JPH0517880Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0517880Y2 JPH0517880Y2 JP1985088424U JP8842485U JPH0517880Y2 JP H0517880 Y2 JPH0517880 Y2 JP H0517880Y2 JP 1985088424 U JP1985088424 U JP 1985088424U JP 8842485 U JP8842485 U JP 8842485U JP H0517880 Y2 JPH0517880 Y2 JP H0517880Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- sample
- reaction processing
- plasma
- mounting table
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本考案は半導体ウエハーのエツチング、ウエハ
ー表面に形成した有機膜の除去等に用いるプラズ
マ反応処理装置に関する。
ー表面に形成した有機膜の除去等に用いるプラズ
マ反応処理装置に関する。
(従来の技術)
半導体集積回路の製造工程にあつては、シリコ
ンウエーハ等の基板(試料)を選択的にエツチン
グしたり、あるいはまたこの選択的エツチングの
際のマスク材料としてウエハー表面を覆つていた
有機膜(レジスト)を除去する装置として、プラ
ズマを利用した反応処理装置が従来から使用され
ている。
ンウエーハ等の基板(試料)を選択的にエツチン
グしたり、あるいはまたこの選択的エツチングの
際のマスク材料としてウエハー表面を覆つていた
有機膜(レジスト)を除去する装置として、プラ
ズマを利用した反応処理装置が従来から使用され
ている。
斯るプラズマ反応処理装置としては、多数の試
料を同時に処理するバツチ式及び試料を1枚毎処
理する枚葉処理式とがあるが、バツチ式によると
多数の試料を同時に処理するため、プラズマが各
試料に均一に作用しない。したがつてプラズマ反
応も不均一となるから近年の半導体集積回路の微
細化のためには枚葉処理式の反応処理装置が主流
となりつつある。
料を同時に処理するバツチ式及び試料を1枚毎処
理する枚葉処理式とがあるが、バツチ式によると
多数の試料を同時に処理するため、プラズマが各
試料に均一に作用しない。したがつてプラズマ反
応も不均一となるから近年の半導体集積回路の微
細化のためには枚葉処理式の反応処理装置が主流
となりつつある。
枚葉処理式のプラズマ反応処理装置の一般的な
構造は、釣鐘状チヤンバーに一対の電極を配設
し、試料を1枚入れてからこれら電極に減圧下高
周波電力を印加することでチヤンバー内にプラズ
マを発生させるようにしたものである。
構造は、釣鐘状チヤンバーに一対の電極を配設
し、試料を1枚入れてからこれら電極に減圧下高
周波電力を印加することでチヤンバー内にプラズ
マを発生させるようにしたものである。
しかしながら上述した従来の反応処理装置で
は、試料は直接プラズマ中にさらされて各種処理
が施されるためにプラズマ中のイオンや荷電粒子
等により試料がダメージを受けやすいという問題
がある。
は、試料は直接プラズマ中にさらされて各種処理
が施されるためにプラズマ中のイオンや荷電粒子
等により試料がダメージを受けやすいという問題
がある。
そこで、特公昭54−32740号として、チヤンバ
ー内に内部電極を配設するとともに、チヤンバー
内を多孔を有する金属板によつて、プラズマ発生
室と反応処理室に区分けしたものが提案されてい
る。
ー内に内部電極を配設するとともに、チヤンバー
内を多孔を有する金属板によつて、プラズマ発生
室と反応処理室に区分けしたものが提案されてい
る。
(考案が解決しようとする問題点)
上記したように、チヤンバー内をプラズマ発生
室と反応処理室とに区画すれば、プラズマ発生室
で発生したイオンや荷電粒子等の電荷を有するも
のは金属板に収集されるために、試料に対するダ
メージの少ない処理を行うことができるものであ
るが、外部電極及び内部電極とも円筒状チヤンバ
ーの形状に倣つた湾曲状をなしているため、発生
するプラズマの強度がチヤンバー内において不均
一となり、結果として試料の処理にも部分的、つ
まり周囲と中央部とではバラツキが生じるという
欠点があつた。
室と反応処理室とに区画すれば、プラズマ発生室
で発生したイオンや荷電粒子等の電荷を有するも
のは金属板に収集されるために、試料に対するダ
メージの少ない処理を行うことができるものであ
るが、外部電極及び内部電極とも円筒状チヤンバ
ーの形状に倣つた湾曲状をなしているため、発生
するプラズマの強度がチヤンバー内において不均
一となり、結果として試料の処理にも部分的、つ
まり周囲と中央部とではバラツキが生じるという
欠点があつた。
(問題点を解決するための手段)
上記問題点を解決すべく本考案は、処理チヤン
バー外側に外部電極を配置するとともに、処理チ
ヤンバー内を多数の小孔を形成した内部電極によ
つてプラズマ発生室と反応処理室とに区画し、反
応処理室には試料を一枚づつ処理するための試料
載置台を臨ませ、更に前記外部電極、内部電極及
び試料載置台上面が全て平行関係を維持するよう
にした。
バー外側に外部電極を配置するとともに、処理チ
ヤンバー内を多数の小孔を形成した内部電極によ
つてプラズマ発生室と反応処理室とに区画し、反
応処理室には試料を一枚づつ処理するための試料
