JPS6355233B2 - - Google Patents
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- JPS6355233B2 JPS6355233B2 JP58242810A JP24281083A JPS6355233B2 JP S6355233 B2 JPS6355233 B2 JP S6355233B2 JP 58242810 A JP58242810 A JP 58242810A JP 24281083 A JP24281083 A JP 24281083A JP S6355233 B2 JPS6355233 B2 JP S6355233B2
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- uneven surface
- semiconductor
- semiconductor substrate
- semiconductor layer
- periodic structure
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明の分野
本発明は、周期性構造を有する半導体レーザの
製法に関する。
製法に関する。
本発明の背景
周期性構造を有する半導体レーザとして、従
来、第１図を伴なつて次に述べる構成を有するも
のが提案されている。
来、第１図を伴なつて次に述べる構成を有するも
のが提案されている。
すなわち、表面を回折格子としての例えば4600
Åの周期で周期性を有する凹凸表面２としている
例えばInPでなるｎ型の半導体基板１（キヤリア
密度、例えば５×1018／cm3）を有する。
Åの周期で周期性を有する凹凸表面２としている
例えばInPでなるｎ型の半導体基板１（キヤリア
密度、例えば５×1018／cm3）を有する。
しかして、その半導体基板１上に、例えばGa
×InyAs（ただし、例えば、ｘ＝0.52、ｙ＝0.47）
でなる光ガイド層としてのｎ型の半導体層３（厚
さ、例えば0.2μm、キヤリア密度、例えば７×
1017／cm3）と、例えばGa×InyAszPw（ただし、例
えばｘ＝0.42、ｙ＝0.48、Ｚ＝0.88、Ｗ＝0.12）
でなる活性層としての半導体層４（厚さ、例えば
0.13μm、不純物は導入せず）と、例えばInPでな
るクラツド層としてのｐ型の半導体層５（厚さ、
例えば0.25μm、キヤリア密度、例えば４×1017／
cm3）と、例えばGa×ASzPw（ただし、例えば、ｘ
＝0.26、ｙ＝0.47、ｚ＝0.56、ｗ＝0.44）でなる
電極付用層としてのｐ型の半導体層６（厚さ、例
えば0.7μm、キヤリア密度、例えば１×1018／cm3）
とが、それらの順に順次、積層して形成されてい
る。
×InyAs（ただし、例えば、ｘ＝0.52、ｙ＝0.47）
でなる光ガイド層としてのｎ型の半導体層３（厚
さ、例えば0.2μm、キヤリア密度、例えば７×
1017／cm3）と、例えばGa×InyAszPw（ただし、例
えばｘ＝0.42、ｙ＝0.48、Ｚ＝0.88、Ｗ＝0.12）
でなる活性層としての半導体層４（厚さ、例えば
0.13μm、不純物は導入せず）と、例えばInPでな
るクラツド層としてのｐ型の半導体層５（厚さ、
例えば0.25μm、キヤリア密度、例えば４×1017／
cm3）と、例えばGa×ASzPw（ただし、例えば、ｘ
＝0.26、ｙ＝0.47、ｚ＝0.56、ｗ＝0.44）でなる
電極付用層としてのｐ型の半導体層６（厚さ、例
えば0.7μm、キヤリア密度、例えば１×1018／cm3）
とが、それらの順に順次、積層して形成されてい
る。
また、半導体基板１の半導体層３側とは反対側
の面上に電極７が付され、また、半導体層６上に
電極８が付されている。
の面上に電極７が付され、また、半導体層６上に
電極８が付されている。
以上が従来提案されている半導体レーザの構成
である。
である。
このような構成を有する半導体レーザによれ
ば、詳細説明は省略するが、電極７及び８間に所
要のバイアス電源を接続して動作させることによ
