JPH067547B2 - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPH067547B2 JPH067547B2 JP58103146A JP10314683A JPH067547B2 JP H067547 B2 JPH067547 B2 JP H067547B2 JP 58103146 A JP58103146 A JP 58103146A JP 10314683 A JP10314683 A JP 10314683A JP H067547 B2 JPH067547 B2 JP H067547B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- susceptor
- vapor phase
- phase growth
- foreign matter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (a) 発明の技術分野 本発明は、気相成長装置に係り、特に、その構成に関
す。
す。
(b) 技術の背景 半導体装置の主体をなす、半導体素子の製造において、
薄膜形成は重要な工程の一つであり、多結晶シリコン
（Si）・二酸化シリコン（SiO2）・リン珪酸ガラス〔PS
G（Phospho Silicate Glass）〕などは、ＣＶＤ法によ
って形成されている。
薄膜形成は重要な工程の一つであり、多結晶シリコン
（Si）・二酸化シリコン（SiO2）・リン珪酸ガラス〔PS
G（Phospho Silicate Glass）〕などは、ＣＶＤ法によ
って形成されている。
これは、薄膜形成させるウエハを加熱しておき、例え
ば、モノシラン（SiH4）等の反応ガス、一種または数種
をそこへ当て、化学反応を利用して、薄膜を成長させる
方法で、気相成長装置を使用して、作業が行われる。
ば、モノシラン（SiH4）等の反応ガス、一種または数種
をそこへ当て、化学反応を利用して、薄膜を成長させる
方法で、気相成長装置を使用して、作業が行われる。
半導体装置の高性能化のため、半導体素子内の回路集積
度が上がって来ており、これに伴い、形成される薄膜の
質の向上が必要になって、気相成長装置には、膜の均一
性、異物付着の低減、更には、生産性の向上等に向けて
の、改良が望まれている。
度が上がって来ており、これに伴い、形成される薄膜の
質の向上が必要になって、気相成長装置には、膜の均一
性、異物付着の低減、更には、生産性の向上等に向けて
の、改良が望まれている。
(c) 従来技術と問題点 第１図は従来の連続式気相成長装置の薄膜形成機構部構
成の一例を示した図で、１はウエハ、２はサセプタ、３
はコンベヤ、４はヒータ、５はデスパージョンヘッド、
６は反応ガスをそれぞれ示す。
成の一例を示した図で、１はウエハ、２はサセプタ、３
はコンベヤ、４はヒータ、５はデスパージョンヘッド、
６は反応ガスをそれぞれ示す。
ウエハ１は、コンベヤ３に係止されたサセプタ２に載置
されて、図示右方向へ一定速度で搬送される。サセプタ
２の下側には、ヒータ４が設置されていて、ウエハ１
が、前記搬送過程において、ヒータ４により、サセプタ
２を介して所定の温度に加熱されたところで、上部に設
置されているデスパージョンヘッド５から吹き出す反応
ガス６に当たり、薄膜の披着面なるウエハ１の上表面に
薄膜が形成される。
されて、図示右方向へ一定速度で搬送される。サセプタ
２の下側には、ヒータ４が設置されていて、ウエハ１
が、前記搬送過程において、ヒータ４により、サセプタ
２を介して所定の温度に加熱されたところで、上部に設
置されているデスパージョンヘッド５から吹き出す反応
ガス６に当たり、薄膜の披着面なるウエハ１の上表面に
薄膜が形成される。
この構成の気相成長装置は、上記機構部分全体が筺体に
収納されているとはいえ、該筺体内に混入した塵埃、ま
た、サセプタ２の表面に形成された薄膜の剥離したもの
等が、該筺体内で浮遊落下して、ウエハ１の表面に異物
として付着し、前記形成される薄膜の品質を低下させる
欠点がある。
収納されているとはいえ、該筺体内に混入した塵埃、ま
た、サセプタ２の表面に形成された薄膜の剥離したもの
等が、該筺体内で浮遊落下して、ウエハ１の表面に異物
として付着し、前記形成される薄膜の品質を低下させる
欠点がある。
(d) 発明の目的 本発明の目的は上記従来の欠点に鑑み、異物付着の少な
い薄膜を形成する、気相成長装置の構成を提供するにあ
る。
い薄膜を形成する、気相成長装置の構成を提供するにあ
る。
(e) 発明の構成 上記目的は、被披着体の披着面が垂下方向を向いた状態
で、薄膜を形成させる薄膜形成機構と、該薄膜を形成し
た後に、前記披着面およびその周辺の、表面の異物を除
去する洗浄機構とを備える気相成長装置にする、本発明
の構成によって達成される。
で、薄膜を形成させる薄膜形成機構と、該薄膜を形成し
た後に、前記披着面およびその周辺の、表面の異物を除
去する洗浄機構とを備える気相成長装置にする、本発明
の構成によって達成される。
薄膜面に付着する異物は、気相成長装置の筺体内に浮遊
していたものであり、この種の異物は、一般に、上方を
向いている面には付着し易いが、下方を向いている面に
は付着し難いため、前記披着面を下方向に向けることに
より、前記異物の付着は格段に減少する。
していたものであり、この種の異物は、一般に、上方を
向いている面には付着し易いが、下方を向いている面に
は付着し難いため、前記披着面を下方向に向けることに
より、前記異物の付着は格段に減少する。
また、薄膜形成後、引続いて行う洗浄は、放置後の洗浄
より、異物除去の効果が優れ、該薄膜の品質向上に寄与
するばかりでなく、更に、前記披着面の周辺も同時に洗
