JPS6353962A - 耐薬品膜の製作方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜集積回路および厚膜集積回路のアンダーコ
ートなどに使用される耐薬品膜の製作方法に係り、とく
に異物付着の少ない平坦度の高い耐薬品膜を形成するの
に好適な耐薬品膜の製作方法に関する。

〔従来の技術〕

従来の耐薬品膜の製作方法においては、たとえば日経エ
レクトロニクス（ＮＩＫＫＥＩ　　ＥＬＥＣＴＲＯＮＩ
Ｃ５）１９８２年９月１３日号、第１１７頁乃至第１２
５頁ｒＣｒ−８ｉ−〇薄膜を使い、印加パルス幅０．９
ｍｓで寿命５Ｘ１０７パルス以上のサーマル・ヘッドを
開発」に記載されている如く、グレーズド（釉薬を施し
た）・セラミック基板には、ふっ酸系エツチング液によ
るエツチング防止層と高温動作時におけるブレース、ガ
ラス中のアルカリ・イオンの抵抗体中へのマイグレーシ
ョン防止層として約７０ｍｍの五酸化タンタル（”ｒａ
ｔｏｓ）からなるアンダーコート膜を成膜している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

前記の従来技術においては、耐薬品膜となるタンタル膜
成膜時にフレーク、スプラッタなどの異物が付着するが
、この異物についての配慮がなされておらず、そのため
、ホトエツチングしたとき、この異物の影響により配線
パターンの断線・欠は不良を引き起して製品歩留りを低
下させる問題があった。

すなわち、第４図（ａ）に示す如く、セラミック基板１
上にスパッタリング法によりタンタル膜２を形成したと
き、スパッタリング装置の内壁から　゛剥離したフレー
クまたはスパッタリング時の異常放電により発生するス
プラッタを主とする異物３がタンタル膜２中に埋め込ま
れることがある。

そのため、この状態で、酸素雰囲気中で熱処理すると、
第４図（ｂ）に示す如く、前記異物３が埋め込まれた状
態でタンタル膜２が五酸化タンタル膜５に変化する。

ついで、第４図（Ｃ）に示す如く、前記五酸化タンタル
膜５上に配線膜７を成膜し、第４図（ｄ）に示す如く配
線パターン８を形成すると、配線パターン８に前記異物
３によってパターン断線部９が形成される。

本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、異物
付着の少ない平坦度の高いアンダーコート膜の形成を可
能とする耐薬品膜の製作方法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

前記の目的は、ガラス層の表面に耐薬品膜を成膜する方
法において、前記ガラス層の表面にタンタル膜を成膜し
たのち、このタンタル膜の表面上の異物を除去するため
の洗浄工程を付設することにより達成される。

〔作用〕

本発明は、ガラス層の表面にタンタル膜を成膜したさい
、このタンタル膜にフレークまたはスプラッタなどの異
物が埋め込まれることがあるので、スクラバー法、ウォ
ータゲート法、超音波などの洗浄方法を用いて異物を除
去するに の場合、タンタル膜の異物が除去された部分に僅かなピ
ンホールが発生するが、これは、つぎの熱酸化工程によ
って塞がって平坦度の高い耐薬品膜を成膜することがで
きる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を示す第１図乃至第３図について
説明する。第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例で
ある配線パターンの製造工程図、第２図はスクラバー洗
浄装置の要部説明図、第３図は洗浄時間と異物数との関
係を示す図である。

第１図（ａ）に示す如く、セラミック基板１上にスパッ
タリング法により膜厚が６００人乃至１２００人のタン
タル膜２を形成したとき、スパッタリング装置の内壁か
ら剥離したフレークまたはスパッタリング時の異常放電
により発生するスパッタを主とする異物３がタンタル膜
２中に埋め込まれることがある。

そこで、たとえばスクラバー洗浄装置を用いた場合につ
いて第２図に示す如く、回転軸ＩＯの上端部に固定され
たスピンチャック１１上にタンタル膜２を上面に成膜し
たセラミック基板１をＡ矢印方向に回転させるとともに
、このセラミック基板１の回転方向と直交するＢ矢印方
向に回転するブラシ１２の外周面を前記タンタル膜２の
表面に対接させると、タンタル膜２の表面は洗浄されな
がら第１図（ｂ）に示す如く異物３が除去され、その跡
に異物除去部６が形成される。なお１本発明者の実験結
果によれば、第３図に示す如＜１０μｍ以上の異物３は
３０秒乃至６０秒の洗浄時間にて除去することができる
。

ついで、洗浄後のセラミック基板１を４５０℃乃至５Ｑ
Ｏ℃の温度で２時間乃至４時間、酸素雰囲気中で熱処理
すると、第１図（Ｃ）に示す如く、前記タンタル膜２は
五酸化タンタル膜５に変化する。

このとき、異物除去部６は熱処理によって２０乃至６０
％平坦化される。

ついで、第１図（ｄ）に示す如く、五酸化タンタル膜５
上に配線膜７を形成したのち、第１図（ｅ）に示す如く
配線パターン８を形成すると、配線パターン８に断線が
発生しない。また、本願発明者の実験結果によれば、単
位面積あたりの配線欠点数は従来の３２に対して１８と
なり、約１／２に減少することができる。

なお、配線パターン８上のアンダコート面はほとんど平
坦状に形成されるが、さらに高い平坦度が要求される場
合には、前述のタンタル膜の成膜から熱酸化を繰返せば
よく、これに配線膜７を成膜しホト・エツチングを行な
うと、正常な配線パターン８を形成することができる。

また、前記実施例においては異物３を除去するのにスク
ラバー洗浄装置を用いた場合について述べたが、これに
限定されるものでなくたとえばウォータゲート法および
超音波法を使用することも可能である。

〔発明の効果〕

本発明によれば、異物欠陥の少ない平坦度の高い耐薬品
膜を成膜することができかつ配線パターンの断線および
欠けを防止することができるので、製品の歩留りの向上
をはかることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例である配線パ
ターンの製造工程図、第２図はスクラバー洗浄装置の要
部説明図、第３図は洗浄時間と異物数との関係図、第４
図は従来の配線パターンの製造工程図である。 １・・・セラミック基板、２・・・タンタル膜、３・・
・異物、５・・・五酸化タンタル膜、６・・・異物除去
部、７・・・配線膜、　１０・・・回転軸、１１・・・
スピンチャック、１２・・・ブラシ。 代理人弁理士　　秋　本　正　実 第１図 （ａ）り；タルＡ蝦天　　　　　　　　　　（ｄ）運！
に束月先のび火弟２図 スクヲ７゛　脆涌ト防乍Ｉ”Ａ　　　（中トノ第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．ガラス層の表面にタンタル層を酸化して五酸化タン
   タル層からなる耐薬品膜を製作する方法において、前記
   ガラス層の表面にタンタル層を形成したのち、該タンタ
   ル層に付着する異物などを除去するための洗浄工程を付
   設したことを特徴とする耐薬品膜の製作方法。