JPS6355231B2 - - Google Patents
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- JPS6355231B2 JPS6355231B2 JP17097983A JP17097983A JPS6355231B2 JP S6355231 B2 JPS6355231 B2 JP S6355231B2 JP 17097983 A JP17097983 A JP 17097983A JP 17097983 A JP17097983 A JP 17097983A JP S6355231 B2 JPS6355231 B2 JP S6355231B2
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は基本横モード発振する半導体発光素子
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
（従来技術の説明）
先ず、本発明に説明に入る前に、従来の半導体
発光素子の一例である電流狭窄層を有し基本横モ
ード発振する半導体レーザの製造方法につき第１
図Ａ及びＢを参照して説明する。
発光素子の一例である電流狭窄層を有し基本横モ
ード発振する半導体レーザの製造方法につき第１
図Ａ及びＢを参照して説明する。
従来においては、第１図Ａに示すように、基板
表面が（100）面であるｎ−InP基板１を用意し、
この基板１を液相エピタキシヤル成長炉に入れ、
この基板１の上側表面１ａ上に電流狭窄層となる
べきｐ−InP層２を液相エピタキシヤル成長させ
る。次ぎに、一旦この基板１を成長炉から取り出
して、この層２上に、エツチングマスク用の、例
えば、SiO2などの被着して通常のフオトリソグ
ラフイ方法により、＜011＞方向に延在するストラ
イプ窓を開け、この層２から基板１に達する断面
ほぼＶ字状のストライプ状の溝３をエツチング形
成する。次ぎに、再度、電流狭窄層２を有するこ
の溝付き基板１を成長炉に入れて、第１図Ｂに示
すように、この基板１の溝３が形成されている側
に第一クラツド層であるｎ−InP層４を成長さ
せ、続いて活性層であるInGaAsP層５を溝に対
応する部分においては溝方向に下方に湾曲させ
て、成長させ、次に第二クラツド層であるｐ−
InP層６を成長させる。次いで、最終的に基板１
の下側面１ｂ及び第二クラツド層６上に夫々電極
７及び８を形成するように成している。
表面が（100）面であるｎ−InP基板１を用意し、
この基板１を液相エピタキシヤル成長炉に入れ、
この基板１の上側表面１ａ上に電流狭窄層となる
べきｐ−InP層２を液相エピタキシヤル成長させ
る。次ぎに、一旦この基板１を成長炉から取り出
して、この層２上に、エツチングマスク用の、例
えば、SiO2などの被着して通常のフオトリソグ
ラフイ方法により、＜011＞方向に延在するストラ
イプ窓を開け、この層２から基板１に達する断面
ほぼＶ字状のストライプ状の溝３をエツチング形
成する。次ぎに、再度、電流狭窄層２を有するこ
の溝付き基板１を成長炉に入れて、第１図Ｂに示
すように、この基板１の溝３が形成されている側
に第一クラツド層であるｎ−InP層４を成長さ
せ、続いて活性層であるInGaAsP層５を溝に対
応する部分においては溝方向に下方に湾曲させ
て、成長させ、次に第二クラツド層であるｐ−
InP層６を成長させる。次いで、最終的に基板１
の下側面１ｂ及び第二クラツド層６上に夫々電極
７及び８を形成するように成している。
しかしながら、この従来の製造方法によれば、
活性層の湾曲形状が基本横モード発振のための重
要な因子となるが、この活性層の形状の制御が困
難であつた。
活性層の湾曲形状が基本横モード発振のための重
要な因子となるが、この活性層の形状の制御が困
難であつた。
さらに、この方法では、基板１を成長炉に入れ
て電流狭窄層２を成長させ、然る後、この基板を
溝形成のために一旦成長炉から取り出し、その後
再び溝付き基板を成長炉に入れて第一クラツド層
４以下の液相エピタキシヤル成長を行うため、独
立した二回のエピタキシヤル成長工程が必要と成
