JPS6355490A - フオトセンサの汚損検知方式 - Google Patents
フオトセンサの汚損検知方式Info
- Publication number
- JPS6355490A JPS6355490A JP61200483A JP20048386A JPS6355490A JP S6355490 A JPS6355490 A JP S6355490A JP 61200483 A JP61200483 A JP 61200483A JP 20048386 A JP20048386 A JP 20048386A JP S6355490 A JPS6355490 A JP S6355490A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensor
- light
- voltage
- emitting element
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Transform (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は、発光素子と該発光素子の出射光を受光する受
光索子とを具備し、受光素子の受光量に対応した出力を
発生するフォトセンサにおいて、前記発光素子の駆動電
圧を低下させて擬像的にフォトセンサを汚損状態と等価
な状態となし、そのときの受光素子の出力と出力の基準
値との比較結果からフォトセンサの汚損の進行度合を検
知可能とする。
光索子とを具備し、受光素子の受光量に対応した出力を
発生するフォトセンサにおいて、前記発光素子の駆動電
圧を低下させて擬像的にフォトセンサを汚損状態と等価
な状態となし、そのときの受光素子の出力と出力の基準
値との比較結果からフォトセンサの汚損の進行度合を検
知可能とする。
本発明は、対向配置された発光素子及び受光素子を具備
するフォトセンサに関する。
するフォトセンサに関する。
発光素子と、この発光素子から出力された光を受光する
如く対向配置された受光素子とを具備するフォトセンサ
は、画素子間に物体が入り込み、発光素子から出射され
た光が遮られると、受光素子の出力が変化することを利
用し、家電製品や工業製品、或いはキャッシュ・ディス
ペンサのような自動化機器などにお“いて、物体の検知
用に多く使用されている。
如く対向配置された受光素子とを具備するフォトセンサ
は、画素子間に物体が入り込み、発光素子から出射され
た光が遮られると、受光素子の出力が変化することを利
用し、家電製品や工業製品、或いはキャッシュ・ディス
ペンサのような自動化機器などにお“いて、物体の検知
用に多く使用されている。
第3図は、上述のフォトセンサの動作を説明するための
基本回路構成図である。同図において、1は発光素子で
例えばLED (フォトダイオード)、2は発光素子1
の出射光、3は受光素子で例えばフォトトランジスタ、
4は被検知物体で、例えばキャッシュディスペンサにお
いては紙幣がこれに当たる。また、Rt、Rtはそれぞ
れLEDI及びフォトトランジスタ2の負荷抵抗である
。
基本回路構成図である。同図において、1は発光素子で
例えばLED (フォトダイオード)、2は発光素子1
の出射光、3は受光素子で例えばフォトトランジスタ、
4は被検知物体で、例えばキャッシュディスペンサにお
いては紙幣がこれに当たる。また、Rt、Rtはそれぞ
れLEDI及びフォトトランジスタ2の負荷抵抗である
。
発光素子例えばフォトダイオード(LED)1からの出
射光2は、受光素子1例えばフォトトランジスタ3で受
光され、その光量に応じた出力電流■、が得られる。
射光2は、受光素子1例えばフォトトランジスタ3で受
光され、その光量に応じた出力電流■、が得られる。
この出力電流■1は受光量に比例して変化するので、被
検知物体4が上記発光素子1と受光素子3との間に入り
込むと、受光素子3の受光量が遮断もしくは減少するた
め、受光素子3の出力電流■、が減少し、負荷抵抗RL
における電圧降下が小さくなり、出力電圧V。UTが上
昇する。
検知物体4が上記発光素子1と受光素子3との間に入り
込むと、受光素子3の受光量が遮断もしくは減少するた
め、受光素子3の出力電流■、が減少し、負荷抵抗RL
における電圧降下が小さくなり、出力電圧V。UTが上
昇する。
第4図は上述のフォトセンサの検出特性を示す図で、A
部は発光素子1及び受光素子3の間に被検知物体4が存
在しない場合を、B部は受光素子に入射する光が被検知
物体4によって光2が完全に遮られた場合を、0部は移