つて、レーザ発振が得られ、そのレーザ光（波
長、例えば1.5μm）を外部に出射して得ることが
できる。
ば、詳細説明は省略するが、電極７及び８間に所
要のバイアス電源を接続して動作させることによ
つて、レーザ発振が得られ、そのレーザ光（波
長、例えば1.5μm）を外部に出射して得ることが
できる。
この場合、光ガイド層としての半導体層３の厚
さが、半導体基板１の凹凸表面２の凹凸の周期性
に応じた周期性を有していることによつて、内部
に周期性構造を有しているので、レーザ発振及び
それにもとづくレーザ光が、高速変調時でも、単
一縦モードで、安定に得られる。
さが、半導体基板１の凹凸表面２の凹凸の周期性
に応じた周期性を有していることによつて、内部
に周期性構造を有しているので、レーザ発振及び
それにもとづくレーザ光が、高速変調時でも、単
一縦モードで、安定に得られる。
従つて、第１図に示す従来の半導体レーザは、
光フアイバを用いた光通信用光源に用いて好適で
ある、という特徴を有する。
光フアイバを用いた光通信用光源に用いて好適で
ある、という特徴を有する。
ところで、このような特徴を有する周期性構造
を有する半導体レーザの製法として、従来第２図
を伴なつて次に述べる製法が提案されている。な
お、第２図において、第１図との対応部分には同
一符号を付し詳細説明を省略する。
を有する半導体レーザの製法として、従来第２図
を伴なつて次に述べる製法が提案されている。な
お、第２図において、第１図との対応部分には同
一符号を付し詳細説明を省略する。
すなわち、半導体基板１を予め用意する（第２
図Ａ）。
図Ａ）。
しかして、その半導体基板１の表面を、高低差
が例えば1500Åを有する凹凸表面２に形成する
（第２図Ｂ）。
が例えば1500Åを有する凹凸表面２に形成する
（第２図Ｂ）。
次に、半導体基板１の凹凸表面２上に、液相エ
ピタキシヤル成長法によつて、半導体層３，４，
５及び６を、それらの順に、順次積層して形成す
る（第２図Ｃ）。
ピタキシヤル成長法によつて、半導体層３，４，
５及び６を、それらの順に、順次積層して形成す
る（第２図Ｃ）。
次に、半導体基板１の半導体層３側とは反対側
の面上及び半導体層６上に、それぞれ電極７及び
８を形成する（第２図Ｄ）。
の面上及び半導体層６上に、それぞれ電極７及び
８を形成する（第２図Ｄ）。
以上のようにして、第１図に示す周期性構造を
有する半導体レーザを製造する。
有する半導体レーザを製造する。
以上が、従来提案されている周期性構造を有す
る半導体レーザの製法である。
る半導体レーザの製法である。
このような周期性構造を有する半導体レーザの
製法によれば、半導体基板１の表面を、凹凸表面
２に形成する工程と、その半導体基板１の凹凸表
面２上に、液相エピタキシヤル成長法によつて所
要の半導体層３，４，５及び６を形成する工程を
とるという極めて簡単な工程で、第１図に示す周
期性構造を有する半導体レーザを製造することが
できる。
製法によれば、半導体基板１の表面を、凹凸表面
２に形成する工程と、その半導体基板１の凹凸表
面２上に、液相エピタキシヤル成長法によつて所
要の半導体層３，４，５及び６を形成する工程を
とるという極めて簡単な工程で、第１図に示す周
期性構造を有する半導体レーザを製造することが
できる。
ところで、第２図に示す従来の周期性構造を有
する半導体レーザの製法において、液相エピタキ
シヤル成長法によつて半導体基板１の凹凸表面２
上に形成される半導体層４，５，６及び７は、表
面を凹凸表面２に形成している半導体基板１を炉
内に配し、そして、その半導体基板１に対する加
熱を開始させると共に、予め炉内に配されている
半導体層４〜７を形成するための半導体材料の加
熱を開始してその融液を得、次でその融液の温度
を徐々に低下させ、その過程で半導体基板１の凹
凸表面２上に半導体融液を接触させる、という方
法によつて、形成される。
する半導体レーザの製法において、液相エピタキ
シヤル成長法によつて半導体基板１の凹凸表面２
上に形成される半導体層４，５，６及び７は、表
面を凹凸表面２に形成している半導体基板１を炉