り、従つて、製造工程が複雑で、時間が掛り、原
料の損失が多く、しかも、製造歩留が悪いという
欠点があつた。
て電流狭窄層２を成長させ、然る後、この基板を
溝形成のために一旦成長炉から取り出し、その後
再び溝付き基板を成長炉に入れて第一クラツド層
４以下の液相エピタキシヤル成長を行うため、独
立した二回のエピタキシヤル成長工程が必要と成
り、従つて、製造工程が複雑で、時間が掛り、原
料の損失が多く、しかも、製造歩留が悪いという
欠点があつた。
さらに、素子部材を成長炉に出し入れするた
め、基板表面をはじめ各層の界面が熱ダメージを
受けクリーンな状態に保持することが出来なかつ
た。
め、基板表面をはじめ各層の界面が熱ダメージを
受けクリーンな状態に保持することが出来なかつ
た。
（発明の目的）
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去
するため、一回の連続した液相エピタキシヤル成
長を用いて、低しきい値電流でかつ特に活性層を
湾曲させる必要なくして基本横モード発振し得る
半導体発光素子を製造出来るようにした半導体発
光素子の製造方法を提供するにある。
するため、一回の連続した液相エピタキシヤル成
長を用いて、低しきい値電流でかつ特に活性層を
湾曲させる必要なくして基本横モード発振し得る
半導体発光素子を製造出来るようにした半導体発
光素子の製造方法を提供するにある。
（発明の構成）
この目的の達成を図るため、本発明によれば、
InP基板の（100）面から（111）Ａ面を側面とす
る溝を形成する工程と、この（100）面と（111）
Ａ面とに対するInPの結晶成長速度の面方位依存
性を利用して溝外の基板表面上に電流狭窄層を成
長させ、さらに、InGaAsPの光吸収層をこの電
流狭窄層上に成長させると共に、溝内では凹状に
下方に湾曲した層として成長させ、さらに、第一
クラツド層を溝の部分の光吸収層上では厚つくか
つ溝外の光吸収層上では薄く成長させ、さらに第
一クラツド層上にInGaAsPの活性層を成長させ、
さらに、この活性層上に第二クラツド層を成長さ
せるという一回の液相エピタキシヤル成長工程と
を含むことを特徴とする。
InP基板の（100）面から（111）Ａ面を側面とす
る溝を形成する工程と、この（100）面と（111）
Ａ面とに対するInPの結晶成長速度の面方位依存
性を利用して溝外の基板表面上に電流狭窄層を成
長させ、さらに、InGaAsPの光吸収層をこの電
流狭窄層上に成長させると共に、溝内では凹状に
下方に湾曲した層として成長させ、さらに、第一
クラツド層を溝の部分の光吸収層上では厚つくか
つ溝外の光吸収層上では薄く成長させ、さらに第
一クラツド層上にInGaAsPの活性層を成長させ、
さらに、この活性層上に第二クラツド層を成長さ
せるという一回の液相エピタキシヤル成長工程と
を含むことを特徴とする。
（実施例の説明）
以下第２図Ａ〜Ｊ及び第３図に従つて本発明の
半導体発光素子の製造方法の一実施例を半導体レ
ーザにつき説明する。
半導体発光素子の製造方法の一実施例を半導体レ
ーザにつき説明する。
第２図Ａ〜Ｊは半導体レーザの製造段階での状
態をレーザ素子の劈開面またはこの劈開面と平行
な面での断面で夫々示す製造工程図であり、各構
成成分の寸法、形状などは本発明の構成が解る程
度に概略的に示してあるにすぎない。また、図
中、断面を表わすハツチングを省略して示してあ
る。
態をレーザ素子の劈開面またはこの劈開面と平行
な面での断面で夫々示す製造工程図であり、各構
成成分の寸法、形状などは本発明の構成が解る程
度に概略的に示してあるにすぎない。また、図
中、断面を表わすハツチングを省略して示してあ
る。
先ず、第２図Ａに示すように、ｎ−InP基板１
１を用意する。この基板１１の上側表面１１ａを
（100）面とする。次ぎに、第２図Ｂに示すよう
に、基板表面１１ａ上に、エツチングマスク層と
して供する、例えば、SiO2等のような層１２を
形成する。次いで、第２図Ｃに示すように、この
エツチングマスク層１２に通常のフオトリソグラ
フイ手法によつて、ストライプ窓１３を＜01１＞
方向に延在するように開ける。この窓１３を介し
