JPS6355192A - 常圧気相成長装置 - Google Patents
常圧気相成長装置Info
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- JPS6355192A JPS6355192A JP19942786A JP19942786A JPS6355192A JP S6355192 A JPS6355192 A JP S6355192A JP 19942786 A JP19942786 A JP 19942786A JP 19942786 A JP19942786 A JP 19942786A JP S6355192 A JPS6355192 A JP S6355192A
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- Japan
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- wafer
- susceptor
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- dispersion head
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- Pending
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体製造装置に関し、特に常圧気相成長時の
ウェハーへのパーティクル付着と汚染を防止することを
図った半導体製造装置に関する。
ウェハーへのパーティクル付着と汚染を防止することを
図った半導体製造装置に関する。
［従来の技術］
化学的気相成長（ＣＶＤ）プロセスは半導体素子の製造
工程において様々な用途に用いられている。その中でも
常圧気相成長法は比較的低温で膜形成が可能でおり、か
つ成長速度が速く、高スループツトが得られることから
、層間絶縁膜２表面保護膜等の形成に使用されている。
工程において様々な用途に用いられている。その中でも
常圧気相成長法は比較的低温で膜形成が可能でおり、か
つ成長速度が速く、高スループツトが得られることから
、層間絶縁膜２表面保護膜等の形成に使用されている。
従来の常圧気相成長装置は、第３図に示すように炭化硅
素（Ｓ ｉ Ｃ）またはインコネル製のサセプター２２
上に直接ウェハー２１を置き、ディスパージョンヘッド
２３の反応ガス吹き出し口２３ａの真下をサセプター２
２の移動によってウェハー２１を通過させ、ウェハー上
に酸化膜（ＳｉＯ２）、リン珪酸ガラス膜（ＰＳＧ）等
を形成させている。このときウェハー２１はサセプタ−
２２下部のヒーター２６によって加熱されている。
素（Ｓ ｉ Ｃ）またはインコネル製のサセプター２２
上に直接ウェハー２１を置き、ディスパージョンヘッド
２３の反応ガス吹き出し口２３ａの真下をサセプター２
２の移動によってウェハー２１を通過させ、ウェハー上
に酸化膜（ＳｉＯ２）、リン珪酸ガラス膜（ＰＳＧ）等
を形成させている。このときウェハー２１はサセプタ−
２２下部のヒーター２６によって加熱されている。
［発明が解決しようとする問題点コ
上述した従来の常圧気相成長装置はウェハー２１の素子
形成面（表面）が上向きにしであるため、膜形成時にデ
ィスパージョンヘッド部周辺に付着した反応生成物の落
下によりウェハーの素子形成面（表面）上にパーティク
ルが付着することがあった。またサセプターは常に反応
ガスを吹きつけられることにより、反応生成物が厚く堆
積され、さらに前述したディスパージョンヘッド部周辺
に付着した反応生成物の落下により成長回数が増えるに
従い次第にサセプター表面の汚れが増してくる。そのよ
うなサセプター上に直接ウェハーを置くと、ウェハー裏
面もまた汚れ後工程にも悪影響を与える。
形成面（表面）が上向きにしであるため、膜形成時にデ
ィスパージョンヘッド部周辺に付着した反応生成物の落
下によりウェハーの素子形成面（表面）上にパーティク
ルが付着することがあった。またサセプターは常に反応
ガスを吹きつけられることにより、反応生成物が厚く堆
積され、さらに前述したディスパージョンヘッド部周辺
に付着した反応生成物の落下により成長回数が増えるに
従い次第にサセプター表面の汚れが増してくる。そのよ
うなサセプター上に直接ウェハーを置くと、ウェハー裏
面もまた汚れ後工程にも悪影響を与える。
本発明の目的はウェハーの汚染を防止する常圧気相成長
装置を提供することにある。
装置を提供することにある。
［発明の従来技術に対する相違点］
上述した従来の常圧気相成長装置に対し、本発明はウェ
ハーとディスパージョンヘッドの位置関係を逆転させる
という独創的内容を有している。
ハーとディスパージョンヘッドの位置関係を逆転させる
という独創的内容を有している。
［問題点を解決するための手段］
本発明はディスパージョンヘッドの反応ガス吹き出し口
を上向きに設置し、該ヘッドの真上にサセプターを配設
し、該サセプターに、ウェハーの素子形成面を下に向け
て該ウェハーを保持する取付部を設けたことを特徴とす
る常圧気相成長装置でおる。
を上向きに設置し、該ヘッドの真上にサセプターを配設
し、該サセプターに、ウェハーの素子形成面を下に向け
て該ウェハーを保持する取付部を設けたことを特徴とす
る常圧気相成長装置でおる。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図に示すように、本実施例はディスパージョンヘッ
ド１３の反応ガス吹き出し口１３ａを上向きに設置し、
該ヘッド１３の真上にサセプター１２を水平方向１１に
移動可能に設置したものでおる。サセプター１２には上
下に貫通する透孔１２ａを設け、かつサセプター上面の
透孔１２ａの周縁に凹部１２ｂを設けており、ウェハー
１１の素子形成面１１ａの周縁を凹部１２ｂにて保持し
