JPH09283838A - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置およびその製造方法Info
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- JPH09283838A JPH09283838A JP8698096A JP8698096A JPH09283838A JP H09283838 A JPH09283838 A JP H09283838A JP 8698096 A JP8698096 A JP 8698096A JP 8698096 A JP8698096 A JP 8698096A JP H09283838 A JPH09283838 A JP H09283838A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】リッジ型半導体レーザ装置の単一モード性を維
持したまま、素子抵抗を低下させ、高出力まで単一モー
ドで発振する半導体レーザ装置を実現する。 【解決手段】活性層に対し基板と反対側のクラッド層内
に絶縁物よりなる狭窄層を設け、同時に電流狭窄層上部
の電極面積は大きく取れる構造を採用する。
持したまま、素子抵抗を低下させ、高出力まで単一モー
ドで発振する半導体レーザ装置を実現する。 【解決手段】活性層に対し基板と反対側のクラッド層内
に絶縁物よりなる狭窄層を設け、同時に電流狭窄層上部
の電極面積は大きく取れる構造を採用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ装置
及びその製造方法の関し、特にしきい値電流が低く、素
子抵抗が低いリッジ導波型半導体レーザ装置及びその製
造方法に関するものである。
及びその製造方法の関し、特にしきい値電流が低く、素
子抵抗が低いリッジ導波型半導体レーザ装置及びその製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】リッジ導波型半導体レーザ装置は、埋め
込み型半導体レーザ装置と比較して製造が簡単であり、
また、構造上の特長から、素子の寄生容量が小さく、高
速変調動作に適しているなどの利点がある。
込み型半導体レーザ装置と比較して製造が簡単であり、
また、構造上の特長から、素子の寄生容量が小さく、高
速変調動作に適しているなどの利点がある。
【０００３】次にこの種の従来のリッジ導波型半導体レ
ーザ装置について図６に示したその製造工程を参照し説
明する。ｎ型ＩｎＰ基板８１表面上に、ｎ型ＩｎＰクラ
ッド層８２、ＩｎＧａＡｓＰよりなる多重量子井戸活性
層８３、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層８４、ｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層８５、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層８７
をこの順にエピタキシャル成長する（図６（Ａ））。
ーザ装置について図６に示したその製造工程を参照し説
明する。ｎ型ＩｎＰ基板８１表面上に、ｎ型ＩｎＰクラ
ッド層８２、ＩｎＧａＡｓＰよりなる多重量子井戸活性
層８３、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層８４、ｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層８５、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層８７
をこの順にエピタキシャル成長する（図６（Ａ））。
【０００４】この後、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層８
７上全面に第１の二酸化珪素膜９３を形成し、リッジ９
４を形成すべき部分のみを残して他の二酸化珪素膜９３
をエッチング除去する。
７上全面に第１の二酸化珪素膜９３を形成し、リッジ９
４を形成すべき部分のみを残して他の二酸化珪素膜９３
をエッチング除去する。
【０００５】引き続き、選択エッチングにより、二酸化
珪素膜９３に覆われた幅約１０ミクロンのリッジ９４を
形成すべき部分を残し、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層
８７、ｐ型ＩｎＰクラッド層８５をエッチング除去す
る。この際、ｐ型ＩｎＰクラッド層８５と、ｐ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ光ガイド層８４は結晶組成が異なるため、エッ
チング液を選択することにより選択エッチングが可能と
なる（図６（Ｂ））。
珪素膜９３に覆われた幅約１０ミクロンのリッジ９４を
形成すべき部分を残し、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層
８７、ｐ型ＩｎＰクラッド層８５をエッチング除去す
る。この際、ｐ型ＩｎＰクラッド層８５と、ｐ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ光ガイド層８４は結晶組成が異なるため、エッ
チング液を選択することにより選択エッチングが可能と
なる（図６（Ｂ））。
【０００６】この後、エッチングマスクとして用いた第
１の二酸化珪素膜９３を除去し、リッジ状のｐ型ＩｎＧ
ａＡｓコンタクト層８７、ｐ型ＩｎＰクラッド層８５側
面と、エッチングにより露出したｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光
ガイド層８４表面全面に第２の二酸化珪素保護膜８８を
形成する。
１の二酸化珪素膜９３を除去し、リッジ状のｐ型ＩｎＧ
ａＡｓコンタクト層８７、ｐ型ＩｎＰクラッド層８５側
面と、エッチングにより露出したｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光
ガイド層８４表面全面に第２の二酸化珪素保護膜８８を
形成する。
【０００７】引き続き、上記ストライプ状に残されたｐ
型ＩｎＧａＡｓコンタクト層８７表面の第２の二酸化珪
素保護膜８８の一部をエッチング除去し、コンタクト窓
９２を設ける（図６（Ｃ））。
型ＩｎＧａＡｓコンタクト層８７表面の第２の二酸化珪
素保護膜８８の一部をエッチング除去し、コンタクト窓
９２を設ける（図６（Ｃ））。
【０００８】引き続き、コンタクト窓９２上にｐ型電極
９０を形成し、ｎ型ＩｎＰ基板８１の裏面を研磨して厚
さを調整した後、ｎ型電極９１を形成することにより、
リッジ導波型半導体レーザ装置を得ることができる（図
６（Ｄ））。
９０を形成し、ｎ型ＩｎＰ基板８１の裏面を研磨して厚
さを調整した後、ｎ型電極９１を形成することにより、
リッジ導波型半導体レーザ装置を得ることができる（図
６（Ｄ））。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】一般に半導体レーザ装
置では、リッジ上面の幅は、コンタクト窓形成のための
マスク合わせができ、且つ素子抵抗を下げるために広い
電極形成領域が得られるように充分な幅が必要であり、