て、基板１１の露出した表面１１ａをエツチング
する。このエツチングによつて、第２図Ｄ及び第
３図の斜視図に示すように、凹型の溝１４を形成
する。この溝の幅ｗは基本横モードで発振させる
ことを考慮して、約2μm以下とする。この溝の傾
斜側面１４ａは（111）Ａ面と成り、この溝１４
の断面形状は図示のようなほぼ底面１４ｂが平で
あつてもよいし、また、やや盛上つた状態となつ
ていてもよいし、他の形をしていても良い。いず
れにしても、この底面１４ｂの幅はInPが成長し
ない程度の幅に押えておく必要がある。
１を用意する。この基板１１の上側表面１１ａを
（100）面とする。次ぎに、第２図Ｂに示すよう
に、基板表面１１ａ上に、エツチングマスク層と
して供する、例えば、SiO2等のような層１２を
形成する。次いで、第２図Ｃに示すように、この
エツチングマスク層１２に通常のフオトリソグラ
フイ手法によつて、ストライプ窓１３を＜01１＞
方向に延在するように開ける。この窓１３を介し
て、基板１１の露出した表面１１ａをエツチング
する。このエツチングによつて、第２図Ｄ及び第
３図の斜視図に示すように、凹型の溝１４を形成
する。この溝の幅ｗは基本横モードで発振させる
ことを考慮して、約2μm以下とする。この溝の傾
斜側面１４ａは（111）Ａ面と成り、この溝１４
の断面形状は図示のようなほぼ底面１４ｂが平で
あつてもよいし、また、やや盛上つた状態となつ
ていてもよいし、他の形をしていても良い。いず
れにしても、この底面１４ｂの幅はInPが成長し
ない程度の幅に押えておく必要がある。
次ぎに、この溝１４が形成された基板１１を液
相エピタキシヤル成長炉に入れ、第２図Ｅ〜Ｉに
示すように、電流狭窄層となるべきｐ−InP層１
５（第２図Ｅ）、光吸収層であるｎ−InGaAsP層
１６（第２図Ｆ）、第一クラツド層であるｎ−
InP層１７（第２図Ｇ）、活性層であるInGaAsP
層１８（第２図Ｈ）及び第二クラツド層であるｐ
−InP層１９（第２図Ｉ）を一回の液相エピタキ
シヤル成長で順次に連続成長させる。
相エピタキシヤル成長炉に入れ、第２図Ｅ〜Ｉに
示すように、電流狭窄層となるべきｐ−InP層１
５（第２図Ｅ）、光吸収層であるｎ−InGaAsP層
１６（第２図Ｆ）、第一クラツド層であるｎ−
InP層１７（第２図Ｇ）、活性層であるInGaAsP
層１８（第２図Ｈ）及び第二クラツド層であるｐ
−InP層１９（第２図Ｉ）を一回の液相エピタキ
シヤル成長で順次に連続成長させる。
この連続エピタキシヤル成長の際、ｐ−InP層
１５は結晶成長速度の面方向依存性により基板１
１の表面である（100）面上での成長速度が速く、
溝１４内、すなわち、（111）Ａ面の側面１４ａ上
での成長速度が著しく遅いので、成長時間を選定
することにより、第２図Ｅに示すように、実質的
に基板１１の溝１４外の平担な表面１１ａ上にの
みｐ−InPを成長させることができる。この電流
狭窄層１５の厚さd1を1μm以上とする。続いてこ
のｐ−InP層１５及び溝１４上に成長させるｎ−
InGaAsPの光吸収層１６はInPのような強い面方
位依存性は無く、むしろ凹凸を無くすように、す
なわち、溝１４を埋めるように成長する。従つ
て、長時間成長させると、成長表面は平担となる
が、そうならない程度で成長を停止させて、第２
図Ｆに示すように、溝１４の部分では、この層１
６の表面が溝内に向けて下方に湾曲して凹所を形
成しかつ溝外では平担となるように、この層１６
を成長させる。この光吸収層１６の溝外の厚さ
d2は0.3μm程度あれば充分である。ここで、この
InGaAsPのエネルギーギヤツプは活性層のエネ
ルギーギヤツプよりも小さく取る。
１５は結晶成長速度の面方向依存性により基板１
１の表面である（100）面上での成長速度が速く、
溝１４内、すなわち、（111）Ａ面の側面１４ａ上
での成長速度が著しく遅いので、成長時間を選定
することにより、第２図Ｅに示すように、実質的
に基板１１の溝１４外の平担な表面１１ａ上にの
みｐ−InPを成長させることができる。この電流
狭窄層１５の厚さd1を1μm以上とする。続いてこ
のｐ−InP層１５及び溝１４上に成長させるｎ−
