JPS6355167A - セラミック薄体の製造方法 - Google Patents
セラミック薄体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6355167A JPS6355167A JP61197302A JP19730286A JPS6355167A JP S6355167 A JPS6355167 A JP S6355167A JP 61197302 A JP61197302 A JP 61197302A JP 19730286 A JP19730286 A JP 19730286A JP S6355167 A JPS6355167 A JP S6355167A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic thin
- fusion
- powder
- thin body
- lead compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 21
- 150000002611 lead compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 5
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 4
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 3
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 2
- 230000003716 rejuvenation Effects 0.000 claims description 2
- 230000003141 anti-fusion Effects 0.000 claims 5
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- MFEVGQHCNVXMER-UHFFFAOYSA-L 1,3,2$l^{2}-dioxaplumbetan-4-one Chemical compound [Pb+2].[O-]C([O-])=O MFEVGQHCNVXMER-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910016063 BaPb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000003 Lead carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L dibromolead Chemical compound Br[Pb]Br ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229940046892 lead acetate Drugs 0.000 description 1
- HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L lead(II) chloride Chemical compound Cl[Pb]Cl HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、鉛組成物を組成の一部とするセラミック薄板
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
（従来の技術）
従来、鉛化合物を組成の１部とするセラミック、例えば
ＰｂＴｉＯ３−Ｐｂ２ｒＯ３、（Ｂａ Ｐｂ＞ Ｔｉ
Ｏ３等は圧電効果を示し、電話機等の圧電撮動子として
使用されている。この圧電振動子の形状は例えば厚ざ０
，１馴、直径３ｏｍｍ程度の薄体である。
ＰｂＴｉＯ３−Ｐｂ２ｒＯ３、（Ｂａ Ｐｂ＞ Ｔｉ
Ｏ３等は圧電効果を示し、電話機等の圧電撮動子として
使用されている。この圧電振動子の形状は例えば厚ざ０
，１馴、直径３ｏｍｍ程度の薄体である。
これらのセラミック薄体の製造方法として、第３図示の
ように、通常の窯業で用いる上面開放の函体ａの内底面
に、ＺｒＯ等の融着防止粉すを撒布し、その上に未焼成
のセラミック薄体Ｃを置き、その上に融肴防止粉すを撒
布し、再びその上に未焼成のヒラミック簿体Ｃを置くこ
とをくり返して２０枚〜３０枚程の未焼成セラミック簿
体を積み重ね、その近傍に例えばＰｂＯのような雰囲気
制御剤を成型したチップｄを数個配置し、該函体ａの上
に同型の函体ａを逆向きにして被せ、未焼成セラミック
薄体Ｃを密閉した状態で焼成する方法が提案されている
。この方法によれば、鉛を含む未焼成セラミック薄体を
焼成する昇温過程で５００°〜６００℃から鉛成分が蒸
発し始めるのを、該薄体周辺を鉛成分の雰囲気で覆うこ
とによりその蒸発を制御することができる。
ように、通常の窯業で用いる上面開放の函体ａの内底面