内に配し、そして、その半導体基板１に対する加
熱を開始させると共に、予め炉内に配されている
半導体層４〜７を形成するための半導体材料の加
熱を開始してその融液を得、次でその融液の温度
を徐々に低下させ、その過程で半導体基板１の凹
凸表面２上に半導体融液を接触させる、という方
法によつて、形成される。
このため、液相エピタキシヤル成長法によつて
半導体基板１の凹凸表面２上に半導体層４〜７を
形成するまでの間において、半導体基板１上に、
その凹凸表面２に変形を生じさせる高い温度（例
えば450℃）が与えられ、よつて、半導体基板１
の凹凸表面２上に半導体層４〜６が形成された状
態において、第２図Ｄに示すように、半導体基板
１上に形成された凹凸表面２が、第１図Ａに示す
当初の高低差（例えば1500Å）よりも格段的に小
さな高低差（例えば500Å）しか有しないものに
変形する。
半導体基板１の凹凸表面２上に半導体層４〜７を
形成するまでの間において、半導体基板１上に、
その凹凸表面２に変形を生じさせる高い温度（例
えば450℃）が与えられ、よつて、半導体基板１
の凹凸表面２上に半導体層４〜６が形成された状
態において、第２図Ｄに示すように、半導体基板
１上に形成された凹凸表面２が、第１図Ａに示す
当初の高低差（例えば1500Å）よりも格段的に小
さな高低差（例えば500Å）しか有しないものに
変形する。
従つて、第２図に示す従来の周期性構造を有す
る半導体レーザの製法の場合、周期性構造を有す
る半導体レーザが、周期構造を有していることに
よる特徴を十分発揮しないものとして得られる、
という欠点を有していた。
る半導体レーザの製法の場合、周期性構造を有す
る半導体レーザが、周期構造を有していることに
よる特徴を十分発揮しないものとして得られる、
という欠点を有していた。
本発明の開示
よつて、本発明は、上述した従来の周期性構造
を有する半導体レーザの製法の欠点ない、新規な
周期性構造を有する半導体レーザを提案せんとす
るものである。
を有する半導体レーザの製法の欠点ない、新規な
周期性構造を有する半導体レーザを提案せんとす
るものである。
本発明による周期性構造を有する半導体レーザ
の製法によれば、半導体基板の表面を、回折格子
としての周期性を有する凹凸表面に形成する工程
と、その半導体基板の凹凸表面上に、その凹凸表
面に変形を与えない温度以下の温度で、半導体基
板とは異なる半導体材料でなる保護用半導体層を
形成する工程と、その半導体基板の凹凸表面上に
形成されている保護用半導体層を、メルトバツク
によつて、凹凸表面上から除去して、凹凸表面表
面を露呈させ、その凹凸表面上に、液相エピタキ
シヤル成長法によつて、所要の半導体層を形成す
る工程とを含んで、目的とする周期性構造を有す
る半導体レーザを製造する。
の製法によれば、半導体基板の表面を、回折格子
としての周期性を有する凹凸表面に形成する工程
と、その半導体基板の凹凸表面上に、その凹凸表
面に変形を与えない温度以下の温度で、半導体基
板とは異なる半導体材料でなる保護用半導体層を
形成する工程と、その半導体基板の凹凸表面上に
形成されている保護用半導体層を、メルトバツク
によつて、凹凸表面上から除去して、凹凸表面表
面を露呈させ、その凹凸表面上に、液相エピタキ
シヤル成長法によつて、所要の半導体層を形成す
る工程とを含んで、目的とする周期性構造を有す
る半導体レーザを製造する。
このため、本発明による周期性構造を有する半
導体レーザによれば、周期性構造を有する半導体
レーザを、その半導体基板の凹凸表面、当初の凹
凸表面から実質的に変形されていないものとし
て、製造することができる。
導体レーザによれば、周期性構造を有する半導体
レーザを、その半導体基板の凹凸表面、当初の凹
凸表面から実質的に変形されていないものとし
て、製造することができる。
その理由は、半導体基板の凹凸表面上に保護用
半導体層を形成する工程において、その保護用半
導体層が、凹凸表面に変形を与えない温度以下の
温度で形成されるので、凹凸表面に変形が与えら
れない。また、半導体基板の凹凸表面上に形成さ