動してきた被検知物体4により光2の一部が遮られた状
態を示す。
部は発光素子1及び受光素子3の間に被検知物体4が存
在しない場合を、B部は受光素子に入射する光が被検知
物体4によって光2が完全に遮られた場合を、0部は移
動してきた被検知物体4により光2の一部が遮られた状
態を示す。
このように受光素子3の出力電圧■。LITが、被検知
物体4の有無によって変化する。従って第2図に見られ
るように、適当な基準電圧V、を設けて出力電圧■。L
ITをこれと比較することにより、被検知物体4の有無
を知ることができる。
物体4の有無によって変化する。従って第2図に見られ
るように、適当な基準電圧V、を設けて出力電圧■。L
ITをこれと比較することにより、被検知物体4の有無
を知ることができる。
なお、第2図に示す5は出力電圧V。U7と基準電圧v
3とを比較する比較器、6は基準電圧■。
3とを比較する比較器、6は基準電圧■。
を発生させる基準電圧発生器である。
このようにフォトセンサは、被検知物体4の有無を容易
に検出できるので、前述したように各種機器に多く使用
されているが、装置及び機器への取り付は構造土埃によ
り汚損し易く、そのため誤検知すなわち被検知物体4が
存在しないにもかかわらず、被検知物体4があるかの如
く動作することがある。
に検出できるので、前述したように各種機器に多く使用
されているが、装置及び機器への取り付は構造土埃によ
り汚損し易く、そのため誤検知すなわち被検知物体4が
存在しないにもかかわらず、被検知物体4があるかの如
く動作することがある。
これは、発光素子lまたは受光素子3が汚損すると、発
光量または受光量が減少し、これに伴って被検知物体4
が存在しない時の出力電流ILが減少し、出力電圧v0
υ丁が同図のDで示すように上昇してしまい、ときには
基準電圧V、を超えてしまうためである。
光量または受光量が減少し、これに伴って被検知物体4
が存在しない時の出力電流ILが減少し、出力電圧v0
υ丁が同図のDで示すように上昇してしまい、ときには
基準電圧V、を超えてしまうためである。
なお、第2図に示す回路構成では、フォトセンサの出力
電圧V。L17は、第3図に示すように受光時に低く遮
光時に高くなるが、これは−例であって、回路の構成に
よってはこの関係を反対にすることもできる。
電圧V。L17は、第3図に示すように受光時に低く遮
光時に高くなるが、これは−例であって、回路の構成に
よってはこの関係を反対にすることもできる。
上述の如くフォトセンサの誤検知は、発光素子1または
受光素子3が汚損することによって生じるものである。
受光素子3が汚損することによって生じるものである。
従来はこの汚損をチェックする手段がなく、そのため汚
損による誤動作を未然に防止するには定期的な清掃すな
わち定期点検を実施するしかなかった。しかしかかる点
検は、一般的に汚損の有無と無関係に行われ、従ってフ
ォトセンサの使用個数が多い装置では、多大の工数を必
要とする欠点があった。
損による誤動作を未然に防止するには定期的な清掃すな
わち定期点検を実施するしかなかった。しかしかかる点
検は、一般的に汚損の有無と無関係に行われ、従ってフ
ォトセンサの使用個数が多い装置では、多大の工数を必
要とする欠点があった。
本発明の目的は、フォトセンサの定期点検要する多大の
工数を削減し、あわせて汚損によるフォトセンサの誤検
知すなわち障害を未然に防止するため、汚損状態のチェ
ック可能なフォトセンサを提供することにある。
工数を削減し、あわせて汚損によるフォトセンサの誤検
知すなわち障害を未然に防止するため、汚損状態のチェ
ック可能なフォトセンサを提供することにある。
上記目的を達成するため本発明においては、フォトセン
サの発光素子の駆動電圧を可変する手段を設け、この駆
動電圧可変手段によって発光素子の駆動電圧を低下させ
ることによって発光量を減少させ、被検知物体が存在し
ないときの出力電圧vouTと上記基準電圧V、との差
を通常より小さくし得るようにした。
サの発光素子の駆動電圧を可変する手段を設け、この駆
動電圧可変手段によって発光素子の駆動電圧を低下させ
ることによって発光量を減少させ、被検知物体が存在し
ないときの出力電圧vouTと上記基準電圧V、との差
を通常より小さくし得るようにした。
発光素子の駆動電圧電圧を低下させると発光量が減少し
、従って受光素子の受光量が減るため出力電流I。UT
が減少する。そのため被検知物体が存在しない場合の出
力電圧V。、JTと基準電圧V。
、従って受光素子の受光量が減るため出力電流I。UT