に、ＺｒＯ等の融着防止粉すを撒布し、その上に未焼成
のセラミック薄体Ｃを置き、その上に融肴防止粉すを撒
布し、再びその上に未焼成のヒラミック簿体Ｃを置くこ
とをくり返して２０枚〜３０枚程の未焼成セラミック簿
体を積み重ね、その近傍に例えばＰｂＯのような雰囲気
制御剤を成型したチップｄを数個配置し、該函体ａの上
に同型の函体ａを逆向きにして被せ、未焼成セラミック
薄体Ｃを密閉した状態で焼成する方法が提案されている
。この方法によれば、鉛を含む未焼成セラミック薄体を
焼成する昇温過程で５００°〜６００℃から鉛成分が蒸
発し始めるのを、該薄体周辺を鉛成分の雰囲気で覆うこ
とによりその蒸発を制御することができる。
（発明が解決しようとする問題点）
上述のような製造方法は、融着防止粉すを關械あるいは
手作業で散布するので均一に散布されず、そのセラミッ
ク薄体Ｃの反りや融着等の製品不良の原因となる不都合
があった。また雰囲気制御剤を成型したチップｄによる
雰囲気制御では、未焼成のセラミック薄体Ｃの周端縁部
分と中心部分における雰囲気が異なるため焼成後のセラ
ミック薄体の周端縁部分と中心部分の鉛成分比が異なり
その特性及び外観の不良の原因となる不都合があった。
手作業で散布するので均一に散布されず、そのセラミッ
ク薄体Ｃの反りや融着等の製品不良の原因となる不都合
があった。また雰囲気制御剤を成型したチップｄによる
雰囲気制御では、未焼成のセラミック薄体Ｃの周端縁部
分と中心部分における雰囲気が異なるため焼成後のセラ
ミック薄体の周端縁部分と中心部分の鉛成分比が異なり
その特性及び外観の不良の原因となる不都合があった。
本発明は、従来のこのような不都合を解決することので
きる鉛化合物の一部を組成の一部とするセラミック薄体
の製造方法を提供することをその目的とするものである
。
きる鉛化合物の一部を組成の一部とするセラミック薄体
の製造方法を提供することをその目的とするものである
。
（問題点を解決するための手段）
本発明は上述の目的を達成するために、鉛化合物を組成
の１部とする磁器組成物原料を含む未焼成セラミック薄
体と、鉛化合物及び融着若防止剤を含む雰囲気制御融着
防止ウェハとを、函体内に交互に積重ねて密閉し焼成し
たことを特徴とする。
の１部とする磁器組成物原料を含む未焼成セラミック薄
体と、鉛化合物及び融着若防止剤を含む雰囲気制御融着
防止ウェハとを、函体内に交互に積重ねて密閉し焼成し
たことを特徴とする。
（実施例）
実施例１
ｐｂｏ粉末２２３ｇとＺｒＯ□粉末１２３ｇと、アクリ
ル系有機バインダ７６ｇとを混合し、ドクターブレード
法により０．１５＃ｌＩＩ＋厚、幅４５Ｍの長尺シート
に形成し、４０．０に打ち抜いて雰囲気御融着若防止剤
から成るウェハを複数枚用意した。また、予め４０ｍの
厚さ０．１３Ｍに成型されたＰｂＴｉ０．−ＰｂＺｒ０
３系未焼成セラミック薄体を複数枚用意し、第１図及び
第２図に示すように、函体（３）内に先ず該ウェハ（１
）を１枚敷き、その上に未焼成セラミック薄体（２）を
−枚置きウェハ（１）と未焼成セラミック薄体（２）を
交互に３０枚積重ね、同種同型の函体（３Ａ）を逆向ぎ
にして被せて密閉した。
ル系有機バインダ７６ｇとを混合し、ドクターブレード
法により０．１５＃ｌＩＩ＋厚、幅４５Ｍの長尺シート
に形成し、４０．０に打ち抜いて雰囲気御融着若防止剤
から成るウェハを複数枚用意した。また、予め４０ｍの
厚さ０．１３Ｍに成型されたＰｂＴｉ０．−ＰｂＺｒ０
３系未焼成セラミック薄体を複数枚用意し、第１図及び
第２図に示すように、函体（３）内に先ず該ウェハ（１
）を１枚敷き、その上に未焼成セラミック薄体（２）を
−枚置きウェハ（１）と未焼成セラミック薄体（２）を
交互に３０枚積重ね、同種同型の函体（３Ａ）を逆向ぎ
にして被せて密閉した。
この状態で最高温度１１５０℃で２時間、継続する焼成
プロファイルのトンネル炉を通過させて焼成した。
プロファイルのトンネル炉を通過させて焼成した。
この実施例１の焼成されたセラミック薄体を、セラミッ
ク同志のＲ’４、変色、反り等について１０００枚観察
した結果を下表に示す。この実施例の雰囲気制御融着若
防止剤から成るウェハのＰｂｏ／２ｒ０２（ｍｏｌ比）
は１．０である。
ク同志のＲ’４、変色、反り等について１０００枚観察
した結果を下表に示す。この実施例の雰囲気制御融着若
防止剤から成るウェハのＰｂｏ／２ｒ０２（ｍｏｌ比）
は１．０である。
実施例２〜９
ウェハのＰｂＯ／Ｘｒ０２を０．２〜２．８（ｍｏｌ比
）の範−囲で変えたことと、焼成温度を１１００℃〜１
２００℃に変えたこと以外は実施例１と同様に行った。
）の範−囲で変えたことと、焼成温度を１１００℃〜１
２００℃に変えたこと以外は実施例１と同様に行った。
この焼成セラミック薄体の観察結果を下表に示す。
実施例１０〜１２
Ｐｂｏ粉末と７ｒ０２粉末を下表の実施例１０，１１．
１２の欄に示す割合で混合し、混合した粉末を６００℃
〜８００℃で２時間〜３時間熱処理したちのをボールミ