れた保護用半導体層をメルトバツクによつて、凹
凸表面上から除去するときに、半導体基板に、半
導体層を液相エピタキシヤル成長法によつて形成
するための融液が得られるに十分な高い温度が与
えられても、凹凸表面が露呈するまでの間、凹凸
表面が保護用半導体層によつて埋込まれているの
で、このときの温度によつて凹凸表面に変形が与
えられない。さらに、凹凸表面が露呈して後、直
ちに、その凹凸表面上に、液相エピタキシヤル成
長法によつて、半導体層を形成することができる
ので、凹凸表面を露呈させて、その凹凸表面上
に、液相エピタキシヤル成長法によつて半導体層
を形成するまでの間において、凹凸表面に殆んど
変形が与えられないか、与えられるとも僅かな変
形しか与えられない。また、凹凸表面を露呈させ
て後、その凹凸表面上に液相エピタキシヤル成長
法によつて半導体層を形成するとき、凹凸表面が
半導体層によつて埋込まれるので、このときの温
度によつて、凹凸表面に変形が与えられない。
半導体層を形成する工程において、その保護用半
導体層が、凹凸表面に変形を与えない温度以下の
温度で形成されるので、凹凸表面に変形が与えら
れない。また、半導体基板の凹凸表面上に形成さ
れた保護用半導体層をメルトバツクによつて、凹
凸表面上から除去するときに、半導体基板に、半
導体層を液相エピタキシヤル成長法によつて形成
するための融液が得られるに十分な高い温度が与
えられても、凹凸表面が露呈するまでの間、凹凸
表面が保護用半導体層によつて埋込まれているの
で、このときの温度によつて凹凸表面に変形が与
えられない。さらに、凹凸表面が露呈して後、直
ちに、その凹凸表面上に、液相エピタキシヤル成
長法によつて、半導体層を形成することができる
ので、凹凸表面を露呈させて、その凹凸表面上
に、液相エピタキシヤル成長法によつて半導体層
を形成するまでの間において、凹凸表面に殆んど
変形が与えられないか、与えられるとも僅かな変
形しか与えられない。また、凹凸表面を露呈させ
て後、その凹凸表面上に液相エピタキシヤル成長
法によつて半導体層を形成するとき、凹凸表面が
半導体層によつて埋込まれるので、このときの温
度によつて、凹凸表面に変形が与えられない。
以上が、本発明による周期性構造を有する半導
体レーザの製法による場合、その半導体基板の凹
凸表面が当初の凹凸表面から変形されていないも
のとして、製造することができる理由である。
体レーザの製法による場合、その半導体基板の凹
凸表面が当初の凹凸表面から変形されていないも
のとして、製造することができる理由である。
従つて、本発明による周期性構造を有する半導
体レーザの製法によれば、周期性構造を有するこ
との特徴を十分発揮する周期性構造を有する半導
体レーザを、容易に製造することができる、とい
う特徴を有する。
体レーザの製法によれば、周期性構造を有するこ
との特徴を十分発揮する周期性構造を有する半導
体レーザを、容易に製造することができる、とい
う特徴を有する。
本発明の好適な実施例
第３図は、本発明による周期性構造を有する半
導体レーザの製法の実施例を示し、次に述べる順
次の工程をとつて、周期性構造を有する半導体レ
ーザを製造する。なお、第３図において、第１図
及び第２図との対応部分には同一符号を付し詳細
説明を省略する。
導体レーザの製法の実施例を示し、次に述べる順
次の工程をとつて、周期性構造を有する半導体レ
ーザを製造する。なお、第３図において、第１図
及び第２図との対応部分には同一符号を付し詳細
説明を省略する。
すなわち、第２図Ａの場合と同様に、半導体基
板１を予め用意する（第３図Ａ）。
板１を予め用意する（第３図Ａ）。
しかして、その半導体基板１の表面を、第２図
Ｂの場合と同様に凹凸表面２に形成する（第３図
Ｂ）。
Ｂの場合と同様に凹凸表面２に形成する（第３図
Ｂ）。
次に、半導体基板１の凹凸表面２上に、その凹
凸表面２に変形を与えない温度（例えば450℃）
以下の温度（例えば400℃）で、半導体基板１と
は異なる半導体材料例えばGa×InyAs（ただし、
例えばｘ＝0.53、ｙ＝0.47）でなる保護用半導体
層３０（不純物は導入せず）を、それ自体は公知