そのためには約１０ミクロン以下にする事が困難であ
る。一方、基本導波モードでの発振を得るためには、リ
ッジ下面の電流注入領域が２．５ミクロン以下が必要で
あり、両者は相反する関係にある。
置では、リッジ上面の幅は、コンタクト窓形成のための
マスク合わせができ、且つ素子抵抗を下げるために広い
電極形成領域が得られるように充分な幅が必要であり、
そのためには約１０ミクロン以下にする事が困難であ
る。一方、基本導波モードでの発振を得るためには、リ
ッジ下面の電流注入領域が２．５ミクロン以下が必要で
あり、両者は相反する関係にある。
【００１０】ところで、上記従来の半導体レーザ装置で
は、リッジ９４は縦断面矩形状で、上面及び下面幅は等
しく、コンタクト窓形成による制約からその幅は１０ミ
クロン程度になっている。そのため基本導波モード以外
の発振モードを含んでいる。
は、リッジ９４は縦断面矩形状で、上面及び下面幅は等
しく、コンタクト窓形成による制約からその幅は１０ミ
クロン程度になっている。そのため基本導波モード以外
の発振モードを含んでいる。
【００１１】本発明は上記の問題点に鑑みなされたもの
で、基本導波モードでの発振が可能で、かつ、素子抵抗
の低いリッジ型半導体レーザ装置及びその製造方法を提
供することを目的とする。
で、基本導波モードでの発振が可能で、かつ、素子抵抗
の低いリッジ型半導体レーザ装置及びその製造方法を提
供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明に係るレーザ装置では、第一導電型半導体基
板と、前記第一導電型半導体基板上に直接または１層な
いし数層の結晶層を介して形成された第一導電型クラッ
ド層と、前記第一導電型クラッド層上に直接または１層
ないし数層の結晶層を介して形成された活性層と、前記
活性層上に直接または１層ないし数層の結晶層を介して
形成された第二導電型の第１クラッド層と、前記第二導
電型の第１クラッド層上に直接または１層ないし数層の
結晶層を介して形成されたリッジとを備え、前記リッジ
が前記第１クラッド層の電流注入領域に形成された経小
部とこの経小部上にこれと一体で広面積に形成され且つ
経小部周囲のその下面と前記第１クラッド層上面との間
に間隙を形成する経大部とを有する第二導電型クラッド
層からなることを特徴とする。
め、本発明に係るレーザ装置では、第一導電型半導体基
板と、前記第一導電型半導体基板上に直接または１層な
いし数層の結晶層を介して形成された第一導電型クラッ
ド層と、前記第一導電型クラッド層上に直接または１層
ないし数層の結晶層を介して形成された活性層と、前記
活性層上に直接または１層ないし数層の結晶層を介して
形成された第二導電型の第１クラッド層と、前記第二導
電型の第１クラッド層上に直接または１層ないし数層の
結晶層を介して形成されたリッジとを備え、前記リッジ
が前記第１クラッド層の電流注入領域に形成された経小
部とこの経小部上にこれと一体で広面積に形成され且つ
経小部周囲のその下面と前記第１クラッド層上面との間
に間隙を形成する経大部とを有する第二導電型クラッド
層からなることを特徴とする。
【００１３】また、前記リッジの断面構造が、Ｔ字状、
逆凸状、台形形状の何れかであることを特徴とする。
逆凸状、台形形状の何れかであることを特徴とする。
【００１４】また、前記リッジの経小部周囲の経大部下
面と前記第１クラッド層との間の間隙に絶縁物質を充填
してなることを特徴とする。
面と前記第１クラッド層との間の間隙に絶縁物質を充填
してなることを特徴とする。
【００１５】また、上記の課題を解決するため、本発明
に係る半導体レーザ装置の製造方法では、第一導電型半
導体基板上に直接または１層ないし数層の結晶層を介し
て第一導電型クラッド層を形成する工程、前記第一導電
型クラッド層上に直接または１層ないし数層の結晶層を
介して活性層を形成する工程、前記活性層上に直接また
は１層ないし数層の結晶層を介して第二導電型の第一ク
ラッド層を形成する工程、前記第二導電型の第一クラッ
ド層上の電流注入をすべき部分にストライプ状の非晶質
膜を形成する工程、前記非晶質膜をマスクとして前記第
一クラッド層上に前記第一クラッド層と組成の異なる狭
窄層を形成する工程、前記非晶質膜をエッチング除去
し、電流注入領域を形成する工程、前記電流注入領域
上、前記狭窄層上に、第二導電型の第一クラッド層と共
同してクラッド層として作用する第二導電型の第二クラ
ッド層を形成する工程、前記第二導電型の第二クラッド
層の一部をエッチング除去し、前記電流注入領域よりも
広い幅にリッジを形成する工程、前記リッジ側面より前
記狭窄層をエッチング除去する工程をこの順に含むこと
を特徴とする。
に係る半導体レーザ装置の製造方法では、第一導電型半
導体基板上に直接または１層ないし数層の結晶層を介し
て第一導電型クラッド層を形成する工程、前記第一導電
型クラッド層上に直接または１層ないし数層の結晶層を
介して活性層を形成する工程、前記活性層上に直接また
は１層ないし数層の結晶層を介して第二導電型の第一ク
ラッド層を形成する工程、前記第二導電型の第一クラッ
ド層上の電流注入をすべき部分にストライプ状の非晶質
膜を形成する工程、前記非晶質膜をマスクとして前記第
一クラッド層上に前記第一クラッド層と組成の異なる狭
窄層を形成する工程、前記非晶質膜をエッチング除去
し、電流注入領域を形成する工程、前記電流注入領域
上、前記狭窄層上に、第二導電型の第一クラッド層と共
同してクラッド層として作用する第二導電型の第二クラ
ッド層を形成する工程、前記第二導電型の第二クラッド
層の一部をエッチング除去し、前記電流注入領域よりも
広い幅にリッジを形成する工程、前記リッジ側面より前
記狭窄層をエッチング除去する工程をこの順に含むこと
を特徴とする。
【００１６】また、本発明に係る半導体レーザ装置の製
造方法では、第一導電型半導体基板上に直接または１層
ないし数層の結晶層を介して第一導電型クラッド層を形
成する工程、前記第一導電型クラッド層上に直接または
１層ないし数層の結晶層を介して活性層を形成する工
程、前記活性層上に直接または１層ないし数層の結晶層
を介して第二導電型の第一クラッド層を形成する工程、
前記第二導電型の第一クラッド層上に、前記第二導電型
の第一クラッド層と組成の異なる狭窄層を形成する工
程、前記狭窄層の一部を溝状にエッチングし、電流注入
領域を形成する工程、前記電流注入領域、及び前記狭窄
層上に、第二導電型の第二クラッド層を形成する工程、
前記電流注入領域上に位置する前記第二導電型の第二ク
ラッド層を前記電流注入領域幅より広く残し、他の前記
第２クラッド層部分をエッチング除去し、経小部及び経
大部を有するリッジを形成する工程、前記狭窄層をエッ
チング除去する工程をこの順に含むことを特徴とする。
造方法では、第一導電型半導体基板上に直接または１層
ないし数層の結晶層を介して第一導電型クラッド層を形
成する工程、前記第一導電型クラッド層上に直接または
１層ないし数層の結晶層を介して活性層を形成する工
程、前記活性層上に直接または１層ないし数層の結晶層
を介して第二導電型の第一クラッド層を形成する工程、
前記第二導電型の第一クラッド層上に、前記第二導電型
の第一クラッド層と組成の異なる狭窄層を形成する工
程、前記狭窄層の一部を溝状にエッチングし、電流注入