載置台を臨ませ、更に前記外部電極、内部電極及
び試料載置台上面が全て平行関係を維持するよう
にした。
(実施例)
以下に本考案の一実施例を添附図面に基づいて
説明する。
説明する。
第1図は本考案に係るプラズマ反応処理装置の
正面図、第2図は同プラズマ反応処理装置の断面
図であり、プラズマ反応処理装置1はアルミニウ
ム合金からなり、上半部を絞つた筒状本体2の上
部を板状の石英ガラス3にて閉塞し、この石英ガ
ラス3の上面に高周波発振器4に接続される薄板
金属製外部電極5を設けている。
正面図、第2図は同プラズマ反応処理装置の断面
図であり、プラズマ反応処理装置1はアルミニウ
ム合金からなり、上半部を絞つた筒状本体2の上
部を板状の石英ガラス3にて閉塞し、この石英ガ
ラス3の上面に高周波発振器4に接続される薄板
金属製外部電極5を設けている。
また、本体2の底部は底板6で閉塞され、前記
本体2、石英ガラス3及び底板6にてチヤンバー
7が形成される。
本体2、石英ガラス3及び底板6にてチヤンバー
7が形成される。
そして、前記本体2の中間部には外部電極5と
対峠する内部電極8が設けられ、この内部電極8
は外部電極と同様に薄板金属からなり、全面に亘
つて多数の小孔9……が形成され、この内部電極
8によつてチヤンバー7内を上部のプラズマ発生
室S1及び下部の反応処理室S2とに分離している。
プラズマ発生室S1を形成する本体2の側壁には内
部を監視するための窓10及び反応ガス導入口1
1を形成し、反応処理室S2を形成する本体2の側
壁には内部を監視するための窓12を形成し、更
に底板6にはチヤンバー7内のガスを外部へ排出
するためのガス排出口13を形成している。
対峠する内部電極8が設けられ、この内部電極8
は外部電極と同様に薄板金属からなり、全面に亘
つて多数の小孔9……が形成され、この内部電極
8によつてチヤンバー7内を上部のプラズマ発生
室S1及び下部の反応処理室S2とに分離している。
プラズマ発生室S1を形成する本体2の側壁には内
部を監視するための窓10及び反応ガス導入口1
1を形成し、反応処理室S2を形成する本体2の側
壁には内部を監視するための窓12を形成し、更
に底板6にはチヤンバー7内のガスを外部へ排出
するためのガス排出口13を形成している。
また、底板6の中央には大径の孔14が形成さ
れ、この孔14に下方から試料Wを載置するため
の試料載置台15が挿入されている。この試料載
置台15は孔14に対し気密に嵌合するとともに
孔14内周に沿つて上下摺動可能となつており、
更に試料載置台15の平担状上面と前記外部電極
5及び内部電極8は互に平行となつている。
れ、この孔14に下方から試料Wを載置するため
の試料載置台15が挿入されている。この試料載
置台15は孔14に対し気密に嵌合するとともに
孔14内周に沿つて上下摺動可能となつており、
更に試料載置台15の平担状上面と前記外部電極
5及び内部電極8は互に平行となつている。
第3図は別実施例の断面図であり、この実施例
にあつては、本体20を合成石英によつて構成
し、この本体20の外側上面に高周波発振器4に
接続される薄板金属製の外部電極5を、本体20
内の中間位置に本体20と底板6によつて形成さ
れるチヤンバー7をプラズマ発生室S1と反応処理
室S2に分け全面に亘つて多数の小孔9を有する薄
板金属製の内部電極8を設け、更に底板6には上
下摺動可能に試料載置台15を気密に嵌合し、更
に試料載置台15上面、外部電極5及び内部電極
8が互いに平行となるようにしている。
にあつては、本体20を合成石英によつて構成
し、この本体20の外側上面に高周波発振器4に
接続される薄板金属製の外部電極5を、本体20
内の中間位置に本体20と底板6によつて形成さ
れるチヤンバー7をプラズマ発生室S1と反応処理
室S2に分け全面に亘つて多数の小孔9を有する薄
板金属製の内部電極8を設け、更に底板6には上
下摺動可能に試料載置台15を気密に嵌合し、更
に試料載置台15上面、外部電極5及び内部電極
8が互いに平行となるようにしている。
以上の如き構成からなるプラズマ反応処理装置
を用いて、試料載置台上の試料Wにエツチング、
有機膜の除去或いはクリーニング等の処理を行う
には、先ず試料載置台15上面に1枚の試料Wを
載せ、次いで試料載置台15を下方に引き下げ、
底板6よりも試料載置台15を下方位置とした状
態で、試料載置台15を底板6に形成した孔14
内を摺動させ、試料Wを反応処理室S2内に臨ませ
る。
を用いて、試料載置台上の試料Wにエツチング、
有機膜の除去或いはクリーニング等の処理を行う
には、先ず試料載置台15上面に1枚の試料Wを
載せ、次いで試料載置台15を下方に引き下げ、
底板6よりも試料載置台15を下方位置とした状
態で、試料載置台15を底板6に形成した孔14
内を摺動させ、試料Wを反応処理室S2内に臨ませ
る。
この後、排出口13を介してチヤンバー7内を
所定の圧力まで減圧するとともに導入口11を介
してチヤンバー7内に反応ガスを導入し、外部電
極5に高周波電力を印加することでプラズマ発生
室S1内にプラズマを発生せしめる。
所定の圧力まで減圧するとともに導入口11を介
してチヤンバー7内に反応ガスを導入し、外部電
極5に高周波電力を印加することでプラズマ発生
室S1内にプラズマを発生せしめる。
すると、プラズマ発生室S1内にて発生したラジ
カル(反応にあずかる有効成分)は内部電極8の
小孔9……を通つて試料Wの表面に到達するが、
試料にダメージを与えるイオンや荷電粒子等の電