の例えば分子線エピタキシヤル成長法、気相エピ
タキシヤル成長法、液相エピタキシヤル成長法、
などによつて、例えば0.5μmの厚さに形成する
（第３図Ｃ）。
凸表面２に変形を与えない温度（例えば450℃）
以下の温度（例えば400℃）で、半導体基板１と
は異なる半導体材料例えばGa×InyAs（ただし、
例えばｘ＝0.53、ｙ＝0.47）でなる保護用半導体
層３０（不純物は導入せず）を、それ自体は公知
の例えば分子線エピタキシヤル成長法、気相エピ
タキシヤル成長法、液相エピタキシヤル成長法、
などによつて、例えば0.5μmの厚さに形成する
（第３図Ｃ）。
次に、半導体基板１の凹凸表面２上に形成され
ている保護用半導体層３０を、例えば燐（Ｐ）が
未飽和なGaInAsP4元素でなる半導体融液（温
度、例えば593℃）を用いた、メルトバツグ（時
間、例えば10秒）によつて、凹凸表面２上から除
去して、凹凸表面２を露呈させ、次で直ちに、そ
の凹凸表面２上に、第２図Ｃの場合と同様に、液
相エピタキシヤル成長法によつて、半導体層３，
４，５及び６を、それらの順に、順次積層して形
成する（第３図Ｄ）。なお、半導体基板１の凹凸
表面２上に保護用半導体層３０を形成して後、そ
の保護用半導体層３０を、メルトバツクするまで
の間には、半導体基板１１に、その凹凸表面２が
変形する温度以上の温度を与えないように注意し
なければならない。
ている保護用半導体層３０を、例えば燐（Ｐ）が
未飽和なGaInAsP4元素でなる半導体融液（温
度、例えば593℃）を用いた、メルトバツグ（時
間、例えば10秒）によつて、凹凸表面２上から除
去して、凹凸表面２を露呈させ、次で直ちに、そ
の凹凸表面２上に、第２図Ｃの場合と同様に、液
相エピタキシヤル成長法によつて、半導体層３，
４，５及び６を、それらの順に、順次積層して形
成する（第３図Ｄ）。なお、半導体基板１の凹凸
表面２上に保護用半導体層３０を形成して後、そ
の保護用半導体層３０を、メルトバツクするまで
の間には、半導体基板１１に、その凹凸表面２が
変形する温度以上の温度を与えないように注意し
なければならない。
次に、半導体基板１の半導体層３側とは反対側
の面上及び半導体層６上に、第２図Ｄの場合と同
様に、それぞれ電極７及び８を形成する（第３図
Ｅ）。
の面上及び半導体層６上に、第２図Ｄの場合と同
様に、それぞれ電極７及び８を形成する（第３図
Ｅ）。
以上のようにして、第１図に示す周期性構造を
有する半導体レーザを製造する。
有する半導体レーザを製造する。
以上が、本発明による周期性構造を有する半導
体レーザの製法の実施例である。
体レーザの製法の実施例である。
このような周期性構造を有する半導体レーザの
製法によれば、半導体基板１の表面を凹凸表面２
に形成する工程と、半導体基板１の凹凸表面２上
に保護用半導体層３０を形成する工程と、半導体
基板１の凹凸表面２上に形成されている保護用半
導体層３０を、メルトバツクによつて除去し、そ
れによつて露呈した凹凸表面２上に、液相エピタ
キシヤル成長法によつて、所要の半導体層３〜６
を形成する工程をとるという極めて簡単な工程
で、第１図に示す周期性構造を有する半導体レー
ザを製造することができる。
製法によれば、半導体基板１の表面を凹凸表面２
に形成する工程と、半導体基板１の凹凸表面２上
に保護用半導体層３０を形成する工程と、半導体
基板１の凹凸表面２上に形成されている保護用半
導体層３０を、メルトバツクによつて除去し、そ
れによつて露呈した凹凸表面２上に、液相エピタ
キシヤル成長法によつて、所要の半導体層３〜６
を形成する工程をとるという極めて簡単な工程
で、第１図に示す周期性構造を有する半導体レー
ザを製造することができる。
ところで、この場合、半導体基板１の凹凸表面
２上に保護用半導体層３０を形成する工程におい
て、その保護用半導体層３０が、半導体基板１の
凹凸表面２に変形を与えない温度以下の温度で形
成されるので、半導体基板１の凹凸表面２に変形
が与えられない。
２上に保護用半導体層３０を形成する工程におい
て、その保護用半導体層３０が、半導体基板１の