領域を形成する工程、前記電流注入領域、及び前記狭窄
層上に、第二導電型の第二クラッド層を形成する工程、
前記電流注入領域上に位置する前記第二導電型の第二ク
ラッド層を前記電流注入領域幅より広く残し、他の前記
第２クラッド層部分をエッチング除去し、経小部及び経
大部を有するリッジを形成する工程、前記狭窄層をエッ
チング除去する工程をこの順に含むことを特徴とする。
【００１７】また、本発明に係る半導体レーザ装置の製
造方法では、第一導電型半導体基板上に直接または１層
ないし数層の結晶層を介して第一導電型クラッド層を形
成する工程、前記第一導電型クラッド層上に直接または
１層ないし数層の結晶層を介して活性層を形成する工
程、前記活性層上に直接または１層ないし数層の結晶層
を介して第二導電型の第一クラッド層を形成する工程、
前記第二導電型の第一クラッド層上に、前記第二導電型
の第一クラッド層と組成の異なる狭窄層を形成する工
程、前記狭窄層の一部を溝状にエッチングし、電流注入
領域を形成する工程、前記電流注入領域上に、第二導電
型の第一クラッド層と共同してクラッド層として作用す
る第二導電型の第二クラッド層を選択エピタキシャル成
長により、前記狭窄層上にまで展延して形成する工程、
前記第二クラッド層下部の前記狭窄層をエッチング除去
する工程、をこの順に含むことを特徴とする。
造方法では、第一導電型半導体基板上に直接または１層
ないし数層の結晶層を介して第一導電型クラッド層を形
成する工程、前記第一導電型クラッド層上に直接または
１層ないし数層の結晶層を介して活性層を形成する工
程、前記活性層上に直接または１層ないし数層の結晶層
を介して第二導電型の第一クラッド層を形成する工程、
前記第二導電型の第一クラッド層上に、前記第二導電型
の第一クラッド層と組成の異なる狭窄層を形成する工
程、前記狭窄層の一部を溝状にエッチングし、電流注入
領域を形成する工程、前記電流注入領域上に、第二導電
型の第一クラッド層と共同してクラッド層として作用す
る第二導電型の第二クラッド層を選択エピタキシャル成
長により、前記狭窄層上にまで展延して形成する工程、
前記第二クラッド層下部の前記狭窄層をエッチング除去
する工程、をこの順に含むことを特徴とする。
【００１８】また、本発明に係る半導体レーザ装置の製
造方法では、第一導電型半導体基板上に直接または１層
ないし数層の結晶層を介して第一導電型クラッド層を形
成する工程、前記第一導電型クラッド層上に直接または
１層ないし数層の結晶層を介して活性層を形成する工
程、前記活性層上に直接または１層ないし数層の結晶層
を介して第二導電型の第一クラッド層を形成する工程、
前記第二導電型の第一クラッド層上の電流を注入すべき
部分に、ストライプ状の非晶質膜を形成する工程、前記
非晶質膜をマスクとして前記第一クラッド層上に前記第
一クラッド層と組成の異なる狭窄層を形成する工程、前
記非晶質膜をエッチング除去し、電流注入領域を形成す
る工程、前記電流注入領域上に、第二導電型の第一クラ
ッド層と共同してクラッド層として作用する第二導電型
の第二クラッド層を選択エピタキシャル成長により、前
記狭窄層上にまで展延して形成する工程、前記第二クラ
ッド層下部の前記狭窄層をエッチング除去する工程、を
この順に含むことを特徴とする。
造方法では、第一導電型半導体基板上に直接または１層
ないし数層の結晶層を介して第一導電型クラッド層を形
成する工程、前記第一導電型クラッド層上に直接または
１層ないし数層の結晶層を介して活性層を形成する工
程、前記活性層上に直接または１層ないし数層の結晶層
を介して第二導電型の第一クラッド層を形成する工程、
前記第二導電型の第一クラッド層上の電流を注入すべき
部分に、ストライプ状の非晶質膜を形成する工程、前記
非晶質膜をマスクとして前記第一クラッド層上に前記第
一クラッド層と組成の異なる狭窄層を形成する工程、前
記非晶質膜をエッチング除去し、電流注入領域を形成す
る工程、前記電流注入領域上に、第二導電型の第一クラ
ッド層と共同してクラッド層として作用する第二導電型
の第二クラッド層を選択エピタキシャル成長により、前
記狭窄層上にまで展延して形成する工程、前記第二クラ
ッド層下部の前記狭窄層をエッチング除去する工程、を
この順に含むことを特徴とする。
【００１９】また、本発明に係る半導体レーザ装置の製
造方法では、第一導電型半導体基板上に直接または１層
ないし数層の結晶層を介して第一導電型クラッド層を形
成する工程、前記第一導電型クラッド層上に直接または
１層ないし数層の結晶層を介して活性層を形成する工
程、前記活性層上に直接または一層ないし数層の結晶層
を介して第二導電型の光ガイド層を形成する工程、前記
第二導電型の光ガイド層上の電流を注入すべき領域に、
ストライプ状の非晶質膜を形成する工程、非晶質膜をエ
ッチング除去し、電流注入領域を形成する工程、前記電
流注入領域上に、第二導電型クラッド層を選択エピタキ
シャル成長により、前記狭窄層上にまで展延して形成す
る工程、前記第二クラッド層下部の前記狭窄層をエッチ
ング除去する工程、をこの順に含むことを特徴とする。
造方法では、第一導電型半導体基板上に直接または１層
ないし数層の結晶層を介して第一導電型クラッド層を形
成する工程、前記第一導電型クラッド層上に直接または
１層ないし数層の結晶層を介して活性層を形成する工
程、前記活性層上に直接または一層ないし数層の結晶層
を介して第二導電型の光ガイド層を形成する工程、前記
第二導電型の光ガイド層上の電流を注入すべき領域に、
ストライプ状の非晶質膜を形成する工程、非晶質膜をエ
ッチング除去し、電流注入領域を形成する工程、前記電
流注入領域上に、第二導電型クラッド層を選択エピタキ
シャル成長により、前記狭窄層上にまで展延して形成す
る工程、前記第二クラッド層下部の前記狭窄層をエッチ
ング除去する工程、をこの順に含むことを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の第一の実施の形態に係る
半導体レーザ装置につき、図１を用いて詳細に説明す
る。図１は半導体レーザ装置の断面図である。
半導体レーザ装置につき、図１を用いて詳細に説明す
る。図１は半導体レーザ装置の断面図である。
【００２１】Ｓ（硫黄）添加で、キャリア濃度が３×１
０18（ｃｍ-3）程度のｎ型ＩｎＰ基板１表面上に、厚さ
２ミクロンの、Ｓ添加でキャリア濃度が１×１０18（ｃ
ｍ-3）程度のｎ型ＩｎＰクラッド層２、厚さ７ｎｍでＰ
Ｌ（フォトルミネセンス）発光波長１．３５ミクロンの
不純物不添加ＩｎＧａＡｓＰ井戸層と、厚さ１０ｎｍで
ＰＬ発光波長１．１ミクロンの不純物不添加ＩｎＧａＡ
ｓＰ障壁層１０組よりなる多重量子井戸活性層３、厚さ
０．３ミクロンのＺｎ（亜鉛）添加でキャリア濃度が１
×１０18（ｃｍ-3）のｐ型ＩｎＰ第１クラッド層５がＭ
ＯＣＶＤ法により順次積層形成されている。
０18（ｃｍ-3）程度のｎ型ＩｎＰ基板１表面上に、厚さ
２ミクロンの、Ｓ添加でキャリア濃度が１×１０18（ｃ
ｍ-3）程度のｎ型ＩｎＰクラッド層２、厚さ７ｎｍでＰ
Ｌ（フォトルミネセンス）発光波長１．３５ミクロンの
不純物不添加ＩｎＧａＡｓＰ井戸層と、厚さ１０ｎｍで
ＰＬ発光波長１．１ミクロンの不純物不添加ＩｎＧａＡ
ｓＰ障壁層１０組よりなる多重量子井戸活性層３、厚さ