荷を有するものは内部電極8に収集される。
カル(反応にあずかる有効成分)は内部電極8の
小孔9……を通つて試料Wの表面に到達するが、
試料にダメージを与えるイオンや荷電粒子等の電
荷を有するものは内部電極8に収集される。
そして、所定時間処理したならばチヤンバー内
の減圧を解除し、試料載置台15を引き下げて試
料Wを取り出す。
の減圧を解除し、試料載置台15を引き下げて試
料Wを取り出す。
(考案の効果)
以上に説明した如く本考案によれば、プラズマ
反応処理装置のチヤンバー内を多数の小孔を形成
した内部電極によつてプラズマ発生室と反応処理
室とに分離したため、試料にダメージを与える有
害成分が試料に到達するまでにほとんど除去せし
められ、ラジカルのみを試料に到達せしめること
ができ、各種処理を迅速且つ精度よく行うことが
できる。また外部電極、内部電極及び試料載置台
上面をそれぞれ平行としたため、試料に対するプ
ラズマの強度を均一にでき、試料を均一性高く処
理することができる。
反応処理装置のチヤンバー内を多数の小孔を形成
した内部電極によつてプラズマ発生室と反応処理
室とに分離したため、試料にダメージを与える有
害成分が試料に到達するまでにほとんど除去せし
められ、ラジカルのみを試料に到達せしめること
ができ、各種処理を迅速且つ精度よく行うことが
できる。また外部電極、内部電極及び試料載置台
上面をそれぞれ平行としたため、試料に対するプ
ラズマの強度を均一にでき、試料を均一性高く処
理することができる。
第1図は本考案に係る一実施例であるプラズマ
反応処理装置の正面図、第2図は同プラズマ反応
処理装置の断面図、第3図は別実施例に係るプラ
ズマ反応処理装置の断面図である。 尚、図面中1はプラズマ反応処理装置、2,2
0は本体、5は外部電極、7はチヤンバー、8は
内部電極、9は小孔、15は試料載置台、S1はプ
ラズマ発生室、S2は反応処理室、Wは試料であ
る。
反応処理装置の正面図、第2図は同プラズマ反応
処理装置の断面図、第3図は別実施例に係るプラ
ズマ反応処理装置の断面図である。 尚、図面中1はプラズマ反応処理装置、2,2
0は本体、5は外部電極、7はチヤンバー、8は
内部電極、9は小孔、15は試料載置台、S1はプ
ラズマ発生室、S2は反応処理室、Wは試料であ
る。
Claims (1)
- チヤンバーの外側に外部電極を設け、この外部
電極と対峠する多数の小孔を形成した内部電極を
チヤンバー内に配設することでチヤンバー内を上
部のプラズマ発生室と下部の反応処理室とに区画
し、この反応処理室には試料を一枚づつ処理する
ための試料載置台を臨ませ、更に前記外部電極、
内部電極及び試料載置台上面をそれぞれ平行関係
をもつて配設したことを特徴とするプラズマ反応
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985088424U JPH0517880Y2 (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985088424U JPH0517880Y2 (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61203544U JPS61203544U (ja) | 1986-12-22 |
| JPH0517880Y2 true JPH0517880Y2 (ja) | 1993-05-13 |
Family
ID=30641543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985088424U Expired - Lifetime JPH0517880Y2 (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0517880Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2637314C2 (de) * | 1976-08-19 | 1983-12-15 | Carl Still Gmbh & Co Kg, 4350 Recklinghausen | Einrichtung für die automatische periodische Umsteuerung der Regenerativ- Beheizung von Verkokungsbatterien |
| US4158589A (en) * | 1977-12-30 | 1979-06-19 | International Business Machines Corporation | Negative ion extractor for a plasma etching apparatus |
| JPS5799743A (en) * | 1980-12-11 | 1982-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Apparatus and method of plasma etching |
-
1985
- 1985-06-12 JP JP1985088424U patent/JPH0517880Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61203544U (ja) | 1986-12-22 |
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