ルで粉砕し、これに有機バインダを加えて前記実施例と
同様にウェハにし、実施例１〜９と同様に行なった。こ
の焼成セラミック薄体のｉｌｌ！察結果を下表に示す。
１２の欄に示す割合で混合し、混合した粉末を６００℃
〜８００℃で２時間〜３時間熱処理したちのをボールミ
ルで粉砕し、これに有機バインダを加えて前記実施例と
同様にウェハにし、実施例１〜９と同様に行なった。こ
の焼成セラミック薄体のｉｌｌ！察結果を下表に示す。
実施例１３．１４
実施例１０〜１２における熱処理し゛た粉末に変えて、
該熱処理した粉末とＺ「０２粉末とを混合したものとし
た以外は実施例１０〜１２と同様に行なった。また実施
例１０〜１２における熱処理した粉末に変えて、該熱処
理した粉末とＰｂｏ粉末とを混合したものとした以外は
実施例１０〜１２と同様に行なった。それぞれの焼成セ
ラミック薄体の観察結果を下表の実施例１３．１４の欄
に示す。
該熱処理した粉末とＺ「０２粉末とを混合したものとし
た以外は実施例１０〜１２と同様に行なった。また実施
例１０〜１２における熱処理した粉末に変えて、該熱処
理した粉末とＰｂｏ粉末とを混合したものとした以外は
実施例１０〜１２と同様に行なった。それぞれの焼成セ
ラミック薄体の観察結果を下表の実施例１３．１４の欄
に示す。
比較例
函体の内底面及び未焼成のセラミック薄体の上にＺｒＯ
２粉末を散布したことと、Ｐｂｏ粉末を成形した雰囲気
制御用チップを函体内に配置したこと以外は実施例１と
同じ方法及び同じ条件で行なった。この焼成セラミック
薄体の観察結果を下表に示す。 表 尚、前記実施例においては、鉛化合物として酸化鉛を用
いたが、これに限定されるものでなく、塩化鉛、臭化鉛
等のように６００℃より低い温度で鉛成分が蒸発するも
のや、炭酸鉛や酢酸鉛等のように、分解して酸化鉛とな
るものも、前記実施例と同様の効果を示す。
２粉末を散布したことと、Ｐｂｏ粉末を成形した雰囲気
制御用チップを函体内に配置したこと以外は実施例１と
同じ方法及び同じ条件で行なった。この焼成セラミック
薄体の観察結果を下表に示す。 表 尚、前記実施例においては、鉛化合物として酸化鉛を用
いたが、これに限定されるものでなく、塩化鉛、臭化鉛
等のように６００℃より低い温度で鉛成分が蒸発するも
のや、炭酸鉛や酢酸鉛等のように、分解して酸化鉛とな
るものも、前記実施例と同様の効果を示す。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、例えば厚さ０．
１ｍｒｎ、直径３０ｓ＋＋のセラミック薄板が反らず、
また積重ねても８着することがないので生産効率が高く
、更に雰囲気ずれによるセラミック薄体の中心部分と周
端縁部分における鉛成分比の相違がないので、特性及び
外観の不良が生じない等の効果がある。
１ｍｒｎ、直径３０ｓ＋＋のセラミック薄板が反らず、
また積重ねても８着することがないので生産効率が高く
、更に雰囲気ずれによるセラミック薄体の中心部分と周
端縁部分における鉛成分比の相違がないので、特性及び
外観の不良が生じない等の効果がある。
截断断面図、第３図は従来方法を説明するための断面図
である。 （１）・・・ウェハ （２）・・・未焼成セラミック薄体 （３＞（３Ａ）・・・函体 第２図 第３＠
である。 （１）・・・ウェハ （２）・・・未焼成セラミック薄体 （３＞（３Ａ）・・・函体 第２図 第３＠
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、鉛化合物を組成の１部とする磁器組成物原料を含む
未焼成セラミック薄体と、鉛化合物及び融着防止剤を含
む雰囲気制御融着防止ウェハとを、函体内に交互に積重
ねて密閉し焼成したことを特徴とするセラミック薄体の
製造方法。 ２、前記雰囲気制御融着防止ウェハは、鉛化合物粉末と
融着防止剤粉末を混合して成形したものであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のセラミック薄体の
製造方法。 ３、前記雰囲気制御融着防止ウェハは、鉛化合物−融着
防止剤の固溶体粉末を成形したものであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のセラミック薄体の製造
方法。 ４、前記雰囲気制御融着防止ウェハは、鉛化合物−融着
若防止剤の固溶体粉末と、鉛化合物粉末とを混合して成
形したものであることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のセラミック薄体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61197302A JPS6355167A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | セラミック薄体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61197302A JPS6355167A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | セラミック薄体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355167A true JPS6355167A (ja) | 1988-03-09 |