凹凸表面２に変形を与えない温度以下の温度で形
成されるので、半導体基板１の凹凸表面２に変形
が与えられない。
また、半導体基板１の凹凸表面２上に形成され
た保護用半導体層３０をメルトバツクによつて、
凹凸表面２上から除去するときに、半導体基板１
に、半導体層３〜６を液相エピタキシヤル成長法
によつて形成するための融液が得られるに十分な
高い温度が与えられても、凹凸表面２が露呈する
までの間、凹凸表面２が保護用半導体層３０によ
つて埋込まれているので、このときの温度によつ
て凹凸表面２に変形が与えられない。また、半導
体基板１の凹凸表面２上に形成されている保護用
半導体層３０を、メルトバツクによつて、凹凸表
面２から除去するときに用いた同じ炉内で、半導
体基板１の凹凸表面２が露呈して後、直ちに凹凸
表面２上に、液相エピタキシヤル成長法によつて
半導体層３〜６を形成するこどかできるので、凹
凸表面２を露呈させて、その凹凸表面２上に、液
相エピタキシヤル成長法によつて半導体層３〜６
を形成するまでの間において、凹凸表面２に殆ん
ど変形が与えられないか、与えられるとしても僅
かな変形しか与えられない。また、凹凸表面２を
露呈して後、その凹凸表面２上に液相エピタキシ
ヤル成長法によつて半導体層３〜６を形成すると
き、凹凸表面２が半導体層３〜６によつて埋込ま
れるので、このときの温度によつて、凹凸表面２
に変形が与えられない。
た保護用半導体層３０をメルトバツクによつて、
凹凸表面２上から除去するときに、半導体基板１
に、半導体層３〜６を液相エピタキシヤル成長法
によつて形成するための融液が得られるに十分な
高い温度が与えられても、凹凸表面２が露呈する
までの間、凹凸表面２が保護用半導体層３０によ
つて埋込まれているので、このときの温度によつ
て凹凸表面２に変形が与えられない。また、半導
体基板１の凹凸表面２上に形成されている保護用
半導体層３０を、メルトバツクによつて、凹凸表
面２から除去するときに用いた同じ炉内で、半導
体基板１の凹凸表面２が露呈して後、直ちに凹凸
表面２上に、液相エピタキシヤル成長法によつて
半導体層３〜６を形成するこどかできるので、凹
凸表面２を露呈させて、その凹凸表面２上に、液
相エピタキシヤル成長法によつて半導体層３〜６
を形成するまでの間において、凹凸表面２に殆ん
ど変形が与えられないか、与えられるとしても僅
かな変形しか与えられない。また、凹凸表面２を
露呈して後、その凹凸表面２上に液相エピタキシ
ヤル成長法によつて半導体層３〜６を形成すると
き、凹凸表面２が半導体層３〜６によつて埋込ま
れるので、このときの温度によつて、凹凸表面２
に変形が与えられない。
従つて、第３図に示す本発明による周期性構造
を有する半導体レーザの製法によれば、全工程を
通じて、半導体基板１の凹凸表面に変形を与えな
い。
を有する半導体レーザの製法によれば、全工程を
通じて、半導体基板１の凹凸表面に変形を与えな
い。
よつて、第３図に示す本発明による周期性構造
を有する半導体レーザの製法によれば、周期性構
造を有する半導体レーザを、それが周期性構造を
有することの特徴を十分発揮するものとして、容
易に製造することができる、という大なる特徴を
有する。
を有する半導体レーザの製法によれば、周期性構
造を有する半導体レーザを、それが周期性構造を
有することの特徴を十分発揮するものとして、容
易に製造することができる、という大なる特徴を
有する。
なお、上述においては、本発明による周期性構
造を有する半導体レーザの製法の１つの実施例を
示したに留まり、例えば保護用半導体層３０を、
GaAsIn3元素系でなるものとして形成すること
もでき、また、上述したｐ型をｎ型、ｎ型をｐ型
と読み替えた製法とすることもでき、本発明の精
神を脱することなしに種々の変形、変更をなし得
るであろう。
造を有する半導体レーザの製法の１つの実施例を
示したに留まり、例えば保護用半導体層３０を、
GaAsIn3元素系でなるものとして形成すること
もでき、また、上述したｐ型をｎ型、ｎ型をｐ型
と読み替えた製法とすることもでき、本発明の精
神を脱することなしに種々の変形、変更をなし得