０．３ミクロンのＺｎ（亜鉛）添加でキャリア濃度が１
×１０18（ｃｍ-3）のｐ型ＩｎＰ第１クラッド層５がＭ
ＯＣＶＤ法により順次積層形成されている。
【００２２】また、前記ｐ型ＩｎＰ第１クラッド層５の
上面中央部にはＺｎ添加でキャリア濃度が１×１０
18（ｃｍ-3）のｐ型ＩｎＰ第２クラッド層及びｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓコンタクト層から成る縦断面Ｔ字型リッジ６０
が形成されている。
上面中央部にはＺｎ添加でキャリア濃度が１×１０
18（ｃｍ-3）のｐ型ＩｎＰ第２クラッド層及びｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓコンタクト層から成る縦断面Ｔ字型リッジ６０
が形成されている。
【００２３】このリッジ６０は、レーザ光を導波すべき
方向に幅１．５ミクロン、厚さ０．２ミクロンで第１ク
ラッド層５と接触形成された経小部６０Ａと、この経小
部６０Ａ上に一体形成された幅１０ミクロン、厚さ１．
５ミクロンの経大部６０Ｂ、及び経大部６０Ｂ上に形成
されたリッジ状ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層７０とか
らなる。そしてこの経小部６０Ａは電流注入領域として
作用し、経大部６０Ｂ及びｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト
層７０は、電極形成領域として作用する。またリッジ６
０は、経小部６０Ａ周辺の経大部６０Ｂ下面と第１のク
ラッド層５上面との間に、０．２ミクロンの間隙９が形
成されている。
方向に幅１．５ミクロン、厚さ０．２ミクロンで第１ク
ラッド層５と接触形成された経小部６０Ａと、この経小
部６０Ａ上に一体形成された幅１０ミクロン、厚さ１．
５ミクロンの経大部６０Ｂ、及び経大部６０Ｂ上に形成
されたリッジ状ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層７０とか
らなる。そしてこの経小部６０Ａは電流注入領域として
作用し、経大部６０Ｂ及びｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト
層７０は、電極形成領域として作用する。またリッジ６
０は、経小部６０Ａ周辺の経大部６０Ｂ下面と第１のク
ラッド層５上面との間に、０．２ミクロンの間隙９が形
成されている。
【００２４】そして第１クラッド層５周辺、リッジ６０
の経大部６０Ａ側面及びコンタクト層７０の周辺は、二
酸化珪素保護膜８で被覆され、露出されたｐ型ＩｎＧａ
Ａｓコンタクト層７上には、ｐ型電極１０が形成されて
いる。
の経大部６０Ａ側面及びコンタクト層７０の周辺は、二
酸化珪素保護膜８で被覆され、露出されたｐ型ＩｎＧａ
Ａｓコンタクト層７上には、ｐ型電極１０が形成されて
いる。
【００２５】一方ｎ型ＩｎＰ基板１の裏面には、研磨に
より厚さを調整した後、ｎ型電極１１が形成されてい
る。上述した半導体レーザ装置においては、リッジ６０
を経小部６０Ａと経大部６０Ｂとで構成し、１．５ミク
ロン幅に形成された経小部６０Ａによって電流注入領域
を形成しているため、安定した単一モード発振が可能で
ある。また、１０ミクロン幅に形成した経大部６０Ｂ上
にｐ型電極を形成しているため、十分に素子抵抗を下げ
ることができる。
より厚さを調整した後、ｎ型電極１１が形成されてい
る。上述した半導体レーザ装置においては、リッジ６０
を経小部６０Ａと経大部６０Ｂとで構成し、１．５ミク
ロン幅に形成された経小部６０Ａによって電流注入領域
を形成しているため、安定した単一モード発振が可能で
ある。また、１０ミクロン幅に形成した経大部６０Ｂ上
にｐ型電極を形成しているため、十分に素子抵抗を下げ
ることができる。
【００２６】また、ｐ型ＩｎＰ第１クラッド層５と、リ
ッジ６０の経小部６０Ａの周辺の経大部６０Ｂの下面と
は、間隙９によって分離されているため、この間の電気
的耐圧は高く、また、ｐ型ＩｎＰ第１クラッド層５と間
隙９の空気との屈折率差が大きいため、高い光出力迄安
定したモードでの発振が可能である。
ッジ６０の経小部６０Ａの周辺の経大部６０Ｂの下面と
は、間隙９によって分離されているため、この間の電気
的耐圧は高く、また、ｐ型ＩｎＰ第１クラッド層５と間
隙９の空気との屈折率差が大きいため、高い光出力迄安
定したモードでの発振が可能である。
【００２７】次に、本発明の第二の実施の形態に係る上
記半導体レーザ装置の製造方法を図２を参照して説明す
る。まず、ｎ型ＩｎＰ基板１上に、第１のＭＯＣＶＤ成
長により、厚さ２ミクロンのｎ型ＩｎＰクラッド層２、
ＩｎＧａＡｓＰよりなる多重量子井戸活性層３、厚さ
０．３ミクロンのｐ型ＩｎＰ第１クラッド層５が順次積
層形成される（図２（Ａ））。
記半導体レーザ装置の製造方法を図２を参照して説明す
る。まず、ｎ型ＩｎＰ基板１上に、第１のＭＯＣＶＤ成
長により、厚さ２ミクロンのｎ型ＩｎＰクラッド層２、
ＩｎＧａＡｓＰよりなる多重量子井戸活性層３、厚さ
０．３ミクロンのｐ型ＩｎＰ第１クラッド層５が順次積
層形成される（図２（Ａ））。
【００２８】次に、ｐ型ＩｎＰ第１クラッド層５上全面
に非晶質層である第１の二酸化珪素膜２１を形成した
後、約１．５ミクロンの幅のストライプ状に第１の二酸
化珪素膜２１部分を残して他を除去し、前記のストライ
プ状の第１の二酸化珪素膜２１をマスクとして第１クラ
ッド層５上に狭窄層となるｎ型ＩｎＧａＡｓ層２２を選
択成長させる（図２（Ｂ））。
に非晶質層である第１の二酸化珪素膜２１を形成した
後、約１．５ミクロンの幅のストライプ状に第１の二酸
化珪素膜２１部分を残して他を除去し、前記のストライ
プ状の第１の二酸化珪素膜２１をマスクとして第１クラ
ッド層５上に狭窄層となるｎ型ＩｎＧａＡｓ層２２を選
択成長させる（図２（Ｂ））。
【００２９】続いて第１の二酸化珪素膜２１をエッチン
グ除去し、狭窄層となるｎ型ＩｎＧａＡｓ２２、及びｐ
型ＩｎＰ第１クラッド層５上に、ｐ型ＩｎＰ第２クラッ
ド層６、及びｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層７をこの順
に第２のＭＯＣＶＤ法により成長させる（図２
（Ｃ））。
グ除去し、狭窄層となるｎ型ＩｎＧａＡｓ２２、及びｐ
型ＩｎＰ第１クラッド層５上に、ｐ型ＩｎＰ第２クラッ
ド層６、及びｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層７をこの順
に第２のＭＯＣＶＤ法により成長させる（図２
（Ｃ））。
【００３０】続いて、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層７
上に第二の二酸化珪素膜２３を形成し、リッジを形成す
べき部分のみを残してエッチング除去する（図２
（Ｄ））。次に前記の第二の二酸化珪素膜２３をマスク
としてｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層７、ｐ型ＩｎＰ第
二クラッド層６を選択エッチングし、第１クラッド層５
に接触形成された経小部６０Ａとその経小部６０Ａ上に