InGaAsPの光吸収層１６はInPのような強い面方
位依存性は無く、むしろ凹凸を無くすように、す
なわち、溝１４を埋めるように成長する。従つ
て、長時間成長させると、成長表面は平担となる
が、そうならない程度で成長を停止させて、第２
図Ｆに示すように、溝１４の部分では、この層１
６の表面が溝内に向けて下方に湾曲して凹所を形
成しかつ溝外では平担となるように、この層１６
を成長させる。この光吸収層１６の溝外の厚さ
d2は0.3μm程度あれば充分である。ここで、この
InGaAsPのエネルギーギヤツプは活性層のエネ
ルギーギヤツプよりも小さく取る。
この溝１４内に成長した光吸収層１６の傾斜し
た面は最早（111）Ａ面でなく、これがため、続
いて、このｎ−InGaAsP光吸収層１６上にｎ−
InP第一クラツド層１７を成長させると、第２図
Ｇに示すように、このクラツド層１７は溝１４の
内部にも良好に成長する。この場合、このクラツ
ド層１７の溝の中心付近での厚さd3を1μm以上と
し、溝外の平担部では厚さd4を例えば0.5μm以下
のように充分薄く成長させる。このような成長は
基板１１に掘る溝１４の深さ、電流狭窄層１５の
厚み、光吸収層１６の厚み等を調整することで容
易に制御出来る。
た面は最早（111）Ａ面でなく、これがため、続
いて、このｎ−InGaAsP光吸収層１６上にｎ−
InP第一クラツド層１７を成長させると、第２図
Ｇに示すように、このクラツド層１７は溝１４の
内部にも良好に成長する。この場合、このクラツ
ド層１７の溝の中心付近での厚さd3を1μm以上と
し、溝外の平担部では厚さd4を例えば0.5μm以下
のように充分薄く成長させる。このような成長は
基板１１に掘る溝１４の深さ、電流狭窄層１５の
厚み、光吸収層１６の厚み等を調整することで容
易に制御出来る。
続いて、第２図Ｈに示すように、InGaAsP活
性層１８を成長させる。この活性層１８の厚さを
0.2μm以下とする。この活性層１８の幾何学的形
状は、第一クラツド層１７を成長させた時点で、
この層１７が溝１４の中央部分で凹状となつてい
れば、レンズ状となり、また、この層１７が平担
状となつていれば、平担となる。いずれの場合で
も、溝１４の中央部分に対応する活性層１８の部
分の厚みd5が0.2μm以下となつているならば活性
層の形状は問わない。尚、この活性層１８の上側
の面は平担にするのが好適である。
性層１８を成長させる。この活性層１８の厚さを
0.2μm以下とする。この活性層１８の幾何学的形
状は、第一クラツド層１７を成長させた時点で、
この層１７が溝１４の中央部分で凹状となつてい
れば、レンズ状となり、また、この層１７が平担
状となつていれば、平担となる。いずれの場合で
も、溝１４の中央部分に対応する活性層１８の部
分の厚みd5が0.2μm以下となつているならば活性
層の形状は問わない。尚、この活性層１８の上側
の面は平担にするのが好適である。
然る後、第２図Ｉに示すように、活性層１８上
にｐ−InPの第二クラツド層１９を2μm以上の厚
みをもつて成長させ、液相エピタキシヤル成長工
程を終了する。
にｐ−InPの第二クラツド層１９を2μm以上の厚
みをもつて成長させ、液相エピタキシヤル成長工
程を終了する。
このようにして、各液相エピタキシヤル成長層
を基板１１上に形成した後、これら層を有する基
板を成長炉から取り出し、第二クラツド層１９の
表面１９ａ上に及び基板１１の下側面１１ｂ上に
夫々電極２０及び２１を被着形成する。
を基板１１上に形成した後、これら層を有する基
板を成長炉から取り出し、第二クラツド層１９の
表面１９ａ上に及び基板１１の下側面１１ｂ上に
夫々電極２０及び２１を被着形成する。
このようにして得られた半導体レーザの両電極
２０及び２１間に適切な電圧を印加して注入電流
を流すと、電流は層１８→１７→１６→１５→１
１へと流れ、この場合、この電子とホールとが活
性層１８において再結合発光し、発光した光が劈
開面で共振しフアブリペローモードでレーザ発振
する。この時、電流狭窄層１５は逆バイアスにな
るため、溝１４の外部では電流が流れず、溝１４
の内側のみに電流経路が形成される。従つて、低