| JPH0427188B2 JPH0427188B2 (ja) | 1992-05-11 |
Family
ID=16372200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61197302A Granted JPS6355167A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | セラミック薄体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6355167A (ja) |
-
1986
- 1986-08-25 JP JP61197302A patent/JPS6355167A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0427188B2 (ja) | 1992-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Fukushima et al. | Preparation of ferroelectric PZT films by thermal decomposition of organometallic compounds | |
| KR100278346B1 (ko) | 압전세라믹조성물 | |
| US7381671B2 (en) | Ferroelectric ceramic composition and applied ferroelectric element including same | |
| US6916754B2 (en) | Dielectric ceramic material and method for producing the same | |
| DE102017106405A1 (de) | Piezoelektrisches keramisches sputtertarget, bleifreier piezoelektrischer dünnfilm und piezoelektrisches dünnfilmelement unter verwendung der selbigen | |
| US4898844A (en) | Process for manufacturing a ceramic body having multiple barium-titanate phases | |
| CN114133215A (zh) | 一种A位高熵钙钛矿ReMnO3热电陶瓷及其制备方法 | |
| JPS6355167A (ja) | セラミック薄体の製造方法 | |
| CN1064939C (zh) | 压电陶瓷及其制备方法 | |
| US4380559A (en) | Method for producing boundary layer semiconductor ceramic capacitors | |
| JP2645815B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器 | |
| KR910019108A (ko) | 결정이방성을 갖는 티탄산 바륨 반도체 자기 및 그 제조 방법 | |
| KR102954695B1 (ko) | 적층형 압전 텍스처 세라믹 및 이의 제조 방법 | |
| KR102835643B1 (ko) | Bnkt계 무연 압전 세라믹 제조방법 | |
| JPH0782022A (ja) | 配向性磁器およびその製造方法 | |
| KR940011749B1 (ko) | Cd₂SnO₄타게트 및 이의 제조방법 | |
| JPH01183448A (ja) | 回路基板 | |
| JPS62176962A (ja) | セラミツクス基板の焼結法 | |
| JPS6131361A (ja) | 磁器ウエハの製造方法 | |
| JPH0782043A (ja) | セラミックシートの製造方法 | |
| KR0149005B1 (ko) | Bi계 초전도체 후막과 그 제조방법 | |
| JPH0319714B2 (ja) | ||
| JPH02180761A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体 | |
| JPH02311371A (ja) | セラミック基板の焼成方法 | |
| JPS6318698A (ja) | 積層セラミツク電子部品の製造方法 |