一体形成された経大部６０Ｂ、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタ
クト部７０を有するリッジ６０を形成する（図２
（Ｅ））。
上に第二の二酸化珪素膜２３を形成し、リッジを形成す
べき部分のみを残してエッチング除去する（図２
（Ｄ））。次に前記の第二の二酸化珪素膜２３をマスク
としてｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層７、ｐ型ＩｎＰ第
二クラッド層６を選択エッチングし、第１クラッド層５
に接触形成された経小部６０Ａとその経小部６０Ａ上に
一体形成された経大部６０Ｂ、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタ
クト部７０を有するリッジ６０を形成する（図２
（Ｅ））。
【００３１】その後、前記第１クラッド層５上のｎ型Ｉ
ｎＧａＡｓ層２２をエッチング除去し、リッジ６０の経
小部６０Ａ周辺の経大部６０Ｂ下面と第１クラッド層５
上面との間に間隙９を形成する（図２（Ｆ））。
ｎＧａＡｓ層２２をエッチング除去し、リッジ６０の経
小部６０Ａ周辺の経大部６０Ｂ下面と第１クラッド層５
上面との間に間隙９を形成する（図２（Ｆ））。
【００３２】次に第１クラッド層５の上面周辺、リッジ
６０の経大部６０Ｂ側面及びコンタクト層７０側面及び
上面全体に二酸化珪素保護膜８を形成する。なお、リッ
ジ６０の経大部６０Ｂ下面の間隙には保護膜８は形成し
ない。
６０の経大部６０Ｂ側面及びコンタクト層７０側面及び
上面全体に二酸化珪素保護膜８を形成する。なお、リッ
ジ６０の経大部６０Ｂ下面の間隙には保護膜８は形成し
ない。
【００３３】この二酸化珪素保護膜８の形成は、例えば
異方性の強い真空蒸着法を用いればよい。次に、コンタ
クト層７０上のｐ型電極を形成すべき部分の二酸化珪素
保護膜８のみをエッチング除去してコンタクト窓７Ａを
設ける（図２（Ｇ））。
異方性の強い真空蒸着法を用いればよい。次に、コンタ
クト層７０上のｐ型電極を形成すべき部分の二酸化珪素
保護膜８のみをエッチング除去してコンタクト窓７Ａを
設ける（図２（Ｇ））。
【００３４】引き続き、前記コンタクト窓７Ａ部のコン
タクト層７０上にＡｕＺｎよりなるｐ型電極１０を形成
し、ｎ型ＩｎＰ基板裏面を必要に応じて適当な厚さに研
磨した後にＡｕＧｅよりなるｎ型電極１１を形成し、図
１に示す半導体レーザ装置を得る（図２（Ｈ））。
タクト層７０上にＡｕＺｎよりなるｐ型電極１０を形成
し、ｎ型ＩｎＰ基板裏面を必要に応じて適当な厚さに研
磨した後にＡｕＧｅよりなるｎ型電極１１を形成し、図
１に示す半導体レーザ装置を得る（図２（Ｈ））。
【００３５】上記製造方法によれば、第１の二酸化珪素
膜２１を用いて電流注入領域となるリッジ６０の経小部
６０Ａを形成し、且つ、これとは別の第２の二酸化珪素
膜２３を用いて電極形成領域となるリッジ６０の経大部
６０Ｂを形成しており、１．５ミクロン幅の電流注入領
域及び１０ミクロン以上の広い幅の電極形成面積をもっ
たリッジを容易に得られる。
膜２１を用いて電流注入領域となるリッジ６０の経小部
６０Ａを形成し、且つ、これとは別の第２の二酸化珪素
膜２３を用いて電極形成領域となるリッジ６０の経大部
６０Ｂを形成しており、１．５ミクロン幅の電流注入領
域及び１０ミクロン以上の広い幅の電極形成面積をもっ
たリッジを容易に得られる。
【００３６】次に、上記本発明の第三の実施の形態に係
る半導体レーザ装置の製造方法を、図３を用いて説明す
る。ここで、図２と同一の部分には同一の番号を付し説
明を省略する。
る半導体レーザ装置の製造方法を、図３を用いて説明す
る。ここで、図２と同一の部分には同一の番号を付し説
明を省略する。
【００３７】図３（Ａ）は、ｎ型ＩｎＰクラッド層２、
多重量子井戸活性層３、ｐ型ＩｎＰ第１クラッド層５よ
りなるダブルへテロ構造の上にｎ型ＩｎＧａＡｓ層２２
を連続して形成したものである。
多重量子井戸活性層３、ｐ型ＩｎＰ第１クラッド層５よ
りなるダブルへテロ構造の上にｎ型ＩｎＧａＡｓ層２２
を連続して形成したものである。
【００３８】ここで、後の工程で電流注入部を設けるべ
き部分に開口部を有するレジスト膜４１を形成し、前記
レジスト膜４１をマスクとしてｎ型ＩｎＧａＡｓ層２２
を選択エッチングする（図３（Ｂ））。
き部分に開口部を有するレジスト膜４１を形成し、前記
レジスト膜４１をマスクとしてｎ型ＩｎＧａＡｓ層２２
を選択エッチングする（図３（Ｂ））。
【００３９】引き続き、レジスト膜４１を除去した後、
上述の図２（Ｃ）と同様の方法でｐ型ＩｎＰ第２クラッ
ド層６、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層７をこの順に形
成する（図３（Ｃ））。
上述の図２（Ｃ）と同様の方法でｐ型ＩｎＰ第２クラッ
ド層６、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層７をこの順に形
成する（図３（Ｃ））。
【００４０】この後、図２（Ｄ）から図２（Ｈ）の説明
で記載した方法によって、半導体レーザ装置を得ること
ができる。ここで示した、上記本発明の第三の実施の形
態に係る半導体レーザ装置の製造方法によれば、上述の
半導体レーザ装置の製造方法による効果に付加して次の
ような特有の効果がある。すなわち、二回目のＭＯＣＶ
Ｄ成長でコンタクト層まで成長してしまうため、半導体
レーザ装置を作成するまでの結晶成長工程は２回で終了
する事ができ、工程の簡素化ができる。
で記載した方法によって、半導体レーザ装置を得ること
ができる。ここで示した、上記本発明の第三の実施の形
態に係る半導体レーザ装置の製造方法によれば、上述の
半導体レーザ装置の製造方法による効果に付加して次の
ような特有の効果がある。すなわち、二回目のＭＯＣＶ
Ｄ成長でコンタクト層まで成長してしまうため、半導体
レーザ装置を作成するまでの結晶成長工程は２回で終了
する事ができ、工程の簡素化ができる。
【００４１】次に、本発明の第四の実施の形態に係る半
導体レーザ装置の製造方法を、図４を用いて説明する。
ここで、図面に付した番号のうち、図２と同一の部分に
は同一の番号を付し説明を省略する。
導体レーザ装置の製造方法を、図４を用いて説明する。
ここで、図面に付した番号のうち、図２と同一の部分に
は同一の番号を付し説明を省略する。
【００４２】まず、ｎ型ＩｎＰ基板１上に、第１のＭＯ
ＣＶＤ成長により、厚さ２ミクロンのｎ型ＩｎＰクラッ
ド層２、ＩｎＧａＡｓＰよりなる多重量子井戸層３、厚
さ０．３ミクロンのｐ型ＩｎＰ第一クラッド層５を順次
積層形成させる（図４（Ａ））。 次にｐ型ＩｎＰ第一
クラッド層５上全面に第１の二酸化珪素膜を形成した
後、約１．５ミクロンの幅のストライプ状の第１の二酸
化珪素膜２１のみを残し他を除去する。更に、第二のＭ
ＯＣＶＤ成長により第１の二酸化珪素膜２１以外の第１
のクラッド層５上に選択的にｎ型ＩｎＧａＡｓ層２２を
成長させる（図４（Ｂ））。
ＣＶＤ成長により、厚さ２ミクロンのｎ型ＩｎＰクラッ
ド層２、ＩｎＧａＡｓＰよりなる多重量子井戸層３、厚
さ０．３ミクロンのｐ型ＩｎＰ第一クラッド層５を順次
積層形成させる（図４（Ａ））。 次にｐ型ＩｎＰ第一
クラッド層５上全面に第１の二酸化珪素膜を形成した
後、約１．５ミクロンの幅のストライプ状の第１の二酸