るであろう。
第１図は、周期性構造を有する半導体レーザの
一例を示す略線的断面図である。第２図Ａ〜Ｄ
は、従来の周期性構造を有する半導体レーザの製
法を示す順次の工程における略線的断面図であ
る。第３図Ａ〜Ｅは、本発明による周期性構造を
有する半導体レーザの製法の実施例を示す順次の
工程における略線的断面図である。 １……半導体基板、２……凹凸表面、３，４，
５，６……半導体層、７，８……電極、３０……
保護用半導体層。
一例を示す略線的断面図である。第２図Ａ〜Ｄ
は、従来の周期性構造を有する半導体レーザの製
法を示す順次の工程における略線的断面図であ
る。第３図Ａ〜Ｅは、本発明による周期性構造を
有する半導体レーザの製法の実施例を示す順次の
工程における略線的断面図である。 １……半導体基板、２……凹凸表面、３，４，
５，６……半導体層、７，８……電極、３０……
保護用半導体層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板の表面を、回折格子としての周期
性を有する凹凸表面に形成する工程と、 上記半導体基板の凹凸表面上に、その凹凸表面
に変形を与えない温度以下の温度で、上記半導体
基板とは異なる半導体材料でなる保護用半導体層
を形成する工程と、 上記半導体基板の凹凸表面に形成されている保
護用半導体層を、メルトバツクによつて、上記凹
凸表面上から除去して、上記凹凸表面を露呈さ
せ、その凹凸表面上に、液相エピタキシヤル成長
法によつて、所要の半導体層を形成する工程とを
含むことを特徴とする周期性構造を有する半導体
レーザの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58242810A JPS60134490A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 周期性構造を有する半導体レ−ザの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58242810A JPS60134490A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 周期性構造を有する半導体レ−ザの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60134490A JPS60134490A (ja) | 1985-07-17 |
| JPS6355233B2 true JPS6355233B2 (ja) | 1988-11-01 |
Family
ID=17094620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58242810A Granted JPS60134490A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 周期性構造を有する半導体レ−ザの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60134490A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0652037U (ja) * | 1992-12-11 | 1994-07-15 | 株式会社金星社 | 誤挿入防止装置 |
-
1983
- 1983-12-22 JP JP58242810A patent/JPS60134490A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0652037U (ja) * | 1992-12-11 | 1994-07-15 | 株式会社金星社 | 誤挿入防止装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60134490A (ja) | 1985-07-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |