の金属の障壁層とを有する。これ
は、ワイヤに不適合なはんだパツドを、ワイヤ・
ボンデイングされ得るパツドに変化させる。この
技術は、所望であれば、所与のチツプがフリツ
プ・チツプはんだ接着部およびワイヤ接着部を有
することを可能にし、又所与の基板がそれらの両
システムにより装着されたチツプを有することを
可能にする。
本発明の好実施例
第1図及び第2図において、本発明に従つて半
導体チツプを装着するための従来のセラミツク基
板10が設けられている。セラミツク基板10
は、フリツプ・チツプ・ボンデイング表面16上
に形成された従来のPb/Snはんだボール14を
有するフリツプ・チツプ・ボンデイング型チツプ
12と、ワイヤ・ボンデイング表面24上の適当
な接続体22に接着されたアルミニウム・ワイヤ
20とを装着する様に構成されている。
導体チツプを装着するための従来のセラミツク基
板10が設けられている。セラミツク基板10
は、フリツプ・チツプ・ボンデイング表面16上
に形成された従来のPb/Snはんだボール14を
有するフリツプ・チツプ・ボンデイング型チツプ
12と、ワイヤ・ボンデイング表面24上の適当
な接続体22に接着されたアルミニウム・ワイヤ
20とを装着する様に構成されている。
基板10は、表面上のある位置に形成された
Pb/Snはんだパツド26の第1配列体を有し、
それらのはんだパツド26はチツプ12上のはん
だボール14と組合わされる様に配置されてい
る。はんだパツド26をはんだボール14にはん
だ付けするために従来のはんだ再流動技術が用い
られ、その結果チツプ12が基板10に機械的に
接着され且つ電気的に接続される。
Pb/Snはんだパツド26の第1配列体を有し、
それらのはんだパツド26はチツプ12上のはん
だボール14と組合わされる様に配置されてい
る。はんだパツド26をはんだボール14にはん
だ付けするために従来のはんだ再流動技術が用い
られ、その結果チツプ12が基板10に機械的に
接着され且つ電気的に接続される。
基板10は又、チツプ18上のワイヤ20の外
方端部に対応する様に構成されているはんだパツ
ド28の第2配列体を有している。パツド28の
配列体における各パツドには、その1つが第3図
に示されている、3層金属ペデスタル30が接続
されている。各ペデスタルは、従来のPb/Snは
んだの下層32と、アルミニウムの上層34と、
それらの層32及び34の間に挿入されているニ
ツケルの中間層36とを有する。
方端部に対応する様に構成されているはんだパツ
ド28の第2配列体を有している。パツド28の
配列体における各パツドには、その1つが第3図
に示されている、3層金属ペデスタル30が接続
されている。各ペデスタルは、従来のPb/Snは
んだの下層32と、アルミニウムの上層34と、
それらの層32及び34の間に挿入されているニ
ツケルの中間層36とを有する。
各ペデスタル30のはんだ下層32は、チツプ
18のワイヤ20に装着される様に配置されたア
ルミニウム上層34の上面を有するペデスタル3
0の配列体が設けられる様に、はんだパツド28
の配列体におけるパツドの1つにはんだ接様さ
れ、そしてペデスタル30のアルミニウム上層と
チツプ18のアルミニウム・ワイヤ20との間
に、超音波溶接の如き溶接接続が施される。チツ
プ18は又、所望ならば、例えばエポキシ又はは
んだ型合金37の如き、接着剤又は金属を用い
て、基板10の表面にボンデイングされ得る。
18のワイヤ20に装着される様に配置されたア
ルミニウム上層34の上面を有するペデスタル3
0の配列体が設けられる様に、はんだパツド28
の配列体におけるパツドの1つにはんだ接様さ
れ、そしてペデスタル30のアルミニウム上層と
チツプ18のアルミニウム・ワイヤ20との間
に、超音波溶接の如き溶接接続が施される。チツ
プ18は又、所望ならば、例えばエポキシ又はは
んだ型合金37の如き、接着剤又は金属を用い
て、基板10の表面にボンデイングされ得る。
配列体におけるはんだパツド26及び28の一
部は、その一部が39として示されている導体に
よつて、互いに相互接続され、又金属で充填され
た貫通孔38に相互接続されている。それらの貫
通孔には入出力ピン40がろう付けされている。
スウエージされたピン(swaged pin)の如き他
のピンも用いられ、又ピン型でない接続体も用い
られ得ることはもちろんである。
部は、その一部が39として示されている導体に