該ウェハー１１の素子形成面１１ａを透孔１２ａ内に臨
ませて下方に露出させる構造になっている。また、サセ
プター１２の上方にはヒーター１６が設置されている。
ド１３の反応ガス吹き出し口１３ａを上向きに設置し、
該ヘッド１３の真上にサセプター１２を水平方向１１に
移動可能に設置したものでおる。サセプター１２には上
下に貫通する透孔１２ａを設け、かつサセプター上面の
透孔１２ａの周縁に凹部１２ｂを設けており、ウェハー
１１の素子形成面１１ａの周縁を凹部１２ｂにて保持し
該ウェハー１１の素子形成面１１ａを透孔１２ａ内に臨
ませて下方に露出させる構造になっている。また、サセ
プター１２の上方にはヒーター１６が設置されている。
実施例において、ウェハー１１はその素子形成面（表面
）１１ａをサセプター１２の透孔１２ａ内に臨ませて下
方に露出されてサセプター１２に固定される。
）１１ａをサセプター１２の透孔１２ａ内に臨ませて下
方に露出されてサセプター１２に固定される。
ウェハー１１はサセプター１２の上部に位置したヒータ
ー１６により加熱される。ディスパージョンヘッド１３
はウェハー１１およびサセプター１２の下に配置されて
おり、反応ガスはウェハーに向かって下から上へ吹き出
されるので、ディスパージョンヘッド１３の周辺に反応
生成物が付着しても、これがウェハー表面に付着するこ
とはない。また、未反応ガスは矢印１５に示すように直
ちに排気口１４から排気される。さらにウェハーの裏面
は何にも接触していないので汚染されることはない。
ー１６により加熱される。ディスパージョンヘッド１３
はウェハー１１およびサセプター１２の下に配置されて
おり、反応ガスはウェハーに向かって下から上へ吹き出
されるので、ディスパージョンヘッド１３の周辺に反応
生成物が付着しても、これがウェハー表面に付着するこ
とはない。また、未反応ガスは矢印１５に示すように直
ちに排気口１４から排気される。さらにウェハーの裏面
は何にも接触していないので汚染されることはない。
（実施例２）
第２図は本発明の第２の実施例の断面図であり、同じく
その反応部に関するものである。基本的には上述の実施
例と同じでおるが、ディスパージョンヘッド１３のガス
吹き出し口１３ａを湾曲させ、ガスの流れを一点に集中
させることによりガスの拡散を防ぎ膜厚均一性の向上を
図ったものでめる。
その反応部に関するものである。基本的には上述の実施
例と同じでおるが、ディスパージョンヘッド１３のガス
吹き出し口１３ａを湾曲させ、ガスの流れを一点に集中
させることによりガスの拡散を防ぎ膜厚均一性の向上を
図ったものでめる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明は半導体基板の素子表面を下
に向けて膜成長を行うようにしたため、半導体基板表面
へのパーティクルの付着を防止でき、かつ裏面の汚染も
防ぐことができる効果を有するものでおる。
に向けて膜成長を行うようにしたため、半導体基板表面
へのパーティクルの付着を防止でき、かつ裏面の汚染も
防ぐことができる効果を有するものでおる。
第１図、第２図は本発明の実施例を示す断面図、第３図
は従来例を示す断面図でおる。
は従来例を示す断面図でおる。
Claims (1)
- （１）ディスパージョンヘッドの反応ガス吹き出し口を
上向きに設置し、該ヘッドの真上にサセプターを配設し
、該サセプターに、ウェハーの素子形成面を下に向けて
該ウェハーを保持する取付部を設けたことを特徴とする
常圧気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19942786A JPS6355192A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 常圧気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19942786A JPS6355192A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 常圧気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355192A true JPS6355192A (ja) | 1988-03-09 |
Family
ID=16407631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19942786A Pending JPS6355192A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 常圧気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6355192A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011513588A (ja) * | 2008-02-28 | 2011-04-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 背面被覆防止装置、背面被覆防止装置を備えた被覆チャンバ及び被覆方法 |
-
1986
- 1986-08-26 JP JP19942786A patent/JPS6355192A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011513588A (ja) * | 2008-02-28 | 2011-04-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 背面被覆防止装置、背面被覆防止装置を備えた被覆チャンバ及び被覆方法 |
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