JPH0427188B2 - - Google Patents
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- JPH0427188B2 JPH0427188B2 JP61197302A JP19730286A JPH0427188B2 JP H0427188 B2 JPH0427188 B2 JP H0427188B2 JP 61197302 A JP61197302 A JP 61197302A JP 19730286 A JP19730286 A JP 19730286A JP H0427188 B2 JPH0427188 B2 JP H0427188B2
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- powder
- fusion
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- ceramic thin
- lead compound
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- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、鉛組成物を組成の一部とするセラミ
ツク薄板の製造方法に関する。 （従来の技術） 従来、鉛化合物を組成の１部とするセラミツ
ク、例えばPbTiO3−PbZrO3、（Ba−Pb）TiO3
等は圧電効果を示し、電話機等の圧電振動子とし
て使用されている。この圧電振動子の形状は例え
ば厚さ0.1mm、直径30mm程度の薄体である。これ
らのセラミツク薄体の製造方法として、第３図示
のように、通常の窯業で用いる上面開放の函体ａ
の内底面に、ZrO等の融着防止粉ｂを撒布し、そ
の上に未燒成のセラミツク薄体ｃを置き、その上
に融着防止粉ｂを撒布し、再びその上に未燒成の
セラミツク薄体ｃを置くことをくり返して20枚〜
30枚程度の未燒成セラミツク薄体を積み重ね、そ
の近傍に例えばPbOのような雰囲気制御剤を成型
したチツプｄを数個配置し、該函体ａの上に同型
の函体ａを逆向きにして被せ、未燒成セラミツク
薄体ｃを密閉した状態で燒成する方法が提案され
ている。この方法によれば、鉛を含む未燒成セラ
ミツク薄体を燒成する昇温過程で500〜600℃から
鉛成分が蒸発し始めるのを、該薄体周辺を鉛成分
の雰囲気で覆うことによりその蒸発を制御するこ
とができる。 （発明が解決しようとする問題点） 上述のような製造方法は、融着防止粉ｂを機械
あるいは手作業で散布するので均一に散布され
ず、そのセラミツク薄体ｃの反りや融着等の製品
不良の原因となる不都合があつた。また雰囲気制
御剤を成型したチツプｄによる雰囲気制御では、
未燒成のセラミツク薄体ｃの周端縁部分と中心部
分における雰囲気が異なるため燒成後のセラミツ
ク薄体の周端縁部分と中心部分の鉛成分比が異な
りその特性及び外観の不良の原因となる不都合が
あつた。 本発明は、従来のこのような不都合を解決する
ことのできる鉛化合物の一部を組成の一部とする
セラミツク薄体の製造方法を提供することをその
目的とするものである。 （問題点を解決するための手段） 本発明は上述の目的を達成するために、鉛化合
物を組成の１部とする磁器組成物原料を含む未燒
成セラミツク薄体と、鉛化合物及び融着防止剤を
含む雰囲気制御融着防止ウエハとを、函体内に交
互に積重ねて密閉し燒成したことを特徴とする。 （実施例） 実施例 １ PbO粉末223ｇとZrO2粉末123ｇと、アクリル
系有機バインダ76ｇとを混合し、ドクターブレー
ド法により0.15mm厚、幅45mmの長尺シートに形成
し、40mmΦに打ち抜いて雰囲気御融着防止剤から
成るウエハを複数枚用意した。また、予め40mmΦ
厚さ0.13mmに成型されたPbTiO3−ObZrO3系未燒
成セラミツク薄体を複数枚用意し、第１図及び第
２図に示すように、函体３内に先ず該ウエハ１を
１枚敷き、その上に未燒成セラミツク薄体２を一
枚置きウエハ１と未燒成セラミツク薄体２を交互
に30枚積重ね、同種同型の函体３Ａを逆向きにし
て被せて密閉した。 この状態で最高温度1150℃で２時間、継続する
燒成プロフアイルのトンネル炉を通過させて燒成
した。 この実施例１の燒成されたセラミツク薄体を、
セラミツク同志の融着、反り等について1000枚観
察した結果を下表に示す。この実施例の雰囲気制
御融着防止剤から成るウエハのPbO／ZrO2（mol
比）は1.0である。 実施例 ２〜９ ウエハのPbO／ZrO2を0.2〜2.8（mol比）の範囲
で変えたことと、燒成温度を1100℃〜1200℃に変
えたこと以外は実施例１と同様に行つた。この燒
成セラミツク薄体の観察結果を下表に示す。 実施例 10〜12 PbO粉末とZrO2粉末を下表の実施例10，11，
12の欄に示す割合で混合し、混合した粉末を600
℃〜800℃で２時間〜３時間熱処理したものをボ
ールミルで粉砕し、これに有機バインダを加えて
前記実施例と同様にウエハにし、実施例１〜９と
同様に行なつた。この燒成セラミツク薄体の観察
結果を下表に示す。 実施例 13，14 実施例10〜12における熱処理した粉末に変え
て、該熱処理した粉末とZrO2粉末とを混合した
ものとした以外は実施例10〜12と同様に行なつ
た。また実施例10〜12における熱処理した粉末に
変えて、該熱処理した粉末とPbO粉末とを混合し
たものとした以外は実施例10〜12と同様に行なつ
た。それぞれの燒成セラミツク薄体の観察結果を
下表の実施例13，14の欄に示す。 比較例 函体の内底面及び未燒成のセラミツク薄体の上
にZrO2粉末を散布したことと、PbO粉末を成形
した雰囲気制御用チツプを函体内に配置したこと
以外は実施例１と同じ方法及び同じ条件で行なつ
た。この燒成セラミツク薄体の観察結果を下表に
示す。
ツク薄板の製造方法に関する。 （従来の技術） 従来、鉛化合物を組成の１部とするセラミツ
ク、例えばPbTiO3−PbZrO3、（Ba−Pb）TiO3
等は圧電効果を示し、電話機等の圧電振動子とし
て使用されている。この圧電振動子の形状は例え
ば厚さ0.1mm、直径30mm程度の薄体である。これ
らのセラミツク薄体の製造方法として、第３図示
のように、通常の窯業で用いる上面開放の函体ａ
の内底面に、ZrO等の融着防止粉ｂを撒布し、そ
の上に未燒成のセラミツク薄体ｃを置き、その上
に融着防止粉ｂを撒布し、再びその上に未燒成の
セラミツク薄体ｃを置くことをくり返して20枚〜
30枚程度の未燒成セラミツク薄体を積み重ね、そ
の近傍に例えばPbOのような雰囲気制御剤を成型
したチツプｄを数個配置し、該函体ａの上に同型
の函体ａを逆向きにして被せ、未燒成セラミツク
薄体ｃを密閉した状態で燒成する方法が提案され
ている。この方法によれば、鉛を含む未燒成セラ
ミツク薄体を燒成する昇温過程で500〜600℃から
鉛成分が蒸発し始めるのを、該薄体周辺を鉛成分
の雰囲気で覆うことによりその蒸発を制御するこ
とができる。 （発明が解決しようとする問題点） 上述のような製造方法は、融着防止粉ｂを機械
あるいは手作業で散布するので均一に散布され
ず、そのセラミツク薄体ｃの反りや融着等の製品
不良の原因となる不都合があつた。また雰囲気制
御剤を成型したチツプｄによる雰囲気制御では、
未燒成のセラミツク薄体ｃの周端縁部分と中心部
分における雰囲気が異なるため燒成後のセラミツ
ク薄体の周端縁部分と中心部分の鉛成分比が異な
りその特性及び外観の不良の原因となる不都合が
あつた。 本発明は、従来のこのような不都合を解決する
ことのできる鉛化合物の一部を組成の一部とする
セラミツク薄体の製造方法を提供することをその
目的とするものである。 （問題点を解決するための手段） 本発明は上述の目的を達成するために、鉛化合
物を組成の１部とする磁器組成物原料を含む未燒
成セラミツク薄体と、鉛化合物及び融着防止剤を
含む雰囲気制御融着防止ウエハとを、函体内に交
互に積重ねて密閉し燒成したことを特徴とする。 （実施例） 実施例 １ PbO粉末223ｇとZrO2粉末123ｇと、アクリル
系有機バインダ76ｇとを混合し、ドクターブレー
ド法により0.15mm厚、幅45mmの長尺シートに形成
し、40mmΦに打ち抜いて雰囲気御融着防止剤から
成るウエハを複数枚用意した。また、予め40mmΦ
厚さ0.13mmに成型されたPbTiO3−ObZrO3系未燒
成セラミツク薄体を複数枚用意し、第１図及び第
２図に示すように、函体３内に先ず該ウエハ１を
１枚敷き、その上に未燒成セラミツク薄体２を一
枚置きウエハ１と未燒成セラミツク薄体２を交互
に30枚積重ね、同種同型の函体３Ａを逆向きにし
て被せて密閉した。 この状態で最高温度1150℃で２時間、継続する
燒成プロフアイルのトンネル炉を通過させて燒成
した。 この実施例１の燒成されたセラミツク薄体を、
セラミツク同志の融着、反り等について1000枚観
察した結果を下表に示す。この実施例の雰囲気制
御融着防止剤から成るウエハのPbO／ZrO2（mol
比）は1.0である。 実施例 ２〜９ ウエハのPbO／ZrO2を0.2〜2.8（mol比）の範囲
で変えたことと、燒成温度を1100℃〜1200℃に変
えたこと以外は実施例１と同様に行つた。この燒
成セラミツク薄体の観察結果を下表に示す。 実施例 10〜12 PbO粉末とZrO2粉末を下表の実施例10，11，
12の欄に示す割合で混合し、混合した粉末を600
℃〜800℃で２時間〜３時間熱処理したものをボ
ールミルで粉砕し、これに有機バインダを加えて
前記実施例と同様にウエハにし、実施例１〜９と
同様に行なつた。この燒成セラミツク薄体の観察
結果を下表に示す。 実施例 13，14 実施例10〜12における熱処理した粉末に変え
て、該熱処理した粉末とZrO2粉末とを混合した
ものとした以外は実施例10〜12と同様に行なつ
た。また実施例10〜12における熱処理した粉末に
変えて、該熱処理した粉末とPbO粉末とを混合し
たものとした以外は実施例10〜12と同様に行なつ
た。それぞれの燒成セラミツク薄体の観察結果を
下表の実施例13，14の欄に示す。 比較例 函体の内底面及び未燒成のセラミツク薄体の上