よつて、互いに相互接続され、又金属で充填され
た貫通孔38に相互接続されている。それらの貫
通孔には入出力ピン40がろう付けされている。
スウエージされたピン(swaged pin)の如き他
のピンも用いられ、又ピン型でない接続体も用い
られ得ることはもちろんである。
アルミニウム及び金はいずれもはんだに効果的
に接着され得ないので、典型的にはアルミニウ
ム、場合によつて金のワイヤを用いるワイヤ・ボ
ンデイング型チツプに適しているパツドにはんだ
パツド28を接続するためには、ペデスタル30
を用いることが必要である。アルミニウムと
Pb/Snはんだとの間には、目立つたメタラジカ
ルな接着作用が何ら生じず、金とPb/Snはんだ
との間では、金がはんだ中に相互溶解し、金のワ
イヤは短時間のうちに完全に溶解され得るので、
接続体が破壊されてしまう。従つて、ワイヤ・ボ
ンデイングを要する各パツドには別個のペデスタ
ルが設けられる。はんだの下層32は、はんだパ
ツドにはんだ接続される。中間層36ははんだの
下層32及び金属の上層34の両方に接着せねば
ならず、又はんだ金属が上層の金又はアルミニウ
ム中に移動しない様にそれらの層の間の障害層と
して働かねばならない。ニツケル又はニツケル合
金が好ましいが、銅、銅合金及びステンレス鋼の
如き他の金属も用いられ得る。
に接着され得ないので、典型的にはアルミニウ
ム、場合によつて金のワイヤを用いるワイヤ・ボ
ンデイング型チツプに適しているパツドにはんだ
パツド28を接続するためには、ペデスタル30
を用いることが必要である。アルミニウムと
Pb/Snはんだとの間には、目立つたメタラジカ
ルな接着作用が何ら生じず、金とPb/Snはんだ
との間では、金がはんだ中に相互溶解し、金のワ
イヤは短時間のうちに完全に溶解され得るので、
接続体が破壊されてしまう。従つて、ワイヤ・ボ
ンデイングを要する各パツドには別個のペデスタ
ルが設けられる。はんだの下層32は、はんだパ
ツドにはんだ接続される。中間層36ははんだの
下層32及び金属の上層34の両方に接着せねば
ならず、又はんだ金属が上層の金又はアルミニウ
ム中に移動しない様にそれらの層の間の障害層と
して働かねばならない。ニツケル又はニツケル合
金が好ましいが、銅、銅合金及びステンレス鋼の
如き他の金属も用いられ得る。
上層34はワイヤ・ボンデイング型チツプのワ
イヤに接着され得る金属であるべきであり、それ
らのワイヤは典型的にはアルミニウム又は金のワ
イヤである。従つて、上面の金属は、最適な同一
金属間の接着を得るために、ワイヤの組成に応じ
て、アルミニウム又は金であるべきである。
イヤに接着され得る金属であるべきであり、それ
らのワイヤは典型的にはアルミニウム又は金のワ
イヤである。従つて、上面の金属は、最適な同一
金属間の接着を得るために、ワイヤの組成に応じ
て、アルミニウム又は金であるべきである。
処理又は再加工中に用いられる例えば約340℃
の如き高温において、金及びアルミニウムは迅速
に望ましくない金属間化合物を形成するので、金
のワイヤの接着には上面に金を有するペデスタル
が用いられ、アルミニウム・ワイヤの接着には上
面にアルミニウムを有するペデスタルが用いられ
ることが好ましい。
の如き高温において、金及びアルミニウムは迅速
に望ましくない金属間化合物を形成するので、金
のワイヤの接着には上面に金を有するペデスタル
が用いられ、アルミニウム・ワイヤの接着には上
面にアルミニウムを有するペデスタルが用いられ
ることが好ましい。
第4図は、単一のチツプにワイヤ・ボンデイン
グ及びフリツプ・チツプはんだボンデイングの両
方による接続が行なわれる様に適合されている、
本発明のもう1つの実施例を示している。この場
合には、フリツプ・チツプ・ボンデイング型半導
体チツプ44上のはんだボール42と組合わされ
る、前述の如きはんだパツド26の配列体が基板
10に設けられている。更に、チツプ44は、基
板に接続されねばならないチツプの裏側に接続さ
れているアルミニウム・ワイヤ46を有してい
る。このワイヤは、接地等の如き多くの目的に用
いられ得る。その様な接続を設けるには、ペデス
タル30がはんだ付けされるはんだパツド48が
更に設けられる。ペデスタル30のアルミニウム
上層34は、例えば超音波技術により、アルミニ
ウム・ワイヤ46に接着される。
グ及びフリツプ・チツプはんだボンデイングの両
方による接続が行なわれる様に適合されている、
本発明のもう1つの実施例を示している。この場
合には、フリツプ・チツプ・ボンデイング型半導
体チツプ44上のはんだボール42と組合わされ
る、前述の如きはんだパツド26の配列体が基板
10に設けられている。更に、チツプ44は、基
板に接続されねばならないチツプの裏側に接続さ
れているアルミニウム・ワイヤ46を有してい
る。このワイヤは、接地等の如き多くの目的に用
いられ得る。その様な接続を設けるには、ペデス
タル30がはんだ付けされるはんだパツド48が
更に設けられる。ペデスタル30のアルミニウム
上層34は、例えば超音波技術により、アルミニ
ウム・ワイヤ46に接着される。
この技術を用いることによつて、はんだパツド
接続を設けるために基板を従来の技術に従つて処
理することが出来、それらが適当でない場合に
は、はんだパツド技術をワイヤ・ボンデイング技
術に変えるためにペデスタル30を用いることが
でき、又それらの両技術を同一基板上で併用する
ことが可能である。この様に同一チツプ上に両技
術を併用し得ることの大きな利点の1つは、モジ
ユールが、他に悪影響を与えることなく、340℃
以上における加熱並びにフリツプ・チツプ・ボン
デイング又はワイヤ・ボンデイングされているチ
ツプの除去及び交換によつて、処理又は再加工さ
れ得ることである。
接続を設けるために基板を従来の技術に従つて処
理することが出来、それらが適当でない場合に
は、はんだパツド技術をワイヤ・ボンデイング技
術に変えるためにペデスタル30を用いることが
でき、又それらの両技術を同一基板上で併用する
ことが可能である。この様に同一チツプ上に両技
術を併用し得ることの大きな利点の1つは、モジ
ユールが、他に悪影響を与えることなく、340℃
以上における加熱並びにフリツプ・チツプ・ボン
デイング又はワイヤ・ボンデイングされているチ
ツプの除去及び交換によつて、処理又は再加工さ
れ得ることである。
又、この技術は、基板上にフリツプ・チツプ・
ボンデイングが全く用いられず、ワイヤ・ボンデ
イングだけが用いられる場合にも適用され得る。
この様な技術は、製造において1つの型の技術だ
けを基板に用いたいが、場合によつてフリツプ・
チツプ・ボンデイング技術及びフリツプ・チツ
プ・ボンデイング技術とワイヤ・ボンデイング技
術との組合せでなく、ワイヤ・ボンデイング型チ
ツプだけを基板に接着する必要があるときでも、
コストを節減する技術として用いられ得る。その
場合には、はんだパツドを有するフリツプ・チツ
プ・ボンデイング型の基板が、本発明によるペデ
スタルを用いることにより、ワイヤ・ボンデイン
グされたチツプだけを装着するために用いられ得
る。
ボンデイングが全く用いられず、ワイヤ・ボンデ
イングだけが用いられる場合にも適用され得る。
この様な技術は、製造において1つの型の技術だ
けを基板に用いたいが、場合によつてフリツプ・
チツプ・ボンデイング技術及びフリツプ・チツ
プ・ボンデイング技術とワイヤ・ボンデイング技
術との組合せでなく、ワイヤ・ボンデイング型チ
ツプだけを基板に接着する必要があるときでも、
コストを節減する技術として用いられ得る。その
場合には、はんだパツドを有するフリツプ・チツ
プ・ボンデイング型の基板が、本発明によるペデ
スタルを用いることにより、ワイヤ・ボンデイン
グされたチツプだけを装着するために用いられ得
る。
第1図は本発明に従つてパツケージングされて
いる1つのセラミツク基板及び2つの半導体チツ
プを示す分解斜視図、第2図は第1図の線2−2
における断面図、第3図はセラミツク基板上の選
択されたパツドに取付けられる本発明によるペデ
スタルの斜視図、第4図は単一のチツプがフリツ
プ・チツプ・ボンデイング及びワイヤ・ボンデイ
ングの両技術を用いて基板に接続されている、第
2図と同様な断面図である。 10……セラミツク基板、12,44……フリ
ツプ・チツプ・ボンデイング型チツプ、14,4
2……はんだボール、16……フリツプ・チツ
プ・ボンデイング表面、18……ワイヤ・ボンデ
イング型チツプ、20,46……アルミニウム・
ワイヤ、22……接続体、24……ワイヤ・ボン
デイング表面、26,28,48……はんだパツ
ド、30……3層金属ペデスタル、32……はん
だ下層、34……アルミニウム上層、36……ニ
ツケル中間層、37……エポキシ又ははんだ型合
金、38……金属で充填された貫通孔、39……
導体、40……入出力ピン。