が減少する。そのため被検知物体が存在しない場合の出
力電圧V。、JTと基準電圧V。
との差が小さくなる。これに発光素子または受光素子の
汚損が加わると、出力電圧■。LITは基準電圧V、を
容易に超えてしまう。従って駆動電圧を低下させたとき
の出力電圧を基準電圧と比較すれば、汚損による誤動作
が発生する前に汚損を検出することができる。
汚損が加わると、出力電圧■。LITは基準電圧V、を
容易に超えてしまう。従って駆動電圧を低下させたとき
の出力電圧を基準電圧と比較すれば、汚損による誤動作
が発生する前に汚損を検出することができる。
第1図は本発明一実施例の構成説明図で、前記第2図と
同一部分は同一符号を付しである。更に7は駆動電圧低
下手段であって、抵抗Rとこれに並列に接続されたスイ
ッチSWからなり、フォトダイオード1と電源(図示せ
ず)の間に直列に接続される。
同一部分は同一符号を付しである。更に7は駆動電圧低
下手段であって、抵抗Rとこれに並列に接続されたスイ
ッチSWからなり、フォトダイオード1と電源(図示せ
ず)の間に直列に接続される。
上記スイッチSWは通常の動作状態では閉状態とされ、
抵抗Rの両端を短絡している。従って抵抗Rはフォトセ
ンサの動作に何ら関与しない。
抵抗Rの両端を短絡している。従って抵抗Rはフォトセ
ンサの動作に何ら関与しない。
第2図は本実施例の検出特性を示す図で、A。
B、C部は前記第4図と同じく、それぞれ被検知物体4
が存在しない場合、被検知物体により光が完全に遮断さ
れた場合、及び光の一部が遮断された場合の出力電圧■
。LITである。
が存在しない場合、被検知物体により光が完全に遮断さ
れた場合、及び光の一部が遮断された場合の出力電圧■
。LITである。
この出力電圧V。UTのA部は、フォトセンサが汚損し
ていると上昇し、例えば同図のF部の位置に移動する。
ていると上昇し、例えば同図のF部の位置に移動する。
汚損がこの程度では基準電圧V、と十分差があるので、
誤検知は発生しない。しかし汚損が進行してA部とF部
との差のvdが大きくなり、A部の電圧にv4を加えた
値、即ちF部がが基準電圧のV、を超えると誤検知が発
生することとなる。
誤検知は発生しない。しかし汚損が進行してA部とF部
との差のvdが大きくなり、A部の電圧にv4を加えた
値、即ちF部がが基準電圧のV、を超えると誤検知が発
生することとなる。
次に本実施例におけるフォトセンサの汚損チェック動作
を説明する。
を説明する。
フォトセンサの汚損をチェックする際には上記スイッチ
SWを開放し、抵抗Rをフォトダイオード1と電源との
間に介挿する。これによりフォトダイオード1の駆動電
圧は、抵抗Rにおける電圧効果骨だけ低下する。従って
フォトダイオード1の出射光2の光量が低下し、被検知
物体4が存在しない場合の出力電圧V。UTはA部から
G部まで上昇し、基準電圧vsとの差はV、となる。
SWを開放し、抵抗Rをフォトダイオード1と電源との
間に介挿する。これによりフォトダイオード1の駆動電
圧は、抵抗Rにおける電圧効果骨だけ低下する。従って
フォトダイオード1の出射光2の光量が低下し、被検知
物体4が存在しない場合の出力電圧V。UTはA部から
G部まで上昇し、基準電圧vsとの差はV、となる。
もしフォトセンサの汚損が前述したように進行し、■4
がV、より大きくなっていると、出力電圧はG部から更
にv4だけ高いH部に移動し、基準電圧■、を超えてし
まう。そのため実際には被検知物体4が存在しないにも
拘らず、あたかも被検知物物体4が存在するかのように
動作し、誤検知する結果となる。汚損が僅かでV、がV
、より小さいと誤検知は起こらない。
がV、より大きくなっていると、出力電圧はG部から更
にv4だけ高いH部に移動し、基準電圧■、を超えてし
まう。そのため実際には被検知物体4が存在しないにも
拘らず、あたかも被検知物物体4が存在するかのように
動作し、誤検知する結果となる。汚損が僅かでV、がV
、より小さいと誤検知は起こらない。
つまり上記■1は汚損の許容値に相当し、抵抗Rの値を
選択することによりV、を任意に設定できる 以上述べたように本実施例ではスイッチSWを開放する
ことにより、フォトセンサの汚損の進行度を容易にチェ
ックできる。
選択することによりV、を任意に設定できる 以上述べたように本実施例ではスイッチSWを開放する
ことにより、フォトセンサの汚損の進行度を容易にチェ
ックできる。
なお本発明における駆動電圧可変手段7は、上記一実施
例の構成に限定されるものではない。例えば、電源とし
て正規の電圧のものと低い電圧のものを2種類設けてお