浄することにより、例えば、前記サセプタも洗浄される
ので、該サセプタから発生する異物も除去出来て、前記
異物付着の減少にも寄与出来る。
より、異物除去の効果が優れ、該薄膜の品質向上に寄与
するばかりでなく、更に、前記披着面の周辺も同時に洗
浄することにより、例えば、前記サセプタも洗浄される
ので、該サセプタから発生する異物も除去出来て、前記
異物付着の減少にも寄与出来る。
(f) 発明の実施例 以下本発明の一実施例を図により説明する。全図を通じ
同一符号は同一対象物を示す。
同一符号は同一対象物を示す。
第２図は本発明の構成による連続式気相成長装置の一例
の構成図で、2aはサセプタ、3aはコンベヤ、７はブラシ
スクラバー、８はヒータ、９はウエハチャック機構、10
はウエハリリース機構、11はカセットをそれぞれ示す。
の構成図で、2aはサセプタ、3aはコンベヤ、７はブラシ
スクラバー、８はヒータ、９はウエハチャック機構、10
はウエハリリース機構、11はカセットをそれぞれ示す。
コンベヤ3aは、左右が円弧、上下が水平のリング状をな
し、反時計方向に一定速度で移動する。
し、反時計方向に一定速度で移動する。
サセプタ2aは、コンベヤ3aに係止されていて、コンベヤ
3aの移動に追従するが、コンベヤ3aの上下の水平部分で
は、サセプタ2aの表面は、常に、所定の平面内にあるよ
うになっていて、また、サセプタ2aの、外側を向いてい
る表面には、その傾斜如何にかかわらず、移動離脱のな
いような、ウエハ１の支持機構を備えている。
3aの移動に追従するが、コンベヤ3aの上下の水平部分で
は、サセプタ2aの表面は、常に、所定の平面内にあるよ
うになっていて、また、サセプタ2aの、外側を向いてい
る表面には、その傾斜如何にかかわらず、移動離脱のな
いような、ウエハ１の支持機構を備えている。
この搬送機構の、下側水平部分に薄膜を形成する機構部
が、上側水平部分に洗浄機構部が配置され、更に、ウエ
ハの装着・離脱機構が設けられて、本連続式気相成長装
置がなっている。
が、上側水平部分に洗浄機構部が配置され、更に、ウエ
ハの装着・離脱機構が設けられて、本連続式気相成長装
置がなっている。
薄膜形成の機構部では、ヒータ４は、サセプタ2aの裏面
側、即ち、サセプタ2aの上側にあり、デスパージョンヘ
ッド５は、反対に、サセプタ2aの下側で、反応ガス６を
上方に吹き出すように取付けられて、前記従来例の上下
を逆様にした形になっている。
側、即ち、サセプタ2aの上側にあり、デスパージョンヘ
ッド５は、反対に、サセプタ2aの下側で、反応ガス６を
上方に吹き出すように取付けられて、前記従来例の上下
を逆様にした形になっている。
洗浄機構部は、ブラシスクラバー７と、ヒータ８でなっ
ており、共に、サセプタ2aの表面側、即ち、サセプタ2a
の上側にあり、ブラシスクラバー７・ヒータ８の順に、
サセプタ2aが通過するように、配置されている。ブラシ
スクラバー７の、ブラッシング部分の前では、洗浄液を
供給し、後では、水洗水を供給して洗浄し、その後に、
ヒータ８で乾燥して洗浄を完了させる。
ており、共に、サセプタ2aの表面側、即ち、サセプタ2a
の上側にあり、ブラシスクラバー７・ヒータ８の順に、
サセプタ2aが通過するように、配置されている。ブラシ
スクラバー７の、ブラッシング部分の前では、洗浄液を
供給し、後では、水洗水を供給して洗浄し、その後に、
ヒータ８で乾燥して洗浄を完了させる。
薄膜形成の機構部の前には、ウエハ１を、カセット11か
ら取り出し、サセプタ2aへ装着するウエハチャック機構
９が取付けられ、また、洗浄機構部の後には、ウエハ１
を、サセプタ2aから取り出し、カセット11へ収納するウ
エハリリース機構10が取付けられて、自動化が図られて
いる。
ら取り出し、サセプタ2aへ装着するウエハチャック機構
９が取付けられ、また、洗浄機構部の後には、ウエハ１
を、サセプタ2aから取り出し、カセット11へ収納するウ
エハリリース機構10が取付けられて、自動化が図られて
いる。
この構成による連続式気相成長装置では、薄膜形成の機
構は、従来と変わるところはないが、薄膜面での異物付
着の点では、以下のようになり、従来に比べて、大幅に
改良されている。
構は、従来と変わるところはないが、薄膜面での異物付
着の点では、以下のようになり、従来に比べて、大幅に
改良されている。
薄膜面に付着する異物は、気相成長装置の筺体内に浮遊
していたものであり、この種の異物は、一般に、上方を
向いている面には付着し易いが、下方を向いている面に
は付着し難いため、ウエハ１の薄膜披着面を下方向に向
けることにより、前記異物の付着は格段に減少する。
していたものであり、この種の異物は、一般に、上方を
向いている面には付着し易いが、下方を向いている面に
は付着し難いため、ウエハ１の薄膜披着面を下方向に向
けることにより、前記異物の付着は格段に減少する。
また、薄膜形成直後の洗浄は、放置後の洗浄より、異物
除去の効果が優れ、形成された薄膜の品質向上に寄与す
るばかりでなく、更に、サセプタ2aの表面も洗浄される
ので、サセプタ2aから発生する異物も除去出来て、異物
付着の減少にも寄与出来る。
除去の効果が優れ、形成された薄膜の品質向上に寄与す
るばかりでなく、更に、サセプタ2aの表面も洗浄される
ので、サセプタ2aから発生する異物も除去出来て、異物
付着の減少にも寄与出来る。
(g) 発明の効果 以上に説明したように、本発明による構成によれば、異
物付着の少ない薄膜を形成する、気相成長装置を提供す
ることが出来、形成される薄膜の品質向上を可能にさせ
る効果がある。
物付着の少ない薄膜を形成する、気相成長装置を提供す
ることが出来、形成される薄膜の品質向上を可能にさせ
る効果がある。
第１図は従来の連続式気相成長装置の薄膜形成機構部構
成の一例を示した図、第２図は本発明の構成による連続