いる1つのセラミツク基板及び2つの半導体チツ
プを示す分解斜視図、第2図は第1図の線2−2
における断面図、第3図はセラミツク基板上の選
択されたパツドに取付けられる本発明によるペデ
スタルの斜視図、第4図は単一のチツプがフリツ
プ・チツプ・ボンデイング及びワイヤ・ボンデイ
ングの両技術を用いて基板に接続されている、第
2図と同様な断面図である。 10……セラミツク基板、12,44……フリ
ツプ・チツプ・ボンデイング型チツプ、14,4
2……はんだボール、16……フリツプ・チツ
プ・ボンデイング表面、18……ワイヤ・ボンデ
イング型チツプ、20,46……アルミニウム・
ワイヤ、22……接続体、24……ワイヤ・ボン
デイング表面、26,28,48……はんだパツ
ド、30……3層金属ペデスタル、32……はん
だ下層、34……アルミニウム上層、36……ニ
ツケル中間層、37……エポキシ又ははんだ型合
金、38……金属で充填された貫通孔、39……
導体、40……入出力ピン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 入出力手段と、少なくとも一部が集積回路チ
ツプを相互接続するためのパターンに配置されて
いる複数のはんだパツドとを有している、集積回
路チツプを装着するための基板において、 少なくとも1つの上記はんだパツドに多層金属
ペデスタルが接続されており、上記ペデスタルは
上記はんだパツドに接続されているはんだの下層
と、アルミニウム又は金のワイヤに接着されるに
適している金属の上層と、上記両層間に挿入され
ていて上記下層のはんだ及び上記上層の金属に対
して不浸透性の金属の中間層とを有することを特
徴とする、集積回路チツプ装着用基板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US328889 | 1981-12-09 | ||
| US06/328,889 US4447857A (en) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | Substrate with multiple type connections |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58101493A JPS58101493A (ja) | 1983-06-16 |
| JPS6352776B2 true JPS6352776B2 (ja) | 1988-10-20 |
Family
ID=23282896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57159722A Granted JPS58101493A (ja) | 1981-12-09 | 1982-09-16 | 基板 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4447857A (ja) |
| EP (1) | EP0081135B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58101493A (ja) |
| DE (1) | DE3275789D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63158863U (ja) * | 1987-04-07 | 1988-10-18 |
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-
1981
- 1981-12-09 US US06/328,889 patent/US4447857A/en not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-09-16 JP JP57159722A patent/JPS58101493A/ja active Granted
- 1982-11-23 DE DE8282110816T patent/DE3275789D1/de not_active Expired
- 1982-11-23 EP EP82110816A patent/EP0081135B1/en not_active Expired
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