JPS6353263A - Ｄｃマグネトロンスパツタ装置 - Google Patents
Ｄｃマグネトロンスパツタ装置Info
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- JPS6353263A JPS6353263A JP19834586A JP19834586A JPS6353263A JP S6353263 A JPS6353263 A JP S6353263A JP 19834586 A JP19834586 A JP 19834586A JP 19834586 A JP19834586 A JP 19834586A JP S6353263 A JPS6353263 A JP S6353263A
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- Japan
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- voltage
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＤＣマグネトロンスパッタ装置のプラズマイン
ピーダンス制御に関するＯ 〔発明の概要〕 本発明はＤＣマグネトロンスパッタ装置において、マグ
ネトロン放電用ｉ！！磁石のコイル電圧、電流を制御し
、ターゲットへの供給電圧、電流を設定値と等しくする
ことにより、プラズマインピーダンスを常に一定にしス
パッタ膜の特性再現性を向上したものである。
ピーダンス制御に関するＯ 〔発明の概要〕 本発明はＤＣマグネトロンスパッタ装置において、マグ
ネトロン放電用ｉ！！磁石のコイル電圧、電流を制御し
、ターゲットへの供給電圧、電流を設定値と等しくする
ことにより、プラズマインピーダンスを常に一定にしス
パッタ膜の特性再現性を向上したものである。
従来のＤＣマグネトロンスパッタ装置ハ、プラズマイン
ピーダンスを一定にするためのマグネトロン放電用電磁
石のコイル電圧、電流を制御することなしに、定電圧電
源、定電流電源、定電力電源が使用されていた。
ピーダンスを一定にするためのマグネトロン放電用電磁
石のコイル電圧、電流を制御することなしに、定電圧電
源、定電流電源、定電力電源が使用されていた。
しかし、前述の従来技術では、マグネトロン放電用電磁
石の電圧、電流一定の下、たとえば、定電圧電源でター
ゲット系に電力を供給すると、前記ターゲットの二ロー
ジヲンの進行に伴い、マグネトロン放電用１！磁石から
出る磁束の分布及び強度が変化し、プラズマインピーダ
ンスが低下する。
石の電圧、電流一定の下、たとえば、定電圧電源でター
ゲット系に電力を供給すると、前記ターゲットの二ロー
ジヲンの進行に伴い、マグネトロン放電用１！磁石から
出る磁束の分布及び強度が変化し、プラズマインピーダ
ンスが低下する。
従りてターゲットへの供給電流は増大し、その結果、ス
パッタレートが時間とともに増大するという問題があっ
た。
パッタレートが時間とともに増大するという問題があっ
た。
一方、定電流電源によりターゲットに電力を供給した場
合は、ターゲットの二ロージヲンの進行に伴い、同様に
プラズマインピーダンスが低下シ従ってターゲットへの
供給電圧は減少する。その結果、スパッタレートは時間
とともに減少するという問題があった。
合は、ターゲットの二ロージヲンの進行に伴い、同様に
プラズマインピーダンスが低下シ従ってターゲットへの
供給電圧は減少する。その結果、スパッタレートは時間
とともに減少するという問題があった。
また、同様に定電力電源を用いた場合においても、一部
の電圧、電流範囲を除いてはスパッタレート及び付着し
たスパッタ膜の特性が変動するという問題点を有する。
の電圧、電流範囲を除いてはスパッタレート及び付着し
たスパッタ膜の特性が変動するという問題点を有する。
そこで本発明は、このような問題点を解決するもので、
その目的とするところはターゲットの二ローションが進
行しても、マグネトロン放電用電磁石のフィル電圧、電
流を減少方向に制御し、プラズマインピーダンスを常に
一定に保つことにより、スパッタレート及びスパッタ膜
の特性が再現性よく保たれるようにターゲットに電力を
供給するところにある。
その目的とするところはターゲットの二ローションが進
行しても、マグネトロン放電用電磁石のフィル電圧、電
流を減少方向に制御し、プラズマインピーダンスを常に
一定に保つことにより、スパッタレート及びスパッタ膜
の特性が再現性よく保たれるようにターゲットに電力を
供給するところにある。
本発明のＤＣマグネトロンスパッタ装置は、スパッタタ
ーゲットへの供給電圧もしくは供給電流を設定する手段
と、前記供給電圧もしくは供給電流を検出する手段と、
この手段より検出された値とを比較し、両者が一致する