化珪素膜２１のみを残し他を除去する。更に、第二のＭ
ＯＣＶＤ成長により第１の二酸化珪素膜２１以外の第１
のクラッド層５上に選択的にｎ型ＩｎＧａＡｓ層２２を
成長させる（図４（Ｂ））。
【００４３】続いて、第１の二酸化珪素膜２１を除去
し、再度ｎ型ＩｎＧａＡｓ層２２及び第１のクラッド層
５上全面に第２の二酸化珪素膜６３を形成する。更に、
前記狭窄層２２より露出された第１クラッド層５部分を
含み、約１０μの幅のリッジを形成すべき部分の前記第
２の二酸化珪素膜６３をストライプ状に除去する（図４
（Ｃ））。
し、再度ｎ型ＩｎＧａＡｓ層２２及び第１のクラッド層
５上全面に第２の二酸化珪素膜６３を形成する。更に、
前記狭窄層２２より露出された第１クラッド層５部分を
含み、約１０μの幅のリッジを形成すべき部分の前記第
２の二酸化珪素膜６３をストライプ状に除去する（図４
（Ｃ））。
【００４４】次に、前記第２の二酸化珪素膜６３をマス
クとしてｐ型ＩｎＰ第２クラッド層、ｐ型ＩｎＧａＡｓ
コンタクト層を、第３のＭＯＣＶＤ成長により連続的に
選択形成し、第１クラッド層５に接触形成されたｐ型Ｉ
ｎＰ第２クラッド層よりなる経小部６４Ａとその経小部
６４Ａの上に一体形成された経大部６４Ｂ、および経大
部６４Ｂ上に一体形成されたｐ型ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層６５よりなるリッジ６４を形成する。このとき、リ
ッジの側面６６は（１１１）面をなして台形状に成長す
る（図４（Ｄ））。
クとしてｐ型ＩｎＰ第２クラッド層、ｐ型ＩｎＧａＡｓ
コンタクト層を、第３のＭＯＣＶＤ成長により連続的に
選択形成し、第１クラッド層５に接触形成されたｐ型Ｉ
ｎＰ第２クラッド層よりなる経小部６４Ａとその経小部
６４Ａの上に一体形成された経大部６４Ｂ、および経大
部６４Ｂ上に一体形成されたｐ型ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層６５よりなるリッジ６４を形成する。このとき、リ
ッジの側面６６は（１１１）面をなして台形状に成長す
る（図４（Ｄ））。
【００４５】続いて、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６
５および第二の二酸化珪素膜６３をマスクとして塩酸系
エッチング液により、リッジ層６４の経大部６４Ｂの側
面６６をエッチングする。これにより、リッジ側面６６
の表面は結晶面方位が
５および第二の二酸化珪素膜６３をマスクとして塩酸系
エッチング液により、リッジ層６４の経大部６４Ｂの側
面６６をエッチングする。これにより、リッジ側面６６
の表面は結晶面方位が
【００４６】
【外１】 をなすようにエッチングされ、基板表面に垂直なリッジ
側面７３となり、リッジ側面６６と第２の二酸化珪素膜
６３との間に開口部６７が形成される。
側面７３となり、リッジ側面６６と第２の二酸化珪素膜
６３との間に開口部６７が形成される。
【００４７】このようなエッチングを行った場合には、
ＩｎＧａＡｓコンタクト層６５下部のＩｎＰクラッド層
のアンダーカットは生じない。引き続き、この開口部を
通して硫酸系エッチング液により、開口部より露出した
ｎ型ＩｎＧａＡｓ層２２をエッチングし、リッジ層６４
の経大部６４Ｂ下部のｎ型ＩｎＧａＡｓ層２２を完全に
除去する。これにより、リッジ６４の経大部６４Ｂの下
面と第１クラッド層５上面との間に間隙９が形成される
（図４（Ｅ））。 続いて、基板表面全体に二酸化珪素
保護膜８を形成した後、リッジ６４上部のコンタクト層
６５のｐ型電極を形成すべき部分のみ、二酸化珪素保護
膜８を除去しコンタクト窓７を開け、リフトオフ法によ
り、ＡｕＺｎよりなるｐ型電極１０を形成する。
ＩｎＧａＡｓコンタクト層６５下部のＩｎＰクラッド層
のアンダーカットは生じない。引き続き、この開口部を
通して硫酸系エッチング液により、開口部より露出した
ｎ型ＩｎＧａＡｓ層２２をエッチングし、リッジ層６４
の経大部６４Ｂ下部のｎ型ＩｎＧａＡｓ層２２を完全に
除去する。これにより、リッジ６４の経大部６４Ｂの下
面と第１クラッド層５上面との間に間隙９が形成される
（図４（Ｅ））。 続いて、基板表面全体に二酸化珪素
保護膜８を形成した後、リッジ６４上部のコンタクト層
６５のｐ型電極を形成すべき部分のみ、二酸化珪素保護
膜８を除去しコンタクト窓７を開け、リフトオフ法によ
り、ＡｕＺｎよりなるｐ型電極１０を形成する。
【００４８】引き続き、基板裏面を研磨して適当な厚さ
に調整した後、基板裏面にＡｕＧｅによりｎ型電極１１
を形成し、半導体レーザ装置を得る（図４（Ｆ））。上
述の本発明の第四の実施の形態に係る半導体レーザ装置
の製造方法によれば、本発明の第二の実施の形態に係る
半導体レーザ装置の製造方法で述べた利点に加え、下記
の利点がある。すなわち、リッジ６４を選択成長により
形成しているので自己整合的に成長ができ、マスク合わ
せが必要なく、製造が簡単である。
に調整した後、基板裏面にＡｕＧｅによりｎ型電極１１
を形成し、半導体レーザ装置を得る（図４（Ｆ））。上
述の本発明の第四の実施の形態に係る半導体レーザ装置
の製造方法によれば、本発明の第二の実施の形態に係る
半導体レーザ装置の製造方法で述べた利点に加え、下記
の利点がある。すなわち、リッジ６４を選択成長により
形成しているので自己整合的に成長ができ、マスク合わ
せが必要なく、製造が簡単である。
【００４９】次に、本発明の第五の実施の形態に係る半
導体レーザ装置につき、図５を用いて詳細に説明する。
図５（Ａ）は、半導体レーザ装置の断面図、図５（Ｂ）
は、図５（Ａ）のＸ−Ｙ方向の断面図である。
導体レーザ装置につき、図５を用いて詳細に説明する。
図５（Ａ）は、半導体レーザ装置の断面図、図５（Ｂ）
は、図５（Ａ）のＸ−Ｙ方向の断面図である。
【００５０】図５（Ａ）、図５（Ｂ）において、図１と
同一部分には同一番号を示し、同一部分については説明
を省略する。図５（Ａ）に示すように、ここでは多重量
子井戸活性層３上に０．２ミクロンのｐ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐ光ガイド層４が載置されている。また、図５（Ｂ）に
示すように、上記ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層４上に
は半導体レーザ装置の発振波長に合わせたグレーティン
グが形成されている。
同一部分には同一番号を示し、同一部分については説明
を省略する。図５（Ａ）に示すように、ここでは多重量
子井戸活性層３上に０．２ミクロンのｐ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐ光ガイド層４が載置されている。また、図５（Ｂ）に
示すように、上記ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層４上に
は半導体レーザ装置の発振波長に合わせたグレーティン
グが形成されている。
【００５１】この第五の実施の形態に係る半導体レーザ
装置によれば、上記第一の実施の形態に係る半導体レー
ザ装置の特長に加えて、グレーティングによって発振波
長の制御が可能である。
装置によれば、上記第一の実施の形態に係る半導体レー