電流でも電流注入効率が高まり、レーザ発振が起
る。
２０及び２１間に適切な電圧を印加して注入電流
を流すと、電流は層１８→１７→１６→１５→１
１へと流れ、この場合、この電子とホールとが活
性層１８において再結合発光し、発光した光が劈
開面で共振しフアブリペローモードでレーザ発振
する。この時、電流狭窄層１５は逆バイアスにな
るため、溝１４の外部では電流が流れず、溝１４
の内側のみに電流経路が形成される。従つて、低
電流でも電流注入効率が高まり、レーザ発振が起
る。
また、再結合により得られた光は、溝１４の中
央付近では下部の第一クラツド層１７が充分厚い
ため活性層１８とこの層１７との屈折率差で閉込
められるが、溝１４の中央部分から左右にずれた
位置の部分（溝近傍の溝外の平担部を含む）では
第一クラツド層１７が薄いため、活性層１８より
この層１７に入つた光はその下側の光吸収層１６
にまで達する。この光吸収層１６は活性層１８よ
りもエネルギーギヤツプを小さくしてあるから、
この層１６に達する光は全てこの層で吸収されて
しまい、レーザ発振に寄与しない。この効果によ
り、レーザ発振するのは活性層１８のうち、溝の
中央部付近の上部に位置する領域部分のみとな
り、基本横モードで発振することとなる。
央付近では下部の第一クラツド層１７が充分厚い
ため活性層１８とこの層１７との屈折率差で閉込
められるが、溝１４の中央部分から左右にずれた
位置の部分（溝近傍の溝外の平担部を含む）では
第一クラツド層１７が薄いため、活性層１８より
この層１７に入つた光はその下側の光吸収層１６
にまで達する。この光吸収層１６は活性層１８よ
りもエネルギーギヤツプを小さくしてあるから、
この層１６に達する光は全てこの層で吸収されて
しまい、レーザ発振に寄与しない。この効果によ
り、レーザ発振するのは活性層１８のうち、溝の
中央部付近の上部に位置する領域部分のみとな
り、基本横モードで発振することとなる。
（発明の効果）
上述した本発明の半導体発光素子の製造方法に
よれば、一回の液相エピタキシヤル成長によつ
て、電流狭窄層や、光吸収層や、活性層等を含む
各層を順次に連続的に形成出来、また、その際、
活性層を特に湾曲させて成長させるような特別の
制御を必要とせずに、基本横モード発振する構造
の半導体発光素子を容易に製造し得る利点を有す
る。
よれば、一回の液相エピタキシヤル成長によつ
て、電流狭窄層や、光吸収層や、活性層等を含む
各層を順次に連続的に形成出来、また、その際、
活性層を特に湾曲させて成長させるような特別の
制御を必要とせずに、基本横モード発振する構造
の半導体発光素子を容易に製造し得る利点を有す
る。
また、本発明方法によれば、液相エピタキシヤ
ル成長中に基板を成長炉外に取出すことがないの
で、基板表面等に熱ダメージを与えることなく、
この製造方法は簡単で、時間が掛らず、原料を節
約出来、製造歩留りがよいという利点がある。
ル成長中に基板を成長炉外に取出すことがないの
で、基板表面等に熱ダメージを与えることなく、
この製造方法は簡単で、時間が掛らず、原料を節
約出来、製造歩留りがよいという利点がある。
尚、上述した実施例では半導体レーザにつき説
明したが、製造された発光素子の端面を劈開面と
しない場合には半導体発光ダイオードとなる。上
述した実施例では、基板としてｎ−InP基板を用
いたが、ｐ−InP基板を使用してもよいこと勿論
であり、その場合には各エピタキシヤル層の導電
型をこれに対応させて反転させることが必要であ
る。
明したが、製造された発光素子の端面を劈開面と
しない場合には半導体発光ダイオードとなる。上
述した実施例では、基板としてｎ−InP基板を用
いたが、ｐ−InP基板を使用してもよいこと勿論
であり、その場合には各エピタキシヤル層の導電
型をこれに対応させて反転させることが必要であ
る。
本発明の方法で製造された半導体発光素子は低
しきい値でしかも基本横モードで発振するので、
この素子は光通信、情報処理装置等の光源として
利用して好適である。
しきい値でしかも基本横モードで発振するので、
この素子は光通信、情報処理装置等の光源として
利用して好適である。