にZrO2粉末を散布したことと、PbO粉末を成形
した雰囲気制御用チツプを函体内に配置したこと
以外は実施例１と同じ方法及び同じ条件で行なつ
た。この燒成セラミツク薄体の観察結果を下表に
示す。
【表】
尚、前記実施例においては、鉛化合物として酸
化鉛を用いたが、これに限定されるものでなく、
塩化鉛、臭化鉛等のように600℃より低い温度で
鉛成分が蒸発するものや、炭酸鉛や酢酸鉛等のよ
うに、分解して酸化鉛となるものも、前記実施例
と同様の効果を示す。 （発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、例えば
厚さ0.1mm、直径30mmのセラミツク薄体が反らず、
また積重ねても融着することがないので生産効率
が高く、更に雰囲気ずれによるセラミツク薄体の
中心部分と周端縁部分における鉛成分比の相違が
ないので、特性及び外観の不良が生じない等の効
果がある。
化鉛を用いたが、これに限定されるものでなく、
塩化鉛、臭化鉛等のように600℃より低い温度で
鉛成分が蒸発するものや、炭酸鉛や酢酸鉛等のよ
うに、分解して酸化鉛となるものも、前記実施例
と同様の効果を示す。 （発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、例えば
厚さ0.1mm、直径30mmのセラミツク薄体が反らず、
また積重ねても融着することがないので生産効率
が高く、更に雰囲気ずれによるセラミツク薄体の
中心部分と周端縁部分における鉛成分比の相違が
ないので、特性及び外観の不良が生じない等の効
果がある。
第１図は本発明方法の実施の１例を説明するた
めの模式的斜視図、第２図は第１図−線截断
断面図、第３図は従来方法を説明するための断面
図である。 １……ウエハ、２……未燒成セラミツク薄体、
３，３Ａ……函体。
めの模式的斜視図、第２図は第１図−線截断
断面図、第３図は従来方法を説明するための断面
図である。 １……ウエハ、２……未燒成セラミツク薄体、
３，３Ａ……函体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 鉛化合物を組成の１部とする磁器組成物原料
を含む未燒成セラミツク薄体と、鉛化合物及び融
着防止剤を含む雰囲気制御融着防止ウエハとを、
函体内に交互に積重ねて密閉し燒成したことを特
徴とするセラミツク薄体の製造方法。 ２ 前記雰囲気制御融着防止ウエハは、鉛化合物
粉末と融着防止剤粉末を混合して成形したもので
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のセラミツク薄体の製造方法。 ３ 前記雰囲気制御融着防止ウエハは、鉛化合物
−融着防止剤の固溶体粉末を成形したものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のセ
ラミツク薄体の製造方法。 ４ 前記雰囲気制御融着防止ウエハは、鉛化合物
−融着防止剤の固溶体粉末と、鉛化合物粉末とを
混合して成形したものであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のセラミツク薄体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61197302A JPS6355167A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | セラミック薄体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61197302A JPS6355167A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | セラミック薄体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355167A JPS6355167A (ja) | 1988-03-09 |
| JPH0427188B2 true JPH0427188B2 (ja) | 1992-05-11 |
Family
ID=16372200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61197302A Granted JPS6355167A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | セラミック薄体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6355167A (ja) |
-
1986
- 1986-08-25 JP JP61197302A patent/JPS6355167A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6355167A (ja) | 1988-03-09 |
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