ザ装置の特長に加えて、グレーティングによって発振波
長の制御が可能である。
【００５２】上記の各実施の形態の説明では、ｎ型Ｉｎ
Ｐ基板を用いた、多重量子井戸構造の活性層を有する半
導体レーザ装置について説明したが、本発明の実施の適
用はこれに限るものではなく、ダブルへテロ構造の半導
体レーザ装置、ＧａＡｓ基板上に形成された、ＧａＡｌ
Ａｓ、ＧａＡｓＰ，ＧａＡｌＡｓＰ等を活性層、クラッ
ド層に用いた半導体レーザ装置等にも適用できることは
言うまでもない。また、第１のクラッド層に代えて光ガ
イド層を用いてもよい。
Ｐ基板を用いた、多重量子井戸構造の活性層を有する半
導体レーザ装置について説明したが、本発明の実施の適
用はこれに限るものではなく、ダブルへテロ構造の半導
体レーザ装置、ＧａＡｓ基板上に形成された、ＧａＡｌ
Ａｓ、ＧａＡｓＰ，ＧａＡｌＡｓＰ等を活性層、クラッ
ド層に用いた半導体レーザ装置等にも適用できることは
言うまでもない。また、第１のクラッド層に代えて光ガ
イド層を用いてもよい。
【００５３】また、上記の各実施の形態において、リッ
ジの経大部下面と第１クラッド層上面との間隙に二酸化
珪素、窒化珪素、酸化ストロンチウム等の屈折率の小さ
い絶縁物質を充填してもよい。
ジの経大部下面と第１クラッド層上面との間隙に二酸化
珪素、窒化珪素、酸化ストロンチウム等の屈折率の小さ
い絶縁物質を充填してもよい。
【００５４】この場合には、例えば、二酸化珪素膜の屈
折率は１．５程度であり、気体と比較すれば大きいが、
ＩｎＰと比較すれば十分に小さく、また、二酸化珪素膜
は誘電体であり、ｐ型ＩｎＰ第１クラッド層５とｐ型Ｉ
ｎＰ第２クラッド層６との間の電気的耐圧を十分に大き
く取ることができ、本発明の効果を享受することができ
る。また、リッジは縦断面逆凸形、逆台形状に形成して
も良い。
折率は１．５程度であり、気体と比較すれば大きいが、
ＩｎＰと比較すれば十分に小さく、また、二酸化珪素膜
は誘電体であり、ｐ型ＩｎＰ第１クラッド層５とｐ型Ｉ
ｎＰ第２クラッド層６との間の電気的耐圧を十分に大き
く取ることができ、本発明の効果を享受することができ
る。また、リッジは縦断面逆凸形、逆台形状に形成して
も良い。
【００５５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、基
本導波モードでの発振が可能で且つ素子抵抗の低い、リ
ッジ型半導体レーザ装置が得られる。
本導波モードでの発振が可能で且つ素子抵抗の低い、リ
ッジ型半導体レーザ装置が得られる。
【図１】本発明の第一の実施の形態に係る半導体レーザ
装置の断面図である。
装置の断面図である。
【図２】本発明の第二の実施の形態に係る半導体レーザ
装置の製造工程断面図である。
装置の製造工程断面図である。
【図３】本発明の第三の実施の形態に係る半導体レーザ
装置の製造工程断面図の一部である。
装置の製造工程断面図の一部である。
【図４】本発明の第四の実施の形態に係る半導体レーザ
装置の製造工程断面図の一部である。
装置の製造工程断面図の一部である。
【図５】本発明の第五の実施の形態に係る半導体レーザ
装置の断面図である。
装置の断面図である。
【図６】従来の半導体レーザ装置の製造工程断面図の一
部である。
部である。
１、８１・・・ｎ型ＩｎＰ基板 ２、８２・・・ｎ型ＩｎＰクラッド層 ３、８３・・・多重量子井戸活性層 ４、８４・・・ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層 ５・・・ｐ型ＩｎＰ第１クラッド層 ８５・・・ｐ型ＩｎＰクラッド層 ６・・・ｐ型ＩｎＰ第２クラッド層 ６０、６４、９４・・・リッジ ６０Ａ、６４Ａ・・・リッジの経小部 ６０Ｂ、６４Ｂ・・・リッジの経大部 ６５、７０・・・リッジ状ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト
層 ７、８７・・・ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層 ８・・・二酸化珪素保護膜 ８８・・・第２の二酸化珪素保護膜 ９・・・間隙 １０、９０・・・ｐ型電極 １１、９１・・・ｎ型電極 ７Ａ、９２・・・コンタクト窓 ２１・・・第１の二酸化珪素膜（非晶質膜） ２２・・・ｎ型ＩｎＧａＡｓ層（狭窄層） ２３、６３・・・第２の二酸化珪素膜 ６６・・・リッジ側面 ６７・・・開口部 ７３・・・垂直なリッジ側面 ９３・・・第１の二酸化珪素膜（非晶質膜）
層 ７、８７・・・ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層 ８・・・二酸化珪素保護膜 ８８・・・第２の二酸化珪素保護膜 ９・・・間隙 １０、９０・・・ｐ型電極 １１、９１・・・ｎ型電極 ７Ａ、９２・・・コンタクト窓 ２１・・・第１の二酸化珪素膜（非晶質膜） ２２・・・ｎ型ＩｎＧａＡｓ層（狭窄層） ２３、６３・・・第２の二酸化珪素膜 ６６・・・リッジ側面 ６７・・・開口部 ７３・・・垂直なリッジ側面 ９３・・・第１の二酸化珪素膜（非晶質膜）
Claims (8)
- 【請求項１】第一導電型半導体基板と、前記第一導電型
半導体基板上に直接または１層ないし数層の結晶層を介
して形成された第一導電型クラッド層と、前記第一導電
型クラッド層上に直接または１層ないし数層の結晶層を
介して形成された活性層と、前記活性層上に直接または
１層ないし数層の結晶層を介して形成された第二導電型
の第１クラッド層と前記第二導電型の第１クラッド層上
に直接または１層ないし数層の結晶層を介して形成され
たリッジとを備え、前記リッジが前記第１クラッド層の
電流注入領域に形成された経小部とこの経小部上にこれ
と一体で広面積に形成され且つ経小部周囲のその下面と
前記第１クラッド層上面との間に間隙を形成する経大部
とを有する第二導電型クラッド層からなることを特徴と
する半導体レーザ装置。 - 【請求項２】前記リッジの断面構造が、Ｔ字状、逆凸
状、台形形状の何れかであることを特徴とする請求項１
に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】前記リッジの経小部周囲の経大部下面と前
記第１クラッド層との間の間隙に絶縁物質を充填してな
ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半
導体レーザ装置。 - 【請求項４】第一導電型半導体基板上に直接または１層
ないし数層の結晶層を介して第一導電型クラッド層を形
成する工程、前記第一導電型クラッド層上に直接または
１層ないし数層の結晶層を介して活性層を形成する工
程、前記活性層上に直接または１層ないし数層の結晶層
を介して第二導電型の第一クラッド層を形成する工程、
前記第二導電型の第一クラッド層上の電流注入をすべき
部分にストライプ状の非晶質膜を形成する工程、前記非
晶質膜をマスクとして前記第一クラッド層上に前記第一
クラッド層と組成の異なる狭窄層を形成する工程、前記
非晶質膜をエッチング除去し、電流注入領域を形成する
工程、前記電流注入領域上、前記狭窄層上に、第二導電
型の第一クラッド層と共同してクラッド層として作用す
る第二導電型の第二クラッド層を形成する工程、前記第
二導電型の第二クラッド層の一部をエッチング除去し、