第１図Ａ及びＢは従来の電流狭窄層を有する構
造の半導体発光素子の製造方法を説明するための
製造工程図、第２図Ａ〜Ｊは本発明の半導体発光
素子の製造方法の一実施例を説明するための製造
工程図、第３図は第２図の一工程段階での基板の
状態を示す斜視図である。 １，１１……基板、１ａ，１１ａ……基板の上
側表面、１ｂ，１１ｂ……基板の下側面、２，１
５……電流狭窄層、３，１４……溝、４，１７…
…第一クラツド層、５，１８……活性層、６，１
９……第二クラツド層、７，８，２０，２１……
電極、１２……エツチングマスク層、１３……ス
トライプ窓、１４ａ……溝の側面、１４ｂ……溝
の底面、１６……光吸収層、１９ａ……第二クラ
ツド層の上側表面。
造の半導体発光素子の製造方法を説明するための
製造工程図、第２図Ａ〜Ｊは本発明の半導体発光
素子の製造方法の一実施例を説明するための製造
工程図、第３図は第２図の一工程段階での基板の
状態を示す斜視図である。 １，１１……基板、１ａ，１１ａ……基板の上
側表面、１ｂ，１１ｂ……基板の下側面、２，１
５……電流狭窄層、３，１４……溝、４，１７…
…第一クラツド層、５，１８……活性層、６，１
９……第二クラツド層、７，８，２０，２１……
電極、１２……エツチングマスク層、１３……ス
トライプ窓、１４ａ……溝の側面、１４ｂ……溝
の底面、１６……光吸収層、１９ａ……第二クラ
ツド層の上側表面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ InGaAsP／InP半導体発光素子を液相エピタ
キシヤル成長法を用いて製造するに当り、 InP基板の（100）面から（111）Ａ面を傾斜側
面とする溝を形成する工程と、 該（100）面と（111）Ａ面とに対するInPの結
晶成長速度の面方位依存性を利用して前記溝外の
基板表面上に電流狭窄層を成長させ、さらに、
InGaAsPの光吸収層を該電流狭窄層上に成長さ
せると共に、溝内では凹状に下方に向けて湾曲し
た層として成長させ、さらに、第一クラツド層を
該溝の部分の光吸収層上では厚つくかつ溝外の光
吸収層上では薄く成長させ、さらに、該第一クラ
ツド層上にInGaAsPの活性層を成長させ、さら
に、該活性層上に第二クラツド層を成長させる一
回の液相エピタキシヤル成長工程とを含むことを
特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17097983A JPS6062181A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17097983A JPS6062181A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6062181A JPS6062181A (ja) | 1985-04-10 |
| JPS6355231B2 true JPS6355231B2 (ja) | 1988-11-01 |
Family
ID=15914886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17097983A Granted JPS6062181A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6062181A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010212664A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-09-24 | Renesas Electronics Corp | 半導体レーザとその製造方法 |
-
1983
- 1983-09-16 JP JP17097983A patent/JPS6062181A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6062181A (ja) | 1985-04-10 |
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