式気相成長装置の一例の構成図である。 図面において、１はウエハ、２・2aはサセプタ、３・3a
はコンベヤ、４はヒータ、５はデスパージョンヘッド、
６は反応ガス、７はブラシスクラバー、８はヒータ、９
はウエハチャック機構、10はウエハリリース機構、11は
カセットをそれぞれ示す。
成の一例を示した図、第２図は本発明の構成による連続
式気相成長装置の一例の構成図である。 図面において、１はウエハ、２・2aはサセプタ、３・3a
はコンベヤ、４はヒータ、５はデスパージョンヘッド、
６は反応ガス、７はブラシスクラバー、８はヒータ、９
はウエハチャック機構、10はウエハリリース機構、11は
カセットをそれぞれ示す。
Claims (2)
- 【請求項１】ガスの化学反応を利用して、被披着体の披
着面に、薄膜を形成させる装置において、前記披着面が
垂下方向を向いた状態で、前記薄膜を形成させる薄膜形
成機構と、前記薄膜を形成した後に、前記披着面および
その周辺の、表面の異物を除去する洗浄機構とを備えた
ことを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項２】前記薄膜形成機構と前記洗浄機構が直列に
配置され、前記被披着体が、連続的に順次該両機構に搬
送されることを特徴とする、特許請求の範囲第(1)項記
載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58103146A JPH067547B2 (ja) | 1983-06-09 | 1983-06-09 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58103146A JPH067547B2 (ja) | 1983-06-09 | 1983-06-09 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59228932A JPS59228932A (ja) | 1984-12-22 |
| JPH067547B2 true JPH067547B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=14346369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58103146A Expired - Lifetime JPH067547B2 (ja) | 1983-06-09 | 1983-06-09 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067547B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4807561A (en) * | 1986-05-19 | 1989-02-28 | Toshiba Machine Co., Ltd. | Semiconductor vapor phase growth apparatus |
| JPH0234789A (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-05 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 気相反応装置 |
| US5169452A (en) * | 1990-05-14 | 1992-12-08 | Tdk Corporation | Apparatus for the synthesis of diamond-like thin films |
| JPH06272027A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 真空蒸着槽の自動洗浄方法及び装置 |
| JP3732250B2 (ja) * | 1995-03-30 | 2006-01-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | インライン式成膜装置 |
| JP3330300B2 (ja) * | 1997-02-28 | 2002-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置 |
| TW552306B (en) | 1999-03-26 | 2003-09-11 | Anelva Corp | Method of removing accumulated films from the surfaces of substrate holders in film deposition apparatus, and film deposition apparatus |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0652714B2 (ja) * | 1981-03-30 | 1994-07-06 | 株式会社日立製作所 | 薄膜材料の製造法 |
| JPS5834913A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-01 | Mitsubishi Electric Corp | ウエ−ハ支持具の清浄化方法 |
-
1983
- 1983-06-09 JP JP58103146A patent/JPH067547B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59228932A (ja) | 1984-12-22 |
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