前記電流注入領域よりも広い幅にリッジを形成する工
程、前記リッジ側面より前記狭窄層をエッチング除去す
る工程をこの順に含むことを特徴とする半導体レーザ装
置の製造方法。 - 【請求項５】第一導電型半導体基板上に直接または１層
ないし数層の結晶層を介して第一導電型クラッド層を形
成する工程、前記第一導電型クラッド層上に直接または
１層ないし数層の結晶層を介して活性層を形成する工
程、前記活性層上に直接または１層ないし数層の結晶層
を介して第二導電型の第一クラッド層を形成する工程、
前記第二導電型の第一クラッド層上に、前記第二導電型
の第一クラッド層と組成の異なる狭窄層を形成する工
程、前記狭窄層の一部を溝状にエッチングし、電流注入
領域を形成する工程、前記電流注入領域、及び前記狭窄
層上に、第二導電型の第二クラッド層を形成する工程、
前記電流注入領域上に位置する前記第二導電型の第二ク
ラッド層を前記電流注入領域幅より広く残し、他の前記
第２クラッド層部分をエッチング除去し、経小部及び経
大部を有するリッジを形成する工程、前記狭窄層をエッ
チング除去する工程をこの順に含むことを特徴とする半
導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項６】第一導電型半導体基板上に直接または１層
ないし数層の結晶層を介して第一導電型クラッド層を形
成する工程、前記第一導電型クラッド層上に直接または
１層ないし数層の結晶層を介して活性層を形成する工
程、前記活性層上に直接または１層ないし数層の結晶層
を介して第二導電型の第一クラッド層を形成する工程、
前記第二導電型の第一クラッド層上に、前記第二導電型
の第一クラッド層と組成の異なる狭窄層を形成する工
程、前記狭窄層の一部を溝状にエッチングし、電流注入
領域を形成する工程、前記電流注入領域上に、第二導電
型の第一クラッド層と共同してクラッド層として作用す
る第二導電型の第二クラッド層を選択エピタキシャル成
長により、前記狭窄層上にまで展延して形成する工程、
前記第二クラッド層下部の前記狭窄層をエッチング除去
する工程、をこの順に含むことを特徴とする半導体レー
ザ装置の製造方法。 - 【請求項７】第一導電型半導体基板上に直接または１層
ないし数層の結晶層を介して第一導電型クラッド層を形
成する工程、前記第一導電型クラッド層上に直接または
１層ないし数層の結晶層を介して活性層を形成する工
程、前記活性層上に直接または１層ないし数層の結晶層
を介して第二導電型の第一クラッド層を形成する工程、
前記第二導電型の第一クラッド層上の電流を注入すべき
部分に、ストライプ状の非晶質膜を形成する工程、前記
非晶質膜をマスクとして前記第一クラッド層上に前記第
一クラッド層と組成の異なる狭窄層を形成する工程、前
記非晶質膜をエッチング除去し、電流注入領域を形成す
る工程、前記電流注入領域上に、第二導電型の第一クラ
ッド層と共同してクラッド層として作用する第二導電型
の第二クラッド層を選択エピタキシャル成長により、前
記狭窄層上にまで展延して形成する工程、前記第二クラ
ッド層下部の前記狭窄層をエッチング除去する工程、を
この順に含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造
方法。 - 【請求項８】第一導電型半導体基板上に直接または１層
ないし数層の結晶層を介して第一導電型クラッド層を形
成する工程、前記第一導電型クラッド層上に直接または
１層ないし数層の結晶層を介して活性層を形成する工
程、前記活性層上に直接または一層ないし数層の結晶層
を介して第二導電型の光ガイド層を形成する工程、前記
第二導電型の光ガイド層上の電流を注入すべき領域に、
ストライプ状の非晶質膜を形成する工程、非晶質膜をエ
ッチング除去し、電流注入領域を形成する工程、前記電
流注入領域上に、第二導電型クラッド層を選択エピタキ
シャル成長により、前記狭窄層上にまで展延して形成す
る工程、前記第二クラッド層下部の前記狭窄層をエッチ
ング除去する工程、をこの順に含むことを特徴とする半
導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8698096A JPH09283838A (ja) | 1996-04-10 | 1996-04-10 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8698096A JPH09283838A (ja) | 1996-04-10 | 1996-04-10 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283838A true JPH09283838A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=13902029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8698096A Abandoned JPH09283838A (ja) | 1996-04-10 | 1996-04-10 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09283838A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007150137A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Opnext Japan Inc | 短波長半導体レーザ |
| US7477669B2 (en) | 2003-10-24 | 2009-01-13 | Pioneer Corporation | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same |
-
1996
- 1996-04-10 JP JP8698096A patent/JPH09283838A/ja not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7477669B2 (en) | 2003-10-24 | 2009-01-13 | Pioneer Corporation | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same |
| JP2007150137A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Opnext Japan Inc | 短波長半導体レーザ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040220 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
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| A762 | Written abandonment of application |
Effective date: 20040420 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 |