き、これを切り換えるようにしたものであっても良く、
種々変形して実施し得るものである。
例の構成に限定されるものではない。例えば、電源とし
て正規の電圧のものと低い電圧のものを2種類設けてお
き、これを切り換えるようにしたものであっても良く、
種々変形して実施し得るものである。
以上説明した如(、本発明によればフォトセンサの汚損
の進行状態を随時簡単にチェックできるので、汚損防止
に要する工数を低減でき、また装置の汚損による障害の
発生を未然に防止できる。
の進行状態を随時簡単にチェックできるので、汚損防止
に要する工数を低減でき、また装置の汚損による障害の
発生を未然に防止できる。
第1図は本発明一実施例の構成説明図、第2図は上記一
実施例の動作説明図、 第3図は従来のフォトセンサの構成説明図、第4図は従
来のフォトセンサの問題点を説明するためのフォトセン
サの検出特性図である。 図において、1は発光素子、2は出射光、3は受光素子
、7は駆動電圧可変手段、■3は基準電/T、発明−虻
艶例扇賎娩明凹 第1図 S →出77質斤Vout
実施例の動作説明図、 第3図は従来のフォトセンサの構成説明図、第4図は従
来のフォトセンサの問題点を説明するためのフォトセン
サの検出特性図である。 図において、1は発光素子、2は出射光、3は受光素子
、7は駆動電圧可変手段、■3は基準電/T、発明−虻
艶例扇賎娩明凹 第1図 S →出77質斤Vout
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 発光素子(1)と、該発光素子の出射光(2)を受光す
る如く前記発光素子に対向配置され受光量に対応した出
力を発生する受光素子(3)と、該受光素子の出力を予
め設定された基準値(V_3)と比較し、比較結果に基
づいて前記発光素子と受光素子間における被検知物体(
4)の有無を知るよう構成されたフォトセンサにおいて
、 前記発光素子(1)に当該素子の駆動電圧低下手段(7
)を設け、前記発光素子(1)と受光素子(3)間に被
検知物体(4)が存在しない状態で前記駆動電圧低下手
段(7)を作動させ、前記受光素子(3)の出力と前記
基準値(V_S)との比較結果に基づいて当該フォトセ
ンサの汚損の有無を判断し得るよう構成されたことを特
徴とするフォトセンサの汚損検知方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61200483A JPS6355490A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | フオトセンサの汚損検知方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61200483A JPS6355490A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | フオトセンサの汚損検知方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355490A true JPS6355490A (ja) | 1988-03-09 |
Family
ID=16425063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61200483A Pending JPS6355490A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | フオトセンサの汚損検知方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6355490A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010017895A (ko) * | 1999-08-16 | 2001-03-05 | 배길훈 | 광량센서의 오픈감지 장치 및 그 방법 |
-
1986
- 1986-08-26 JP JP61200483A patent/JPS6355490A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010017895A (ko) * | 1999-08-16 | 2001-03-05 | 배길훈 | 광량센서의 오픈감지 장치 및 그 방법 |
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