ようにマグネトロン放電用電磁石のコイル電圧もしくは
フィル電流を制御する手段とを具備したことを特徴とす
る。
ーゲットへの供給電圧もしくは供給電流を設定する手段
と、前記供給電圧もしくは供給電流を検出する手段と、
この手段より検出された値とを比較し、両者が一致する
ようにマグネトロン放電用電磁石のコイル電圧もしくは
フィル電流を制御する手段とを具備したことを特徴とす
る。
本発明の上記の構成によれば、ターゲットへの供給電圧
・電流が、前記ターゲットの二ローションパターンの変
化に関係なく常に一定となり、従ってプラズマインピー
ダンスも常に一定となる。
・電流が、前記ターゲットの二ローションパターンの変
化に関係なく常に一定となり、従ってプラズマインピー
ダンスも常に一定となる。
第１図は本発明の実施例に係りターゲット電力供給用電
源として定電圧電源を使用した場合を示す電気的構成図
である。
源として定電圧電源を使用した場合を示す電気的構成図
である。
第１図において、定電圧電源１によりターゲットに端子
７より一定電圧が供給される。端子８はアノードあるい
はチャンバに接続しアース準位とする。ここで前記ター
ゲットへの供給電流は定電圧電源１と端子７との間にあ
る電流検出回路２により検出される・この電流検出回路
２の出力信号は電圧信号として比較回路３に与えられ、
電流設定回路４からの出力信号と比較される。電流設定
回路４はターゲットへの供給電流の基準値を設定するも
ので、可変抵抗器等により電圧信号を出力とする。比較
回路３はターゲット供給電流の検出値と設定値との差を
マグネトロン放電用電磁石フィルの電源６を制御するた
めの制御回路５へ出力する。制御回路５は前記ターゲッ
トのエロージヲンが進行しプラズマインピーダンスが低
下しようとするのを防ぐため、つまりはターゲットの印
加電流の検出値と設定値とが一致するように、端子９に
接続したマグネトロン放電用電磁石コイルの電流を減少
ける方向で前記マグネトロン放電用電磁石電源６へ出力
される＠ 第２図はターゲット電力供給用電源として定電流電源を
使用した場合を示す電気的構成図である。
７より一定電圧が供給される。端子８はアノードあるい
はチャンバに接続しアース準位とする。ここで前記ター
ゲットへの供給電流は定電圧電源１と端子７との間にあ
る電流検出回路２により検出される・この電流検出回路
２の出力信号は電圧信号として比較回路３に与えられ、
電流設定回路４からの出力信号と比較される。電流設定
回路４はターゲットへの供給電流の基準値を設定するも
ので、可変抵抗器等により電圧信号を出力とする。比較
回路３はターゲット供給電流の検出値と設定値との差を
マグネトロン放電用電磁石フィルの電源６を制御するた
めの制御回路５へ出力する。制御回路５は前記ターゲッ
トのエロージヲンが進行しプラズマインピーダンスが低
下しようとするのを防ぐため、つまりはターゲットの印
加電流の検出値と設定値とが一致するように、端子９に
接続したマグネトロン放電用電磁石コイルの電流を減少
ける方向で前記マグネトロン放電用電磁石電源６へ出力
される＠ 第２図はターゲット電力供給用電源として定電流電源を
使用した場合を示す電気的構成図である。
第２図において定電流電源１１より一定電流がターゲッ
トへ供給される。この時の電圧は端子７と８の間にある
電圧検出回路１２で検出される。
トへ供給される。この時の電圧は端子７と８の間にある
電圧検出回路１２で検出される。
この電圧検出回路１２の出力信号は比較回路３に与えら
れ、以下前記定電圧電源を使用した時と同様に設定値と
比較し、この両者が一致するようにマグネトロン放電用
電磁石電源６へ出力される。
れ、以下前記定電圧電源を使用した時と同様に設定値と
比較し、この両者が一致するようにマグネトロン放電用
電磁石電源６へ出力される。
この結果、ターゲットのエロージ冒ンが進行しプラズマ
インピーダンスが低下し、前記ターゲットへの供給電圧
もしくは供給電流が変化すると、マグネトロン放電用電
磁石のコイル電流が減小しプラズマインピーダンスを元
に戻す。このことはターゲットへの供給電圧・電流及び
電力が常に一定であることを意味し、そのためスパッタ
レート及びスパッタ膜の特性も再現性が向上する。
インピーダンスが低下し、前記ターゲットへの供給電圧
もしくは供給電流が変化すると、マグネトロン放電用電
磁石のコイル電流が減小しプラズマインピーダンスを元
に戻す。このことはターゲットへの供給電圧・電流及び
電力が常に一定であることを意味し、そのためスパッタ
レート及びスパッタ膜の特性も再現性が向上する。
なお、この発明は上記実施例に限定されるものではなく
、第１図、第２図に示した各回路ブロックの具体的な構
成については種々の変形が可能であることは勿論である
。
、第１図、第２図に示した各回路ブロックの具体的な構
成については種々の変形が可能であることは勿論である
。
又本発明は、ＤＣマグネトロンスパッタ装置ニ限ること
なく、各種プラズマ発生装置としても用いることができ
る。
なく、各種プラズマ発生装置としても用いることができ
る。
以上、述べたように、マグネトロン放電用電磁石のフィ
ル電圧もしくは電流を制御し、ターゲットへの供給電圧
、電流及びてラズマインピーダンスを一定に保つことに
より、前記ターゲットのエロージョンパターンの変化に
関係なくスパッタレート及びスパッタ膜の特性の再現性
を向上できるという効果を有する。
ル電圧もしくは電流を制御し、ターゲットへの供給電圧
、電流及びてラズマインピーダンスを一定に保つことに
より、前記ターゲットのエロージョンパターンの変化に
関係なくスパッタレート及びスパッタ膜の特性の再現性
を向上できるという効果を有する。
第１図は本発明に係りターゲット電力供給用電源として
定電圧電源を使用した場合を示す電気的構成図である。 第２図は同様に定電流電源を使用した場合の電気的構成
図である。 １・・・ターゲット電力供給用の定電圧電源２・・・電
流検出回路 ３・・・比較回路 ４・・・電流設定回路 ５・・・マグネトロン放電用電磁石の電源を制御するた
めの制御回路 ６・・・マグネトロン放電用電磁石の電源７・・・ター
ゲット接続端子 ８・・・アノード及びチャンバへのアース準位ノｍ続端
子 ９・・・マグネトロン放電用電磁石のフィル接続端子 １１・・・ターゲット電力供給用の定電流電源１２・・
・電圧検出回路 １３・・・電圧設定回路 以 上
定電圧電源を使用した場合を示す電気的構成図である。 第２図は同様に定電流電源を使用した場合の電気的構成
図である。 １・・・ターゲット電力供給用の定電圧電源２・・・電
流検出回路 ３・・・比較回路 ４・・・電流設定回路 ５・・・マグネトロン放電用電磁石の電源を制御するた
めの制御回路 ６・・・マグネトロン放電用電磁石の電源７・・・ター
ゲット接続端子 ８・・・アノード及びチャンバへのアース準位ノｍ続端
子 ９・・・マグネトロン放電用電磁石のフィル接続端子 １１・・・ターゲット電力供給用の定電流電源１２・・
・電圧検出回路 １３・・・電圧設定回路 以 上
Claims (1)
- （１）スパッタターゲットへの供給電圧もしくは供給電
流を設定する手段と、前記供給電圧もしくは供給電流を
検出する手段と、この手段より検出された値とを比較し
、両者が一致するようにマグネトロン放電用電磁石のコ
イル電圧もしくはコイル電流を制御する手段とを具備し
たことを特徴とするＤＣマグネトロンスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19834586A JPS6353263A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | Ｄｃマグネトロンスパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19834586A JPS6353263A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | Ｄｃマグネトロンスパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6353263A true JPS6353263A (ja) | 1988-03-07 |
Family
ID=16389576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19834586A Pending JPS6353263A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | Ｄｃマグネトロンスパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6353263A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4943325A (en) * | 1988-10-19 | 1990-07-24 | Black & Veatch, Engineers-Architects | Reflector assembly |
-
1986
- 1986-08-25 JP JP19834586A patent/JPS6353263A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4943325A (en) * | 1988-10-19 | 1990-07-24 | Black & Veatch, Engineers-Architects | Reflector assembly |
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